☆電気・電子の宿題，資格試験問題は俺に任せろ２☆

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前スレ
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1075015019/l50

関連スレ
初心者質問スレ　その３
http://science2.2ch.net/test/read.cgi/denki/1084088185/
◆【モータ】電力・電気機械の質問･雑談【発電機】
http://science2.2ch.net/test/read.cgi/denki/1074076812/
【配線】家庭の電気 質問・対話スレッド【家電】
http://science2.2ch.net/test/read.cgi/denki/1073581739/
もの凄い勢いで誰かが質問に答えるスレ　その２
http://science2.2ch.net/test/read.cgi/denki/1080936974/
★電子工作なんでも質問スレ３★
http://science2.2ch.net/test/read.cgi/denki/1080661081/

次スレ落ちたのか
Ver2,1だね
>>1乙

鯖移転したので、定期保守しないとすぐ落ちるよ。

ただいま教育実習で中学校に行ってます　で、フレミング左手の法則について
生徒に教えることになりました・・・が困ってます　指導案が書けません
ネタがない　ってか法則一個教えるのに５０分もいるのか？
たぶんいるんだろうけど・・・技量がない　助けてください

そもそも電気・電子板で聞くことなのかなと思ってますが、アドバイス
よろしくお願いします
あと板違いスレ違いなら、板教えて頂けるとありがたいです。

>>4
指導案ってどんな風に書くのか知らないけど、
簡単な実験するとかはＯＫなの？

電池に豆電球繋いで、途中導線を宙吊りのフリーな状態にし、
その導線に磁石近づけると導線が動く。
Ｎ極近づけたときとＳ極近づけたときの違いを見て、
その法則性を考察する。
ってのはどう？

>>5
返信ありがとうございます。　実験はＯＫです。

方法も十分に参考になりました
あと問題は５０分という時間ですね、実験をいれても数十分で終わりそう
まぁこれは自分の問題かなｗ　経験もないし、生徒に理解できない内容に
ならないようにだけ注意して、チャレンジしてみます＾＾

>>6
電池の極性変えたり、本数増やしたりして、
結果を表にすると結構時間がかかるかな。

>>1
乙

偶数パリティピットとは
入力と出力の１の数たして偶数個になるようにした
もの・・・であってますか？

>>6
「導入」と「整理・まとめ」とかを考えると、
実際に実験できる時間は、もっと減りそう。

>>9
言葉の問題だと思うんだけど，入力と出力ってのは何を想定しているの？
漏れの分野で言えば，
「偶数パリティビットとは規定されたバイトまたはワード内の
2進数での1の数を足して偶数個にするように調整するためのビット」
かな．

>>9

入力データ中の１の数が偶数になるよう、１か０を付随させ出力するエラー検出符号の一種

>>6
50分なんてあっという間じゃないのかなー？
>>5に書いてあるような実験するだけでも手間かかると思うよ．

開始〜5分：本日の内容の説明
5-10: 実験道具配布
10-15: 実験方法説明
15-30: 実験
30-40: 各班発表，議論
40-50: まとめ，片付け

パリティビットについてですが・・・
要するにそのデータの中に１が偶数個あるのか奇数個あるのか判定する回路ですよね？
これによってデータのエラーを検出できると本にあるのですが・・・
例えば、正常なデータに１が偶数個ふくまれているとして、
エラーが数箇所あってその結果１の偶奇が正常なデータとたまたま
一致してしまったりしたらパリティビットでエラー判別できなくないですか？

>>14
言うとおり、エラー判別には限界があるので、結局上位層や別の誤り訂正符号で
誤り検出・訂正をやってます。

通信で言うところのデータリンク層のエラー検出・訂正なんだと思いますが、
ネットワーク層やアプリ層でもやっちゃいますので、
そのうちどっかで検出して直るって感じでいいのかな・・・

パリティは1bitの検出しかできませんが、ほとんどの場合、2bit以上の
誤りが出ることは少ないので、あんまり問題にならなかったりします。

>>7 >>10 >>13
皆さんアドバイスありがとうございます＾＾
時間余ると思ってましたが、模擬授業してみて全然足りない事に気付き
ました　実践もせず安易に質問していた自分が情けないです

これからは内容の方をつめていきたいと思います〜

時間波形F(t)のフーリエ変換をF(ω)とすると

・f(t)exp[±j0ωt]のフーリエ変換はF(ω−ω0)、F(ω＋ω0)
・f(t)cos(ω0t)のフーリエ変換は1/2{F(ωーω0)＋F(ω＋ω0)}
と成る事の証明を宜しくお願いします。

上はそのままフーリエ変換の式へ入れて、w' = w-w0という
変数変換をした置換積分を実行するだけ。

下は、cos(w0t) = 1/2 {exp(jw0t)-exp(-jw0t)}であることを
用いて置き換え、上の結果をそのまま使用するだけ。

http://f41.aaacafe.ne.jp/~gorogoro/1.png　答え４　
http://f41.aaacafe.ne.jp/~gorogoro/2.png　答え２

上の問題の答えは４番で(-5,4,-3)となっているのですが
(-5,4,-1)の間違いでしょうか？　
（　F　=　(　I　*　1　)×Ｂで計算しました。。。　）

下の問題は上の　ーＲーＲーＲー　がなければ節点方程式を
使って（もしくはミルマン）で、解けるような気がするのですが、
ーＲーＲーＲーがあるため、どう解いたらいいのかわかりません。
よろしくお願いします。

>上の問題の答えは４番で(-5,4,-3)となっているのですが
>(-5,4,-1)の間違いでしょうか？　
>（　F　=　(　I　*　1　)×Ｂで計算しました。。。　）

すみません(-5,4,-1)でなくて(-5,4,1)でした。

上は君ので正解。
下は回路の対称性から中央のRに電流が流れない、つまり
左右が分離されていると考えて解いてよい。Eと抵抗4本の
回路で、解けば2番だ。

>>21
助かりました〜
ありがとうございます

ニ電力計法のベクトル図による説明を。とあるのですが、どのようにやればよろしいですか。

断面積1平方cmの銀線(Agは一価、n=1*10^(-23))に100Aの電流が流れている。
電子の速度vはどうなるか？
また、導線の中を電気信号が伝わる速度と比べてvはどの程度の大きさか。その差について考えを述べよ。

さっぱりわからなくて困っているんですがどなたか解答おねがいできませんでしょうか？

半導体なんですけど真性半導体中の電子濃度ｎ
のなかにでてくるＮｃ伝導体の実効状態密度を導きなさいって
あるんですけど教えてください

>>23
電力計が2つの場合と3つの場合の P+jQ の等価性を説明すればいいんじゃないの？

>>24
I = dq/dt = envS

>>25
問題の定義が完全に出てないから一般的に導くと
真性半導体のキャリア濃度 n は
　　　　　E0
　n = ∫　　g(E)n(E) dE
　　　　　Ec
と表される．ここでE0は真空準位，g(E)は状態密度関数，f(E)はフェルミディラック分布
　g(E) = 4π(2m_n/h^2)^(3/2) * sqrt(E-Ec)
　f(E) = [1+exp((E-Ef)/kT)]^(-1) ≒ exp(-(-E-Ef)/(kT))
である．但し，ボルツマン近似を用いている．積分上限を∞として n について展開すれば
　　　　　∞
　n = ∫　4π(2m_n/(h^2))^(3/2) * sqrt(E-Ec) * exp(-(E-Ef)/kT) dE
　　　　　Ec
　　 = 2(2πm_nkT/(h^2))^(3/2) exp(-(Ec-Ef)/kT)
実行状態密度を Nc とおけば
　n = Nc * exp(-(Ec-Ef)/kT)
より
　Nc = 2(2πm_n kT/(h^2))^(3/2)
となる．

間違えてる．3行目は
　　　　　E0
　n = ∫　　g(E)f(E) dE
　　　　　Ec 　　~~~~~

dx/dt=Ax+Bu,u=-fx,f=(f1,f2)=([0 1.2π],[4π2 1.2π])となっていて、それの固有値、インパルス応答を求めたいのですがどうしたらよいのでしょうか？googleで調べてみたのですがどうもわからなくて。

>>23
この回路図及びベクトルで考える。
ttp://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_16
電力計W1,W2の指示P1,P2は、
P1=Vab･Ia･cos(π/6+φ)
　=Vab･Ia{cosπ/6･cosφ-sinπ/6･sinφ}
　=Vab･Ia{√3/2･cosφ-1/2･sinφ}
P2=Vbc･Ic･cos(π/6-φ)
　=Vbc･Ic{cosπ/6･cosφ+sinπ/6･sinφ}
　=Vbc･Ic{√3/2･cosφ+1/2･sinφ}
＊図では-Vbcになっているが、電力計のつなぎ方がcを+側につないでいるので+Vbcでいい。
三相平衡回路とすると、Vab,Vbc,Vcaの絶対値は等しくV,線電流Ia,Ib,Icの絶対値はIとなり、
P1=V･I{√3/2･cosφ-1/2･sinφ}
P2=V･I{√3/2･cosφ+1/2･sinφ}
P1+P2=√3･V･I･cosφ
となる。これは、3･E･I･cosφとも書け、三相電力を表す式。
尚、|Ea|=|Eb|=|Ec|=E、V=√3･E

電気磁気学の問題で聞きたいことがあります。
問いは、
「電位差Vが加わった、間隔dの導体板間(この間は真空で、誘電率はε_0とする)に、誘電体ε_2を挿入すると、次式で表される単位幅当りの力Fで導体板間に引き込まれる。

F = (ε_2 - ε_0)V^2/(2d)

上の式を導出せよ。」
というものです。
教科書を見ると、「キャパシタの端部で生じる電界の乱れにより生じ分極電荷に働く力によるもので、端部の影響が誘電体を通して内部(ここでは導体板間)の端部に現れている」とありました。
物理的なイメージとしては沸くのですが、いざ式を導出せよ、と言われるとどうしていいのか分かりません。
境界条件と、仮想変位の原理を用いて解くのかなー？ぐらいしか思いつきません。

どなたか教えてください。
お願いします。　

>>27
ありです

>>31
なんだか昔の大学入試の問題みたいだねえ。

単位幅あたりの力を求めればよいので、幅１の導体板を考える。間隔はｄ
この導体板間に誘電体ε2が長さｘだけ挿入されたとする。
すると静電容量は、

　　(ε2−ε0)･ｘ
Ｃ＝───────　だけ増える。
　　　　 ｄ

ところで、容量Ｃのコンデンサを電圧０からＶに充電したとき、電池のする仕事は、

　　　　　　　2
Ｗ＝ＱＶ＝ＣＶ

いっぽう、電圧Ｖに充電された容量Ｃの蓄える静電エネルギーは、

　　 １　　 2
Ｕ＝──ＣＶ
　　 ２

したがって、Ｗ−Ｕ＝(1/2)ＣＶ^2 だけのエネルギーが行方不明ということになる。
どこへいった？

これを見ると、次の問題を思い出すかもしれない：

充電されたコンデンサに他のコンデンサを並列につないだとき、エネルギーはどう
配分されるか。

このときには、回路にある微小な抵抗によってエネルギーの半分が消費されてしま
うのだが、このときはどうだろうか。

誘電体板を限りなくじわじわと挿入すれば、回路電流は限りなく小さくなり、抵抗
による損失も無限小、つまり０になる。と、すれば、エネルギーはなにか別なもの
に蓄えられると考えざるを得ない───そう、誘電体板。

誘電体板は、力を受けてその方向へ動くのだから、仕事をされたことになる。いま、
それがｘからｘ＋ｄｘまで動いたとすれば、受けた仕事はＦｄｘ。

１　　　 2　 １ 2
─Ｃ(ｘ＋ｄｘ)Ｖ − ─Ｃ(ｘ)Ｖ ＝Ｆｄｘ
２　　　　　 ２

微分になおせば、

ｄ １ 2
── ─ＣＶ ＝Ｆ
ｄｘ ２

左辺を計算して、
　　　　　　　 2
　　(ε2−εo)Ｖ
Ｆ＝──────
　　　　２ｄ


まぐまれない魚チョコさんに問題のときちんを　ﾐ ﾟ 仝ﾟﾐ_凵

わるい。もめ帳で書いたんだが、フォント設定がＭＳゴシックになってたわ。
ＭＳＰでなきゃだめよねえ。なおしてよんでくり。

　１７です
>>18さん有難うございました。おかげでいい事有りました。

>>26
>>30
ありがとうございました

>>33氏
非常に分かりやすい解説、本当にありがとうございました。
自分はもっと難しいこと考えてましたが、解説してもらうと、大学入試レベルの非常に簡単な問題だということが分かりました。

今回はありがとうございました。

無線工学の授業で、
電圧増幅回路、電流増幅回路、電力増幅回路は
それぞれどこで使うか？その理由も。
という、問いを出されたのですがどうにも判りません。

どなたかお教えください。

>>38
無線工学っても広いなぁ･･･
無線工学の中でも、授業ごとのトピックがあったと思うけど、それは？

>>39
アンテナ…だったと思いますです。。

電磁気のことで質問です。
点Oから上下等距離ｄ〔m〕離れた2点A,Bに点電荷+ｑ〔ｃ〕、-ｑ〔ｃ〕がある。
（1）点Oの電界を求めよ。
　また電界の方向を矢印で図示せよ。
（2）点Oの電位を求めよ。

これって電界が0になりませんか？
でも0だと矢印も描けないし、電位もだせない・・・
どう計算すればいいのか教えてください。

>>41
電界の強さ（電位傾度）E
＞これって電界が0になりませんか？
なりませんよ。
+qによるEと-qによるEと重ね合わせにより倍になります。

>>41
　ならない。頭冷やせ。

>>42
ということは、電界の矢印は+から-に向かって出来るわけですね。

>>44
うん、そう

あ、ちなみに公式通りにやると
E＝ｑ/4πεｒ＾2＝9×10＾9×（ｑ/ｄ＾2）
で、それを倍にするから
Ｅ＝18×10＾9×（ｑ/ｄ＾2）
ですよね。

ちなみに電位は
Ｖ＝ｑ/4πεｒ＝9×10＾9×（ｑ/ｄ）
ですか？

電位の計算おかしくね？

>>47
あ、これは電圧か。
電位って確か〔Ｊ/Ｃ〕でしたっけ？

あ、単位じゃなくて計算か・・・
もういちどやってみます。

>>47
やはりあってるようですよ。
ttp://www4.ocn.ne.jp/~katonet/kagaku/kousiki/denjiki.htm

>>50
　そういうことじゃないんだなぁ。式の詳細じゃなくて、立てている式
そのものがおかしいってこと。
　電荷２つあるだろ？

　まぁ、こういうのも参考にしてくれ。
http://www-het.ph.tsukuba.ac.jp/~tanigchi/Enn/math.01/doc/math3-2.html
http://www.kdcnet.ac.jp/buturi/kougi/buturiko/electcity/elemag1/elemag1.htm
　電界・磁界はある程度視覚的というか３Ｄなイメージで捉えられないと
かなりキツいよ。

>>51
あ、そういうことでしたか。
たしかにこの分野は脳内で立体化しないといけないんで、大変です。

>>52
参考ページです。結構分かりやすいと思います。
http://physics.tamuk.edu/~suson/html/1402/potential.html

電子物性で質問です。

移動度の比が不純物濃度に関係なくb=μn/μp>1の場合、
比抵抗の最大値ρmを、真性比抵抗ρiとbで表せ。

比抵抗ρ=1/q(n・μn+p・μp)で真性比抵抗ではn=pと
するとして、その後がわかりません。
どう計算すればいいか教えてください。

>>53
ありがとうございます。

電流計の内部抵抗をすべり抵抗器を使い(直列式調整法使用)
調べる実験を行ったのですが、回路に保護抵抗を取り付けないと
いけないらしいのですが、付けなければいけない理由がいまいちわかりません。
わかる方教えてください＞＜。

ブリッジ平衡時の各部の電流電圧のベクトル図を用いて
ブリッジの条件Z1Z4=Z2Z3（向かい合うインピーダンスの和が等しい）と
いうのを求めるのですが解法がいまいちわからないので教えて下さい。

和→積
取り合えず交流回路理論の基本は
オームの法則とキルヒホッフの法則だゴラァ！
閉路方程式を立てて自分で導き出しなさい！
最後にこの平衡の意味わかってる？

導く方法は中間に電流が流れないので
電圧降下がない→V1=V3でできるんですが
ベクトル図使うっていうのがいまいちパッときません。。
変圧器とかの分野で等価回路のフェザー表示とかも一応やってきたつもりですが・・・

差動増幅回路でIc1とIc2の位相が反転する理由を教えてください。
お願いします。

>>56
保護抵抗がないと電流計に大電流が流れてヤヴァいだけでは？

>>59
とりあえず全部の電流、電圧、インピーダンスをベクトル表示にして
にらめっこすりゃわかる

>>60
教科書嫁。計算式くらい載ってるだろ。

任意の関数をNORのみで表すとき括弧は二種類あれば十分であることを示せ

これはどのように証明したら言いのでしょうか？
よろしくお願いします。

実験の話なんですが、具体的には誤差率は何％までなら精度が高いと言えるのでしょうか？
実際には、測定する対象によってそれは変わってくるとは思いますが(何％までならok的な)、一般的に数字だけを見た場合で、ということでお願いします。
その理由もできたら教えてください。

　

そんなもん1桁で十分な実験から5桁必要な実験まであるだろが。
数字だけ見て、これは高精度ですねぇって誰が言える？

>>64さん
早いレスありがとうございます！

精度の高い・低いとは、どうやって考えればいいのでしょうか？

自分は数字を見て考えるものだと思っていました。
今、自分が行っている実験から得られた数値は、有効数字は4桁で、誤差率は1〜数%という結果が出ました。
そして理論値(公称値)とは1/100〜1/1000程度から、ズレが生じることが分かりました。
しかし、精度の規準とするべきものの考え方が分からず、数値に対する評価が出来なくて悩んでいるのです。

>>65
宇宙から見ればそんなものは誤差にも値しない程度。
気にしないで生きていこう。

誤差率が数%で、有効数字4桁？なんかおかしくない？
誤差率をどうやって求めたのか、
理論値とは何か（真の値か、何らかの単純化したモデルから計算された値か）、
そのへんはどうなの？

行っている実験は、AV・VA法です。
今、具体例をあげると、公称値が18〔Ω〕の抵抗器を用いて実験したとき、この実測値は18.5609±0.2045±0.0001〔Ω〕と求められました。
上記の値は、〔サンプルの平均値±統計誤差±系統誤差〕とし、系統誤差は測定器の測定限界を利用して算出しました。
誤差率はこの場合だと、(0.2045/18.5609)*100という計算を行い、結果、約1.3%であると求めました。

そういった理由で、先程「有効数字は、4桁で、誤差率は数％である」と書き込んだのです。

間違いの指摘等、お願いします。

FETのドレイン電流ードレイン電圧特性でピンチオフ点を連ねて
できる曲線の式の導出の仕方がわかりません・・・
教えてください。

誤差率に関する計算は全然違いましたね。
本で調べたところ、全く計算方法が異なることが分かりました。

しかし、精度に関することはまだ分からないので、是非、何かあればお願いします。

>>59
こんな感じ
ttp://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_18
（他の条件もあるが省略）
なおベクトルは右側GNDを基準にして描いてあるので注意。
平衡時はこの回路のV0=0だから
ベクトル上でa点が等しい位置となる。
電流I1とI3は（ベクトル値）
I1=E/(Z1+Z2)、I3=E/(Z3+Z4)
である。
V2=V4になるためには、
V2=I1*Z2、V4=I3*Z4
として、複素数の計算をするか、
ベクトルから三角関数使って解く。

図間違ってたらスマン

すいません教えてください。

入力側　　　　　　　　　　出力側
○―Ｒ―●―Ｒ―●―Ｒ―●―○
　　　　｜　　　｜　　　｜
　　　　Ｃ　　　Ｃ　　　Ｃ
　　　　｜　　　｜　　　｜
○―――●―――●―――●―○

上の進相回路で180度位相が進むための周波数を求めたいのですが、
一つのRCの組み合わせで、60度進めばよいので
tan^(-1) (1/ωCR)=60度より、ω=1/CR√3なので、f=1/2πCR√3
という計算にどこかおかしい所はありますか？
Fパラメータから計算するとf=1/2πCR√6となるのですが・・・

>>68
何の評価をしたいのかよくわからんなぁ。
もともとばらつきのある複数のサンプルを測定してるってことでしょ？
そんなのの平均と分散とっても、
18Ωのつもりで作った抵抗の製造上のばらつきの評価をしてるだけじゃない？

>>72
　考え方が最初から間違ってる。
　バッファ(緩衝器)無しでは直列にしたCR回路は相互干渉を起こし
減衰特性も位相特性も、1次CRを３回とは別のものになる。
　ちゃんとキルヒホッフの法則から、回路全体の伝達特性を求めて
その上で位相回転が180度になる周波数を求めなければいけない。
Fパラメータで計算すれば、その相互干渉も計算している。

>>74
なるほど、そういう事ですか。
どうも有難うございました。

>>73さん
書いてて自分でももう意味が分からなくなってきたのですが、実験で数字と誤差を出すということは、その測定物に対して実測値と理論値の差について数値的な観点から何かしらの評価をしろということではないのでしょうか？
誤差を求めると言うことは、実際には真値(理論値)と実測値の関係をについて、どう評価してあげればいいのかも分からなくなってきました。
どのようなことが求められているのでしょうか。
何の評価をするかは、行う実験において変わってくるとは思いますが。
73さんの言うように、この実験では、抵抗のばらつきに対する評価しかできないとも思います。

考え方が分からないし、文章もおかしくなってきたので、もうちょっと自分で考えてから先生に聞いてみようと思います。
ありがとうございました。

力率0.8の負荷480kWに電力を供給する変電所で、220kVAのコンデンサを
設置すると力率はどう改善されるか

＞力率0.8の負荷480kWに電力を供給する変電所
ここの部分がよく分からないのですが､｢負荷に480kWの電力を〜｣
ではないですか？

>>68
18.5609±0.2045±0.0001
およそ±0.2の誤差が現れている時点で、
小数第2位以下は当てにならない数値。
よって、有効数字はいいとこ18.5（18.6かな）の3桁でしょう。
「有効数字は4桁で」=18.56 というのは明らかに変です。

>>77
「100Wの電球」とか言うじゃないですか。
これは100Vで動かすことを前提にしているので、
抵抗値はおのずと決定されますよね？

変電所からは定電圧が出力されます。
なので、電圧の値さえ決まってしまえば、「100Wの電球」と同じ要領で
480kWの抵抗だの220kVAのキャパシタの容量は決まります。

バイポーラトランジスタの静特性の実験で
トランジスタの発熱を抑える方法を考えよって問題があるんですが・・・
これって冷却ファンなどをつかう、とかでいいんでしょうか？
それともそういう外部のものをつかうんでなく、回路に例えば抵抗をふやす
とかなんでしょうか？実験事態はエミッタ接地、ベース接地とかの
入出力特性を計測するシンプルなものです。

>>77
答え：不明
理由：力率0.8が誘導性（遅相）であるとは書かれてないから

、、、、、と答えたらDQN扱いだろな(w

>>78さん
＞有効数字は4桁で〜
スイマセン、間違えました。
まだ言葉に不慣れなもので、言いたかったのは「少数点以下4桁」と言う事でした。
誤解を招いてしまって、申し訳ないです。

自分は系統誤差に(このときだと±0.0001)に統計誤差を合わせろ、と習いました。
なので、系統誤差が小数点４桁目に数が現れたため、統計誤差をそれに合わせて４桁目まで書き、サンプルの平均値(このときだと18.5609)も４桁目まで書きました。

>>78さん
文長くて書き込めなかったので二つに分けさせてもらいました。
以下、続きです。

これついては、考え方が理学系教師と工学系教師で別れている(自分の周りに関してはです)ように感じました。
理学系の教師は、自分が言ったような考え方です。
一方、工学系の教師からは、78さんの指示を受けました。
自分のを例に挙げると、私が言ってる統計誤差と系統誤差分を足した値（ここでは0.2045+0.0001をした値）の一番初めに来た値を利用して、数値としては18.6±0.2を実測値と言うことになります。
今日提出したレポートに関しても、工学系の教師から、「なんだこの誤差はｗ」や「こんな書き方初めて見たわ」等の突っ込みを受けました。
他大の友人も、工学系は78さんの方法を取っているようです。
しかし、自分は実測値(数値)から算出された誤差分と、機器によるそれを見て分かるようにするためと、二つの誤差を「許容範囲が分かればそれでいい」という理由で足す考えに納得できなかった二点をもって、あえてそのような誤差の表記をしました。

単相半波整流回路をオシロスコープを用いて観察した、出力電圧波形と出力
側に接続した直流電圧計の指示値から、直流電圧計の指示値の物理的意義を
述べよ。
という問題をお願いしたいのですが、どうかよろしくお願いいたします。
交流電圧計の指示値と入力電圧波形についてだといろいろ調べてみても
載ってるのですが、こちらのほうはなかなか載ってなくて・・・。

>>68
私は理学系の方だけど、それでもおかしいな。
その系統誤差というのは、デジタル表示の測定器の
特性分だけで、測定系全部を考えに入れたものでは
ないのではないかと、気になってしまう。
測定系とか測定法全体の誤差を考えないと。
そんな手軽に6桁も測定値を保証できるものではないぞ。

>>84
　調べる尋ねるばかりじゃなくて自分で考えろよ。

　たいていの直流電圧計の目盛りは均等、つまり電圧計の針は電圧に比例した
力をうける。電圧計に変化する電圧を加えた場合は、針の質量（慣性）のため
力が平均化され、電圧の時間平均値が得られる。理論値は、
Vmean = (1/2π)∫[0,π] sin x dx・Vpeak
平均化されることを力学的に証明せよとまで言われたら漏れも困るが・・・

　ダイオードの後にコンデンサが接続されている場合は、まずコンデンサが脈
流の尖頭値まで充電され、その後はダイオードに逆電圧がかかるため、コンデ
ンサの電荷に逃げ道がなく、ほとんど放電しないうちに次の尖頭値に充電され
る。そこで直流出力はほぼ脈流の尖頭値になる（負荷が軽いとき）。

速さについての質問です。
(1)自由電子と電子の違い
(2)真空中と金属中の違い

(1)については、「自由電子とは、束縛力の弱い原子の最外殻電子が
原子核の束縛から抜け出したものであり、原子核からの束縛なく
自由に動き回れるので原子核に束縛される電子より速い」という
解釈でよろしいのでしょうか？
(2)については、金属中のほうが真空中より速く、光速に近い
ということがわかっているのですが理由がよくわかりません。
よろしくお願いします。

>>87
金属中の電子の移動速度は光速に比べたら非常に遅いよ。
電子の速さと電流の速さがごっちゃになってないか？

>>80
パルスの繰り返しで測定します。
　連続DC動作でないのでDuty比に応じて発熱が減ります。

ガリウム砒素　ガリウムリン　一酸化珪素（SiO）の励起時間を教えてください

>>87
とりあえず電子の"有効質量"をKey Wordに調べて見よう！

>>68
統計誤差の意味がわかってなかったよオイラ(ノ∀`)
実際に問題になってくるのは系統誤差の方なんで、そのつもりで答えてました。

ただ、系統誤差に統計誤差の桁を合わせるというのであれば、
同一のサンプルについて複数回の計測を行って、
系統誤差を調べる必要があると思います。
>>85さんのいうように、系統誤差の精度が6桁なんてことはないはずです。

>>78さん
>>85さん
毎度お騒がせしております、68でございますｗ
レスどうもありがとうございます。

私もあれから考えたのですが、複数回の実験を(系統を出すには最低三回は必要なんでしたっけ？)行っていないのに、系統誤差を誤った計算から算出し、恥ずかしいことを書いてしまい、「レスどうしよう」と悩んでいたところです。
あー、変なレポート提出しちゃいましたよ。
○○先生もおかしいと思ったんなら、氏ねと言うなり、レポート破り捨てるなり、反応してくださいｗ
同一のサンプルについて複数回の実験を行っていない場合は、系統誤差は見積もれず、統計誤差のみを表示してあげればいいのでしょうか？
質問したい先生が、学会か何かで2週間学校にこないので、なかなか聞けないのです。

>>86

はい、すみません・・・これから気をつけます。。。
ご回答本当にありがとうございました。これでなんとかレポート通ることが
できそうです。

nチャンネルＥ形MOSFETについてなんですが・・・
ゲートに電圧をかけてゲート電極付近に電子をあつめチャンネルを
つくるのがＥ形ですよね？
この電子ってどこからくるんですか？
ｐ形半導体は電子が足りない状態なのでは・・・

>>95
MOSFETの構造考えれ。

電流帰還バイアスの一石の増幅回路を本を参考に設計したのですが、
テストをしようとしてラジオの出力を入力して小型のスピーカーを出力にしたのですが、
音が入力よりかなり小さいのです。
何回も作り直したのですがやはりだめでした。
そこでインターネットで見つけた同じ回路をそのまま作ったのですが、
やはり同じでした。
http://www.page.sannet.ne.jp/je3nqy/analog/1tramp3.htm
何故でしょうか？考えられる事があれば教えていただけないでしょうか？

そちらが示した回路図に書いてある負荷抵抗をよく見なさい。
10kohmとあるでしょう。10kohmの負荷なら増幅回路として
働きます。
あなたの取り付けた小型スピーカーとは8ohm程度のものでは
ありませんか。本来、想定していない負荷なのですから（1000
倍も違う！）回路が正常に動作しないのは当たり前です。

そーゆーものだからだよ。

エミッタ共通は電流が取れない
スピーカつーのは一般に8オームとかで低インピーダンスだから、
この回路に直で繋ぐとゲインが低下する
スピーカに繋ぎたいならエミッタフォロワをはさんで電流を増幅しないとだめぽ

>>95 MOS capacitor の場合はバンドが曲がって、表面だけN型になって
電子は再結合によって生成。

MOSFETは ソース・ドレインがN型。電子は通常ソースから供給される。
教科書すみからすみまで読め。書いてなければ、原理的に考えろ。

>>98
>>100
レスありがとうございました。
おっしゃる通りでよく本を見たら電流はあまり取れないようでした…
なにせ確認する方法がスピーカーと出力をパソコンに入力するだけなもので
オシロほしいな…ＯＴＬ

W1:W2=30:1,一次巻線抵抗r1=15.0Ω,一次漏れリアクタンスx1=21.0Ω，二次巻線抵抗r2=1.50*10^-2Ω，二次漏れリアクタンスx2=2.10*10^-2，励磁コンダクタンスg0=5.60*10^-6[S]，励磁サセプタンスb0=3.70*10^-5[S]の回路定数を持つ変圧器がある。
今、二次側にcosθ=0.9(lag)で|Z|=10Ωで接続したとき、精密等価回路、簡易等価回路を用いて次の設問に答えなさい。なお、二次側端子電圧｜V2｜=200Vとする。

（１）二次負荷電流|I2|
（２）二次誘導起電力|E2|
（３）一次誘導起電力|E1|
（４）励磁電流|I0|[A]
（５）一次供給電圧|V1|

よろしくお願いします。

再結合ってなんですか？

>>103
何がわからんのかがわからん。
等価回路を書いて回路定数をぶっこめば解けるだろうが。

等価回路がわからんのなら教科書嫁
計算がわからんのなら電気回路の内容を振り返れ

>>102
＞オシロほしいな…ＯＴＬ

その通り！　８ΩのＳＰをドライブしたくば、コンプリの
エミフォロ出力段をつけたＯＴＬ結線に汁｡

>>104

こんなスレたてんなよ
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1087136859/

直流電位差計について説明せよみたいな感じなﾚﾎﾟ書かなきゃなんですが・・・

>>108
ググレばすぐ出るものを態ときいているのかな〜　　ﾎﾟﾃﾁﾝ
http://www-lab.ee.uec.ac.jp/text/potentio/

>>102
置き場所があるなら
http://page4.auctions.yahoo.co.jp/jp/auction/d48676147

こんなのがいいぞ。デカくて重いから余り人気はないから、高くならない。
テクトロと違って特殊部品はないから自分で修理できるぞ。

電源をデコデコにして回路をTr化すれば大分軽くなるぞ。

今じゃ真空管が特殊部品

すいませんが、電験の電力に出てくるＸの5/4乗というのは、
筆算だとどうやって解けばいいんですか？

半導体レーザの駆動方法について説明できる方
教えてください

>>103
何がわからんのかがわからん。
等価回路を書いて回路定数をぶっこめば解けるだろうが。

等価回路がわからんのなら教科書嫁
計算がわからんのなら電気回路の内容を振り返れ

NAND素子のみでNOR回路を作るにはどのようにつなげばいいんでしょうか？

>>115
書いて教えるのは簡単なのだが、先ず「ド・モルガンの定理」が書いてある
ページを欲嫁！！

これでいいでしょうか？(´･ω･`)
NANDでNORをつくってみました
ttp://ccfa.info/cgi-bin/up/src/up2897.gif

>>115
マンドクセｰので2入力で説明してやる。　欲嫁！
　　　　　 ＿＿＿
ＮＡＮＤ＝Ａ×Ｂ
　　　　　＿＿＿
　NOR＝Ａ＋Ｂ　　是くらいは授業料払ってるなら分かるよな｡
--------------------------------------------------
◎ド・モルガンの定理（Ωの法則にも匹敵する論理基本中の基本）
＿＿＿　　＿　＿ 　　　　　＿＿＿　 ＿　＿
Ａ×Ｂ 　＝Ａ＋Ｂ　　、　　　Ａ＋Ｂ　＝Ａ×Ｂ　
---------------------------------------
　　　　　　　　　ド・モルガン　　　　　　　　ＡＮＤをＮＡＮＤにすれば　　　（Ｎｏｔがあと3個あれば良い）
　　　 ＿＿　 　　　　　　　　　　　＿＿　　　　　　　　　　　　　　　　＿＿
　Ａ─＼　 ＼.　　　 　 　　Ａ─○|　　　ヽ　　　　　　　　Ａ─|＞─┤　　ヽ　　
　　　　 |　　　|○─　　⇒　 　 　 |　　 　├─　　　⇒　　　　　　　｜　　　|○──|＞───
　Ｂ─／　 ／　　　　　　　Ｂ─○|　　　丿' 　 　 　 　 　Ｂ─|＞─┤　　丿　
　　 　￣￣　　　　　　　　　　　　　￣￣　　　　　　　　　　　　　　　-￣￣

あと3番目のインバータ（Ｎoｔ）をNand　Ｇａｔｅ　のインバータ結線
・入力をパラにして使うか、・どちらかの入力をＨに吊り上げたまま
　マンドクサクなったので完成ズはチメーで掻け！｡
よって4個ＮＡＮＤゲートがあればＮＯＲ論理が作れる

＞１１８
ありがとうございます(`･ω･´)

>>112

X＾5=X*[X＾2]＾2
X＾1/4=√（√X）


X＾5/4=√（√X＾5）
=√（X＾2＾X）
=X√（√X）


√（√X）　←　これは素直に計算するしかねーな。　Xに具体的な数字が入っていれば。

訂正
√（X＾2＾X）　→　√（X＾2√X）

トランジスタの静特性の実験で
トランジスタの発熱を防ぐ方法を考察せよって問題があるんですが・・・
これって冷却ファンをつければいいとかでいいんでしょうか？

>>122
コレクタ電流を減らす、ベース電流を減らす、Vceを減らす
こんなとこか
冷却ファンをつけるっつーのもたしかに正解の一つかもしれんが、
この問いで要求される答えは、どのような回路定数でトランジスタを動作させれば発熱が減らせるか？
ってことだと思ふ

半導体についてのレポートの宿題です。

ｐｎ接合における熱平衡状態ではフェミル準位（真性フェミル準位ではない）
がどの場所においても一致することが条件であることを数式を用いて証明せよ。

文献を参考にしてもどの部分を指すのかいまいち分かりません。
よろしくお願いします

>>123
ようするに回路に流れる電流を減らせばいいんですよね？
ベース電流を減らせばコレクタ電流も減るし、回路に流れる電流も
へりますよね。
でもなんか、発熱を減らすためにはトランジスタに電流をあんま
流さなければいいってのは当たり前といえば当たり前の気もするのですが・・・

>>122
直流を連続して印加せずに、パルスで印加してその時の静特性を計るに決まってる
だろうが、ディジタルストレージオシロもチメーの学校には無いのかい。
POWER　TR　の特性表を欲嫁。　パルス測定とちゃんと書いてあるぞ！！

>>126
直流をパルスで印加すれば発熱を減らせるってことですか？

>>124
どうでもいいけどフェルミ準位でしょ
フェミルて。。

>>120
レスが遅くなりました。
ありがとうございます。

Tシャツを洗濯する時、首の所が伸びないようにするにはどのような工夫が必要ですか？
自分的には裏返しにして首の所を輪ゴムでグル巻きにする方法があるのですが
他により良い方法などを教えて下さい

>>130
家庭科の宿題ですか？

半導体についてのレポートの宿題です。

ｐｎ接合における熱平衡状態ではフェルミ準位（真性フェルミ準位ではない）
がどの場所においても一致することが条件であることを数式を用いて証明せよ。

文献を参考にしてもどの部分を指すのかいまいち分かりません。
よろしくお願いします


ってか、これを前に書いた人と同じクラスなんだが・・・
明日探してみよう。

けど、マジ切羽詰ってるのです。

なんか変な問題な気がするなぁ。問題の流れの一部ではないのか？
p型，n型のフェルミエネルギーの一般的な形は
(導出略)
　Efn = Ei + kT ln(N_D/ni)
　Efp = Ei - kT ln(N_A/ni)
ここで熱平衡状態であれば
　N_A N_D = ni^2
であるから
　(略)
　Efn = Efp

>>132 dEf/dx=0 ってことでしょ。
バイアス０で電流０(拡散電流+ドリフト電流) の条件から求めたと思う。
アンドリュー。グローブの本
http://www.amazon.co.jp/exec/obidos/ASIN/4274130185/
に載ってたような気がする。明日、ひまならUPする。

追記
アインシュタインの関係式
D=μ kT/q を使って解いたようなな記憶がある。

>>127
発熱量＝消費電力×時間。
パルスで印加するということは、、、、

フリップフロップ回路っていうのをいまやってて、
タイミングチャートとかまあ理解できたのですが、
これがどうしてコンピュータの記憶回路になるんですか？
マスタースレーブとかIDEで聞いたことはあるんですが

>>127
「全然わかっとらん」としか思えない。例えば、静特性のIbパラメータVcc-Ic特性で、
Powトランジスタの高電圧、大電流領域の測定、たとえばVcc３０VでIc１Aなる時の
Ib電流を特性を計ろうとすれば、この状態を連続して印加し続けたなら、石の発熱
は３０Wにもなって半田ごて状態ではないか。　放熱板に強制空冷でも石には厳しい。
ここの板の某コテハンさん（熱暴走）状態になってしまう。
しかし、短時間で測定が終わらつまり、Duty１：９で印加すれば発熱は連続状態での
１/10=３Wで済むではないか。　ディジタルストレージがあればパルス時の状態は計測
できるだろう。
そんなヤヤコシイ事したくなければ、金出してトランジスタカーブトレーサーを買え。
ついでにカーブトレーサーでも連続して発熱させて、石が過熱状態にならない様にし
ている。
ここを欲嫁！！
http://www.tektronix.co.jp/Products/Measurement_Prod/App_notes/CurveTracerIntro.pdf
Duty１００％で

>>137
R-S（セット、リセット）フリップフロップから考えるがよろしかろう。
あなたは、ワンマンバスの「次とまります」ボタンを押したことがあるか？
駅に着く前に、一瞬ボタンを押しただけでランプが点灯し続けるだろう。
パルス入力によるset.
運転手は停車駅が近づいた任意の時に、それを確認してとまる訳だ（いつで
もその状態を外部（脳みそ）に取り出す事ができる。
止まってバスの扉を開けばこのランプは消える（reset)。
これを、１bitのメモリーと言わずして何といえるのか？

>>138
僕がやった実験では、直流電源しか使ってないのでパルスで印加とか
してないと思います。ってことは本来パルスで入力して発熱を抑え、
熱による影響を減らすべきなのに（あえて？）僕の実験では
それをしてないってこと？？
（とくにパワートランジスタみたいな高出力素子の場合は放熱が不可欠ですよね？）

今回の実験では、パルスで入力しなくても

　実験で動作伝送量をやりました。
実験内容はまぁ分かったんですがﾚﾎﾟｰﾄの「s行列と動作伝送量の関係について記せ」
が分かりません。

他励直流発電機の実験をやって、自分なりに疑問を持ってその疑問を調べてレポートにすると
いうものなのですが適当な疑問が見つかりません･･･。

専門生失格･･･。

>>137
IDEのマスタースレーブと、FFのマスタースレーブは無関係。
主人と奴隷がいればマスタースレーブ。
FFがどうやってメモリになるかっていうのは、書き込みと読み出しに分ける。
書き込みでは、例えばFFを1024個並べて、
10ビットのアドレス線でどのFFに記憶させるか選んで、0か1を覚えさせる。
読み出しでは、同じように10ビットのアドレス線で、
どのFFが出力してる値をメモリの値として出力するかを選ぶ。
どうやって選ぶかは、デコーダ回路とマルチプレクサ回路
あたりを習うか思い出せばわかるはず。

>>138
|
|∀・）
|⊂
| /
|


|
|
|彡　ｻｯ
|
|

>>144
http://www.geocities.co.jp/Outdoors-Mountain/6996/profile/
シャネルズ／RATS＆STAR●SINGLE 　80年 2月 　 「ランナウェイ」

　　　　　　　　　　　 ./'""　: .:.. .::: . :. .::"=,
　　　　　　　　　　　/:. :..:..:::::::::::::::;;;:::;;;:::;:..:.:!,
　　　　　　　　　　 i:.:::::;;;;;:::::-,:-'"　　　 ;:::::::i,
　　　　　　　　　　 ﾉ:::"　　　ヽ,..　　　　 ;:::::::i,. 　　／~~
　　　　　　　　　　 ,i::::.　,....,,,_　　 ,;;;;;;::::,,,,,.;:::;i.., ／　run away とっても好きぃさ〜
　　　　　　　　　　 ヽ;::,;:- ;:;;::,ー:;"/ /　 i"`:;":l,
　　　　　　　　　　　;"!,:!, "''''"ﾉ: .ヽ---'"　:l,,,/
　　　　　　　　　　　 !, ;!,"""~::.,....::,:　　　 .:l'
　　　　　　　　　　　　　'l;　　,//l,l,l,l,ll::　　.;l 　＜わたしも熱暴走しました。
　　　　　　　　　　　　　 ヽ,　"~---'"　 ,;/!ヽ,
　　　　　　　　　　　　　　　ヽ,,　　　　／;;;"　ヽ,,,,,,,
　　　　　　　,,,,,,::---''''''''''''"!,i,"''''''''''"／　　　/::" "'--::;;,
　　　　　/";,　　　　:::ヽ, 　 l,!,/=l;"~,/　　　／:　　　:;--''"'ヽ,
　　　　　(;;;;,,ヾ,　　 ;::: .　　　l/,,,.l,／　　,／;' ' :',,..:'　　　　　 :ヽ
　　　　 ,ノ ::;;,,,::i,　　 :, ::,　　 i,.／　　 ／　 .: ,:'' 　　_,,.,-'l;:.. 　 ,i
　　　　 ,):::::.... "";,　　:,,:;　　 /　　 ,／.;;;;;,　_,,;:-''''".,,;,:-"::...　 l

偏向率ってなんですか？

CMOSインバータについて教えてください。

SPICEなどの回路解析ソフトでしきい値電圧付近の貫通電流を
シミュレートしたものと,4047などを実測したものでは後者のほうが
貫通電流が少ない結果となりました。(前者2mA,後者1mA程度)これはなぜでしょうか。

ググってみると「CMOSの貫通電流は低い方がよい」という内容が多いのですが，
この4047の場合も貫通電流が少なくなるように設計されているということでしょうか?
それとも根本的に何か違う別のものがあるのでしょうか。以上ご教示願います。

>>147
　意味がよくわかんないんだけど、そのシミュレータに使ったモデルは
貫通電流まで誤差なく再現できるものなの？

PSPICEです。PC-98版のかなり古い奴です。
入力ファイルはこんな感じです。
CMOS INVERTER.CIR
VIN 1 0
VDD 4 0 DC 5
MP1 2 1 4 4 PM L=15U W=580U
MN1 0 1 2 0 NM L=15U W=472U
.MODEL PM PMOS (VTO=-1.3 TOX=10E-9 U0=150 LEVEL=3)
.MODEL NM NMOS (VTO= 1.4 TOX=10E-9 U0=375 LEVEL=3)
.D VIN 0 5 0.02
.OPTION NOPAGE
.OP
.PROBE
.END

で解析させたあとI(VDD)をプロットしました。
PSPICEの印刷結果
http://xanadu128.ld.infoseek.co.jp/1.JPG
実測結果
http://xanadu128.ld.infoseek.co.jp/2.JPG

となっています。それではよろしくお願いします。

>>149 LEVEL3 って相当古いMOSモデルじゃない? SIMULATION当てにならんよ。
ちなみに実際のシリコンでは VT0 は±0.2V、 U0も±30% くらい変動したような。

>>142
疑問がないってことは、良く理解できてるか、
全然分かってないかのどちらか。

>>147,>>149
4047ってマルチバイブレータなんだけど。4007のことかな？
http://www-us.semiconductors.philips.com/acrobat/datasheets/HEF4007UB_CNV_3.pdf
わりとデータシートに近い実験結果になってるんじゃないの？
　

>>532
n形半導体のフェルミ準位
Efn=Ei+kT ln(Nd/ni)

p形半導体のフェルミ準位
Efp=Ei-kT ln(Nd/ni)

n形はEfnでEc寄り
p形はEfpでEv寄り
pn接合で熱平衡状態のときEfnとEfpが同位なので
Efn=Efpということになる。

オシロスコープでのリサージュ図形についての質問です。
水平軸にx=sinωt、垂直軸にy=sin(ωt-φ）の信号を加えた時、
tan(φ/2）＝q/pであることを示したいんですが。
p、qはそれぞれ楕円図形の長径・短径です。
もう一方の位相差の求め方（sinを使うほう）は求まったのですが
こちらの方がどうにもワカリマセン。よろしくお願いします。

>>154 はマルチ

直流回路について分かりにくい質問です。

よくキルヒホッフで解くような多重電源回路がありますが、
この電源の代わりに「電流源」なる物を使用した回路があります。

この電流源と言うのはどういった物なのか、またミルマンの定理を
利用してこの問題を解く事が出来るのか教えてください。

ちなみに電流源が入った回路をミルマンで解こうとしても
答えが出て来ませんでした・・・・

>>156
　いまいち意味がわからん…。
　電流源は、インピーダンス無限大。
　キルヒホッフ電圧則の適用においては開放状態(つながっていない)と
して扱い、キルヒホッフ電流則においては、電流値を加算する。
ttp://www.nikko-denshi.co.jp/kaiseki/sentens01/page09.htm

　ミルマンの定理は電圧源のみが存在するときに適用するもので、
電圧源と電流源が入り混じったときに使うものではない。

>>156
問題の回路に複数個の電源があるなら、まず一つの電源に注目し、残りの電源を

電圧源→短絡
電流源→開放

で、計算する。

それを、全ての電源について解いた後、重ね合わせりゃOK

非反転増幅回路で、直流入力電圧に対する出力電圧の値を測定して
計算値と比較したんですが、微妙に一致しません…
オシロスコープで測定したので、電圧値を読み取る際に誤差が生じている
と思うんですが、これ以外に考えられる理由ってありますか？

ちょっと電気の人に聞きたいのですが、
半導体の抵抗率が、外部から与えられた磁界により変化する
現象ってなんていうんですか？

>>159
使っている抵抗の誤差。

>>160
磁界 電気抵抗 現象　でググったら出てきた↓の事か？
ttp://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/tsunashimalab/study-s/GMR-s/GMR-s.html

>>159
入力オフセット誤差　も追加

>>160
磁気抵抗効果
Magneto Resistance

>>161
>>162
ありがとうございます！

>>156
電流源は電圧源に変換できる！
そしたら、今まで通り計算できるでしょ！

>>157
MR効果は、HDDのヘッドに使われてる。

>>159
読み取り誤差なんてレポートに書かない方がいいよ。

>>156
電圧源Ｅ１、その内部抵抗R1
電圧源Ｅ２、その内部抵抗R2
電流源Ｉ、その内部抵抗Ri（この抵抗はＩと並列に接続されている）
を並列に接続した場合、電流源両端の電圧Vはミルマンの定理より
V=(E1/R1+E2/R2+I)/(1/R1+1/R2+1/Ri)
です。
電流源に抵抗Ｒiが無限大の場合、
1/Riは0と考えてよく、
V=(E1/R1+E2/R2+I)/(1/R1+1/R2)

exelのvisual basic editorを使って
正弦波から方形波を合成するプログラムを作れという問題が解けません。
方形波を発生させるプログラムならわかるのですが
正弦波から･･･となると、フーリエ使うっぽいとは思うのですが
どうしても閃きません。このプログラムを教えてください

ダイオードにかける電圧の大きさによって
ダイオードの電位障壁が変化するのは何故か教えてもらえませんか？

半導体整流回路においては、各素子を流れる電流の把握が動作の理解に重要である。
本実験では電流の測定は行っていないが、抵抗値が既知であれば測定データを基に
把握することが可能である。どの様にすればよいか？って問題が解けません。
どなたか、教えて下さいｍ（＿　＿）ｍ

直列接続　R1=20Ω　 R2=30Ω L　=0.5mH 　f=10kHz
この回路の全インピーダンスは？

できれば簡単な解説付きでお願いします。

>>167
出題の意図がコンパレーターを意識してるのなら
符号の正負で正負の定値を返すだけででいいんでは？

>>168
電圧は空乏層にポテンシャルとして加わるからでは？
pの部分もｎの部分も導体だし。

>>169
電流波形をオシロで観測するにはどうしたらいいか
って意図だとして？
測定データが抵抗値の電圧なら、そこに流れる電流は
i=E/R
だからでは？

>>170
Z=R1+R2+jωL
　=20+30+j(2π10*10^3*0.5*10^-3)[Ω]
これ以上簡単な解説が堅くなった頭では思いつきません。

>>171
>>170 です。十分丁寧です。ありがとうございます。

ＬとＣのインピーダンスに対する周波数特性は実験でやったので解るのですが
Ｒ−Ｌ、Ｒ−Ｃの直列そしてＲ−Ｌ、Ｒ−Ｃの並列にしたときの
インピーダンスに対する周波数特性がどうなるか解りません。

Ｒ−Ｌ直列の時はインピーダンスが
Ｚ＝（Ｒの2乗＋２πｆＬの2乗）１/2乗　ですが
地道にグラフにプロットして調べるべきでしょうか？

両対数グラフでどんな曲線を描くのか知ってる方いらしたら教えて下さい

対称三相交流の問題です。

http://www.uploda.org/file/159.jpg
上図においてab間の電力計がWを示したとき
c相の線電流を求めよ。線間電圧はEとする。

答えは (2/√3)*W/E になるそうなんですけど
丸一日考えても答えが合いません。

どなたか解説してくださる方がいらっしゃればよろしくお願いします。

バンドパスフィルターの用途について調べなければならないのですが
TVやラジオの選局等はおなじみとして、UVカットのサングラスなんかも
広義のバンドパスフィルタに入るんでしょうか。（というよりローパスフィルターのような
気もしますが。）

他に身近な例はありますでしょうか。

|Ea|=|Eb|=|Ec|≡e とすると、線間電圧 |Ea-Eb|=√3･e≡E ⇔ e=E/√3.
W=2e^2/R ⇔ R=(2/3)(E^2/W).
I=e/R=(E/√3)(3/2)(W/E^2)=(√3/2)(W/E).

>>176
即レスありがとうございます。

私もそう考えたのですが、そうすると答えが
お答えくださったとおり (√3/2)*(W/E) になりますよね。
でも答えは (2/√3)*(W/E) らしいのです。

答えのほうがミスプリントなのでしょうか…。難しい。

画像消えてますね…

http://www.uploda.org/file/160.jpg
こちらです。連投失礼しました。

>>173
エクセルを使えば楽チンですな。
エクセルがちょっと使えるようになれば、
実験レポの計算などが凄く楽になります。
是非覚えよう。

>>175
UVカットは偏光フィルタとかいうやつでは？
BPFは電気信号のフィルタであって、光のフィルタとは違いますよね。

>>179
BPFを「特定の周波数の電磁波等を通すフィルタ」と拡大解釈すれば
光のフィルタとも取れるかと思いましたが無理がありましたか？
「バンドパスフィルタ」でぐぐっても光学関連のページがよくヒットしますし。

ＵＶカットについては調べてみます

>>178
専用うｐろだあるから次からはこれを使おう。
http://radio.s56.xrea.com/

>>180
詳しいことはよくわからないんで、推測で申し訳ないですが、
光学フィルタは量子論の世界のものだと思いますね。
電気の周波数フィルタとは構造的に全く別物だと思います。

>>181
専用あぷろだあったんですね。すいません。今度から気をつけます。

ずっと考えていますが未だに答えが合いません。
やはり魚チョコさんの解答が正しいのでしょうか…。うーん。

>>182
名前は同じでも構造的には違うということですね。

>>179
偏光フィルタとUVカットは別物です。

>>184
例えば誘電体多層膜光学フィルタとかマイクロ波帯の
フィルタの一種に対応するものは存在する。
特定波長の無反射コーティング（レーザー用とかの）は
マイクロ波の伝送路界面のインピーダンスマッチング条件と
同一と考えることもできるし。
屈折率（誘電率）と厚みでモデル化できる光学フィルタも
存在するわけで。分布定数だが。

３相交流の電力の測定方法について調べるといいぞ。
ブロンデルの定理も。
Wは線間電圧Vと線電流Iを測っている
こいつら、位相がπ/6がもともとずれている訳だ。
だからW=VIcos(π/6＋θ)=√3/2 VI
ここでは線間電圧の記号をEで表しているから
I=(2/√3)(W/E)

別解としては負荷全体の電力Pを考えて、抵抗負荷だから
P=√3VI
対称抵抗負荷だから、線b-c間に入れる電力計の値も同一になり
２つの電力計の和が３相電力Pになるので
P=2W
これをIで解いて解。

>>186
　三相交流なんてぜんぜん扱わないから忘れちゃったよ。なんだ、
三相電力計、Ia-Ibくらいは計ってるかと思ったら、Iaだけなのか。
　>>186で尽きてると思うが、もとの書き方に則ると、以下の通り。

Ea=e, Eb=eω, Ec=eω^2 (ω^3=1)　とすると、電力計は、
E = Ea-Eb = e(1-ω)　と　Ia = e/R　の積を指示するから、
1-ω = (3/2)-j(√3/2) = √3∠-30°より、
W = (e^2/R)･√3･cos(30°) = (3/2)(e^2/R) = (1/2)(E^2/R)
⇔ R = (1/2)(E^2/W).
したがって、
I = e/R = (E/√3)(2W/E^2) = (2/√3)(W/E).

自力でやったら結構めんどかったよママン・・・

>>179
サンクスコです。これを機にエクセルにチャレンジしてみます。

>>186>>187
レスありがとうございます。

電力計がIaだけしか計っていないとは…
W=2*RI^2と考えてた時点で致命的間違いでした。
それに気づけばこんなにすっきり解けるものなんですね。

皆さん、ありがとうございました。感謝！

>>189
遅レスだが、こんなふうに考えてもＯＫ。
二電力計法って知ってる？。二つの電力計で三相電力が計れる方法。
この回路で言うと、c-ｂ間（cを+）にもうひとつ電力計を入れる(その電力計の指示をWcとする)。
全消費電力はW+Wcであらわされる。これ↓参照
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1086341892/30
平衡三相回路で負荷力率１（抵抗負荷）の場合、W=Wcです（ＷとＷｃの指示は全消費電力の１／２）
であり、この場合の全消費電力は√3･E･Iなので、
2W=√3･E･Iとなり、
I=2W/(√3･E)
です。

ｶﾙﾉｰ図法を適応するところまでたどり着けません。
バーはAbのように表しました。

f=(AB+AbBb)(Cb+CDb)+ACbD
　　　　 ↑　 ↑
　　　　 Dのみ Cのみ

矢印がずれてしまいました。

CDbはDのみがバー
ACbDはCのみがバー
です

>>191 >>192
　Ｃのかきかたを踏襲して、Abは~Aとかいたほうがわかりやすいぞ。

　ブール代数でも分配法則がなりたつので、ふつうの代数と同様に展開すれば
いいだけなんだが。カルノー図はＡＢＣＤの０１の組合せ１６通りをそうあた
りすることに相当するので、式を展開できなくても描けるのだが。
　それよりも問題の式をよくみると、(AB+~A~B)はEX-NOR、(~C+C~D)はNAND
~(CD)（真理値表をかいてみよう）。これ以上かんたんにできないだろう。

>>191何とか解決しました。

また、今日質問する事が増えてしまいました。
供軸の導体円筒に電流が流れているときはアンペールの周回積分でいいんですかね？
小さい方の内部についてよく分からないのでアドバイスしてください。
よろしくお願いします

すみません、導体円筒上に流れているです

OUT PUT24Vのパルス電圧を20Vまで下げるには
間に抵抗かますしかないですかね？

出力24V→？？？→入力20V

>>196
抵抗による電圧降下は流れる電流によって決まるから
周辺の回路がわからないとなんとも。
電流が決まらないなら抵抗とツェナーでいいんとちゃう？

24V→制限抵抗→＋→20V
　　　　　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　　20Vくらいのツェナー
　　　　　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　　GND

>>194
質問の意味不明。
となりに座っておまえの問題みているわけじゃない
問題ぐらいきちんとかけ
あと、解答者に礼しろ。

質問へのアドバイスとしては
問題気軽に聞ける友達いないとヤバイぞ

ＲとＣの直列、並列のインピーダンス教えて下さい。
並列はR/(1+CR)であってますか？

>>199
インピーダンスの複素数表示って習ってない？
ＣＲ直列のインピーダンスZは、
Z=R＋1/(ｊωＣ)
　=R−ｊ/(ωＣ)
Ｚの大きさは
|Z|=√｛R^2+1/(ωC)^2｝
並列は、
Z=1/｛1/R+ｊωＣ｝
　=R/（1+ｊωＣＲ）
・・・・・
なお、ω：角周波数

>>200
ありがとうございます！！
情報科生で、回路系の授業も取ってないので
実験に出きて困ってたんです。

>>194　ですすみません
解答してくれた方本当にありがとうございます。

問題書き直します。

半径a[m]及びb[m](a<b)の２つの共軸の導体円筒がある。２つの円筒面上を同じ大きさI[A]で反対向きに電流が軸方向に流れるとき、どのような磁界が生じるか。ただし、円筒は半径に対して軸方向には十分長いとする。

微分器の実験で、入力端子に低周波発振器からf＝100Hz、1kHz、10kHz、100kHzの矩形波（20mV）
を加えて、出力信号の波形をオシロスコープを用いて観測しました。パルス幅が小さいほど、
微分特性が良いというのは波形を見て理解できたんですが、理由がうまく書けません。
どなたかアドバイスお願いします！

↑
間違えました。「パルス幅が小さいほど」→「パルス幅が大きいほど」

>>202
>アンペールの周回積分でいいんですかね？
この問の磁界分布は対称だから、OKと考える。その上で解説してみよう。
一つの導体円筒に流れる電流によって作られる磁界は
持っている教科書か演習書に書いているか？もう一度読んでみた方が良い。
>小さい方の内部についてよく分からない
問題では、「２つの円筒面上を…電流が軸方向に流れる」
とあるので半径aの導体円筒の内側に電流は存在しない。
だから磁界は無い。
一方半径ｂの導体円筒の外側から見たとき、二つの導体円筒の
電流の和は０となるため、これも電流が無い物と考え磁界は無い。
円筒中心軸から半径ｒの円を考えこの円周上の磁界の強さを表せば
磁界の強さが存在するのは
a<r<b
の時だけであり、この磁界は円周内の電流つまり導体円筒aを流れる電流I
によって作られる磁界の強さのみを考えればいい。よって
H=I/2πr [A/m]　(a<r<b)
H=0 [A/m]　(r<a,b<r)

>>203
矩形波周期信号を微分回路に入れた出力の解析的な説明は
上手いこと思いつかないが、直感としては微分回路をCR回路だと
想定したとき、パルス応答に準じて、動作の定性的な話を説明してみよう。
CR回路の出力は時定数CRによって決まる充放電曲線を描く。
時定数CRが入力波形の周期時間から無視できるならば
理想的な微分波形を描くだろうが、時定数CRを無視できないとき
矩形波パルスに追従するような形で充電電流電流は流れ続ける。
矩形波の立ち上がりからコンデンサは充電され充電が十分になされないうちに
矩形波の立ち下がりによって放電され、また十分に放電されないうちに
充電されるといった様相になり、三角波に似た充電電流が抵抗Rによって
出力され、この波形が観測されると考える。
ただし、CR以外の微分回路については、上の説明は当てはまらないと
思うのであしからず。

電子実験の考察で、いきなりプログラム作れとか言われまして(´Д`;)。
内容は回路素子の事なのでこちらで質問しようと思います。

・正弦波定常電流に対する素子の端子電圧の周波数特性の理論曲線を、
　周波数200Hz〜5kHzの範囲でプログラムを作成する。

・R-L、R-C、R-L-C直列回路の周波数特性の理論曲線を、
　周波数200Hz〜kHzの範囲でプログラムを作成する。

という課題が出されたのですが、どうプログラムを作ればいいかわかりません。
どうかよろしくお願いしますｍ（＿）ｍ。

>>203
微分器の特性上の制約による。
理想微分器では入力によらず出力は一定であるが、現実には応答速度に
限界があって入力の早い変化に出力が追従できないため。

>>207
「プログラム」といわれても世の中に五万とソフトはあるので特定しないとわからんぞ。

>>205さん　ありがとうございます。

とてもわかりやすい解答でしたのですぐに問題を解く事ができました。
ありがとうございます。自分はホント勉強が足りないと思います。
本当にありがとうございました。

>>209氏
あ、すいません記入ミスです。
C++でお願いします。

>>211
・正弦波定常電流に対する素子の端子電圧の周波数特性の理論曲線を、
　周波数200Hz〜5kHzの範囲でプログラムを作成する。
素子って何ね？それわからんと。

・R-L、R-C、R-L-C直列回路の周波数特性の理論曲線を、
　周波数200Hz〜kHzの範囲でプログラムを作成する。
その回路のインピーダンスをRLC,周波数値を変数のままで計算し、
それをC言語でRLCfを引数に入れればインピーダンスを返す式に
仕立てる。あとは要求された答えをそのインピーダンスから引き出し、
fを変えながらプロット
ってとこじゃない？
複素演算がいるね。C++言語の勉強にもちょうどよさそう

>>206
>>208
ありがとうございます！　　　　

>>212氏
レスありがとうございます。

素子書いてねぇ…鬱だ…。申し訳ないです…。
抵抗R:10 kΩ
インダクタL:0.1 H
キャパシタC:0.022 μF
です。ご指摘ありがとうございました。

>周波数200Hz〜kHzの範囲でプログラムを作成する。
>その回路のインピーダンスをRLC,周波数値を変数のままで計算し、
>それをC言語でRLCfを引数に入れればインピーダンスを返す式に
>仕立てる。あとは要求された答えをそのインピーダンスから引き出し、
>fを変えながらプロット
>ってとこじゃない？

int R,L,C,f;
R=xx;
L=xx;
C=xx;
f=xx;

〜

return=

みたいなことをすればよいのでしょうか?
知識が曖昧で申しわけありませんｍ（;＿;）ｍ

ホイーストンブリッジ回路による抵抗の精密測定について
測定する抵抗の大きさの上限下限はどのくらいかまた
何によって制限されるか。

という実験の考察課題ですけど、考察してみたけど分かりません。
R→0 R→∞　なら計算上では測定不能になりますけど
あくまで実験上の測定の上限下限はどの程度になるかというのが
わかりません。どなたかよろしくお願いします。

測定値の小さい方はリード線の抵抗、ターミナルの接触抵抗、
ブリッジの構成法などで、大きい方は倹流計の感度でほぼ決まる。
一般に精度良く測れるのは100mΩ〜10MΩぐらい。

ちなみに
×　ホイーストンブリッジ
○　ホイートストンブリッジ　ね。

レスありがとうございます。
高校の頃からずっと「ホイーストン」と読み違えていました^^;
ガルバノメーターの感度は考えていましたが、リード線の抵抗まで
考慮しなければならないのですね。受験物理との違いに四苦八苦です。
>>216 をもとにまた考えてみます。

ttp://www.pandora.nu/up/img/108800657700.jpg
答えttp://www.pandora.nu/up/img/108800658800.jpg
この回路で、起電力E1,E2,E3,…にそれぞれ抵抗R1,R2,R3,…が直列になったものが並列に接続されている時、
各枝に流れる電流I1,I2,I3,…を仮定すると、I1=云々,…また、I1+I2+I3+…=0であることを利用して、
共通の電位Vを求める式を導け。

この問題がｻﾊﾟｰﾘ分かりません
答えからすると 各電流の総和/合成抵抗 なので、重ね合わせの理かテブナンを使ってるのかと思ったりします。
問題はキルヒホッフの法則の説明の章なので、テブナンやらを使うほどじゃ無いと思うのですが・・・・
おながいします。

>>218
Ｉ１+I2+I3=0
Ｉ１=(E1-V)/R1，I2=・・・・・
ただ代入すればいいんじゃない？

>>217
元々が外国語なのをカタカナで表記するのに無理があると思う、しいて言えば
・Wheatstone Bridge（英）　ウィートストーン　ブリッジ（石臼ブリッジ）
　（Wheat=小麦＋stone=石）小麦を挽いて粉にする石なら＝石臼

あと凄いのがキルヒホッフの法則
・Kirchehoff（独）キルヒフォフ　（Kirche＝教会＋hoff＝場所？）＝教会墓地
　ドイツ人の苗字には、このほか　シュレヒト＝劣った、劣悪な　とか、グリム＝痛み　
　ヴィットバー＝男やもめ、クルツ＝ちび　、クネヒト＝下僕　とか酷いのがイパーイ。
　
チップ部品（抵抗、コンデンサ）が上手くリフロー半田できずに片側に引かれて立ち
上がってしまう現象をそのスタイルから、
・マンハッタン（ニューヨークの摩天楼が集中）現象はまだ良いとして、
　ツームストーン現象とも呼ぶが、　
・Tombstone(英）トゥームストーン　　(Tomb=墓＋stone=石)＝墓石、墓碑
　縁起でもない名称だ。
「Ohmの法則」が「Aumの法則（麻原さんちの）」だったらもっと嫌だな！

>>220
間違った　　　
×クルツ＝ちび
○クライン＝ちび　　だった

クルツ＝短小

学校の教科書に公式など載ってない問題をだされて困っております。
ご回答の方おねがいします。
問題
３０度傾いた管に水が充満して流れている。A点の直径が２．４ｍで、流速
は３ｍ／ｓ、圧力は２３５．２ｋＰａであった。管に沿って４０ｍ下のＢ点
が直径２ｍのとき、その点での流速、水圧はいくらか。ここで摩擦損失は無視する

というような問題です。みなさんおねがいします

電気電子じゃないわけだが

コイルがある。これに２５Ｈｚ、１００Ｖの電圧を加えるときは２５Ａの電流が流れ、５０Ｈｚ１００Ｖの電圧を加えるとき２０Ａの電流が流れるという。コイルの抵抗及びインダクタンスを求めなさい。
おしえてちょ！頭悪いんでわかりやすくお願い！！

スレチガイ申し訳ございませんでした

スレ違いどころか板違い

水力発電関係の問題じゃないか？
電験の勉強しているひとならわかるかも

>>225
Z＾2=R^2+（ωL）^2
V=IZ
ω＝2πf

>>229
ごめんなさい、よくわかりません・・・
それらの式をどのように使えばいいのでしょうか？

>>218
>>219のとおり、上の式の各々の電流I1,I2…に下の式を代入して
Ｖを括りだして、V=…の式になる。

この問題は重ねの理とかじゃなくて、接点方程式に通じているからね。
接点方程式を習っていたら考えてみると良いし
まだ習っていないのなら、習ったときに思い出してみるとよい。

>>225
>>229のとおりに式が書ける。インダクタンスの複素インピーダンス
は周波数で変わるから、先ず、各々の周波数の時の流れた電流から
それぞれの周波数ごと合成インピーダンスZを求め
それを２条して、Ｚ^2＝…の式にそれぞれの周波数fを代入した２つ式
を出してやり、連立させればいいんだよ。

すみません
連立する過程でうっかりしていてωを２乗することを忘れていました・・・
答えが合わないから根本から違うのかと思いました（あほ
大変申し訳ありませんでしたm(_ _)m

同期電動機の電圧をあげるにはどうすればいいのでしょうか？
後、位相特性で何がわかるのでしょうか？
回答おねがいします

電気主任技術者三種の問題

受験しようと思って勉強始めたばかりですが、いきなり解りません。

電荷の問題です。

とある問題集で勉強しているのですがベクトルの合成のあたりで解らない部分があります

ttp://members.at.infoseek.co.jp/r_sindou/newpage4.htm

この問題なんですけど。。。

えっと、図１・１７から図１・２２までにベクトルの書き方が載っています。
この各図のE1 E2について疑問です。ベクトルは方向と大きさを表しているはずなのですが
この、E1 E2の大きさに差がなぜ生まれているのか解りません。
ベクトルの向きは理解出来るのですが大きさになぜ差異があるのかわかりません。
公式からすれば、電位の大きさは同等なので、E1 E2の長さも同じになり、ベクトルは
図１．１５のような形になると私は考えています。
どこで考え違いをしているのかもわかりません。
教えてください

>>234
「公式からすれば、電位の大きさは同等なので、E1 E2の長さも同じになり、」ってどこに書いてあるの？
|Q1|=|Q2|　r1=r2　ならば仰るとおりだけどね。
図が直角二等辺三角形みたいに書いてあるから誤解しているのでは。

無限長の直線電流があります。
その直線上のある点Ｐでの磁束密度分布を求める問題です。

点Ｐ以外の部分が点Ｐに作る磁束密度が０だということは分かるのですが、
点Ｐ自身が点Ｐに作る磁束密度が分かりません。
よろしくお願いします。

>>234
その考えは正しいよ。
でも、各ベクトルの大きさは「仮」の大きさであるから、方向があっていれば大きくても小さくてもなんでも良い。
結局、それぞれの2乗の和の平方根で目的の合成後の大きさを求めることになるので。

Ａ級増幅器で入力信号を大きくしていったときに出力波形が歪む原因を書く問題なんですけど、
入力信号が大きくなった場合はトランジスタがプラス側マイナス側共に、尖頭部分がクリップして、
飽和している状態になるからという答えでいいのでしょうか？
どなたかよろしくお願いします。

>>234氏は図1・15と図1・18の違いについて聞いているのじゃないか。
図1・15では等しい電荷（+q、-q）から等しい距離（r）の点（P）での合成電界（E）を示しているのに対し、
図1・18では各々異なる場合を含む一般解を示しているので図1・15とはベクトルの形が異なっている。
確かに図1・18ではr1=r2のように書かれているので一見|Q1|=|Q2|のように見えてしまって図1・15との
違いがわかりにくい図ではあるが。
ベクトルの大きさは相対的に表現されるものなので、一つだけならどんな大きさに書いても良いけれど
相互関係のある複数のベクトルを図示する場合大きさの単位を揃えないと間違いの元になる。
逆に図1・18の合成電界（Ep）の方向、大きさが図1・15の合成電界（E）と異なることから
r1、r2、Q1、Q2の大きさが図1・15とは異なっていることを推察すべきだな。
図1・18でベクトルをいい加減に書いているとこの事を見落としたりするから気を付けた方が良い。

トランジスタ増幅回路の応用例って何があるでしょうか？
教えてください。

>>240
何を挙げても正解のような気がするぞ

>>241
なんか具体的に例を挙げるとすれば
なんでしょうか？
できればなるべく典型的な有名な感じのやつで。

>>242
アンプ、、、って訳しただけだしな。
オーディオアンプ、ビデオアンプじゃだめ？
もっと大きくラジオ、テレビ、ＶＣＲ、パソコンとか。
もしかして　〜回路って名前がいいのかな。
いずれにしろ「トランジスタ増幅回路の応用例」で、
すべての電子回路は成り立っていると言っても過言ではないからな。

>>236は、
"r→0"と考えて、+∞なのでしょうか？

実験の考察なんですがさっぱりわかりません。教えてください！
光伝導素子は光を照射しても、外部に電源を接続しなければ電流は流れないが、太陽電池は外部電源を接
続せず短絡して光を照射するだけで電流が流れるのはなぜか。また、光を照射したときの太陽電池の出力
電圧の極性とモータなどを接続したときの電流の向きを述べる。

>>238
現象はそのたうり。

>>246
ありがとうございます。
今回、電流帰還バイアス回路で実験を行ったのですが、
周波数固定のまま入力電圧を上げたところ、クリップ波形にならず
http://jp.y42.briefcase.yahoo.co.jp/bc/void_beast/vwp2?.tok=bc9QKBBBj2o.oemo&.dir=/&.dnm=wave.GIF&.src=bc
のような波形になりました。
このような波形に何故なるのでしょうか？

回路図
http://www.edu.ics.saitama-u.ac.jp/~hara/jikken/Tr2.html

すいません、波形のアドレス間違えました。
http://jp.y42.briefcase.yahoo.co.jp/void_beast
が正しいです。

SCRの静特性の考察の中で「導通時のアノード電流は何によって決定されるか？」と
いうところがあったんですが、どのようなことを書いたら良いでしょうか。
アドバイスなどお願いします(^_^)/

度々すいません、やっぱり見れませんね。
http://briefcase.yahoo.co.jp/void_beast
これで見れるかな？

>>247
http://radio.s56.xrea.com/
電気電子板アッブローダーがあるじゃないか

>>251
お手数かけてすいません。
早速アップさせて頂きました。
http://radio.s56.xrea.com/radio/src/radio0012.gif

>>252
考察を期待するなら、他に行ってください。

まじめな質問のようですから、まじめに答えます。
回路定数（すべて）、電源電圧、加えた信号の大きさ、波形、周波数、
その（出力）波形の大きさ（グラフの縦横の諸元）、周波数等・・・・
データが足りません。
それらを晒せば、誰かが答えてくれるかもしれません。

>>253
すいません。
考察を期待というわけではないのですが、
いろいろ考えてみても何故クリップ波形
にならないのかどうしても分からないのです。
もう一度自分で考えてみます。
ありがとうございました。

10μFのコンデンサに大きさ1Vの交流電圧を加えたとき、大きさが
10mAの電流が流れた。この交流電圧の周波数[Hz]を求めよ。

>>255
で、何？
こんなんじゃ誰も答えないよ。

>>254
ちょっとヒントをあげようか。
波形はおそらく出力端子（Ｔｒのコレクタ）に負荷を対GNDにつないだときの
電圧波形だと思うが、出力電流がどんな経路で流れるのか、
またTrの交流動作直線の端部は何によって規定されるのか、
またTrの飽和動作域とは、考察してみれ。

>>235 237 239

ありがとう御座いました。
とにかくピタゴラスの定理と三角関数を使って解けば良いってことで。

�B水晶発振回路の発振条件について考察せよ。
という課題なのですが、
ググってみてもどうしても見つかりません・・
何方かいいサイト紹介していただけませんか。
よろしくお願いします。

>>259
ttp://www.nh.cradle.titech.ac.jp/ec/ecB.pdf

球ギャップによる高電圧の測定実験

球の間隔を1〜10ｍｍまで1ｍｍづつ変えて、放電させた。

この実験の考察は何を書けばいいですか？

「AM変調方式の変調メカニズムと復調回路について記述せよ。」という問題で、
復調回路の包絡線検波について書こうと思っているのですが、

http://adsp2191.hp.infoseek.co.jp/2191/misc/
開いてから左欄の｢包絡線検波｣を選択し、文の中ほどに
「〜波形を均してやれば〜」とありますよね。
この"均する"とは、積分する(ならす)という意味で、
C, RL の並列回路は、LPFの特性をもつ積分回路で、高周波をカット
することにより検波出力を得ていると考えればいいのでしょうか？

実験でフーリエ変換による信号解析をやったんですが、
フーリエ変換の応用例はどんなものがありますか？

>>262
そのたうり。
キャリア（搬送波）を適当な時定数で積分してで振幅変化、（変調波）を得ます。

ん、でじゃぶゅ、、

>>261
ヲイヲイ、実験したんだろ。
どんなデータを取ったんだ？

>>265
すみませぬ。
放電が始まるまで電圧を上げていって、電流と電圧のデータを得ました。

266です
書き忘れましたが、
球間隔を広げていくと、電圧、電流ともに比例的に増加していきました。

>>267
じゃ、放電球の間隔と放電開始電圧、放電電流が比例するのは何故かを考察すれば。
まさかここのスレをコピペしてレポにする気じゃないよね。

>>268
それが分からないからここに書きました。
比例する理由を教えてください。

http://clubwish.chu.jp/
↑ここのHPすげー。

>>269
('A`)ノ　ﾏﾝﾄﾞｸｾｰ

大気中　放電開始電圧　でググれよ。

>>269
電界について考察する。

>>270
---コピペここから
空間距離と空気の絶縁抵抗値は比例するので、
その絶縁を破る放電開始電圧も比例して増す。
放電時の放電球間のインピーダンスは非常に低いので、
放電開始電圧が高いほど放電電流は大きくなる。
---コピペここまで

みなさんありがとうございました。
コピペさせてもらいます。

はぁ。今の香具師は自分でググったりする力もないのか…。
他人の作ったものを丸写しじゃあ、日本の技術力も落ちるわけだ。

アインシュタインの関係
D/μ＝kｔ/q
は何故温度依存なんですか？

a

B間の合成抵抗を求めよっていう問題なんですが。抵抗R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7は既知であるとします。

　----R1------R6---
　|　　　　|　　　|
　|　　　　R4　　 |
　|　　　　|　　　|
A-----R2----　　　|--B
　|　　　　|　　　|
　|　　　　R5　　 |
　|　　　　|　　　|
　----R3-----R7----

昔やったWheatstone bridgeかな？と思ったのですが、
よく見たら違うし。

すみません。↑は誤植ありです。

×：B間の
○：AB間の

高校んとき１度やった事が有るよ
名前だけ出して好い加減な説明だけしてちゃんと教えてはくれなかったな
「１点に入る電流の総和はそこから出てくる電流の総和に等しい」とか、後も一つ有ったかな？
これで説明が付いているらすぃ？？？？？ちょっと複雑になるとサッパリ解りませんのに
そこを詳しく噛み砕いてやってくんなきゃ！！！ね〜
あの先公はいっつもうやむややったぞい！あのムッツリがぁー！（怒）
キルヒホッフの方即？

>>278
R2とBの間に何か抜けて無いか？
このままだと

R2//(R1+(R6//R4))//(R3+(R7//R5))

で簡単に計算できてしまうぞ。
あと前提条件ですべての抵抗値は同じとか、ないか？
そうすると結構エレガントな解法がありそうだがな。

ちなみに
R1〜R7=Rとすると

AB間の合成抵抗：　3R/7

電気力線の屈折の法則は、物理の光の屈折と同様に考えて良いですか？

どうしてフォトダイオードの周波数特性は、高周波ほど悪くなるの？

Hay,Carey-Foster,Schering,Wienブリッジにおいてそれぞれの
平衡条件とその用途を示せ。
って、問題なんですけど平衡条件はともかく用途が全然分かりません。
これらの用途っていったいなんですか？

>>279 Taur Ning の本読みなさい。

電験３種の問題で教えてください。（理論初心者です）

ttp://members.at.infoseek.co.jp/r_sindou/newpage1.htm
この問題集で勉強しております。

「解答・解説」の最初の部分がわかりません。
C2　C3の合成静電容量を求める部分で、

　C23=1/(1/C1+1/C2)
があります。

この部分がわかりません。　なぜ、C2とC3の合成静電容量を求めるのに、C1の値を使っているのでしょうか？

私としては

C23=1/(1/C2+1/C3)

ではないかと考えていました。

この部分の考え方を教えてください

>>286
　いや、単純に誤植だと思う

高専生多いな。

今日、理想的な抵抗と現実の抵抗の違いについて聞かれたのですが解りませんでした。

理想的な電圧計と現実の電圧計の違いは
理想的→電流を流さず電圧を測定できる。
現実→若干の電流が流れる。

ですよね？抵抗の場合はどのように考えたらいいのか解らないのです。
温度や、湿度等に影響されないのが理想的な抵抗なんですか？

ポーラパターン(円形グラフで指向性を360度にわたって示した図 )をエクセルで
のグラフで作成するにはどうすればいいのですか？　教えてください！！

>>289
インダクタンス成分やキャパシタンス成分がゼロの抵抗器じゃないか？

>>291
現実では電流が流れると磁界が発生する事は原理的に避けられない為ですね。

どうもありがとうございました。

>>290
角度が等間隔ならレーダーグラフあたりで近似できるかな。
そうじゃないなら、一旦極座標をXYに変換してから散布図にするとか。

ガウスの定理で右辺＝(1/ε0)∫ρ*dv　と習いましたが、

もしも、誘電体の中でガウスを使うとすれば、ε0はε1やε2のようにおいてもいいのでしょうか？？

>>289
理想的な抵抗とは、
・抵抗値表示に誤差がない
・容量（W数）無限大
・温度により抵抗値不変
・電源周波数により影響されない
・純直流抵抗分のみ(キャパシタンス・インダクタンスがない)
・その他、外的条件にも影響されない

とかじゃないかなー。

・耐重量∞�d

>>284
主な用途は相互インダクタンスの測定。
ブリッジ平衡させて未知の相互インダクタンスもとめる

交流計器の実験で

正弦波でオシロスコープでの読みが20[v/div]の時
整流形電圧計の読み（指示値）が6,95[v]だったんですよ。

で、今教科書読んで整流形電圧計の理論値だしたら5,65[v]とか出てきちゃいました。

オシロスコープの読みってピークピーク値ですよね？
ですから平均値の5に正弦波の波形率1,13を掛けたのですがやり方間違ってるのでしょうか？

それとも整流形電圧計は実効値で目盛られているのでオシロスコープの読みをそのまま
実効値に直したのが整流形電圧計の理論値になるのでしょうか？
この出し方だと7,072[v]となり指示値に近くなるのですが・・・

解る人居ましたら教えて下さい。

>>298
>ですから平均値の5に正弦波の波形率1,13を掛けたのですがやり方間違ってるのでしょうか？
間違っています。

>それとも整流形電圧計は実効値で目盛られているのでオシロスコープの読みをそのまま
そうです。

そのため、正弦波以外の波形では正しく実効値を表示しないことに留意する
必要があります。

そうでしたか。どうもありがとう御座いました。

e^(iφ)×（ｄ/ｄθ+ｄ/ｄφ）e^（-iφ）×（-ｄ/ｄθ+ｄ/ｄφ）
を展開して簡単にしたいのですが・・・
微分演算子が入ってて、どうしたらいいかよくわかりません。
一番左のe^(iφ)は演算子かかってないから関係ないのかなあ・・・など。どなたか教えてください。

理論勉強初心者です。
ttp://members.at.infoseek.co.jp/r_sindou/newpage5.htm
この問題でわからない部分を教えてください。

鉛筆書きで※印を付けてある計算式がわかりません。

静電容量を求める公式から考えますと、この極板の面積S「平方メートル」を代入しなければならないと思うのですが、この※印を付けた計算式では問題にもあります１「立方メートル」が代入されています。

これはどういうことでしょうか？　問いは立方メートルあたりの静電容量を求めろとされていますが、この場合、Sの部分面積ではない数値を代入しても良いのでしょうか？

まったく解らないので、何を勘違いしているのかもわかりません。
よろしくお願いします

>>302
この答なんかおかしくね？
1[m3]当たりって言うんだから、
コンデンサ1[m3]の面積S=1[m3]÷0.02[m]=50[m2]
じゃないかなー。
だから1[m3]当たりの静電容量Cは、
C=8.85*10^12*50/0.02=22.125*10＾-9
22.125[nF]
になるように思うが。。

>>303
そうだね。
問題では1［m3］当たりの静電容量っていいながら

　　C=ε0・S/t
　　C=8.85×10＾-12×1/0.02= …

ってS(極板の面積)を「1」にしていて極板単位面積当たりの静電容量を出しているな。
てゆうか、立方メートルあたりの静電容量ってなんだよ。
式の展開もわかりにくいし、糞三決定。

誤植だろうけどな。
おおかた、どこからかコピペして、手を加えておかしくしたって
パタンだな。
E=V/t　と　C=ε0・S/t
だけあればすんじゃう。
たぶん、コピペした元の問題は設問１として「電極間の距離を求めよ」
というのががあったんだろ。

情報信号の最高周波数成分が１０KHZ、変調指数が１０のFM信号における最大周波数偏移（角周波数でないことに注意）
を求めよ。また、このFM信号の伝送に必要な帯域を求めよ。


最高周波数成分＝最大周波数偏移と思えてしまってどーしても解けません。。。
これだと変調指数が無くても問題解けてしまうし。

すいません、詳しい方教えてください。

>>306
教科書的には　ｍ（変調指数）＝周波数偏移/変調周波数ですから
変調周波数＝１０ｋHzで、ｍ＝１０の周波数偏移は１００ｋHz です。
しかし、周波数偏移とはDCの時の周波数のシフト量（説明が上手くな
いけれど）ですから、変調周波数が１０ｋHzの場合には搬送波を中心
として両側に１０ｋHz 毎にサイドバンドが永遠に並びます。
このサイドバンドを含めて、被変調波のエネルギーが約９９％存在す
る範囲（占有帯域幅）の簡易式が、Bw=２×（偏移＋最高変調周波数）
2倍してるのは、上下に側波があるから、　よってあなたの場合は
２×（１００ｋHz＋１０ｋHz）＝２２０ｋHzの通過帯域幅があれば良い
と言う訳です。　
変調周波数が０．０１HZなら２００ｋHzの通過帯域幅でよい。
実際の設計場合は、少しちがう（最高変調周波数が連続する事はまず
ありえ無い、また通過帯域フィルターのエッジの特性の問題もある）
場合が多いのですが、まあ基本的な考え方は此れでよかろうと思います。

同心導体球の間の半分を誘電率がε1,残りの半分を誘電率ε2の誘電体が満たしているとき
内外の導体球に電荷+Q,-Qを与えた。

それぞれの誘電体において球の中心からの距離がrの所の電界を計算せよ

という問題なんですが、
この場合、誘電体が異なっても電界が等しくなるだろうと思うのですが、
なぜ等しくなるかが分かりません。説明できる方いましたらよろしくお願いします。

押ボタンスイッチPB1、PB2によって直接制御される継電器A1、A2がある。
偶数個の継電器が動作した時、出力Lが点灯する回路を作れ。

よろしくお願いします。

>>308
どんな風に「半分」なのかいな？２色パンみたいに縦割りで半分なのか、
あんパンのように二層構造なのか・・・

>>309

　○−−○
○　　　　○
　○−−○

で分かるかな？階段の照明スイッチと同じだよ。

>>309
最初は、奇数、偶数入力判定回路をリレーで作れって問題かと思ったのだが、
プッシュ（モメンタリー）スイッチ2個でリレー（継電器とは又古い用語だｗ）が2個、
「複数個の継電器」って、、、　複数は2個の場合しかないじゃないか（０は複数では
ないよね？）。
早い話が、2個のスイッチのANDを採ったリレー接点でランプLを点灯させろって事では
ないの？
それならば、各々のリレーのA接点（NO接点）をシリーズにつないで、ランプと電源
をスイッチするだけの事？？？？？？　

中の空洞の部分があるじゃないですか？
その上半分がε1
下半分がε2

です。
よろしくお願いします

結局、導体の中身は電圧が一定なので電界が等しいと考えました。

解答が最後までたどり着けない事が分かりましたので、
解説できる方よろしくお願いします

>>308
ｒが外球の半径以上のところでは電界E=0
ｒが内球の半径＜ｒ＜外球の半径では電界E=Q/4πεr^2
ε=1/(1/ε1+1/ε2)
ｒが内球の半径以下のところで電界E＝0かな…。

電束密度についてガウスの法則を考えれば出るじゃん…。

E=Q/4πεr^2の部分についてですが、これはガウスの法則では求められませんよね？
ガウスの法則で求めたとするとεはε0になってしまわないかと悩んでいました。

よろしければ、E=Q/4πεr^2　と　ε=1/(1/ε1+1/ε2)　が出る過程を解説して頂けませんか？？

すいません、もう少し詳しく説明してくれませんか？

誘電体が異なる場合、表面電荷密度は異なるらしいのですが？その辺をふまえて
解説して頂けませんか？？

age

>>315
まだよくわからんが、
同心球の半球（おわん型）部分の誘電率がε1で、
残りの半球がε2ってこと？
そうだとしたら、
誘電体の違う部分の導体表面の電荷に偏りができる。

球の上半分を誘電率ε1、下半分をε2とし、
内導体球の上半分の電荷をQ1、下半分の電荷をQ2とする
（ここでQ=Q1+Q2）
球中心から半径ｒ（内半径＜ｒ＜外半径）における
誘電体ε1内の電界の強さをE1、ε2内の電界の強さをE2とすると、
E1=Q1/(4･π・ε1・r^2)、E2=Q2/(4･π・ε2・r^2)
ここで、内球-外球の電位差は等しいのでE1=E2であるから、
Q2/Q1=ε2/ε1
（Q-Q1)/Q1=ε2/ε1
Q/Q1=ε2/ε1+1=(ε2+ε1)/ε1
Q1=Q・ε1/(ε1+ε2)
これを、E1=の式に代入し、E1=E2=Eとし、
E=Q/｛4･π・(ε1+ε2)・r^2｝

となったが・・

誘電体が二層になって重なってる場合はまた違うな。

>>308
誘電体が50:50で半球状？に満たされてるんだよね。
表面電荷密度云々は置いといて、ε1の半球？で考えれば
内半球の電荷量はQ/2と考えてガウスの法則から半球から出て行く
電束密度D1として、D1・2Πr^2=Q/2
同様にD2・2Πr^2=Q/2、ゆえに半径ｒでの電束密度D＝D1＝D2＝Q/4πr^2　
E＝D1/ε1+D2/ε2＝Q/4πεr^2,　ε=1/(1/ε1+1/ε2)
これでいいかい。

解答では
E=Q/｛2･π・(ε1+ε2)・r^2｝
となっています。

図をアップしますので見てみてください
http://jp.y42.briefcase.yahoo.co.jp/bc/scdws15/

>>319
おっとｽﾏﾝ間違えた、
半球の電界の強さE1,E2は
E1=Q1/(2･π・ε1・r^2)、E2=Q2/(2･π・ε2・r^2)
だった。
だから
E=Q/｛2･π・(ε1+ε2)・r^2｝
だった。

http://jp.y42.briefcase.yahoo.co.jp/bc/scdws15

スラッシュを取って見られると思います

>>322さんでいいのかな、

とても参考になりました。ありがとうございます。
この質問板ではみんな親切に解答してくれるのでとてもありがたく思っています。
本当に感謝感謝です。

あ、>>314さんもありがとうございます。

最新を見ていたので気づきませんでした。
丁寧な解説ありがとうございました。
自信を持って解答する事ができます。
本当にありがとうございました。

>>309
http://radio.s56.xrea.com/radio/src/radio0015.jpg

>>322さん

解く事ができました。うれしかったので解答をうｐします。
良かったら見てください。汚い字ですが（涙）

http://ime.st/jp.y42.briefcase.yahoo.co.jp/bc/scdws15

質問でございます。

「（LPF）遮断周波数１８ｋＨｚを２次バターワース特性で設計せよ。」

なんですが、ｓをｓ/ωｃに変換した後からどうやっていくものか詰まってしまいました。
お助けください

＞＞３０８
ありがとうございます！！
でも帯域幅って最大周波数偏移の二倍じゃ駄目なんでしょうか。
手持ちの参考書ではそういう風に書かれていたので・・・。

押ボタンスイッチPB1、PB2、PB3によって直接制御される継電器A1、A2がある。
この3個の継電器の内、奇数個の継電器が動作状態にあるときだけ、
出力ランプZが点灯するようにしたい。次の問いに答えよ。

（a）動作表を作成せよ。
（b）出力について論理式を示せ。
（c）回路図を作図せよ。

これもよろしくお願いします

↑だまされるな！　”ここ”を押しても何もないぞ！

私は理論やではないので数式を引っ張りだして説明するのは苦手なのですが、以下のように
考えると理解しやすいかと思います。学校では昔習ったのだがアカデミックな説明でなくて
すまん。
周波数変調でMの値が１０とか大きい場合には、被変調波のスペクトラムのエンベロープは
2本主脚型の吊橋見たいな形になるのは教科書にも良く書かれていますよね。　
で、この中のスペクトラムは変調周波数（１ｋHzなら１ｋHz毎に並んでます）の間隔ですね。
よって、１KHｚの変調波で１０ｋHz偏移Dev.の場合も　１００Hzの変調波で１ｋHzの偏移の
場合も周波数占有帯域幅こそ違いますが、Mの値で決まるまったく同じ形の吊橋波形と成ります。
此処でMの値が１以下の周波数変調のスペクトラム分布を考えて見ましょう。　
Mの値が2.3？？の所がたしかセンター周波数の成分が無くなってしまう値ですから、M１以下の
変調では、スペアナでの観測波形は両側波のAM変調のスペクトラムみたいに真ん中に搬送波分の
エネルギーがあり、左右に変調周波数１ｋHzなら±１ｋHzはなれた所に第一側波が発生、さらに
±２ｋHz離れたところにだいぶレベルが低い第二側波、±３ｋHzでメチャ低い第三側波が見えま
す。　　一見AM変調のスペクトラム波のようですが、AMの場合は歪みが無い理想状態では第一側
波のみ、またスペアナでは分りませんが左右の側波の発生の位相？関係がFMと異なります。
ここで、搬送波周波数1MHzで偏移が２ｋHzで変調周波数を１０ｋHz としてみましょう（M=0.2)。
スペクトラム分布は、キャリアのみ（無変調）なら１MHzに1本だけですが、浅い変調を受けたので
側波が発生し１MHｚの±１０ｋHz離れた所に側波のエネルギー分発生し、±２０ｋHz はなれた所
にもカナーリ低い第2側波のエネルギーが発生します、さらに±30ｋHzにはメチャ低い（以下ry
FMですからトータルの電波のエネルギーは一定でえすから、この側波のエネルギー分だけ中心周波
数１MHｚのスペクトラムは無変調時より下がります（M＝2.3？で一度０まで下がる）。
此処で貴方が言う所の偏移の2倍の通過帯域のフィルター（この場合1MHz±２ｋHz)で取り出し
たとします。　第一側波は±１０ｋHzで初めて発生しますから、変調によってレベルが少し下
がった搬送波1MHzのエネルギー分しか取り出せませんよね。これでは元の変調波形に戻せない
のは自明かと思われます。　いくら浅い変調でも、「少なくとも変調周波数の両第一側波成分
は必要」と言う事は、この場合最低でも変調周波数10kHz分は両側に必要と言う事です。
それで、必要通過帯域幅（片側）＝周波数偏移＋最高変調周波数　と考えられては如何ですか？

釣りかも知れないけれど、一応マヂレス。
・初心の内はは文章の題意に沿って論理を組んで逝く練習をするべし。

１．.3つの継電器の接点出力をA,B,Cとして、OFFでL,ONでHが出ると仮定する。
２．文章どおりに考えてラムプが付いて良い条件は
　　A,B,Cのどれか１つがH（他の2つはL)　　・・・　　1個のみON出力
　　または、A×B×CがHの条件　　　　　　　・・・　　３個ともON出力
　　＊この条件でラムプを点灯させる。
３．別の考え方なら、
　　禁止すべき（ラムプが付いては逝けない場合で考える）。
　　偶数個の接点がONの場合。
　　A×B、 B×C、A×C　がHの場合　　　・・・　2個ON出力　　これは駄目
　　A,B,C出力が全てLの場合 　 　 　 　 　 ・・・　3個ともOFF　　これも駄目
　　　＊この条件でラムプを消灯させる。

どちらの考え方でも構わないから、一番簡単にゲートICかリレー接点で論理回路を
自分で作り上げるべし。

>3個の継電器の内、奇数個の継電器が動作状態にあるときだけ、

２回路２接点のリレーを使っていいならリレーA,B,Cとして、リレーBの
１回路目のa接点をB(1a)、ｂ接点をB(1b),コモンをB(1c)という具合に
書くと、
A(a)-B(1c)
A(b)-B(2c）
B(1a)-B(2b)-C(a)
B(2a)-B(1b)-C(b)
とつないで、A(c)とC(c)の間なら、例えば全部OFF状態なら
A(c)-A(b)-B(2c)-B(2b)-C(a)
で、Cはb側に向いてるから消灯。ここでBが反転すれば
A(c)-A(b)-B(2c)-B(2a)-C(b)-C(c)
となって点灯

>>330
ヲイヲイ、問題文ぐらい人任せにせずまともに書けよ。

>>330
動作表（真理値表）は
A1,A2,A3,Ｚ
０，０，０　０
０，０，１　１
０，１，０　１
０，１，１　０
１，０，０　１
１，０，１　０
１，１，０　０
１，１，１　１

論理式は、
A1=0のときA2,A3の排他的論理和（Ex-OR）
A1=1のときA2,A3の排他的論理和の反転
よって、（ここで、/An：Anのバー）
Z=/A1･（A2･/A3+/A2･A3）+A1・/（A2･/A3+/A2･A3）
　=/A1･（A2･/A3+/A2･A3）+A1・（A2･A3+/A2･/A3）

リレー回路は、（ここで、An-a：Anリレーのａ接点，An-b：Anリレーのb接点）


------A1-b----A2-a---A3-b-----------Z
　|　　　　　　　　|　　　　　　　　　　　| 　　　|
　|　　　　　　　　--A2-b---A3-a-- 　　　|
　-----A1-a----A2-a---A3-a------
　　　　　　　　　|　　　　　　　　　　　|
　　　　　　　　　--A2-b---A3-b--

こんな感じ。
まだ簡単にできるな。

画像見られなかったのかもしれません
別なところにあげました。
ありがとうございます。

http://v.isp.2ch.net/up/a5381ddf1933.JPG

−−−A1-a−−A2-b−−−−−−−A3-a−−−−−
　｜　 　 ｜　 　 　 　 ｜　 　 　 　 　｜
　｜　 　 　−A2-a−｜　｜　 　 　 　 　｜
　｜　 　 　−A2-b−−− 　 　 　 　 　 ｜
　｜　 　 ｜　 　 　｜　 　 　 　 　 　 ｜
　−A1-b−−A2-a−−−−−−A3-b−ーーー−

崩れるかな？

崩れちまったかA2のところの真ん中はたすき掛けな

真空中に平面導体あり、その表面に単位面積1［�u］あたり3×10^-7［C］の電荷が分布している。この導体表面から、垂直方向に50［cm］離れた点の電界の強さ［V／ｍ］を求めよ。

という設問があります。

これで解らない部分があります。

求めるための公式では

　E＝Q／ε　

に代入し、答えは、3.39×10＾4［V／m］（解答による）

なのですが、この垂直方向５０センチ離れたという部分の扱いが良くわかりません。結局この50ｾﾝﾁの数値は代入することが無く計算されているわけですが、この数値が設問にあるのはなぜでしょうか？
もしこの数値が他の数値であった場合、その場合でも考慮しなくても良いのでしょうか？
平面導体の場合の計算方法と考え方が良くわかりません。
よろしくお願いします

>>340
自己ﾚｽになりますが、もしかして、、平等電界だということで距離は関係ないということなのでしょうか？
よろしくお願いします

>>341
　距離は関係ないんだよ

オペアンプで入力電圧以上には出力電圧は増幅されませんがなぜ増幅されないのでしょうか？
感覚的に入力以上に上がるわけないとわかるきがするのですが、理論的にはなぜかわかりません。
どうかよろしくお願いします。

>>343
電源電圧以上にね？

昇圧回路が内臓されてないから。

>>343
何か勘違いしてないか。

一般的にアンプは
入力電圧×増幅率＝出力電圧　＜　電源電圧

すみません電源電圧でした。えっと、出力電圧が電源電圧より大きくなるのはおかしいということですね。

>>330
>>338
http://radio.s56.xrea.com/radio/src/radio0017.gif

>>330
>>338
http://radio.s56.xrea.com/radio/src/radio0019.gif
修正スマソ

>>343
感覚的に言うと、電源（直流）を入力に比例した出力に
変換する回路の代表がアンプ。
それをIC化した素子がOPアンプ。
だから出力（電力）は電源（エネルギー源）以上の
量は出ない。

>>309がまだ分からないんでもう少し詳しく説明してくれませんか？

OPアンプの回路部分しか見てなかったので最初はわからなかったのですが、
みなさんの意見を聞いて回路は一周回って繋がっているという基本的なことを思い出しました。
そう考えると電源より出力が大きくなってしまうのはおかしいですよね。
ありがとうございました。

図のように、平行な一様な磁界中で、磁界と垂直に置かれた長さLの
導体棒をA点からA-B-C-Aの正三角形に沿って動かすときに、導体棒
に生ずる起電力の波形はどうなるか？

ただし三角形の一辺の長さは10[cm]でA-B間は10[cm/s]、
B-C-A間は20[cm/s]の一定速度で動かすものとする。

　　　B点
───────────
──│＼───────
──│　＼──────
──│　　＼─────
──│　　　＼─────C点
──│　　　／─────
──│　　／──────
──│　／───────
──│／────────

　　　A点

この問題の分からない点は、模範解答で

AB間
運動時間10/10＝１秒
起電力E=Bvlsin90°＝0.1Bl

Q1この0.1はどうやって出したのか？

BC間
運動時間10/20＝0.5秒
起電力E=B・2vlsin30°＝0.1Bl

Q2.2vとなってるが、2はどっから出てきたのか？

CA間
運動時間10/20＝0.5秒
起電力E=B・2vlsin30°＝0.1Bl

Q3.Q2に同じ

よろしくご指導願います。

>>351
>>311以上の説明は無いのだが、疑問点をはっきりさせてみ。

>>352
最初に
「v=10[cm/s] =0.1[m/s]とおくと」
を入れて解答読めば？

>>353

Q1　E=Bvlsin90°/sec=Bl×v×sin90°/1(s)=Bl×10(�p/s）×1(/s)=Bl×0.1
Q2　E=Bvlsin30°/sec=Bl×v×sin30°/0.5(s)=Bl×10(�p/s）×0.5×2(/s)=Bl×0.1

絶縁耐力　（名称について）

電気の勉強をしています。絶縁耐力「V／m」は名称方にもいろいろあると聞きました。
用語が変わるだけで設問の意味が解らなくなりそうです。

電気の試験には往々としてこのような問題の出題が多いとも聞きました。　
私は単位の「V／m」を見て電界の強さ　のことかな？とかを判断しているのですが、単位が書かれていない場合、見極める自身もありません。
絶縁耐力の他の名称や電気の試験に関してこのような出題のある他の用語とうを教えてください。

電圧計および電流計の種類とその動作原理を教えてください。

>>354
すいません。説明不足でした。
回路図がほしいのです。
>>310だけではよく分からないんで。

>>358
See your school book.

>>359
>>326さんがアップしてくれているぞ。

>>361
ありがとうございます。

>>353
速度が２倍

>>358
計測の教科書嫁

>>360
そんな意地悪なこといわないで教えてください。
電流計は、可動コイル形、可動鉄片形、電流力計形、整流形、熱電形ですよね。
これって種類？動作原理？どっち？
簡単なことを聞いているのは分かります。
簡単だからこそ教えていただきたいのです。

>>360
動作原理ごとに種類を区別している。
てかお前馬鹿？

>>365
種類ごとに動作原理が違うだろうがぁ、ボケ！

>>357
絶縁破壊は、絶縁体が強い電界に絶えられなくなって
起こるものだと考えたらいいのではないでしょうか。
（私も勉強したてなのでチョット自信なし）

電気の各々の用語の物理的意味がわかれば、
用語と単位が結びついてくると思いますよ。

変な質問かもしれませんが地絡電流は電線のこう長に比例するのですか？
もしそうならその理由を教えてください
（地絡電流とは大地に流れ込む電流のことですよね？）

同心導体球の間の半分を誘電率がε1,残りの半分を誘電率ε2の誘電体が満たしているとき
内外の導体球に電荷+Q,-Qを与えた。それぞれの誘電体において球の中心からの距離がrの所の電界を計算せよ
の問題で解答はE=Q/｛2･π・(ε1+ε2)・r^2｝となる事が皆さんのおかげで分かりましたが、静電容量を求めよという問題がありました。
誘電率ε1、ε2や厚さtを使った方式を使ってどのように解けばよいでしょうか？？

そういえば、昔から疑問だったんだけども、半導体の中の線間の
電界を考えたら、たとえば線間１μmなんていうクラシックなルール
で１V掛かってるだけでも10^6V/m・・・だよね？
良く絶縁破壊しないよなぁ。あのくらいの世界になると別の原理が
支配するの？

コンデンサの並列接続の計算について教えてください

静電容量を求める設問です

http://members.at.infoseek.co.jp/r_sindou/newpage6.htm

この※を付けた部分がどこから代入されたか良くわかりません
10^12が何を代入したものなのか教えてください。
これはεｓの単位換算なのでしょうか？
理論勉強初心者ですのでよろしくお願いします

単位をFからpFにするため

>>372
勉強初心者って何だよと軽い突っ込み

　　　 ／￣￣￣￣￣ ミ
　 　 /　　 ,――――-ミ
　　/　　／　 ／　　 ＼ |
　　|　 /　　　,（･）　（･） |
　　 (6　　　　　　 つ　　|
　　 |　　　　　　＿＿_　 |　　 ／￣￣￣￣￣￣￣￣
　　 | 　　　　 /＿＿/ ／　 ＜　なわけねぇだろ！
　／|　　　　　　　　 ／＼　　 ＼＿＿＿＿＿＿＿＿

>>371
通常の放電と雷クラスの放電ではメカニズムが違います。
詳しくは知りませんが、通常に比べ、雷は低い電界で放電しているようです。

ちなみに通常空気中で大体1000Vで1mmで放電が起きるといわれています。（条件で変わる）
2000Vなら2mmということです。
半導体で絶縁している部分の耐圧、考えてみればなるほどですな。

差動パルス符号変調って何ですか？

絶縁抵抗は異常ないがパソコン用金属ラックとアルミサッシュのドアーを触ると感電する
漏洩電流・絶縁抵抗測定を行うも、ともに正常値である。
絶縁測定のための停電時に一時消滅、送電すれば再び発生
静電気でなっかとのコンサルティングを行うも、継続しているとのことで静電気によるものではない。
テスターにて金属ラックと対地間の電圧を測定を行った結果・・・９０Ｖ
他の電圧計（可動鉄片形・０．５級）での測定結果５Ｖ程度
原因と対策を

半導体素子の負荷・温度・出力・不平衡特性について簡単にまとめて書かれている本やサイトとか無いですか？
概要や原理等まで分かって、あまり専門的な内容でなくて良いので・・・

>>373
これは静電容量の基本単位がFであり、設問でｐFを要求されているのでそのための単位換算という考えでよいのでしょうか？

>>370
電界の強さEは
E=Q/｛2・π･(ε1+ε2)・r^2｝
　=Q/｛4・π･(ε1+ε2)/2・r^2｝
と変形できこれは、
誘電率ε=(ε1+ε2)/2の1種類の物質を内外導体球間に入れたのと等価と考えることができる。
よって、内外球間の電位差Vは、（ここで、内球半径：ａ，外球内半径：b）
V=-∫(b→a)Q/｛2・π･(ε1+ε2)・r^2｝･dr
　=Q･｛(b-a)/a・b｝/｛2・π･(ε1+ε2)｝
Q=CVより
C=Q/V
　=｛2・π･(ε1+ε2)｝/｛(b-a)/a・b｝　となる。

半球づつ別々に計算してもできる。
E1=Q1/｛2・π･ε1・r^2｝
V1=-∫(b→a)Q/｛2・π･ε1・r^2｝･dr
　=Q1･｛(b-a)/a・b｝/｛2・π･ε1｝
Q1=C1･V2より
C1=Q1/V1
　=｛2・π･ε1)｝/｛(b-a)/a・b｝
同様に
C2=Q2/V2
　=｛2・π･ε2)｝/｛(b-a)/a・b｝
よって、
C=C1+C2
　=｛2・π･(ε1+ε2)｝/｛(b-a)/a・b｝

>>381 さんありがとうございました。
きちんと解く事ができました。発想の転換というか頭が固いせいか単純な事を考えつきません。
これからみっちりと勉強していきたいと思いますので今後ともよろしくお願いします。

CR発振器にサーミスタが使われることが多いのはなぜですか？
という問題なのですが、
ググってみてもいいページがヒットしません。。。
何方か教えていただけませんか。
よろしくお願いします。

381さんの解答
http://v.isp.2ch.net/up/df9d39f08078.JPG

解答したホワイトボードをアップしております。
ブラクラorグロorエロなどではありませんので、もし良かったら見てください。

いろいろググってみたんですけど調べ方がわかりませんでした。

身の回りの電化製品を分解して、
電力用半導体能動スイッチング素子（ダイオードは違う）を見つける。

という課題なんですが、皆さんなら何を選びますか？
あと、ゲーム機は禁止だそうです。

>>385
「電力用半導体能動スイッチング素子」って？
電灯用半導体能動スイッチング素子、
電力用半導体受動スイッチング素子、
電灯用半導体受動スイッチング素子、、、、

ヨタはさておき、半導体スイッチング素子ということで
スイッチング動作しているトランジスタ（バイポーラ、FET）
サイリスタ、
トライアック、
SSR、

発熱体（含照明）、回転体（モーター）をいわゆるマイコンで
コントロールしている機器、それにスイッチング電源が一般的に
相当しているような気がする。と言うことはとにかく開けてみれば
何か当たりそうだな。

漏れだったら、部屋に転がっているVCRを開けるかな。
目の前にはそのものズバリのスイッチング電源があるのだが。

>>383
キーワード
AGC、負性抵抗

>>378

>漏洩電流・絶縁抵抗測定を行うも、ともに正常値である。

どんな機器を使用しているのでしょうか。
配電線の絶縁、漏洩はみてみましたか。

　（・∀・　　　　　　　　）
　（　　・∀・　　　　　　）
　（　　　　・∀・　　　　）
　（　　　　　　・∀・　　）
　（　　　　　　　　・∀・）

　　　　　　( 1 0 0 0 0 )
　　　　　　( 0 1 0 0 0 )
＝（・∀・）.( 0 0 1 0 0 )
　　　　　　( 0 0 0 1 0 )
　　　　　　( 0 0 0 0 1 )

＝（・∀・） E !!

>>383
CR型の発信機でサーミスタをつかってるのはウイーンブリッジタイプC−R　Osc.の回路かな？
>>387 さんが逝ってるようにAGCの為。
反転アンプ型の増幅回路の発振条件は-180度の位相帰還で一巡ループGainが１と成るところ。
アンプにウイーンブリッジ型帰還回路をいれれば、電源ONで発振が成長しGain＝1に成るまで
までは増大するけれど、この、何も制御しないでゲイン＝１に成ったてのはアンプのダイナミ
ックレンジのFullスイング状態。　これでは高調波歪み成分が大きすぎて使い物にならない。
サーミスタを帰還回路に入れて振幅が大に成ろうとすると、Thの自己発熱でゲインを下げる（帰還
量減少）するように働き振幅を歪みが少ないリニアーなレベルに押さえ込める。
このサーミスタによるAGC方式のR−C．Oscの欠点は、　
１．THの比熱が大きいと、振幅を押さえ込むのみ時間がかかり（周波数を変えたとき一定レベルに
　　なるのに時間がかかる。
２．周波数が１０Hz以下とか低い周波数では、比熱が小さいとサーミスタの自己発熱変化が振幅
　　のスイングに追従してくるので逆に歪みが増大する。
３．周囲の環境温度が変化によって、出力レベルが変動する。
まあ5万円以下のクラスの、歪み０．１％クラスのCRオシレータは大抵この方式でしょう。　　

電圧Vの交流電源に、抵抗Rとそれに並列に接続されたコイルL1,L2が直列につながれている。またL1側にはスイッチSがついている。
スイッチSが開いているときに抵抗Rを流れる電流Iは、10Aである。いま、Sを閉じてIを12Aと
するためには、L2のリアクタンスを何オームにすればよいか。ただし、R=10オーム、L1のリアクタンスは15オームとする。

教えてくださいな

>>391
いらっしゃい！

で、交流電源って色々パラメータがあるのだけど。
ぶっちゃけ電圧、周波数は？

電圧はVで、周波数は書いてないです

　――――――――
｜　　　　　　　　　　　｜
｜　　　　　　　　　　　｜
｜　　　　　　　　　　　R
電　　　　　　　　　　　｜　
｜　　　　　　　　　　　｜
｜　　　　　　　　　――――
｜　　　　　　　　｜　　　　　ス
｜　　　　　　　　｜　　　　　｜
｜　　　　　　　　｜　　　　　｜
｜　　　　　　　　L1　　　　L2　　
｜　　　　　　　　｜　　　　　｜
｜　　　　　　　　―――――
｜　　　　　　　　　　　｜
｜　　　　　　　　　　　｜
―――――――――


こんな回路なんです　念のため

>>391
これはとても電気回路の問題とは思えない。なぞときの問題とちゃうんかい？

まず日本語の問題文の書き方が最悪。　
このような理系の文章は、国語の問題ぢゃないのだから
可能な限り指示代名詞を使わ無い事。
また、どれがどこに掛かるのかを明確にする事。

１．それと並列にの「それ」とは「抵抗R」をさすのか？ 抵抗に並列にコイルが？
２．並列に接続されているのは、２つのコイルなのか？　抵抗とコイルなのか？
３．直列に繋がれているのは抵抗と、並列接続されたコイルなのか？　コイルとコイルが直列なのか？
４．スイッチL１には直列になっているのか？並列に入ってるのか？

>>394
スイッチはＬ２側でいいの？

いろいろ申し訳ありません・・・
スイッチはL2側です

ＣＲ回路でパルス電圧を加えたときの抵抗Ｒの出力電圧Vr(t)
を求め、0≦t≦3Tの領域でのVR(t)を示せ。
ただし、パルス電圧の波高値をEとし、時定数τ＝CRとすると
印加電圧のパルス幅はＴ＝5τであるとする。　なおt=0のときＣの電荷は０とする。

　E　　＿　　　　○――Ｒ―――――○
　　　｜　｜　　　　　　　　　　　　｜
　0―　　　→t　　　　　　　　　　　Ｃ　 Ｖ（t)
　　　0　　3T　　　　　　　　　　　　｜
　　　　　　　　　○――――――――○

って問題なんですけど
どのようにして解いたらよいのでしょうか。
キルヒホッフを使って式を立ててから
どのように解けばいいのか手も足もでないです。
よろしくお願いします。

>>391
絵を見て題意がやっと分った。
そうい問題路ならば、日本語問題分をを以下のように修正すべきだよ。（少しはましか？あまり変わらんか）

電圧がVの交流電源がある。
負荷として、抵抗RとシリーズにコイルL1,L2がパラレルになった物が接続されている。
またこのコイルL2側にはL2シリーズにスイッチSが入っており、S開で切り離せるようになっている。
R＝１０Ω　　XL1＝ｊ１５Ω　として、負荷電流が　S開で１０A、S閉で１２Aの時　L2のリアクタンスを求めよ。

すみません
>>398
ですがパルス幅はT=3τでした。

>>400
教科書に書いてないの？演習書も持っていないの？
高校生なら微分方程式解けない限り解析解を導けないだろうが
問題は解析解を期待している作りだから、
高校生への問題とは思えない。教科書読めよ。
講義でも必ず類題の解法をしているはずだぞ。

>>391
まず電圧から考える。電源電圧：E[V]、リアクタンスＸ１[Ω]，Ｘ２[Ω]として
スイッチ：ＯＦＦ時より、
　Ｒ両端の電圧Vr[V]は、
　Vr=Ｉ・r=10*10=100[V]
　X1両端の電圧Vx[V]は、
　Vx=I･ｊX1=ｊ150[V]
　電源電圧Ｅ[V]は、
　E=√(100^2+150^2)=50√13
スイッチＯＮ時、
　Ｒ両端の電圧Vr[V]は、
　Vr=Ｉ・r=12*10=120[V]
　X1両端の電圧Vx[V]は、
　Vx=√(E^2-Vr^2)=√｛(50√3)^2-120^2｝=10√181[V]
　合成リアクタンスＸ[Ω]は、
　X=Vx/I=10√181/12=5√181/6
　また、
　Ｘ=X1･X2/(X1+X2)より
　X2=X1･X/(X1-X)
　　　=15*5√181/6/{15-5√181/6}
　　　=~44.39[Ω]

>>398
その問題、特にパルスが正しいならば、
普通に直流電圧Eを印加して微分方程式
Ri + (1/C)∫idt = E ( 0≦t≦3T )
を解けばOK。
VR(t) = Ri
で抵抗の電圧は求まる。

>>402
ありがとうございました
わかっちゃいました

>>403
アドバイスありがとうございます。
でも、このキルヒホッフの式から　
コンデンサの電荷についての微分方程式の一般解が求められないです・・・

図のパルスしか見てなかった。
パルス幅T=3τですな。すまんです。

微分方程式で解くなら、時間領域を
(1)　　0≦t≦T
(2)　　T≦t≦2T
(3)　　2T≦t≦3T
に分けて考える必要がある。
(1)〜(3)をそれぞれ
(1)'　　0≦t1≦T
(2)'　　0≦t2 = t1-T≦T
(3)'　　0≦t3 = t2-T≦T
と置き換え、
(1)' の q(t1=T) を (2)' の初期条件 q(t2=0) に、
(2)' の q(t2=T) を (3)' の初期条件 q(t3=0) に据えれば、
それぞれを微分方程式で解くことができる。

ラプラス変換ができるならもっと楽。
回路方程式
Ri + (1/C)∫idt = e
上式をラプラス変換
RI + (1/Cs)I = (1/s) * (1 - e^(-Ts) + e^(-2Ts))
I について解くと
I = (E/R) * (1/(s+(1/RC))) * (1 - e^(-Ts) + e^(-2Ts))
上式をラプラス逆変換
i = (E/R) * (e^(-t/RC) - U(t-T) * e^(-(t-T)/RC) + U(t-2T) * e^(-(t-2T)/RC))
Vr(t) = Ri

eが紛らわしくなっちゃった。
Ri + (1/C)∫idt = e
の e は電源電圧すなわち
E * (1 - U(t-T) + U(t-2T))
以下の e は自然対数の底です。

>>406
ありがとうございますっ

Ｔ＝3τと置いていいんでしょうか？

場合分けした場合は　3通りのVr(T)が出るということですか？
０の位置を０，３Ｔ　波高値（Ｅ）の位置をＴ，２Ｔと考えればよいのでしょうか・・？

すみません、ラプラス変換わかんないです・・・
初期条件のt=0のとき電荷0を使って解く場合は
電荷Ｑ(t)についての微分方程式で解くのがいいですよね？
キルヒホッフから　ＲＩ+Ｑ/Ｃ＝Ｅ
として　Ｑ(t)＝・・・　で一般解を出す方法が良いかと思ったんですが
解法が分からなくて・・・

単安定マルチバイブレータの入力振幅を小さくしていくと、なぜ、正確に動作しなくなる点が出てくるのでしょうか？
スレショルドは関係ありますか？
ググりまくったんですが分かりません…。

>>409
電荷q(t)に関する微分方程式を立てると、
　R･i+1/C･∫ｉ・dt=E
　i=dq/dt
より、
R･dq/dt+q/C=E
・充電時
[1]過度解ｑｔ
　R･dqｔ/dt+qt/C=0・・・・・(1)
　ここでqｔ=Ａ・ε^(p・t)とおくと、dqｔ/dt=A･p･ε^(p･t)
　よって、(1)式は、
　A・ε^(p・t)｛R･p+1/C｝=0
　p=-1/CR
　よって、
　qt=A･ε^｛-t/(C･R)｝
[2]定常解qs
　R･dqs/dt+qs/C=E
　　dqs/dt=0より、
　qs=C・E
[3]解q
　q=qt+qs
　　=A･ε^｛-t/(C･R｝)+C･E
　t=0のときq=0だから、
　Ａ=-C･E
　よって、
　q=C・E･[1-ε^｛-t/(C･R)]・・・・（１）
よって、
電圧v(t)=q/C=E･[1-ε^｛-t/(C･R)]　
∴v(t)=E･｛1-ε^（-t/τ)｝　（0<=ｔ<=3τ）

・放電時
　立下り時をt=0として
　R･dq/dt+q/C=0
　[1]過度解qt=A･ε^｛-t/(C･R)｝
　[2]定常解qs=0
　[3]解q
　　　q=A･ε^(-t/τ)
　　　　t=0のときの電荷q0は、パルス幅が3τだから、（１）式にt=3τを代入し、
　　　　q0=C・E･[1-ε^(-3)]
　　　よって、A=C・E･[1-ε^(-3)]
　　　q=C・E･｛1-ε^(-3)｝･ε^(-t/τ)
　　　ここで、パルス立上り時をt=0とすると、
　　　q=C・E･｛1-ε^(-3)｝･ε^｛-(t-3τ)/τ｝
∴v(t)=E･｛1-ε^(-3)｝･ε^｛-(t-3τ)/τ｝　　（t<=3τ）

>>410
そのたうり。

スレッショルドを越える振幅がないと、オフステートにある素子をターンオン出来ないため。

オペアンプを用いたVCO(電圧制御発信回路)の中のダイオードの役割について教えてください。

>>413
具体的な回路を挙げた方が答えを得やすいと思うぞ。

一応、振幅制限（リミッタ、クランプ）、温度補償、あと何かあったけか。

>>414
回答ありがとうございます。
こんなとこに乗っけていいのかわかんなかったんですが、
ttp://v.isp.2ch.net/up/84901dfa12fe.gif
にあげてみました。

>>411
丁寧な解説ありがとうございますっ

理解できましたっ

>>391　　あとは自分えでがんがれな！

　　　　　　
　 　　→ i　　　　R ＝ １０Ω 　　　　　　　　　　　　　　　S1　Off 時　i　＝１０A
　 　 ┌────'VVV───●────┐　　　　　 S1　On. 時　i　＝１２A
　　　 |　　　　 　 　　 　 　 　 　 | 　　　　　　○　S１　　の条件で　L2の値は
　　　 |　　　　 　 　 　 　 　 　 　| 　 　 　 　 　 /　　　　　=================
　　　 |　　　　 　 　　 　 　 　 　 |　　　　　　　/　　　
.　γ ⌒ヽ　　　　　 　 　 　 　　 |　 　　　 　 ○　　　　　　　　S1オープン　　　　　　　　　S１ショート
　 i　 〜　ｉ　V.　 　 　 　 　　　　|　　　　　　　|　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　L1//L2＝L　
　 ゝ ___,ノ　.〜 　 　 　　　 　　 C L1 ＝ 　　C　L2 ＝？　　ｊ１５　　_　　　　　　　　　　　　　　　　　下記よりXLが分ればL1=10だから
　　　 |　　　　 　 　　 　　 　　　C　j１５Ω .| C　　　　　　　　　| . 　 /ｌ　Z=１０＋ｊ１５　 　　　　　　　L2の値は出る。
　　　 |　　　 　 　 　　 　 　 　　C 　　　　　　C　　　　　　　　　|　　/　 　 |Z|＝５√７　 　 ｊ XL 　 _ 　 Z=１０＋ｊXL
　　　 |　 　 　 　 　　 　　 　　 　|　　 　 　　　|　　　　　　 　 　 |.　/　 　 　i = 10 A　　 　　.|　 　 ／l　　 |Z| ＝√（１００＋XL^2)
　 　 └─────────●────┘　　　 　 　 　 　| ./　　　 　V=５０√７ V　　|　 ／ 　　　　i =12A
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　|/ 　　　 　　　 　 　 　 　 　 |／ 　　　　 　V=５０√７V
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　￣￣￣１０　 　　　　　　　　￣￣￣１０

サーキットメーカーでエミッタ増幅回路において電圧利得を最大にするＲｂ、Ｒｅ、Ｒｃを求めたい。
信号源の電圧１０mＶ、内部抵抗６００Ω、負荷抵抗ＲＬ＝１ＫΩとする。ただしＲｂ＜１０Ｒe、出力波形がゆがんでないこと

これはまず、何から考えたらいいですか？

>>412
すいません、オフステートってなんですか？

>>417
ｺﾀｴｱﾜﾅｲ!!

いろいろググってみたのですが、どうしても分かりませんでした。
オペアンプを用いた非安定マルチバイブレータで矩形波を作った後、
その矩形波を正弦波に近づけるにはどうしたらいいでしょうか？
積分回路だと三角波に近づいてしまいますよね？
非常に簡単にできるらしいんですが。

>>418
off state
文字通りオフ状態って意味合いでない？

>>421
非常に簡単にならローパスフィルタじゃないの？
それが何の意味になるかわからんけど。

>>421
これはどう？
ttp://www.hobby-elec.org/ckt20.htm#1

エミッタ接地回路で入出力の位相が反転する理由ってなんですか？

>>424
↓これみて
http://web.maizuru-ct.ac.jp/control/machida/elec/emittr/emittr.htm

簡単に言うと、
交流的には、出力は抵抗Rcにかかる電圧であり、
電流Ｉｃの方向が上から下（ＴｒのＣ→Ｅ）の場合、Rcの上側（グランド）が＋になり、
Ｉｃの方向がが下から上の場合、Rcの下側（Ｖｏ側が＋になる。
なので、位相が反転する。

こんな問題がでました。
どなたか開放を教えてください。５時間くらい解いたのですが
とても説けません。よろしくおねがいします

利得マイナス１００以上の増幅器を設計せよ。
ただい、抵抗キャパシタはいずれの値の素子も十分あるとして良い。
また、使用できるトランジスタはβ=49,re=0.026/IE[Ω]
rb=400[Ω],Vbe=0.6[V]のnpn,pnpトランジスタとし、電源(Vcc)は5[V]とする。
さらに設計した増幅器の入力に20m[V]の振幅1Khzの
正弦波を入力した場合の出力波形を描け。

>>425
交流ではコンデンサは短絡状態なので、確かに出力はRcの電圧ですよね。
Icの方向が上から下のときと逆のときとでは、電圧は符号が逆になる・・・
ってのも確かにそうかなあと思うのですが、そもそもIcの向きが変わる
原因はなんですか？
単純に交流だからでいいんですか？

>412
>422
ありがとうございます♪謎が解けてレポートも受かりました！！

>>426
問題文の条件、これですべてか？
>利得マイナス１００以上
電力？電圧？（電流はないかw）
でもオラに答えは期待するなよ。（学生終わってウン十年w）
別な識者を待て。

問題文の一番最後の部分があるから、いい加減な設計ではだめな予感。（負荷線次第では頭が削られる）

>>427
Icは常にVccからコレクタ、エミッタを経由してGNDに流れていて方向は変わりません。
出力電圧（コレクタ>GND間）は入力信号が無い時の電圧（一般に1/2Vcc）を中心に
入力電圧と逆相の電圧が現れます。
これをIcの変化で見ると入力電圧が無い時のIc(Vin=0)の値を中心に入力電圧が
増加するとIcが増加し減少するとIcも減少するという比例関係になっています。
Icが減少すると出力電圧はVcc-Rc×Icなので増加しIcが増加すると出力電圧は
減少する、という反比例関係となります。

そして出力コンデンサを介すると出力電圧の直流分（1/2Vcc)が阻止されて
GNDを中心に正負にスイングする交流電圧分だけが得られます。

交流等価回路ではこの入力電圧が無いときのIc(Vin=0)をゼロとする交流分を
扱うので、見かけ上入力電圧が減少するときにはIcの流れる方向が逆となります。

箔検電器の金属にプラスの電荷を蓄えることができるが、そのプラスの電荷は半導体で
説明されている正孔ではない。それを説明しなさい。

これが解りません。

正孔とは固体の結晶構造の中の電子が欠落した部分で、
あたかも正の電荷を持った電子のようにふるまう物である。

でもこの箔検電気の金属に蓄えられたプラスの電荷はクーロン反発力によって出来たもの
だから電子であり、正孔とは違うって事なんですかね？

>>429
抵抗を算出したいのですが、トランジスタ回路設計などの本を見ても
なかなか分かりません。今も解いていますが、出力波形も求めないとなので
なかなか答えまでいけません。
宜しくお願いします

>>432
問題文は正確かな。
利得マイナス100、、って単位は？dB？
入力電圧20mVで-100dBのゲインって意味無いぞ。
Trを使う意味も無い。

>>432
すみません。
入力ミスでした。
性格には利得マイナス１００倍以上の増幅器です。

初めまして。電気初心者です。
電気の勉強をしているのですが、分からないことばかりなのでご教示下さい。
・CT及びPTの二次側接地について
　CT及びPTの二次側を接地している理由は、混触防止（混触した時に、地絡電流
　を流して漏電遮断器を作動させるため）と思っていました。
　配電系統が接地系統（発電機の中性点を接地）ならば、漏電遮断器を遮断しうる
　一相地絡電流が流れるため、上記の理由で納得できるのですが、非接地系統に
　おいてもCT及びPTの二次側を接地している回路図がありました。どのような理由
　があるのでしょうか？どうかご教示下さい。

>>430
入力電圧が増加するとIｃも増加し、減少するとIｃも減少するってのは
なんででしょう？
そこさえわかれば納得なんですが。

>>436
入力電圧が増加すると、ベース電流が増加する。
ベース電流が増加すると、コレクタ電流が増加する。
逆もまた真。
以上。

ttp://www.cs.kobe-u.ac.jp/PDF/03/denki.pdf

上の問題の第２問（過渡現象の問題）の解き方がわかりません。
RLC直列の過渡現象までは教科書に載っていてなんとかわかるのですが、
並列になったらどのように微分方程式を立てれば良いのかさっぱりです。
どうか教えてください。お願い致しますm(_)m

『ダブルベースダイオードのベース、エミッタはトランジスタのエミッタ、ベースと
どのように異なるか。』という考察があるんですが、どのように書いたらいいかわかり
ません。どなたか詳しい方いましたら、アドバイスお願いしますm(_)m

>>435 初めまして。電気初心者です。
初心者と名乗れば周りが優しくしてくれるという甘い考えはヤメロ。

>>440
教えてもらうにあたって自分のレベルを謙虚に伝えようとしているだけでは？

>>438
これくらいなら教科書にのってそうだが、、
どーでもいいからループ電流を仮定して、それにそったら微分方程式
たてれるでしょ。この場合２つ電流を定義すればいい。
あとは初期条件と定常解を考えればすぐ解ける。

Rとかの値がしっかり決まってるからちょっとしたミスをしないようにね。

>>438
神戸大の院のレベルは、こんなもんなのか？
東京なら私学の学部レベルででも1分以内に解ける問題

>>442
ありがとうございます。しかし、まだよくわかりません。
恥をしのんでお聞きします。

LとR2のに流れる電流をI1、Cに流れる電流をI2と置きました。
そしてR1、L、R２のループで微分方程式を立てると

E=R1{I1(t)+I2(t）}+LI1'(t)+R2I1(t)
E=I1(t)(R1+R2)+LI1'(t)'+R1I2(t)

ここでI2(t)の項はどうすれば良いのでしょうか？

わからないまま
E-R1I2(t)=I1(t)(R1+R2)+LI1'(t)
とし、
０=I1(t)(R1+R2)+LI1'(t)
とおいて変数分離系にし、特解を{E-R1I2(t)}/{R1+R2}とし

一般解　I(t)=Ae^({R1+R2}t/L)+{E-R1I2(t)}/{R1+R2}

と出したのですが間違っていますよね。
すみませんがもう少し教えて頂けないでしょうか？

>>444
　この後に及んでこんな基礎的な問題が解けないならもう大学やめとけ。

　回路にＬとＣがあるという時点で微分方程式が２階になってなきゃおかしいんだよ。
力技で解こうとするとexp(-αt)sinωtの項が出てややこしいので、適当に計算を進めた
ところで式に値を代入→ラプラス変換またはヘビサイドの演算子法を適用して解く。

>>445
ありがとうございました。もう少し修行してみます。orz
お手数をおかけした上理解できず申し訳御座いませんでした。

「ＥＲＲＯＲ：改行が多すぎます！」だとよー　ヾﾐ ﾟ 仝ﾟﾐﾉ
しょうがねえ。別けるからつなげて嫁。

>>446
広告の裏でちょろちょろっと計算したからまちがってるかもしれんぞ。

　　　　　　＼　　　Ｒ１　２Ω　　Ｌ　１Ｈ
　　┌──○　○──ΛΛΛ─┬──○○○───┐ｖ２
　　│　　　ＳＷ　　←───│　　　　　　　　│
　　│　　　　　　　ｖ１　　│　　　　　　　　＞
　─┴─Ｅ　６Ｖ　　　　　　┴　Ｃ　０．５Ｆ　＞　Ｒ２　４Ω
　　┯　　　　　　　　　　　┬　　　　　　　　＞
　　│　　　　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　│　　　　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　└───────────┴────────┘


Ｌにかかる電圧：E-V1-V2，Ｌを貫く電流：IL
IL = V2/R2 ----------------------------------(1)
L･IL' = E-V1-V2 -----------------------------(2)

Ｃを貫く電流：IC
IC = C(E-V1)' = -C･V1 -----------------------(3)

全電流：Ｉ
I = IC + IL ---------------------------------(4)
I･R1 = V1 -----------------------------------(5)

以上５つの式を連立して解けばよい。
(1)(2)より、

L(V2'/R2) = E-V1-V2 ⇔ V1 = E-V2-(L/R2)V2' --(6)

(1)(3)(4)(5)より、

V1/R1 = -CV1 + V2/R2

(6)を代入して、

(1+R1/R2)V2 + (CR1 + L/R2)V2' + (LC/(R1R2))V2" = E.

見通しが悪いので、次のように書いたほうがいいだろう（あまり関係
ないけど）。

(1+k)V2 + (τ1+τ2)V2' + (τ1τ2)V2" = E ----(7)
( k≡R1/R2，τ1≡CR1，τ2≡L/R2 )

禿しく次につずく　ﾐ ﾟ ∀ﾟﾐﾉﾞ

>>446
頑張れ。
>>445の言う通り何も考えずに２階微分方程式だね。
この問題の場合は演算子法の方が簡単かも。
連立微分方程式なんて凄い簡単だからね。

>>446
さて、わざわざ時定数に名をつけてみたりしたけども、めんどくさいの
で、ここで与えられた数値を代入してしまう。すると(7)は、

(1+1/2)V2 + (5/4)V2' + (1/4)V2" = 6
⇔ 6V2 + 5V2' + V2" = 6. --------------------(8)

(8)を視察でも裸婦ﾟ裸巣変換でも蛇彩度法でもなんででも解きさえす
ればいいのだ。

V2 ≡ ε + E/(1+k) とすれば、
6ε + 5ε'+ ε" = 0.
微分をDとかけば、
6ε + 5Dε + DDε = 0
(D+2)(D+3)ε = 0
これから、ε = αexp(-2t) + βexp(-3t)　がわかる。V2に直せば

V2 = αexp(-2t) + βexp(-3t) + 4 ------------(9)

(8)からだけではα，βを決めれないので、このまま計算を進める。
(9)を(6)に代入すれば、

V1 = -(α/2)exp(-2t) -(β/4)exp(-3t) + 2 ----(10)

初期条件を考える。
t=0でＣは充電されてなく、Ｌは電流の変化を遅らせる性質をもつから、
V2(0)=0. ------------------------------------(11)
このとき電池の電圧はすべてＲ1 にかかるから、
V1(0)=E=6. ----------------------------------(12)

(11)(12)を満足するようにα，βを定めればよい。exp(0)=1 だから、

α + β = -4
α/2 + β/4 = -4

これより、α = -12，β = 8.

∴ V1(t) = 6 exp(-2t) - 2 exp(-3t) + 2
V2(t) = -12 exp(-2t) + 8 exp(-3t) + 4

解き始める前のレスが "04/07/10 22:14"。これだけの問題でも、解答
を「打ち込む」となれば１時間ちょいかかっちゃったわけだ。無駄な時
間をすごさせやがってやれやれ　ヾﾐ ﾟ 仝ﾟﾐﾉ

これで終わり　ﾐ ﾟ ∀ﾟﾐﾉﾞ

あー　またＡＡづれたわ。つーかもめ帳のほんとがＭＳごしだったわ。
Ｐごしなー　ぎちぎちつまり感がはげしくてきらいなんだよ。まったく
ＭＳのつくるもんはなんでもややこしくていかん・・・　ヾﾐ ﾟ дﾟﾐﾉ

r=xi+yi+zi　の時
∇| r | 、∇(1/| r |)　、　∇・r　、　∇×r　の４つを求めよ。

お手数ですができれば途中式も入れて解説お願いします。

>>451
>r=xi+yi+zi の時
　これだけでもうこけちゃったんですけどどうしてくれる (o _ _)o

>>452
r=xi+yi+zi はある点においての位置ベクトルです。説明不足でした。

>>452
すいませんr=xi+yj+zkです。全部iにしていました。

質問です。

動物性の天然有機固体絶縁材料には、
セラック以外にどんなものがあるのでしょうか？
キーワードが悪いのか、ググってもさっぱりみつかりません。

>>455
http://nippon.zaidan.info/seikabutsu/1996/00448/images/174-1.gif

>>魚チョコさん、442さん
丁寧にご指導頂き本当に有難う御座いました。
正直かなり感動しております；_；

おかげさまでやっと解き方が解りました。
あと1ヶ月なのでダメ元で死ぬ気で頑張ります。
また別の質問にくるかもしれませんがその時は宜しくです。
十分修行してから伺いますのでm(＿)m

初歩的な質問ですみません。
鳳‐テブナンの定理の「鳳」って読み方は「ほう」で合ってますか？

>>458
ttp://dictionary.goo.ne.jp/search.php?MT=%CB%B1&kind=jn&mode=0&base=1&row=2

>>458
合ってるよ！
>>453
grad,div,rotの定義は知ってる？

この問題の解答の導き方がわかりません。

問題

平等な磁界と直角に置かれた一定長さの導線を一定速度で
円運動させるときに、この導線に生ずる起電力eの波形として
正しいのはどれか？

答え

eの波形はcosθの波形になります。

>>459-460
ありがとうございます。
「鳳」の由来なんて分かりませんよね？
くだらない事ですが不自然な名前が気になってたもので・・・。

>>460
gradφ=∇φとかですか？

E=√（（1/T）×V＾2×T）

この式は、何を求める式なんでしょうか？
教えてください。

http://www.comptia.jp/cont_certif_07.html
●CompTIA e-Biz+ 試験分野 出題比率
■1.0) e ビジネスの概念と基本（Fundamentals） 20%
■2.0) e ビジネスのビジネスイニシアチブ 17％
■3.0) e ビジネスの戦略と立案 35％
■4.0) e ビジネスインフラストラクチャ 28％
100％
●CompTIA e-Biz+の主な内容
・ e ビジネスで使用される基本用語や概念を識別できる
・ ビジネスのニーズと目標を技術的要件に変換できる
・ e ビジネス ソリューションに対して適切なテクノロジー戦略を選択できる
・ e ビジネスでの信頼確立の役割を説明できる
・ e ビジネス ソリューションの継続性と障害回復計画の重要さを説明できる
・ メンテナンス計画を立てられる
※詳細は上記出題範囲にて御確認ください。
■e-Biz+取得者側のメリット
・e(IT)ビジネスを提案する上での、広範な知識の保持を証明
・e(IT)ビジネスを提案する上での、顧客や内部からの信頼の獲得
・e(IT)ビジネス政策における、客観的評価能力の獲得

>>435
＞CT及びPTの二次側接地について
高圧系統について聞いてるの？
そうだとしたら、CT,PT周りには漏電遮断機ELBはついてません。
CT及びPTの二次側を接地している理由は、一次二次混触時二次側の電位上昇を抑えるため。

>>462
人の名前でしょ？

電気抵抗についての素朴な疑問。
電線の電気抵抗は長さに比例し断面積に反比例しますよね？
普通に使われている糸のように細い電線Ａと
仮にドラム缶のように太い、さらには巨大高層ビルのように太い
電線Ｂがあれば、同じ材質・長さであれば
後者の電線Ｂの抵抗値のほうが低くなるわけですよね？
ここで疑問なのですが、上記の電線Ａ，Ｂそれぞれと
乾電池、豆電球を用いてＡ´回路、Ｂ´回路を組んだ場合、、
豆電球の光り方は理論通りＢ´回路の方が明るくなるのでしょうか？
なんとなくの直感なのですが、実際にはＢ´はＡ´より
明るくなるどころか、光りすらしないんじゃないかと思うのですが
どう思われますか？

>>468
( ﾟДﾟ)？直感ズレ。

>>468
なんでそう思う？
漏れはそれが知りたい。

分圧器および分流器はどんなところで使われているのですか？
用途は何ですか？

>>470
468のＢ´回路のように、極端に大きすぎる導体に
弱い電圧をかける場合、導体中の電流密度はＡ´と比べて
非常に低くなります。
一方、導体中では原子核が熱振動して自由電子の流れを阻害しています。
ですので、Ｂ´のような場合、つまり電流を流すために
電子1個あたりに加えられる力が非常に弱い場合は、
『電流を流そうとする力』が熱による『電流の流れを妨げる力』に
負けやすく（かき乱されやすく）なってしまい
結果として電流の流れが悪くなるのでは？
という考えが浮かびました。

妙な例えですが、水道の蛇口から水を一滴ずつ出すと
メーターが回らないのと似たイメージです。

>>467
鳳さんとテブナンさんが決めた定理なのですか・・・・。
一応納得できました。　さんくす。

>>456
情報ありがとうございます。
結局他にどのようなものがあるのかはよくわからなかったのですが・・
生糸も動物性になるんでしょうかね。

もう少し調べてみます。

>>461
磁界をB、コイルの内側の面積をS、磁束をΦとする。
ファラデーの法則より
e = -dΦ/dt = BScosθ

>>464
電圧の実効値？その式だと答えはVになるわけですが。
実行値の求め方は次の通り。
E = √((1/T)∫(0→T)v^2 dt)

>>471
例えばレンジ1Aの電流計に 1 : 9 の分流器を使えば、10Aの電流が測定できます。

工業高校生です　よろしくお願いします。

静電ｴﾈﾙｷﾞｰの基本単位は（J）なんですが、ﾈｯﾄ上の問題集を見たところ（静電エネルギーW[mJ]J）という単位がありました。
これはｍｍの事でしょうか？
単位について教えてください。

>>476
＞静電エネルギーW[mJ]J
ミリジュール
1[mJ]＝1*10^(-3)[J]

ところで最期の「J」は何？

Obtain the complex exponential Fourier series coefficients for the pulse train,
half-rectified sinewave, and full-rectified sinewave.

という問題文なんだが、誰か日本語に直してくださいm(__)m
専門用語っぽいのが混じるとわけワカラン

>>472
470ではありませんが、
阻害要因そのものが並列化されてしまうことを失念しておられる様に見受けられます。

>妙な例えですが、水道の蛇口から水を一滴ずつ出すと
>メーターが回らないのと似たイメージです。
その例えは、「確実に流れているという事実があるにも関わらず、観測に用いるものの
仕様上の限界により、流れていないかの様に錯誤する。」という意でしょうか?
それとも、「水道の蛇口から水を出すとメーターが回るが、メーターが回るから
水が出るわけではない。メーターが回らなくては水が出ないというわけでもない。
事実関係を錯誤するとおかしな話になってしまう。」という意でしょうか?

「連続パルス、半波整流正弦波、全波整流正弦波の、
複素指数フーリエ級数係数を求めよ」ってかんじかな

>>480
ありがとうございます
助かりました(´∀｀*)

>>477
Ｊは、、誤字です、すいません
ありがとうございました

同軸管の特性インピーダンスが、

　Rc=(1/2π)･√(μ/ε)･ln(b/a)　　←a,bは内導体と外導体の直径

で与えられてるんですが、この式はどうやって出てきたのでしょうか。
テキスト・検索共、特性インピーダンス自体の話はともかく
同軸管に関して触れてるものが見当たらず。
どなたか分かる方いらっしゃいますか？

↑自己解決しました。スレ汚し失礼。

安全係数という言葉について調べてるのですが、検索しても機械系の事ばかりで
電気関係の物については言葉自体はあっても意味の解説などが見あたりません。
図書館で設計関係の文献を調べましたが載ってません…＿|￣|○
安全率と同じ意味だとは思うのですが…
恐れ入りますがご存知の方がいらっしゃいましたら教えて下さい。

>>479
レスありがとうございます。

どちらかといえば前者に近い・・・ような気がします。

また別の例えをすると、地面に置いてある物体を押して動かすとき、
力が微小であればゆっくり動くのではなく
摩擦に負けて全く動きませんよね？
これと似たようなことが自由電子の運動においても
あてはまるのでは？と考えたのです。

というか、基本的な知識も無いのに理由を説明すると
余計に話がややこしくなったり解答ではなくツッコミばかり入りそうなので
468のような回路を『実際に』組んだときに
電球が明るく光るのはＡ'とＢ'どちらなのかについて
教えていただけると有り難いです。
理屈の追求が目的ではなく単に結果を知りたいだけですので・・・

>>486
＞電子1個あたりに加えられる力が非常に弱い場合は、

　ここになんか誤解があると思うんだよね。
　電子に与えられる力って、電界から与えられる力なんだよね。だから
電流の密度が大きかろうが小さかろうが、電子1個1個に与えられている
力は同じなんだよね。
　力が同じなら、太いほうが楽に電子がうごくでしょ？

　電子回路だけやってると、ついつい電磁界のことを忘れがちだけど、
そこに立ち戻れば、おかしな疑問は出ないと思うよ。

>>486
運動摩擦の他に、（最大）静止摩擦力に相当するものがあるのでは？と思ったのだな。

わたしは電気に関してしろうとです。漏電監視装置の説明書に、「盤内と回路
遮断器との温度の差」とありましたが、盤内とは配電盤を指しているのですか。
教えて下さい。

>>489
それだけじゃよくわかりません。
もう少し詳しく。

コンピューターA,BでプログラムA,Bを実行する。
プログラムAではコンピューターAのほうが処理が速いが
プログラムBではコンピューターBのほうが速いことがある。
これはコンピューターによって得意なものが違うためである。
この２台のコンピューターのどちらが速いか評価する複数の方法とそれで
比較できるとおもう理由を述べよ。

という課題がだされたんですが、ぼくには
ほかに様様なプログラムで試してみる。
理由　統計がとれるから
このぐらいしか思いつかないんですがいかがなものでしょうか？

>>491
一般に、ソフトウエアやハードウエアの性能評価の方法として、実際の利用条件と同じか，または同等の条件を設定して，処理の速度や効率を測定するベンチマークテス
トっていうのがありますよ。
これはよく使う評価法ですね。
詳しくはググッテ見たらよく分かりますよ。
また、いまでは窓の○などでフリーソフトがたくさんありますよ。

「コンピュータの構成と設計第2版」を買って、第2章をよく読むと、
性能比較の難しさがよくわかると思います。

まぁ、使えるプログラムがAとBしかないとすれば、
単純に実行時間の平均をとる
AとBの使用頻度が違うなら重みをつけて平均をとる
幾何平均をとる
重みをつけて幾何平均をとる
とかが考えられます。
より多くのプログラムを使うというのも考えられますが、
どちらが速いかをいうには事態をより複雑化させることにもなります。

>>492
もちろんいわゆるベンチマークはたくさんあるでしょうが、
そのそれぞれがコンピュータAの方がいいとかBの方がいいとか、
ばらばらな結果を出す場合があるため、最初の問題に戻ってしまいます。

>>492
>>493=494
ありがとうございます。参考になります。
説明不足だったようですが、この場合はコンピューターの速さを評価するだけなので、
プログラムがA,Bしかないわけではありません。
そうなるとまた評価方法はかわってくるのでしょうか？

一様磁界B=Bmcos(ωt+θ)中に磁界と直交するように配置された
幅1のコの字型導体上を長さ1の直線導体がx=a+bcos(ωt+ψ)で
表されるように動く場合のこの導体によって作られる電気回路に
どのような起電力が発生するかという問題なのですが
ぐぐって見てもどうもわかりません。どなたかご回答をお願いできないでしょうか？

プログラムがいくつあっても原理は変わりません。

究極的な方法は、ある人が1日にどのプログラムを
何回使うかに基づいてそれらの合計時間を求めることで、
その人にとっては最善の比較ができます。
けれどこれでは万人に意味のある結果ではないので、
得意・不得意を含めてなんとか一つの数値で性能を表そうとするわけですが、
もともとはここに無理があるのです。

無理を承知で一つの数値で表すには、
実行時間の平均（合計といってもいい）をとることです。
ただし単純な平均では時間のかかるプログラムの実行時間ばかりが
めだって不公平になるので、重みをつけることが考えられます。
ただしどう重みをつければ対等になるのかはまた別の難しい問題があります。
対等にすることさえ難しいのにどのプログラムをどの程度重視するかを
きちんと重みに反映させるのはさらに難しくなります。

個々の実行時間の大きさに影響されずに全プログラムを対等に扱って
平均を出す方法に幾何平均があります。（これくらいはぐぐってね）
重視したいプログラムに重みをつけることも簡単にできます。

業界で有名なSPECベンチマークは主にCPU性能を評価しますが、
単一の数値で表現することはあきらめて、
プログラム群を整数系と実数系に分け、
それぞれで幾何平均をとった二つの数値を表示します。

差動増幅器について
なぜトランジスタ増幅器よりFET増幅器がよく用いられるのですか？？
aitの考察です。

>>497
とても詳しくありがとうございまず。大変ためになりました。

ECCメモリについてなんですが以下の問題がわかりません。
http://3.tok2.com/nets/1.gif

もう一題、今度もメモリについてなのですが、
http://3.tok2.com/nets/2.gif
コストパフォーマンスの求め方がわかりません。
よろしくお願いします。。

>>500
同時に複数ビットの読み出しや書き込みができないという前提か？
何ビット読み出す必要があって何ビット書き込む必要があるか数えろ
ただ、「最小限のメモリのサイクルタイムを求めよ」なんていう出題は
かなりダメダメ

>>501
パフォーマンスは平均アクセスタイム(の逆数)、
コストはメモリシステム全体の価格だ
コストパフォーマンスが必要なら割れ

>>502
>500
32bit書き換えの時は32読み出して32bit書き込み？
たぶん同時に複数ビットの書き換えはできない？？？
んー全然わかりません

>501
1層の場合に比してというのはDRAMだけの場合という意味なのでしょうか？
答え1.35倍？
んーわかりません
よろしくお願いします(ノД`)・゜・。

>>501
　なんでもいいけど、

>Ｌ１　　　　アクセスタイム　　　５ｎｓ　　　ヒット率　０．２　　　メモリ容量　２５６ＫＢ
>Ｌ２　　　　アクセルタイム　　３０ｎｓ　　　ヒット率　０．０８　　メモリ容量　２ＭＢ
>　　　　　　　　　　＾
>ＤＲＡＭ　 アクセルタイム　１５０ｎｓ　　　　　　　　　　　　　　 メモリ容量　２５６ＭＢ
>　　　　　　　　　　＾

脱力して解く意欲失せるんですけど・・・　ﾐﾟд ﾟ　ﾐ

>>501
　ま、食いついちゃったから解いてみるけどSA

　ＤＲＡＭ２５６ＫＢあたりの単価を１００円としてみよう。

　ＤＲＡＭ　　１５０ｎｓ　　２５６ＭＢ　　１００円を１０００個　＝１００，０００円
　Ｌ２　　　　　３０ｎｓ　　　２ＭＢ　　　　５００円を　８個　　　＝　４，０００円
　Ｌ１　　　　　５ｎｓ　　　　２５６ＫＢ　　３０００円を　１個　　＝　　３，０００円

───やすいんだから、もっとキャッシュを積めよ。　ﾐ ﾟ 仝 ﾟ ﾐ

>>501（>>505の続き）
　キャッシュミスの際の霊天使がないとして、平均アクセル時間は、

０．２Ｌ１　＋　０．８×０．０８（Ｌ１＋Ｌ２）　＋　０．８×０．９２（Ｌ１＋Ｌ２＋ＤＲＡＭ）
＝１．０　＋　２．２４　＋　１３６．１６
＝１３９．４ [ｎｓ]

わざわざ、「同一アクセスタイムをもつメモリチップがあるとして」　と断りをいれてるんだから、
１３９．４ｎｓのＤＲＡＭがあったとして、それを２５６ＭＢ積めばいいのだろう。

１００円×（１５０ｎｓ÷１３９．４ｎｓ）×１０００個＝１０７，６０４円

コストパフォーマンスの比は、

１０７６０４÷１０７０００＝１．００５６　　　ﾐﾟд ﾟ　ﾐ ﾜﾘﾆｱﾜﾈｴ...

>>506
漏れ揉もうにたぶん、必都立とミス必都立をまちがえたんだろうことよ　ﾐﾟ 〜 ﾟ　ﾐ

501なんとか仕上げました
ありがとうございました
111.4nsと1.26倍になったのですが。

>>500の方もよろしくお願いします＿|￣|○

フーリエ変換 & フーリエ級数の物理的意味を
教えてください。　＿|￣|○　頼みます！

>>509
ググれ

電気回路基礎の多重範囲電圧計についての問題です。
解き方と答えを教えてくださいお願いします
以下に問題と図を描きます


問：
内部抵抗が1kΩで最大目盛りが0.1Vの電圧計を用いて3Vと10Vを測定できるようにしたい。
このとき、Rs1とRs2をそれぞれ何[kΩ]にすればよいか求めよ。

Vm=0.1V
　 ┌----電圧計--------抵抗Rs1-------●-----抵抗Rs2---┐
　｜ Rv=1kΩ ｜ ｜
　｜　　　　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　　　　　　｜
+　○ ○　　　　　　　　○
　 　　　　　　　　　　　　　　　　 3V 10V

　　　　Vm=0.1V
　 ┌----電圧計--------抵抗Rs1-------●-----抵抗Rs2---┐
　　｜ Rv=1kΩ　　　　　　 　　　　　　｜　　　　　　　 ｜
　　｜　　　　　　　　　　　　　　　　 　｜　　　　　　　｜
　+　○ 　　　　　　　　　　　　　　　○　　　　　　　　○
　 　　　　　　　　　　　　　　　　 　3V 　　　　　　　10V

連続ですみません
縦の線は左のは┌と繋がっていて真ん中は●と繋がっていて右のは┐と繋がっています

クワイン法の包含図以降の意味がどれを見ても全く分からないのですがいい方法とかはありませんか？？

>>511 >>512 >>513
ちみ厨房？　ﾐ　ﾟ дﾟﾐσﾞ

抵抗Rs1の出し方は　Vm÷Rv (0.1V÷1000Ω)　で電流だして
次に3Vでさっきの値を割るつまり 3V÷0.0001 だ。
それで、抵抗Rs2を除いた回路の抵抗が出るから後はRv=1kΩを引いてあげればいい。

答え29kΩかな？

　○━━━━━━━━━○
　　┃　　　　　　　　┃
　　┃　　　　　　　　┃　　　　　　　
　　┃　　　　　　　　┃
　　━━━━━━━━━○

○：端子

上のような可変抵抗のつなぎ方が分かりません。

すいません。。これが全くわかりません・・。

ｎ型直接遷移型半導体ショットキー接合界面に波長λの光を垂直に入射する。
入射光のパワーは波長によらず一定。
このときの表面電極と半導体オーミック電極間に流れる短絡光電流特性をλの
関数としてどのようになるかを考えよ。
反射・吸収・表面再結合によるロスは考えない。

すいません。おねがいしますっっ

>>511　　
　　　　　Vm=0.1V
　　 ┌----電圧計--------抵抗Rs1-------●-----抵抗Rs2---┐
　 　｜ Rv=1kΩ　　　 　 　　　　　　　　　　　　　｜　　　 　　　　　　　　 ｜
　　 ｜　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　｜　　　　　　　　　　　　｜
　　+○ 　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　○　　　　　　　　　　　　○
　 　　　　　　　　　 　　　　　　　 　　　　　　　　　3V 　　　　　　　　　　10V

まず、３Ｖ測定の場合、
　分圧比で、Vm：3V=Rv：(Rs1+Rv)だから、
　3V・Rv=Vm・(Rs1+Rv)
　Rs1=3V・Rv/Vm-Rv
　　　　=3*1/0.1-1
　　　　=29［kΩ］
　又は、電圧計の最大電流Imから求めてもいい。
　Im=Vm/Rv=0.1/(1*10^3)=0.1*10^(-3)
　Rs1両端の電圧Vs1は、
　Vs1=3V-Vm=3-0.1=2.9[V]
　よって
　Rs1=Vs1/Im=2.9/｛0.1*10^(-3)}｝
　　　=29*10^3[Ω]
12V測定の場合
　抵抗Rs2両端電圧Vs2=10-3=7[V]
　よって、
　Rs2=Vs2/Im=7/｛0.1*10^(-3)}｝
　　　=7*10^3[Ω]
　

一週間前からチェック。無回答問題その１

<電子回路、実験？>　：>>413（>>415)
<電子回路>　：>>418
<電子回路>　：>>426
<電子・物性>　：>>431
<半導体デバイス>　：>>439
<ベクトル解析>　：>>451

一週間前からチェック。無回答問題その２

<電気材料>　：>>455(>>474)
<電気用語（法令？）>　：>>485
<電磁気>　：>>496
<電子回路>　：>>498
<デジタル回路（論理式の簡素化）>　：>>514
<電子工作（図)?>　：>>518
半導体デバイス（電子物性）　：>>519

マルチ。すまそ。

誘導電動機の２次導体はかご状に（構成）されているため、２次電流がほぼ（磁界）と同一の方向に流れる。
この（電流）と（磁界）との相互作用によって、フレミングの左手に従って、回転子には回転磁界と同方向に（力）を生じる。
回転子は同期速度ＮＳの（比）で滑りながら、少し遅い速度Ｎで追従する。
その速度差の同期速度に対する比を（すべり）という。
もし回転子も同期速度で回転しようとすると回転子側では（磁界）の変化がなくなるために、（２次導体）に起電力が誘起せず、
渦電流も流れなくなるのでトルクは発生しない。

>>523
ttp://www.geocities.co.jp/SiliconValley/5634/t82B5_0016.html#2379

抵抗分漏れ電流の抵抗分を教えてください。わたしは英語屋です。皆さん
よろしくお願いします。

>>524

?どういうことっすか？

面積Sの平行板コンデンサーの2つの電極に、それぞれ電荷Q1,Q2を帯電させる
このとき、コンデンサーの内外にできる電界を求めよ。
また2つの電極のそれぞれ内側と外側の表面についてそれらの表面電荷密度を求めよ。
ただし電極面積は電極間距離に比べて十分大きく、端の影響は無視できるものとする。

電界はコンデンサーのQ1側とQ2側を単独に求めるという方法で求めました。←正しいですか？
外側は表面電荷密度の式を用いれば普通に求まると思いましたが、内側がどうしようかと迷っております。
解説よろしくお願いします。

<電気材料>　：>>455(>>474)
シェラック（ニス）、絹糸以外の動物性天然有機物絶縁体ですか？

高価な所では珊瑚も動物性絶縁物で使えそうすよね。
あと「リアル猫の毛」は昔の静電気実験ではお決まりの絶縁材料です？
牛、豚の皮革も乾燥させれば絶縁体？？
人間の骨も焼き場から拾ってきた直ぐなら絶縁抵抗高そう、、、

　　　───電流計────────
　　│　　　　　　　　　　　　　　│
電源３０Ｖ　　　　　　──────・
　　│　　　　　　　　│　　　　　│
　　│　　　　　　電圧計　　　抵抗１０Ωと１０ＫΩ
　　│　　　　　　　　│　　　　　│
　　│　　　　　　　　──────・
　　│　　　　　　　　　　　　　　│
　　│──────────────│

すいません変になっちゃいました。オーム社の実習、新しい電気基礎１
のＰ６７の１番下にある結果の検討の（３）がわかる人がいたら教えてください。
ちなみに問題は上の図（わかりにくくてすいません）の、内部抵抗Ｒaが５Ωの
電流計と内部抵抗Ｒvが５０ＫΩの電圧計を使ってＲが１０Ωと１０ｋΩのそれ
ぞれの抵抗に３０Ｖの電圧Ｅを加えた時、電圧計Ｖと電流計Ａの指示は理論
上いくらになるか、という問題です。できれば月曜日までに教えてください。

なんか微妙な質問ですいません。
時間たたみこみ定理と周波数たたみこみ定理を勉強中に疑問に思ったんですが、
「F(ω)のフーリエ逆変換=f(t)とする」っていうのと
「f(t)のフーリエ変換=F(ω)とする」
って同じに考えるとまずいですか？

>>514
えっと、クワイン・マクラスキー法のことかな。
前半は主項を列挙し、
後半は主項のうち目的の関数を被覆する最小コストの主項の組を選ぶ、
という手続きだけど、
もうちょっと具体的にどこがわからないか書かないと、解説のしようがない

>>527
電界は重ね合わせの理が成り立つので、その考えでOKです。
電荷Qの極板から発せられる電気力線の総本数は Q/ε なので、
片面あたり Q/2ε すなわち電界の強さは Q/2εS になるので注意。

各部の電界がわかれば、ガウスの法則（電荷と電気力線、電界の関係あたりも）
から各電極の表面電荷密度が求められます。
電界Eと垂直に接する極板の表面電荷密度は σ= 2εE なので、
各表面に接する電界がわかれば、その表面電荷密度も求められます。
電界の向きと表面電荷密度の正負の関係には注意してください。

>>531
順序関係の問題じゃないかな。
F(ω)が与えられているのに、
　　「f(t)のフーリエ変換=F(ω)とする」
なんて言ったら、結構な違和感を感じますね。

>>529
そのAAを書いている間に問題を解いたほうが速い気がするんだけど。

ヒント（むしろ基本中の基本）
抵抗Ra、Rbについて、
　　並列の合成抵抗　(Ra*Rb)/(Ra+Rb)
　　直列の合成抵抗　Ra+Rb
ほか
　　オームの法則　V=RI
　　キルヒホッフの第1法則　任意の接点において　(流れ込む電流の総和)=(流れ出す電流の総和)
　　キルヒホッフの第2法則　閉回路において　（上昇電圧の総和)=(下降電圧の総和)

これくらいは知っておかないと電気の学生としてダメぽ。留年するよ。

内部の所は上の電界をE1、下の電界をE2とした場合、E=-E1+E2としてから
σ= 2εE に代入するんですか？？

>>529 　　　自分でガンガレ！！
----------------------------------------------------------------------------
　　　　　　　電流計 内部抵抗　　　　　　　　　　　　　　負荷抵抗＝RLとして
　　　　　　　 　　　Ra=５Ω 　　→ i 　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　 　　　Rv×RL
　　　　　○───VVV───┐　　　　　　　　　　　 　 Pp ＝ Rv//RL ＝ ────　　 （Rp=合成抵抗）
　　 　 　 |　　　 　 　 　 　 　 　 │ 　　　 　　 ＿　　　　　　　　　　 　　 　　　　 Rv+RL
　　＿ 　 |　　　　　 　 　 　┌─●──┐　　↑　　　　　　　　 　 E
　　↑ ＿|＿　　　電圧計..│　 　 　 　 │　　│　　　　　i ＝　───
E= ｜　.━　 　 　 　Rv. = ＞.　 　RL = ＞　　.|　　　　　　　　　Ra+Rp
　３０V. ∫　　　　　50kΩ ＞ 　 　10Ω.＞ 　　V
　　│ .＿＿　　　　　　　　＞　 　 　 or ＞　　.|　　　　　　　　　　 Rp
　　↓　 ┯　　　　 　　 　 　| 　 　10kΩ |　　 │ 　　　　 V ＝　───×E
　　￣　 │　 　 　　 　 　　└─●──┘ 　 ↓ 　　　　　　　　 Rp+Ra
　　　 　 │　 　 　 　 　 　 　 　 │ 　　　　　　￣
　　　 　 ○────────┘

>>534
ども。
つまり漏れの気にしすぎですかね？(´・ω・｀)
そんな気がしてきました。

「均一アレイアンテナのアレイファクタを求め、エンドファイアアレイと
ブロードサイドアレイのビームの鋭さを評価しなさい」
この問題の解答キボンヌ！

自動平衡式記録計の記録紙の速度が10mm/secのとき、
記録された信号の１周期が25mmであった。
この信号の周波数を計算しなさい。

お願いします。

>>540
お前は幼稚園児か？
割り算もできないのか？

＞＞５３７さん
ありがとうございます。なんとか頑張ってみます。

ACとDCってなんですか？

釣り禁止

533さんありがとうございます。

さらに質問、問題途中からだとわかりにくいと思うんでもう一度乗せます。

面積Sの平行板コンデンサーの2つの電極に、それぞれ電荷Q1,Q2を帯電させる
このとき、コンデンサーの内外にできる電界を求めよ。
また2つの電極のそれぞれ内側と外側の表面についてそれらの表面電荷密度を求めよ。
ただし電極面積は電極間距離に比べて十分大きく、端の影響は無視できるものとする。

電界はコンデンサーのQ1側とQ2側を単独に求めるという方法で求めました。←正しいですか？
外側は表面電荷密度の式を用いれば普通に求まると思いましたが、内側がどうしようかと迷っております。
解説よろしくお願いします。

内部の所は上の電界をE1、下の電界をE2とした場合、E=-E1+E2としてから
σ= 2εE に代入するんですか？？

LCR放電回路の臨界点にはどのような特徴があるか教えてください。
お願いします。

http://matakappa.hp.infoseek.co.jp/cir/circuit.bmp

この回路なんですけど、これって普通の加算回路とは違うんでしょうか？
自分では出力Vが-25Vってなったんですけど、解答みると-５Vとなってまして・・・。

たしかに１Mのフィードバックの場所が普通のとは違うような気がするんですけど
どうして答えが違ってくるかわかりません。
どなたかよろしくお願いします。

>>547
-25V で合ってる希ガス．．．

>>547
　5Vだけ極性が逆のつもりだったとか？

微分方程式の問題なんですけど

次の微分方程式を解きなさい。
1. y'+y/x=2xy

2. y''+2y'+y=xe^-2x y(0)=1 , y'(0)=0

１に関してですが
ベルヌーイの方程式でしょうか？
一般解はあるのでしょうか？
それとも特殊解のみなのか・・・
分かりません教えてください、お願いします。

２は未定係数法を用いるらしいのですが同時解の置き方が
分かりません。

よろしくお願いします。

結晶光学なんですが

AODでの回折効率を求める計算式知ってる人いますか？
教えて欲しいのですが。

あと、

I = Io/Ii
= sin^2(π/(sqr(2)λo) * L * sqr(M) * sqr(Pa/(H*L))

I 光強度 H,L 結晶のサイズ M 性能指数 λo 波長
sqr() 根号 ^ べき乗

Pa は何なんでしょう・・・

>>548-549
単純な見落としでした、問題よく見たら549さんのご指摘のとおり５Vの電源のﾌﾟﾗﾏｲが逆でした＿|￣|○
ありがとうございました！

>>550
>1. y'+y/x=2xy
解き方に指定があるならこれじゃだめかもしれんが、答はすぐ出たぞ
y' + y/x = 2xy
y' = y (2x - 1/x)
y'/y = 2x - 1/x　両辺積分して
log | y | = x^2 - log | x | + C

答　y = Cexp(x^2)/x

>2. y''+2y'+y=xe^-2x y(0)=1 , y'(0)=0

　ラプラス変換を使ったらだめなのか？　y(0)，y'(0)が与えられてるから
ラプラス変換を使えとゆってるようにみえるぞ。

でも変換表の載ってる参考書をむしあつい物置にとりにゆくのが嫌だか
ら解いてあげない　ﾐ　ﾟ　〜ﾟﾐ

>>551
AODってなあに？　ﾐ　ﾟ　０ﾟ ﾐ
ぐぐったら、Advanced Optical Disc とか Argon Oxygen
Decarburization とか出てきたんですけど・・・

>>545
>電界はコンデンサーのQ1側とQ2側を単独に求めるという方法で
>求めました。←正しいですか？

正しいです。

>外側は表面電荷密度の式を用いれば普通に求まると思いましたが、
>内側がどうしようかと迷っております。

違います。「内側『が』・・・」の『が』が違います。内側が主語ではあるまい。

・・・ま、外側も内側もその表面電荷密度の式の適用でいいんだよ。
Q1の極板の作る電界をE1，Q2のそれをE2とすれば、外側の電界の絶対
値が | E1+E2 |，内側は | E1-E2 | だ。問題に合わせて符号を補ってくれ。

>>553
魚さんありがとうっ。

ラプラス変換・・・分からない・・・

ＡＯＤ　＝　音響光学偏向器 Acousto-Optical Deflector

533さん，555さんありがとうございます。
電磁気は分かってしまえば問題ない科目ですよね。。

これから、質問しなくても良いようにがんばります。

バックプロパゲーションを説明するのが試験問題の１つなんですが、
試験用紙には図と式が全て記載されていてそれを説明するのが問題なんですが
どこかのサイトに詳しくのってあったりしませんか？
お願いします。

>>559
ニューラルネットの学習に関するもの？
もうちょっと詳しく。

>>560
ニューラルネットの学習に関するものなんです。
最急降下法の説明が最初になされ、それからバックプロバゲーションの導出に入っていくというものでした。

一応、ニューラルネットワークとファジィ信号処理という本がありますが
いまいちわからないので、サイトがあればそっちを見ようかなと思いました。

>>561
その書籍は持っていないので、どの程度の説明がされているのかわかりませんが、
ttp://ipr20.cs.ehime-u.ac.jp/column/neural/chapter6.html#3rd
ここの手順をみればイメージがつかめるかも。

最急降下法も、誤差逆伝播法も、解を求めるための方法ですけど
何を目的にそのような方法を用いるのかを忘れなければ
やっていることは簡単ですから大丈夫。
教師に尋ねられるのならば、なぜ、シグモイド関数なのか
とか聞いてみるといいんですけどね。
（逆に課題を出されるかも。。。）

ちとスレ違いぎみだけど、宿題？だからいいのかな？
疑問点は具体的にしてね。

画像を定義する二つの空間ってなんですかね？どなたかよろしくお願い致します。

>>556
ラプラス変換未履修で２階微分方程式を解かされることはあまりないんだけどなー。
こんな具合にややこしくなるうえ、うまく解けない場合の方が多いから、ラプラス変換
をまなびなさい。

y'' + 2y' + y = x exp(-2x)　　y(0) = 1, y' (0) = 0　　------（１）

y'' + 2y' + y = ( y + y' ) + ( y' + y'' )　なので、
z = y + y'　とおけば、（１）は次のように書かかれる。
z + z' = x exp(-2x)
これは１階微分方程式なので解ける。
１階線形微分方程式の標準形 y' + P(x) y = Q(x) にあてはめれば、
P(x) = 1　⇒　∫P(x) dx = x，　　Q(x) = x exp(-2x)
したがって、
z = exp(-x) { ∫x exp(-2x) exp(x) dx + C }
　= exp(-x) { ∫x exp(-x) dx + C }
　= exp(-x) ( -x exp(-x) - exp(-x) + C )
　= - exp(-2x) ( x + 1 ) + C exp(-x)
ｚからyを求めるには、また１階微分方程式
y + y' = z = -exp(-2x) ( x + 1 ) + C exp(-x)
を解けばよい（めんどくさい）。
さっきと同様にして、
y = exp(-x) [ ∫{ -exp(-2x) ( x + 1 ) - C1 exp(-x) } exp(x) dx + C2 ]
　= exp(-x) [ ∫{ -exp(-x) ( x + 1 ) - C1 } dx + C2 ]
　= exp(-x) { ( x + 1 ) exp(-x) + exp(-x) - C1 x + C2 }
　= ( C1 x + C2 ) exp(-x) + ( x + 2 ) exp(-2x)
これで（１）の一般解が得られた。
初期条件を代入するため、導関数を求める必要がある（めんどくさい）。
y' = C1 exp(-x) - ( C1 x + C2 ) exp(-x) + exp(-2x) - 2 ( x + 2 ) exp(-2x)
　 = ( - C1 x + C1 - C2 ) exp(-x) - ( 2x - 1 ) exp(-2x)

y(0) = ( C1･0 + C2 ) exp(0) + ( 0 + 2 ) exp(0) = C2 + 2
y' (0) = ( - C1･0 + C1 - C2 ) exp(0) - ( 2･0 + 3 ) exp(0) = C1 - C2 - 3
y(0) = 1 より、C2 = -1
y' (0) = 0 より、C1 = 2

答　 y = ( 2x - 1 ) exp(-x) + ( x + 2 ) exp(-2x)

＞＞５６２
すいません、サーバーが見つかりませんだったんですが・・・。

>>564
おおおおお
そうやって解くんですかっ
ありがとうございます。

ラプラス変換使えたらなぁ・・
教科書にラプラス変換載ってなかったので・・・

お手数かけました、本当にありがとうございます。

５１９です。。
かな〜り考えてるんですが、全く歯が立ちません。。
なんとか糸口だけでもつかめれば・・。
誰かお願いしまッス

>>565
本当だ。昨日はつながってたんだけど。。。
他に当たってみる。しばし待ってて。

http://kuva.mis.hiroshima-u.ac.jp/~asano/Kougi/01a/Tokuron/
このあたりかな？
シリーズ４：ニューラルネットワークと最適化問題
を、順番に。

しかしどのあたりが判らんのかな。。。

頑張ったけどわかりません。誰か８時半くらいまでに教えて下さい。
明日までにできないと停学になるかもしれません…
親切な人お願いします。

(´σ ｀) ﾎｼﾞﾎｼﾞ
アレを頑張ってわからないってのはまずいんじゃないかな。
教科書読めば分かると思うよ。

漏れもそう思う。
つか、こんなの中学生でも解けるぞ。



今からでも人生やり直せるぞ！がんばれ！

↑
流石に言いすぎたな。ｽﾏﾝ。
ヒント図出してやるからまってろ。

ほらよ
http://radio.s56.xrea.com/radio/src/radio0028.bmp
これで分からなかったらリアルで中学生からやり直せ。

>>570
　　　───電流計───────
　　│　　　　　Ra=５Ω　　　　　　　　│
電源E=３０Ｖ　　　　　　　　　　──────・
　　│　　　　　　　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　│　　　　　　　　　　電圧計Rv=50kΩ　　抵抗ｒ=１０Ωと１０ＫΩ
　　│　　　　　　　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　│　　　　　　　　　　　　　　　──────・
　　│　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
　　　─────────────
抵抗r=10[Ω]のとき
　回路全体の抵抗R
　R=Ra+｛(Rv・ｒ)/(Rｖ+r)｝
　　=5+｛(50*10^3*10)/(50*10^3+10)｝
　　=5+(500/50.01)
　電流計の電流Iaは
　Ia=E/Ia=30/｛5+(500/50.01)｝=~2.0003[A]
　電圧計の電圧Vは
　V=E-Ra･Ia=30-5*2.0003=~19.999[V]
抵抗r=10[kΩ]のとき
　R=Ra+｛(Rv・ｒ)/(Rｖ+r)｝
　　=5+｛(50*10^3*10*10^3)/(50*10^3+10*10^3)｝
　　=5+(50*10^3/6)
　　=~8338.3［Ω］
　Ia=E/Ia=30/8338.3=~3.598*10^(-3)[A]
　V=E-Ra･Ia=30-5*3.598*10^(-3)=~29.982[V]

オームの法則さえわかっていればできる。
いろいろなやり方あるけど、一つ一つの式の意味を理解汁こと！

あ、10ｋと10ｋって直列か？
まぁ、>>575が答えたしもうどうでもいいやｗ

>>575
ありがとうございます。
>>571
>>572
俺中学の時からこういうの苦手なんですよね…なんで工業系の高校入っちゃった
んだろう？って思いますし。多分留年するか定時に行くかになると思います…
これでも本当に一生懸命がんばったんですけどね…

>>575の訂正
×：電流計の電流Iaは、Ia=E/Ia=30/｛5+(500/50.01)｝=~2.0003[A]
○：電流計の電流Iaは、Ia=E/R=30/｛5+(500/50.01)｝=~2.0003[A]
×：Ia=E/Ia=30/8338.3=~3.598*10^(-3)[A]
○：Ia=E/R=30/8338.3=~3.598*10^(-3)[A]

>>577
電気回路の基本中の基本の問題
計算式なんかより、
電流は抵抗が小さいほうに流れやすく、電圧は抵抗が大きいほうにかかりやすい。
とかっていう感覚が大事。
こういうのが理解できれば、交流回路なんかでもすらすら理解できるようになる。

ｶﾞﾝｶﾞﾚ

>570
>537さんが解き方書いてるよ、これで解けないと今後どうなるか知らない

１０Ωの時全体の抵抗Rは

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 Rv×RL　　　50000×10
　　　　　 　　　　 Rp ＝ Rv//RL ＝ ────　＝────　 （Rp=合成抵抗）
　　 　 　 　　　　　　　 　　 　　　　　　　Rv+RL 　　　50000＋10　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　30
R=Rp＋Rv=5+9.998Ωよって電流は───約2A　電圧計指示は抵抗値で1:2だから20V
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　14.998
電圧計の内部抵抗は電流計内部抵抗＋抵抗に比べて遙かに大きいので無視できる

次に１０ｋΩ　　上のRp＝の10の所を10000にすると
R=Rp＋Rv=8333+5　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　30
　　　　　　　　　　　　　電流は───＝0.0036A　電圧は　30V
　　　　　　　　　　　　　　　　　　8338
電流計内部抵抗は全体抵抗に対して遙かに低いので無視できる　

以上ですが、間違えてるかもしれませんので必ず検算してください

>>578
>>579
ありがとうございます。またわからない事があったら是非教えて下さい。
俺ももう基本的な問題で質問をしなくてもよくなるように精一杯頑張ります。

>>577
長い人生のんびり、よそ見しながら歩くのも悪くないよ
こんな事で人生が決まるなんてアホらしい
自分なりにがんばってくれ
塞翁が馬（さいおうがうま）

　エドサックのイニシャルインプットルーチンの詳細が書かれている
サイトがあったら教えてください、図書館の本は全て洋書でした・・・。

>>519
締め切りは今日だったわけだが、結局できたんかいな？

QメーターのL端子に測定インダクタンスを接続する場合、
標準容量Csの最大値が450pF、最小値が30pF、
発振器の周波数fの可変範囲が50Hz〜50MHzであるという。
このときのLの測定可能な範囲を求めよ。

電技にてCT及びPTの二次側を接地するよう規定されていますが、非接地系統（電源非接地）において接地するのは
何のためですか？接地系統であれば、CT間（一次側及び二次側）の絶縁が破壊された際に、漏電遮断器が作動する
というメリットがあると思うのですが、非接地系統においても接地は必要なのでしょうか？

基本的な昇圧型を作ってduty80〜100ぐらいにしたら出力電圧が落ちてきます。
どうゆう原因なんですか？
774ワット発電中先生よろしくお願いします。

>774ワット発電中先生よろしくお願いします。
つ、釣られんぞ…

＞587
そこを何とかよろしくお願いします。

L,C回路のインピーダンス特性で
LとCではどちらが実測値と計算値の差が小さいか、
またその理由はなぜか　教えてください

>>586
duty100ってどんな波形か考えてみましょう

＞５９０
直流の波形ですか？
ということは、コイルに何か関係があるのですか？
すいません、素人で。

＞５９０
もしかして、オン時間が長くなるとコンデンサに蓄積された
電荷が連続して放電するから出力電圧が低下するんですかね？

すいません、誰か教えてください。お願いします！

∞の右側が少し欠けたやつの
読み方と意味を教えてください。

>>582=593
洋書しかないんならためらわずに読め。検索したがなさそうだ。

>>594
is proportional to
比例記号

>>588
マジレスすると774ワット発電中さんは名前を書かないと自動的に挿入される。
ようするに名無しだ。

Ｒｓ＝ｒａ／ｍ−1
ｒａとｍってなんですか？できれば即レスお願いします。

(´･д･`) ﾔﾀﾞ

申し訳ありませんが、質問させていただきます。
今、実験のレポートの結果をグラフで書いているのですが、
分かりやすいように結果のK、P、Q、ごとに違う形のテンプレートを使って囲めと言う事なのですが、
同じ数値が出た場合はどうすればいいのでしょうか？スレ違いだったら申し訳ないです_|￣|○

すみませんがわからない所があり
しかもちょっと急いでいるものでちょっと質問させていただきます。
電力の値に力率が与える影響とは何なのでしょうか？？
お願いいたします。

異種原子の格子振動の解説（式の導出）が学校であまりにも適当だったので、良いページを探しています。
異種原子　格子振動　でぐぐりましたが、いいページが見つかりません。
良かったら紹介よろしくお願いします。

>>600
力率が１なら、電流と電圧の位相が一致してるからVA=W（有効電力）で直流と同じ。
しかし力率が悪いと　VA＞W　となり、同じ仕事（負荷の発熱とか）をするのに力率
が悪いと印加電圧が同じだから電流の値は多く流れる。しかし位相がずれているので
多い分は電力にはならず、積算電力計のメーターも余計に回らないわけなのだが、
これは、電力伝送線路の抵抗分（もしくは電圧源の内部抵抗）が０Ωの時の事であり
実際には抵抗分ｒがある。
１００Vで負荷で１００Wの仕事（発熱とか）をするのに、力率１なら１Aだが、力率が
悪いと２Aとか流れる。　仮に負荷電力はどちらもはぼ１００Wとしても、線路抵抗ｒ
での損失ｐ＝I^2・R は電流の絶対値が多いほうが大きくなるのは自明の理。
　弱電屋なもので強電の用語じゃない説明になっていたらスマソ。

>>602
おぉ！ありがとうございます！！

>>603 >>600
・マルチポスト厳禁！　他のスレのほうは放置かよ？

>>585
高圧・特別高圧系統のことだよね。
PT,CTに限らず変成器の二次側を接地するのは、
変成器一次-二次間混触時二次側電位の上昇を抑えるため。

＞漏電遮断器が作動する
高圧系統のPT,CT周りには漏電遮断機ＥＬＢは付いてないです。
高圧系統の地絡を検出するのは、地絡継電器、方向地絡継電器、地絡過電圧継電器です。
これが動作するとその系統の遮断器などをトリップさせたりします。

＞非接地系統においても接地は必要なのでしょうか？
高圧系統は非接地系統ですが、地絡を検出するために完全に大地から浮いているわけではありません。
ＧＰＴやＺＰＤなどを通して接地されてます。
ＧＰＴの場合、オープンデルタの接地変圧器をとおして高抵抗で接地されており、
ＺＰＤの場合、スター接続のコンデンサを通してその中点を接地し、地絡電圧を検出しています。
なので、変成器一次−二次混触すれば地絡継電器など動作します。

相互結合型ニューラルネットワーク（特にBAM）について
教えてください。
重みの計算で行列式を使って求めていく過程がわかりません。
どのようなモノか教えてください。

有線通信方式の主な長所と短所は何でしょうか？

R1, R2, R3 に流れる電流は R4, R5, R6 に無関係であることを利用して、R1, R2, R3 に流れる電流を求めよ
とあったのですが、これは抵抗 R1, R2, R3 を解放して計算しろということなのでしょうか？

>>608
回路図晒せ家。
または明確に文字で説明聖夜。

>これは抵抗 R1, R2, R3 を解放して計算しろということなのでしょうか？

つーか、「R1, R2, R3 とR4, R5, R6 とを切り離しても各電流が変わらない」ので
R1, R2, R3 を切り離してもよい、ということだな。
回路がわからんとこの程度しか家無い。

>>599
レポ終わったか。

色を変える。
プロット（点、○とか■とか）変える。

同じ値だからってぴったり重ねずにずらして書いておいて
同値だと但し書きをする。

スレ違いなんだが、参考まで。

>>609
http://v.isp.2ch.net/up/0bc04bb67768.png
こんな回路です。

>>610
色を変えると怒られる事も結構あるぞ。

授業で教科書読んでおけで流されました。教科書には詳しく書いてありませんでした。
色々調べた結果、次のような結論に至りましたが確認してください。
証明：デュロン・プティの法則

http://radio.s56.xrea.com/radio/src/radio0031.jpg

最後の3RTを定積比熱のCv(∂U/∂T)に代入すれば≒6となる

でいいでしょうか？よろしくお願いします。

>>608>>611

回路内の電源それぞれによる各抵抗の電流をそれぞれ算出し
電流の方向を勘案して加算する。（重ね合わせの定理）

R1R2R3の回路とR4R5R6の回路は同一電位の点（電源の両端）で
のみ接続されているので,これを分離しても各抵抗の電流値に変化は無い。
よってR1R2R3と二つの電源についてのみ上記の定理を適用すればよい。

計算：略

答え　R1を流れる電流　　2.4A　100V電源からR2R3方向
　　　　R2を流れる電流　13.6A　100V電源からR1R3方向
　　　　R3を流れる電流　16.0A　R1R2から電源(-)方向

>>614
同一電位の点というのは自分には難しいですが、とりあえず問題を解くことが出来ました。
親切に教えていただき、ありがとうございました。

東芝の工作員代理さん
進み力率の場合は得するのでしょうか。
遅れの場合は電力会社が損しますよね。
ここが少し分からないんです。
お願いします、教えてください。

>>616
私の強電の知識は学校でならった域を出ていないのですが、こんな風に考えられては如何でしょうか。
電力会社が損をするかユーザー側が損をするかは、ユーザーと電力会社との電気料金契約体系による。
力率悪い負荷、電流の位相が遅れ（インダククティブ）、または進み（キャパシティブ）であっても、位相角の
絶対値が同じなら、結局伝送線路や発電機、トランスの内部抵抗分で、実効電力値が同じの純抵抗負荷
の場合のに比べ余計にロスるのは同じ値かと思われます。　　という事は実効電力にみで電力料金を決
めていたら、力率の悪いユーザーの場合電力会社は損をする事におなりますので、大口ユーザーはWで
なく最大VAの契約と成ってるのいは無いでしょうか？　　わたしは弱電屋なんで気にしていないけど。
一般家庭では１００V（単３も含め）で積算電力計のメーターの読み＋NFBのA数でで電気料金が決まります。
積算電力計は簡単な構造の割には良く出来ていて、電流コイルと電圧コイルを使って実効電力に比例した
分でしか使用電力カウントしません。　よって理論的には家のコンセントにでかいAC用のコンデンサをぶら
下げた場合、電流はガンガン流れる訳ですが、I=100×（−ｊωC）電圧に対して電流の位相角が90 度進ん
でますからP=sinθ×cosθを１周期分積分しても０となるように、理想的には積算電力計のメーターは一切
回らない（ユーザーは基本料金以上の金ははわわないですむ）訳。然しながらNFB（ノーヒューズブレーカー）
の方はMax.電流でトリップするでしょうから、力率が悪い負荷を使っていたら「３０A契約だから３ｋWまでの
負荷はOKだったはずなのに、２ｋWでブレーカーが落ちた」なんて事になるかも知れません。　３ｋW使うのに
４０Aとか５０Aの契約にするのば馬鹿げてますよね。
大口のユーザーの場合の電力料金体系は、最大負荷VAで殆どの金額が決まってるのでるのならば、上記
のよう馬鹿な金を払わない為にユーザーサイドで力率を１に近づける努力、誘導負荷（インダクティブ）が多
いのなら、進相コンデンサ（キャパシティブ成分）をパラってリアクティブパートを打ち消し純抵抗に近づける
意味は多いにあると思います。　最近では、自動的に力率を１に持っていく付加装置もあるようですね。
強電は専門外ですので、説明におかしな所があるかも知れません。

東芝の工作員代理さん
616です。
やさしく解説していただきありがとうございます。
これからもよろしくお願いします。

>>516 ヴェラージオさん
>>520さん
ありがとうございました。大変参考になりました！

オーム社の実習、新しい電気基礎１のＰ４５の１番下にある結果の検討の
（３）がわかる人がいたら教えてください。
他の部分は大体できたんですけど、ここだけどうしてもよく理解できません。
どなたかお願いします。

そんな教科書使ってねーよ…

>>620=>>530
もうお前は2ｃｈで聞くだけしかできないのか？
ｸﾞｸﾞるとか先生に聞くとか他の本を見るとか他にもいろいろあるだろうが。

>>622
先生に聞いても自分で考えろって言われて…
ネットで探してもいるんですけど、どういう場所で調べればいいのかよく
わからなくて…

>>623
>オーム社の実習、新しい電気基礎１
http://ssl.ohmsha.co.jp/cgi-bin/menu.cgi?ISBN=4-274-13267-6
は、平成15年度からの新学習指導要領に則したもの、つまり
>オーム社の実習、新しい電気基礎１のＰ４５の１番下にある結果の検討の(3)
だけ書かれても、この本を持っていて、それがどういう記述かすぐにわかる人は
1、2年生か、先生か、趣味で基礎本をチェックしている人+α程度。
加えて、マルチポストはそれだけで無視の対象となりえます
参考、http://www.nn.iij4u.or.jp/~nabe/osietekunn.html
本気で知りたいのなら横着をせず、どういう内容か書くべきです。

>>623
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1086398410/347
ﾆﾔﾆﾔ

FETと普通のトランジスタの違いはNPとNPN（PNP）ですよね？でもモスFETはNPNで構成されているんだから、
普通のトランジスタと違いはないのでは？なのにどうして電流制御か電圧制御か、低インピーダンスか高インピーダンスで違いが出るの？

>>626
MOSFETと普通のトランジスタとは全然構造が別。
もう一回ちゃんと調べなおしてみ。

>>627
トランジスタ(NPN)→N型半導体（不純物少）とP型半導体とN型半導体（不純物多）

MOSFET→でっかいP型半導体に浮き島のようなN型半導体が二つ

同じような気が。。。

うんうん、同じ「半導体」だし、「P」と「N」を使っているのも同じだよね。

でも動作原理が違うんだよな。
もうちょっと教科書を見てみようね。

重ね合わせの理ってどうすれば？

●←2d→●
↑　　 　　↑
2d　 ○　 2d
↓　　 　　↓
●←2d→●

●＝qCとして、○にどんな電荷を置けばつり合うか？

誰か教えてください・・・電磁気苦手なんです。おながいします。

○は正方形の中心です。

図の回路で流れる電流がスイッチSを閉じてから
1秒後に2[μA]となった。
C[μF]はいくらか？ただし、Cの初期電荷は0とする。

（E=10V、R=2[MΩ])

　　　　　　S　　　　　　R
　　───／　──∧∧∧──
　│　　　　　　　　　　　　　　　　│
　│　　　　　　　　　　　　　　　　│
──E　　　　　　　　　　　　　　──　C
　─　　　　　　　　　　　　　　　──
　│　　　　　　　　　　　　　　　　│
　│　　　　　　　　　　　　　　　　│
　　────────────

（模範解答）

　E
i=─ε(-1×t/CR)
　R

　10
i=─　　ε(-1×t/CR)
2×10＾-6

i=5ε(-1×t/CR)×10＾-6[A]

1秒後に2[μA]だから

2×10＾-6=5ε(-1×t/CR)×10＾-6
ε(-1/CR)=0.4

この後
logεε(-1/CR)=-1/RC
とありますが↑のは公式ですか？

>>633
教科書嫁。

>>631
つり合うとは、何を意味しているんだ？
問題文があるなら、どこかにうp汁。
スキャナないなら、「正確」に、「そのまま」に、カキコしろ。

磁場中を運動する荷電粒子についての問題です。
電場は無いものとして考えるので、運動方程式は以下のようになります。

m：質量　r↑：rベクトルで時間の関数=(x(t), y(t))　q：電荷
v↑：vベクトルでdr↑/dt　B↑：磁束密度ベクトルで(0, 0, B)

m* (d^2/dt^2)r↑ = q (v↑×B↑)
このときのx, yの時間tにおける位置を表す式を導出せよという問題です。

私の解答です↓
ttp://w405nm.no-ip.org/~ken/upfiles/fm20040725211318.gif

この様に回答したのですが、教授から「これでは駄目」だと言われました。
上に書いた　　　　B↑：磁束密度ベクトルで(0, 0, B)　　　は、そのときに教
授から言われたものです。これを使えと言われました。
「単振動であることを使ってはいけない」とも言われました。
しかし、単振動であることを使わなくては三角関数は出てこないのでは？？

どうかよろしくお願いします。

今のところ、以下のような状態になりました。
ttp://w405nm.no-ip.org/~ken/upfiles/fm20040725220127.gif

この２階連立微分方程式(ﾅﾆｿﾚ？)を解くのでしょうか？
どなたかおながいします。

＃初期条件を記すのを忘れていました。条件小出しスイマセン。
t = 0 で (x, y) = (r, 0)、　(v_x, v_y) = (0, v)　です。
解答までは出して頂かなくて結構ですので、求め方をお教え頂きたいです。

先ほどより少し進みました。
ttp://w405nm.no-ip.org/~ken/upfiles/fm20040725231855.gif

しかし、最後の積分時に初期条件を使わなくて良いのか、また
使うのであればどう使うのかが分かりません。

ま）最後の２式（正しいとして）の微分方程式を解くにあたって、
初期条件はどのように使えば良いのかが分かりません。
ご教授お願いします。

>>638
なんでtについての３階の微分の式から２階の微分の式を出しているの？
位置x(t),y(t)の１階微分をV_x(t)、V_y(t)と置くべきだろう。
ラプラス変換を使わずに微分方程式で挑むところをみると
微分方程式は解けるよね。

しかし、なぜ位置の関数が単振動となることが自明と考えたのか
それを聞きたい。

バンドキャップの直接遷移型、間接遷移型とは何を意味するか、代表的な材料を挙げよ
光デバイスが、短波長化を目指して来た理由を最低二つ挙げよ。
発行素子（LED、LD)は順バイアスで、電流制限して用いる。具体的な回路を書け。
固体の電子密度、半導体の不純物密度と電子密度のおおよその桁数は幾らか。

明日の試験問題らしいのですが、さっぱりわかりせん、教えてください！
これ取れなきゃほぼ留年決定・・・。頼む！２ｃｈの皆さん、僕に力を分けてください！

>>640
ノートに書いているはず。講義でのポイントを抜かしては
点は取れず。ご愁傷さま。

>>639
レスありがとうございます。

＞なんでtについての３階の微分の式から２階の微分の式を出しているの？
＞位置x(t),y(t)の１階微分をV_x(t)、V_y(t)と置くべきだろう。
確かにそうですね。ご指摘ありがとうございます。

＞ラプラス変換を使わずに微分方程式で挑むところをみると
＞微分方程式は解けるよね。
実はどちらも学んでいないんです。でも電磁気の問題に微分方程式が出てきた
のでネットで調べつつ頑張っています。

＞しかし、なぜ位置の関数が単振動となることが自明と考えたのか
＞それを聞きたい。
磁場中の荷電粒子の運動は円運動になることが知られているので、円運動なら
xとyそれぞれの運動は単振動だ…と考えました。


もう少し考えてみます。ありがとうございます。

>>642
微分方程式を学んでいないなら
これから先に展開は不可能だな。
結論から言うと
y''=-(qB/m)^2y
は
y=Acos{(qB/m)t}+Bsin{(qB/m)t}
A,Bは任意定数。
という形になる。
この問題ではVy=…だな。
初期条件を代入t=0,Vy=vを代入して
任意定数を求める。cos(0)=1,sin(0)=0
だから簡単に定数は出てくる。
Vy,Vxはこれで求まるし、これを積分して同様に
初期条件から積分乗数を求めて
x,yの関数が求められる。
位置xyが出たら、位置ベクトルの大きさrを求めると円の式。

>>643
ありがとうございます。
お陰で、解答となるものを出すことが出来ました。
微分方程式の一般解については、不本意ではありますが
今のところは暗記ということにします。

本当にありがとうございました。(TдT)

変圧器の一次換算と二次換算の違いがわかりません。
簡単に説明して頂けますか？
ちなみに一次換算はできます。

量子力学における量子数について説明し、量子数と材料物性との関係を考察せよ。

について教えてください。詳しく乗ってるホームページでもいいです

[問]
次の交流の瞬時値を複素表示せよ

i=10√2 sin(ωt-π/3) (A)


これって問題がそのまま答えでは？

>>647
交流電流の瞬時値は10√2だべ？なんで複素数が出てくるの？

>>647
たしかに問題をそのままフェザー表示すればお終いだな。
回転ベクトルの概念が理解できているかどうかを
確かめたいんだろう。

>>647
ん？
瞬時値は瞬時値、複素数表示は複素数表示だろ？

>>645
１次換算とは、トランス入力側から見た電圧電流の関係式
２次換算とは、トランス出力側から負荷をみた電圧電流の関係式
だと考えている。俺は。
巻線比20（＝V1/V2)のトランスの１次に100Vを入力したとき
電流が1A流れたとするなら２次側の回路の回路の電圧電流を
考えることが２次換算だということにして考えている。
正しい定義は知らない。

>>646
主量子数とかs、ｐ、ｄ軌道とかの説明をして、周期律表
あー、レポートなら死ぬほど書ける。共有結合イオン結合金属結合
sp3混成軌道は重要だし。教科書買った方が良いと思う。

Ｅ=50+j86.6(V)

を正弦波関数であらわす方法というか、解答へのプロセスがわからないのですが
誰か解説お願いします

>>647
複素表示とは時間とは関係ない数量を言う。

>>635
4つの点電荷による電界と○の点電荷による電界が同じになる、ってことです。
どこにも余計な電界が発生せず、同じ値でつりあう・・・って感じですね。

今問題用紙ないんですよ・・・。でも問題は「つりあう」しか書いてなかったんで。

>>652
正弦波交流電圧の瞬時値ｅは三角関数で表され、
一般的に次式となる。
e=√2・E・sin(ω・t+α)　・・・・(1)
ここで、E：電圧実効値、ω：各周波数、ｔ：時刻、α：位相角
一方、交流電圧の複素数表示は、
E=ａ＋ｊｂ　・・・(2)
＊ここでのEは複素ベクトル（Eドット）で実効値。
式(2)は、複素平面を描いて考えるとわかり易い。
横軸に実数部、縦軸に虚数部をとる。
式(1)のＥは式(2)のEの大きさ（絶対値）であるから、
Ｅ=√(a^2+b^2)
となり、式(1)のαは、
α=arctan(b/a）
となる。
よって、複素数表示を瞬時値に変換すると、
e=√｛2･(a^2+b^2)｝・sin｛ω・t+arctan(b/a)｝

0.5級 10mAの電流計があり、10mAを流した時の端子電圧は60mAである。
(1)この計器を用いて100Vの電圧計を作るには？
(2) 〃 0.5Aの電流計を作るには？

高校の物理の宿題なんですけど、電流計とかの仕組みはわかったけど
電流計で電圧計を作る(？_？)さっぱりです・・・・
どなたかご教授くださいm(_ _)m

(1)

(2)
電流計の内部抵抗＝60mV/10mA＝6Ω
抵抗Rsを並列に繋いで、分流させる。
計算して、Rs＝0.122Ω

(2)それっぽくやってみました。合ってますでしょうか？
(1)はいまだに・・・・・　　　

>>656
（２）が出来るなら（１）も同様に出来るぞ。
（２）は分流器で並列にしたが（１）は分圧器（Rd）が直列になる。
FS（フルスケール）10mA時に電圧計として100Vかかっていて、
電流計の端子電圧が60mVなので、
Rd=(100V-60mV)/10mA
=99.94/0.01=9.994kΩ

>>656
まず、電流計の内部抵抗ｒ［Ω］を求める。
電流計の最大電流をIm[A]、そのときの電圧をVm[V]とすると、
オームの法則から、
r=Vm/Im=60*10^(-3)/｛10*10^(-3)｝=6[Ω]

(1)
電圧計として使用する場合は、直列に抵抗を入れて分圧し電流計にかかる電圧を60[mV]以下になるようにしてやる。
（その抵抗を分圧抵抗Rv）
即ち、この場合、回路に100[V]かけたとき電流計には60[mV]かかるような抵抗を電流計と直列に入れてやる。
言い方を変えると、直列に抵抗を入れることにより回路に100[V]かけたとき電流を10[mA]にする。
よって、100[V]かけたとき電流を10[mA]にする為の抵抗Ｒ［Ω］は、
R=100/｛10*10^(-3)｝=10*10^3[Ω]=10[kΩ]
分圧抵抗Rｖ+ｒ=Ｒだから、
Rv=R-r=10*10^3-6=9994［Ω］
理論通りに計算するとこうだが、実際はそのまま10[kΩ]の抵抗を直列に接続し、測定後換算する。

(2)
電流計として使用する場合は電流計と並列に分流抵抗Riをいれる。
測定する最大電流は0.5[A]で電流計の最大電流は10[mA]=0.01[A]だから、
Riに流れる最大電流Iiは、Ｉｉ=0.5-0.01=0.499[A]
そのとき電流計の電圧Vmは0.06[V]だから、
Ri=Vm/Ｉｉ=0.06/0.49=~1.224[Ω]

>658
>659
お二人ともありがとうございます！！m(_ _)m
自分でも理解しましたっ！
簡単に言うと直列と並列の違いだけみたいですね＾＾；
もっと勉強します〜(T_T

>>631
問題用紙がないってなんだよ…
問題が与えられたら、メモくらいしておけ。
正確な問題がわからないのに正確な答えを出すのは不可能だぞ。

で、電界が零になるっていうのは無理じゃないか？
ある特定の点において、電界の強さが零になるという問題だと仮定して、

各々の点電荷●が、自身から距離(→r)に生じる電界(→Ei)は、
　(→Ei) = (Q/(4πεr^2))*((→r)/r)
　　　（(→Ei),(→r)はベクトル量）
であり、電界は重ね合わせの理が成り立つので、合成電界は
　Σ(→Ei)
で表される。
これを点電荷○から距離(→r)の点で打ち消すためには、
　Σ(→Ei) = (Q/(4πεr^2))*((→r)/r)
が成り立つ電荷Qを設置すればよい。


>>647
>>652 >>655の逆を行えばいい。

ちょい訂正
Σ(→Ei) = (Q/(4πεr^2))*((→r)/r)
　　↓
Σ(→Ei) + (Q/(4πεr^2))*((→r)/r) = 0

>>659

>理論通りに計算するとこうだが、実際はそのまま10[kΩ]の抵抗を直列に接続し、測定後換算する。

実際も何も測定値を換算なんて実地ではやってらんないyo
実験でも9994ΩならE96系列で40.2kΩと13.3kΩで9993.645Ω、十分な精度（１％）だyo
製品だったらズバリの値の必要な精度の抵抗器を発注。

9994Ωと10KΩなら誤差は6/9994じゃないの？

どうしてもわからない問題があってここを頼らせてもらいます；；
e=√2cosωtであらわされる電圧の実効値はどうなるでしょうか？
これだけが全然わからず困ってます。

>>665
困る前にやる気を出せ。

>>665
簡単に言えば抵抗をつないで単位時間あたり同じだけの発熱が得られる直流
電圧を求めればいい。
P=IE=E^2/R
だから、電圧の自乗を単位時間あたり積分すると単位時間あたりの
発熱量が出る。（抵抗は仮に１Ωとしてしまえばいい）
こいつの平方根を取れば「直流電圧換算」の電圧、すなわち実効値が求まる。

∫(√2cosωt)^2dt
(cosθ)^2=(1+cos2θ)/2だから
∫(1+cos2ωt）dt
ここまで来れば解けるだろ。

発熱で考えるのは、正弦波に限らず何でも使えるから覚えておくといいよん。

積分した結果の平方根を取るのも忘れずにな。
（忘れてもこの場合は何とかなるが（笑））

>>667さんありがとうございました。今まで習ってきた例とは違い全然
わからなかったです；；
これで次への課題へと進むことができました^^

Ａm_ｃｏs(wt+@)の実行ちを求めるしきを書いてください

物理学科の人間なので、この辺がいまいちわかってないんだが
誰かに、下の問題を簡単に教えていただきたい。

　　　　　Ｒ　　　　　　Ｌ　　　　　　Ｃ
..　┏━WWW━━∽∽∽━━┫┣━┓
..　┃　　　　　　　　　　　　　　　　　　　┃
..　┃　　　　　　　　　　　　　　　　　　　┃
─┴─　Ｅ　　　　　　　　　　　..　　　　┃
..　┬　　　　　..／　　　　　　　　　　　　┃
..　┃　　　　／　　　　 　　　　　　　　　┃
..　┗━━・　　　・━━━━━━━━┛
　　　　　　　　Ｓ

ただし、Ｃには電荷は蓄えられていない。
t=0でＳを閉じたときに、Ｅに流れる電流iを求めよ。

ここで質問なんだが、t=+0で流れる電流って、コイルがあるからi=0でよいの？
一応回路方程式は解けるんだが、ここがよくわからん。

重複ですいませんが、
鉄の飽和磁化がいくらか教えてください。
１原子当たりの磁気モーメントらしいのですが

>>671
鎖交磁束不変の理という定理(?)があって、
磁束は時間的に連続量すなわち
　(1)　　Φ(t-0) = Φ(t+0)
が成り立つ。
また、電流と磁束の間に
　(2)　　Φ= Li
なる関係が成り立つので、(1)(2)より
　(3)　　i(t-0) = i(t+0)
となる。
i(-0) = 0 なので、(3)より
　(4)　　i(+0) = 0
である。

といった具合の認識だなあ。
鎖交磁束不変の理について詳しく知りたかったら、
電磁気学を詳しくやったほうがよさそう。
てか、電磁気学は苦手ぽ…

>>671
過渡現象についての本なら、そのままの回路で詳しく書いてあるよ。
方程式を電荷についての方程式に書き換えると解けると思うけど、
R^2>4L/C(過制動)、
R^2=4L/C(臨界制動)、
R^2<4L/C(不足制動)とか長くなりそうなので
スキャナー持ってない漏れは(´・ω・｀)

>>672
2.12μB = 2.12*1.165e-29 = 2.47e-29 [Wb・m]
( e-29 = 10の-29乗 )
かな。
テキトーに引っ張り出したので、あまり鵜呑みにしないでほしいぽ。

>>673-674
非常によくわかりました！
うーむ、回路の参考書を借りてきて
じっくりやるべきだな(´・ω・)

何はともあれ、ありがとうございました！

量子力学の問題なんですが・・・
１次元の調和振動子にH”＝λｘが摂動として作用するとき
ハミルトニアンの変形を工夫して基底状態の波動関数の厳密解を求めよ
って問題がわかりません。わかる方教えてください。

ロックインアンプの原理や使い方を説明しろっていう問題ですが、わかるかた教えてください。

>>678
まず グーグルにアクセス。ttp://www.google.co.jp/

ロックインアンプ 原理　で検索するとトップに出るページ
ttp://www.nfcorp.co.jp/products/a/a03/a03-1.html
↑にあるリンク
「雑音に埋もれた信号の測定」
ttp://www.nfcorp.co.jp/keisoku/noise/index.html
あたり読めば幸せになるかもね。

四端子法で50mΩの低抵抗Rを測定するのに10mAの電流Iを流して測定場合、
電圧計の感度はどの程度必要か。

お願いします。

インピーダンスについて質問ですが、
交流抵抗であり、周波数によって抵抗値が変わるということですが、
なぜ周波数によって抵抗値が変わるのでしょうか?

>>678
ttp://www.cqpub.co.jp/hanbai/books/32/32821.htm
↑この本立ち読みするといいかも。

>>681
簡単に言えば、交流相手の時は平均値みたいなものだから。
イメージとしてはとりあえず矩形波で考えると楽かな？
例えばコンデンサと抵抗を直列にして電池につなぐと最初はドッと
流れるけど、だんだん流れなくなる。「ドッ」と流れている時に
極性をひっくり返すとまたドッと逆向きに流れるから平均の抵抗値
は小さく見える。
でも、ジーーッと放置しておくとだんだん流れなくなってきて、
極性をひっくり返したらまたドッと流れてくれるけどだんだん
流れなくなる。
ほとんど流れなくなるまで放置していたら「平均値」は小さく
なってしまうでしょ？
つまり、変化が速い＝＞周波数が高いほど抵抗値が小さく、低いほど大きく
見えるわけ。

コイルの時は逆で最初は少なくてだんだん流れるでしょ？
だからたくさん流れ出す前に逆転させると平均値は小さくなってしまう。

式の裏付けをもった正しい理解は微積分が必要だけどね。

>>683
どうもありがとうございます。
おかげで疑問がすっきりして眠れそうです。

群変調とは何かという問題なんですけど教えて下さい。
ググッても分かりませんでした。

>>685
ググり方がなってない。
ttp://www.google.co.jp/search?hl=ja&ie=UTF-8&q=%E7%BE%A4%E5%A4%89%E8%AA%BF%E3%81%AB%E3%81%A4%E3%81%84%E3%81%A6&lr=

>680
0.05×0.01＝0.1mV以上

0.5ｍＶ以上　　↑訂正

質問です。
１ / ２√εoμo = c / ２√εrμr
でいいのですか？

この式はご存知？
(εoμo)^(-1/2)=c，εμ=εrεoμrμo

電池の標準電極電位の測定法について簡単に説明してください
お願いします

金属と半導体の性質の相違点について教えてください。
調べてもわかりませんでした。

>>692
調べたらすぐに出てきたぞ。
何でも人に聞くなよ。

乾電池の内部抵抗って、化学反応のしにくさ（反応スピードの限界）のことですか？

>>694
すいません、燃料は間に合ってるんですが。。。
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1081774198/391
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1087025652/968
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1075719207/243
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1089383969/429

>>695
回答よろ。

光学位置検出素子であるPSDとCCDの違いを教えてください。

定格電圧の等しいA,B、２台の単相変圧器がある。
Aは定格容量Pa=10kVA,パーセントインピーダンス効果za=4％で
Bは定格容量Pb=30kVA,パーセントインピーダンス効果zb=3％である。
次の問に答えなさい。ただし、各変圧器の抵抗とリアクタンスの比は等しいものとする。

(1)これらを平衡運転させ、２次側にP=34kVAの負荷を接続したとき、各変圧器の分担[kVA]を求めなさい。

(2)許容最大負荷[kVA]を求めなさい。また、そのときの各変圧器の分担[kVA]を求めなさい。

解答よろしくお願いします。

ホイールストーンブリッジとかあんじゃん？！
あれについて
わかり易く書いてくんないかな？
明日までにな
待ってるから

>>699
> ホイールストーンブリッジとかあんじゃん？！

ホイートストーンブリッジのこと？

ブリヂストンのホイールだろ

ホイ−ルがストーンって、三菱自動車製の橋か？

多分、丸石自転車でしょう
上場廃止決まりだし、倒産もあり得る

>>700
このスレか、前スレのどこかで既出だった様な。。。

>名前：諸君らを試しているのねん。
明らかに嘘。
宿題は自分でやれ。

NULLPOを最小に→測定( ﾟДﾟ)ｳﾏｰ

>>706

ｶﾞｯ

>>698
の解答お願いします。

>>698
パーセントインピーダンス%Z［p.u］は、（1[p.u]=100[%]）
%Z=ｚ･In/Vn=ｚ・Pn/Vn^2
ここで、z[Ω]：インピーダンス、In[A]：二次定格電流、Vn[V]：二次定格電圧、Pn[VA]：定格容量、
よってインピーダンスｚは、
z=%Z・Vn^2/Pn
変圧器Ａ，Ｂを並列運転した場合、変圧器Ａに流れる電流は、負荷電流をI[A]として、
Ｉａ=zb/(za+zb)・Ｉ=(%Zb・Vn^2/Pb)/｛(%Za・Vn^2/Pa)+(%Zb・Vn^2/Pb)｝・Ｉ
　=%Zb･Pa/(%Za・Pb+%Zb・Pa)・Ｉ
変圧器Ａの負荷分担PA[VA]は、負荷容量をP[VA]として、PA=Vn・Ｉだから
PA=Vn・Ｉａ=%Zb･Pa/(%Za・Pb+%Zb・Pa)・P
となる。
PBも同様。
なお、PAの式をPaで割ると、
PA=%Zb/(%Za・Pb/Pa+%Zb)・P
となる。これを基準容量を定めるといい。この場合、基準容量をPbにした。
%Zbは基準容量がPbなのでそのまま、
基準容量に換算した%Za'は%Za'=%Za・Pb/Paとなることがわかる。
基準容量を適当に定めると計算しやすい。
＊普通、変圧器のパーセントインピーダンスはその変圧器の定格を基準に定めている。

(2)は、どちらかの変圧器が定格容量いっぱいまで使用したとき、もう片方の変圧器の容量を求めればいい。
同様に上記PAの式を使って計算すればでる（負荷を増加させた場合どちらが先に定格容量になるかを考える）

多重範囲電流計の問題です。
解き方と答えを教えてください。お願いします・

問：内部抵抗が50[Ω]、最大目盛りが1[A]の電流計がある。
これを図のように5[A]、15[A]まで測定できる多重範囲電流計としたい。
このとき分流器の抵抗値r1,r2をそれぞれ何[Ω]とすればよいか。

図
　　　　　Ra=50Ω
┌───電流計───┐
│　　　　Im=1A　　　　　│
│　　　　　　　　　　　　　│
├─r1──┬──r2─┤
│　　　　　　│　　　　 　│
○　　　　　　○　　　　　 ○
+　　　　　　15A　　　　　5A

>>710
下図のように場合分けする。

図 1
　　　　　Ra=50Ω
┌───電流計 --─-┐
│　　　　Im=1A 　　　　 │
│　　　　　　　　　 　　 　│
├-----　r1 + r2　　---┤
│　　　　　　　　　　　　　│
○　　　　　　　　　　　　　○
+　　　　　　　　　　　　　5A

図 2
　　　　　Ra=50Ω
┌───電流計───┐
│　　　　Im=1A　　　　　│
│　　　　　　　　　　　　　│
├─r1──┬──r2─┤
│　　　　　　│
○　　　　　　○
+　　　　　　15A

図1から

>>710
図
　　　　　Ra=50Ω
┌───電流計────┐
│　　　　Im=1A　　　　　　　│
│　　　　　　　　　　 　　　　│
├─r1───┬─ ─r2─┤
│　　　　　　　│　　　　　 　│
○　　　　　　　○　　　　　　 ○
+　　　　　　　15A　　　　　　5A

途中で送ってしまってスマソ

>>710
下図のように場合分けする。

図1
　　　　　Ra=50Ω
┌───電流計───┐
│　　　　Im=1A　　　　　│
│　　　　　　　　　　　　　│
├───r1＋r2───┤
│　　　　　　　　　　　 　│
○　　　　　　　　　　　　 ○
+　　　　　　　　　　　　　5A
図2
　　　　　Ra=50Ω
┌───電流計───┐
│　　　　Im=1A　　　　　│
│　　　　　　　　　　　　　│
├─r1──┬──r2─┤
│　　　　　　│
○　　　　　　○
+　　　　　　15A

フルスケール時の電流計端子間電圧
Em=Ra×Im
から
Em=50×1=50(V)

図1から

(r1+r2)(5-Im)=Em
r1+r2=Em/(5-Im)=50/(5-1)=12.5(Ω)
r1=12.5-r2　　…(1)

図2から

(15-Im)×r1=Em+Im×r2
(15-1)×r1=50+r2
14×r1=50+r2
　(1)を代入して

14×（12.5-r2)=50+r2

r2=25/3
　(1)より
r1=25/6