☆電気･電子の宿題,試験問題ｽﾚ☆7

　　　　〃⌒ ⌒ ヽ ｡ 　 .　　・マルチポスト厳禁！
　　　 ｨl　ｆノﾉﾘ）））ﾊ)　 |　　・質問する前に、必ずググりましょう。
　　く#彡||　i 　i　|ﾘ　　 |　　・回路図，前提条件など、情報は多く出しましょう。
　 　 〉|　.||､~ヮ~ノ|| 　 ∩　 ・宿題／課題の丸投げ禁止！
　　 /_|〃||〈`只´〉| ./~ﾟ/　　 　 これは□なので△だと思いますが合ってますか？
　 　／　、§､ ノ ）V　/　　　　 みたいな聞き方だと、レスを貰い易いでしょう。
　　（.　く 〉.0 ｡|　.|､__./　 　 ・先輩が同じ質問をしているかもしれません、
　 　 ヽ｡(○''.｡|　.|　　　 　 　 　 同時期の過去スレも覗いてみましょう。
　　 ／￣￣￣￣￣￣ ／|. ・>>980 踏んだら、次スレ立ててネ？
　／　　　　　　　　　.／　.|＿＿＿＿Ｅ[]ヨ＿＿
　|￣￣￣￣￣￣￣|　.　.|

●用語検索とかのリンク●
ウィキペディア
http://ja.wikipedia.org/
ＣＱ出版社
http://www.cqpub.co.jp/term/
マキシム・ジャパン(株)
http://japan.maxim-ic.com/ （-> 電気/電子用語集）
ＩＴ用語辞典 ｅ−ｗｏｒｄｓ
http://e-words.jp/
●過去スレ●
☆電気･電子の宿題,試験問題ｽﾚ☆6　　　　　　　　　　　　(2006.4.10-2006.10.30)
http://science4.2ch.net/test/read.cgi/denki/1144621843/
☆電気･電子の宿題,試験問題ｽﾚ☆５　　　　　　　　　　　 (2005.8.5-2006.4.10)
http://science4.2ch.net/test/read.cgi/denki/1123167841/
☆電気･電子の宿題,試験問題ｽﾚ☆４　　　　　　　　　　　 (2005.2.12-2005.8.5)
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1108187838/
電気・電子の宿題，試験問題スレ　　　　　　　　　　　　　　(2004.10.3-2005.2.11)
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1096793513/
☆電気・電子の宿題，資格試験問題は俺に任せろ２☆　(2004.6.4-2004.9.29)
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1086341892/
☆電気・電子の宿題，資格試験問題は俺に任せろ２☆　(2004.5.30-2004.6.1　即死)
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1085928904/
☆電気・電子の宿題、資格試験問題は俺に任せろ！☆　(2004.1.25-2004.5.30)
http://science3.2ch.net/test/read.cgi/denki/1075015019/

●関連スレ●
【電気】理論・回路の質問・雑談【電子】 Part3
http://science4.2ch.net/test/read.cgi/denki/1139102414/
◆【ﾓｰﾀ】電力・電気機械の質問･雑談4【発電機】
http://science4.2ch.net/test/read.cgi/denki/1146492259/
［理系板］
もの凄い勢いで誰かが質問に答えるスレ@理系板@29
http://science4.2ch.net/test/read.cgi/rikei/1160313527/
［物理板］
■ちょっとした疑問や質問はここに書いてね67■（←要、>>1 熟読）
http://science4.2ch.net/test/read.cgi/sci/1160743976/

>>1 乙

age

age てなかった．．．　orz

レーザーと炎色反応と普通の電球の
発光のメカニズムの違いが分かりません。
どれも分子或いは原子を励起させて
基底状態に戻るときに放出する光ではないのでしょうか？
それなのにここまで放出される光に違いが
あるのはなぜなのでしょうか？

マルチは放置されるよ

>>6

いや、向こうのスレの人にこちらに
誘導されたのですが。
そのことはちゃんと向こうのスレでお伝えしたのですが。

なら「どこどこから誘導されてきました」と断れよ

>>5 >>7

まあ、詳しくは図書館に駆け込んで文献を読んでもらうのが
一番なんだが・・・・

炎色反応・・・とりあえずは>>5の｢分子或いは原子を励起させて
基底状態に戻るときに放出する光｣でほぼ正解

レーザー・・・単に光らせるだけではだめで、｢誘導放出｣という
現象を応用して、タネとなる光を｢増幅｣させてとりだすことが必要。
このことにより初めて光は波長だけでなく位相までそろう。

電球・・・これは｢熱放射｣と呼ばれる。
熱を帯びた物質の原子が振動することにより、その物質から
エネルギーが電磁波(可視光はそのごく一部)のかたちで
放出される現象。
電球の場合、熱を帯びたフィラメントが電磁波(可視光を含む)を
放出するわけだが、この場合の熱というのは、フィラメントを流れる
電流と、フィラメント固有の電気抵抗によって発生するジュール熱
のこと。

色々調べているのですが、よく分からない問題があるのでよろしければヒントお願いします・・・

問：トランジスタの問題点を調べよ。

丸投げは禁止事項だ

では、これでいいでしょうか？

問：トランジスタの問題点を調べよ。

回答：熱問題が出る。
どうですか？

> 問：トランジスタの問題点を調べよ。

回答：バカすぎる人間や、言葉を理解することが出来ない人もどきでは
理解することも使うこともできない。

トランジスタにも種類があるのに問題点を述べよって

>>12
えらく大雑把な質問ですね。
>>14 のいう様にトランジスタには複数の種類があるので、それ等を列挙し、
それぞれに問題点（他の素子に比べて劣る点）を挙げるのが回答の仕方かと。
これで回答の仕方はわかったので、あとは教科書やトランジスタ関係の本を
図書館で借りてくればＯＫですね。

>>10

　鼻からブラ下げていると、「鼻毛伸びてるよ」といわれる。

>>5 レーザー発光を理解するためのキーワードは、「電子」と「光子」と「反転分布」と「誘導放出」。

　　　・電子が励起されるのは、何らかのエネルギーが印加されることが必要。
　　　　従って、強い光を照射することでも励起される。

　　　・しかし、光を照射することで、逆にエネルーギー準位差に相当する光子を放出して
　　　　基底状態に戻る物理現象もある。　それが「誘導放出」で、レーザー発光はまさに
　　　　これを利用している。

　　　・この「誘導放出」は無条件に起きるわけでは無い。　その条件が「反転分布」で
　　　　それは自然なエネルギー状態に比べて、励起状態にある電子が多数存在するような
　　　　状態をいう。　そして、レーザー発光の場合、特定のエネルギー準位に集中して
　　　　励起された電子が多数存在する必要がある。

　　　・その状態は、あたかも降り積もった雪の山のふもと付近が、春の気温上昇で溶け始め
　　　　今にも雪崩を起こしそうな状態に等しい。

　　　・そこに、その特定のエネルギー準位差に相当する光子（Ｅ＝ｈν）が
　　　　照射されると、同期するかたちで光子を放出し電子が基底状態にもどる。

　　　・この場合、放出された光子による光の波は、当然周波数は同じになるし位相も同じに
　　　　なるように出る。　こうして、トリガとして照射された光は、それと同一周波数同一位相のより
　　　　振幅の大きい光に増幅されることになる。

　　　・しかし、「誘導放出」のような物理現象が起きるのかについてのより詳しい説明については
　　　　ワタスも勉強不足のわかりません。

僕は応用化学科の一年なんですがこの前物理実験でトランジスタの実験があって
その実験のときにV-I特性曲線と負荷直線との交点の意味を答えろって言う問題
を出されたんですがまったくわかりません・・・
ググッて動作点だってことはわかったんですが動作点の説明がいまいちわからなくて
困っています。どなたか説明お願いいたします。

VerilogHDLを用いてMINIPSを作成しています。
この状態から命令・それに伴う回路を最低ひとつ分加えて、どんなプログラムでもいいので
この状態で流すより実行サイクル数が短くて済めばそれで正解という課題です。
左2ビットシフトが楽と言われたのですが、
命令の組み込み方やそれを有効に使えるプログラムが分かりません。
2bit sifterやALUといった各モジュールは既に用意されています。

命令表、この空いている所を使って命令を割り当てます
http://www.za.ztv.ne.jp/yosi-h/v6010004fffaf0.jpg

回路図
http://www.za.ztv.ne.jp/yosi-h/v6010007fffaf0.jpg

汎用のCPU（8085 or Z80）とワンチップマイコン（PIC16F84）との違いって
何ですか？

>>20 汎用かそうでないか、ワンチップかそうでないかだろ。

>>19
現状、そのALUで行える操作には何があるのかね？

>2bit sifterや
そもそも何の為にあるか理解してるのかすら怪しい…
授業出てた？

>>22
そいつ、先月あたりから同じような質問をあちこちに貼ってるヤツだよ・・・
レスしても何の反応もなし。
相手にするな。

>>20
汎用のCPUは文字通りCPUのみ。
ワンチップマイコンはCPU＋メモリ−＋周辺機能＋etcまで内蔵している。

こんなのでどーよ。

>>22、>>23
そのまま使える答えそのものだけが必要です。
能書きは一切不要です。

>>23
了解。

あちこちに貼りすぎてどこに貼ったか憶えてないんだろうな。

>>25
いや、横からそんな妨害レス入れなくても、>>19 がこちらの質問に
答えてくれないと、こちらも答え様がないからｗ

並列共振回路の実験レポートで
I,IL,ICの理論値を求めなければならないのですが、
求め方がわかりません。誰か教えて下さいorz

測定値は、電圧VI、VL、VCを測定して、家で電卓で下記の計算をして
I=VI/R1=V1/100←R1=100Ωの抵抗
IL=VL/0.5←0.5Ωの無誘導抵抗器を接続している
IC=VC/0.5←
求めたのですが。

>>28
判りにくい、測定回路図晒せ。
あるいは、AAで書け。
そうすれば、誰かが答えてくれるかもしれない。
測定時だけ抵抗を入れたのか、あるいは二つの抵抗は入れっぱなしなのかはっきりしない。

ディジタル信号処理についてですが
周期信号x(t),y(t)の畳み込みとして
h(t) = x(t)*y(t)、g(t) = x(2t)*y(2t)としたとき
g(t) = A h(Bt) のA,Bはいくつになるでしょうか。

f(s)＝α{ωcosθ＋(s＋β)sinθ}/(s＋β)＾2＋ω＾2
の極と零点は？

なんですけど、
極は(s＋β)＾2＋ω＾2＝0でs＝−α±jω
ここまでは解けました
零点は自分の計算ではα{ωcosθ＋(s＋β)sinθ}＝0でs＝−ωcotθ−βとなり

答えを見ると−ωcotθ/βとなっておりどうしても導き出せません
どこか間違っているのでしょうか？よろしくお願いします

トランス（変圧器）の１次コイルに過大な電流が流れると
鉄心が磁気飽和となり、励磁インピーダンスが低くなる。

と書いてあるのですが、どうしても意味がわかりません。
どういう意味なのか？また励磁インピーダンスが低くなる
ことによってどの様なことが起こるのか教えてください。

ヒステリシス

>>31
式をきちんと記述すれば解いてやるよ
ポールはs=s_iのときfの分母が0になるs_i
ゼロはs=s_jのときのfの分子が0になるs_j

SiやGaAsを基板としてヘテロエピタキシャル成長させた物質をいくつか上げて、
その格子定数と結晶構造を述べよ。

という課題なのですがどう調べたら良いのかも見当が付きません。
参考になるサイトや、ググルﾋﾝﾄ等を教えていただけませんかー。

JFETって何よ？

接合型電界効果三極子

>>34
式は
f(s)＝αe＾−βt sin(ωt＋θ)です
をラプラス変換しました

E=xi-yj(E、i、jはベクトル)の電気力線と等電位線を求めよ

という問題なんですが、求め方が分かりません
検索にはシラバス関係しかでてきませんし
教科書にも求め方も載ってないです…

>>39
おまいさん、これ5秒問題だよ。
ヒント：
1. 任意の点 (x,y)でベクトルEの大きさと向きは？
2. 電気力線と等電位面（線）の関係は？
3. 電界とポテンシャルの関係は？

コイル一つに交流電源をつないだときに、共振が起こるのは何故か
という問題なんですけど、コイルには実際には損失があるからLR回路になる
というのはわかるんですけど、インピーダンス計算してもR+jωLで共振が起こるようには見えないんですが…
どなたかよろしければ説明お願いします

浮遊容量

抵抗がギザギザの線じゃなくて
インピーダンスのごとく□であらわされるようになったというのは事実ですか？

>>43
その通りです。JIS C 0617 (IEC準拠)
ここあたり参照
ttp://www-lab.ee.uec.ac.jp/text/misc/jis/index.html

あたしゃ、この記号嫌いです。

工房の教科書や入試問題見たらガッカリしたがまさかJISで決まったとかｗｗｗｗ
どうしてわれわれ工学屋に多数決をとらなかったんだ！？

>>45
多数決というか・・・ちゃんとした手順で決まったもんだからね。個人的には嫌いだけどしょうがない。
国際標準(IEC 60617)に準拠せざるをえない現状だしね。
ちなみに、IEC式の味も素っ気も無い図記号になった一つの理由がCADとの整合性（CADで書きや
すい）かららしい。（でもなぁ、抵抗はギザギザが素敵だったし、ダイオードの中身は塗りつぶしが
よかったのに・・・)

ただの記号だろ。ばかばかしい

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　　　　　　{ ﾉ　　　"'ゝヽ-i´￣（￣｀ー-‐´￣） ヽ　　　　＼　　　　　　　　　　／
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>>44
( ﾟДﾟ)ﾎﾟｶｰﾝ

で

トランジスタシンク出力では、リレー出力に存在しない＋Vの接続が必要である。
この理由を考察せよ。
また、このために発生する利点と欠点をまとめよ。
（トランジスタに必要な接点について調べて、考察する。）

っていう課題がさっぱりわからなくて困ってます。
誰か助けてください！

設問がおかしい！
何を要求しているのかよくわからない⇒日本語がおかしい（トランジスタに必要な接点について調べて、考察する。）
装置外部にON-OFF信号を受け渡す場合に、通常トランジスタシンク出力、またはリレー接点出力の二通りが使用される。
トランジスタの特徴
低消費電力・小型・高速・超寿命、ただしグランドを共通にする必要があり回路的な絶縁ができない
絶縁が必要な場合はフォトカプラを使う
リレーの特徴
絶縁ができる、高電圧・大電流が可能、低速・機械的寿命が100万回程度

>>51
毎年11月後半に出題される恒例の宿題ですね。

教科書や授業中の板書などで
(・・・ここまで説明してきた、○○システムについていえば、)
という部分が
>トランジスタシンク出力では、リレー出力に存在しない＋Vの接続が必要である。
の前に必須で、省略不可です。
この部分を書かなくて良い(重要な事ではない)と誤判断しているから解らない
というのも含めて恒例行事。

リレー接点にしても駆動対象側の回路中に電源は必要であり、
どの様なシステムでも
>トランジスタシンク出力では、リレー出力に存在しない＋Vの接続が必要である。
かというと、そんな事はありません。

それを踏まえた上で、次を読んでみることをお勧めします。
ttp://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=1085773

すいません、すみません。
正しいのはすみません、ですよね？

現実で、すいません。っていう人が居ますが特に問題はなく？（こいつ知らないのかよｗ　みたいになりません？）

たばこをすいません、って言いたいんじゃないの。

すいませんといいつつすうたばこ

コイルの抵抗値は直流電流より
交流電流を流したときの方が大きくなるのはなぜでしょうか？
磁場を用いて説明せよ、と言われたのですが…。
よろしくお願いします。

抵抗　⇒　インピーダンス　じゃないの？

>>58さん、訂正ありがとうございます。
間違えていました。
×　抵抗
○　インピーダンス

電力の講義なら表皮効果でいいと思うけど自信が無い

工事担任者の試験なんですけど、応答の意味わかりますか？

宿題ではないのですが、
私今、研究で薄膜半導体を作製しています。
そこで、基板に石英ガラスを用いているのですが、
２０度〜３０度付近に大きな回折ピークが見られるのです。
これが石英ガラスによるバックグラウンドのピークだと言うのは解るのですが、
何故このようなピークが観測されるのでしょうか。
ここでよいのか解りませんが、解る方いましたらよろしくお願いします。

物理板のほうが適当だと思う

なるほど。
移動して見ますー。
ありがとうございました。

論理回路の問題です。

ある3桁の8進数を7進数にすると、元の8進数の数字の並びと逆になった。
この数を10進数で示せ。

64x + 8y + z = 49z + 7y + x
63x + y - 48z = 0
とかやってみましたが糸口がつかめず…orz

つ【総当り】

>>65
等号（=）で表せる物だけでなく、それ以外の方法で表されるx,y,zの条件を考えてみたら?

>>65
10進 : 220
8進 : 334
7進 : 433
になると思う。

3桁の8進、7進なのでx,y,zの条件は
x : 1から6
y : 0から6
z : 1から6
になる。

63x + y -48z = 0
を見て、63x-48zをなるべく0に近い数にして、y(0から6)で調整できると思った。

63x - 48z = 0のとき、xとzの比を考えると
x : z = 48 : 63
= 0.76 : 1
= 1.52 : 2
= 2.28 : 3
= 3.04 : 4

x : z = 3 : 4　として、後はyで調整する。

63 * 3 + y - 48 * 4 = 0
y = 3

式見てぱっと思いついただけのやり方なのでもっといい方法があるはず。

初心者板で聞いたら、宿題スレに誘導されました。
　
磁界の発生のしかたを言葉で教えて下さい

「ぶぅを〜〜〜〜ん」って感じで発生します

この世界はそうなってる
神様のせいにしても可

>>69

磁界？そんなもんは存在しないよ。ある系の電場を別の慣性系から見たときの場を
磁場と称しているだけ。磁気単極子が見つかるまではこの説明でOK。

>>69 なんか言葉が足りないんだと思うよ
永久磁石？電磁石？

∫_S ↑D･d↑S=Q
がガウスの定理によって
div↑D=ρ
となるらしいんだがわからない
QがS内の全電荷、ρが体積電荷密度というわけだがこれらがよくわからない

>>74
左辺にガウスの積分定理を適用、右辺の全電荷量は電荷密度を領域内で体積積分した
量であることを考えれば自明。
これで判らなきゃ、来年もう一回基礎からやりなおせ。

レポートの計算値で11.02×10^-9[F]という値が出ました。
[nF]というのを聞いたことがないのですが、使わないほうが無難でしょうか。
この場合、[uF]と[pF]のどちらを使うのが適切でしょうか。
お願いいたします。

>>76
昔の表記だと１ｎＦ以上なら［μＦ］で以下なら［ｐＦ］だったけど、
無用に桁数が多くなって誤記、誤読するから今は普通に［ｎＦ］でいいんじゃね。
実際の製品だと［ｐＦ］単位だけどね。

図書館等で調べても探し方が悪いのか
見つからなかったので教えてくださいorz

デシュヌー効果ってどんな効果ですか？

センサ工学で出された課題なんですが。
板違いでしたらすみません。

ぐぐれ
表現を変えてみればいい

デをディにしてみたり、シュをシにしてみたりしたんですが
検索にかかりませんorz

どなたかこうやって検索すれば？や
こういう効果等分かる方お願いします＞＜

出題者にアルファベットでどう書くのか聞いちゃダメなのかい？

それがカタカナ表記で出されて、聞いたんですけど
調べるのも勉強だからと。。。

>>82

｢デシュヌー効果｣というのがセンサ全般で使われる言葉でもないだろ。
センサにも色々あって、圧力センサとか温度センサとか・・・それだけでも
わかっているなら>>82が自ら掲示板で示して
｢○○センサに使われているらしいデシュヌー効果って・・・｣という具合に
質問するのが良い。

それでも駄目なら、図書館(大学や専門学校のほうがいい)に駆け込んで
｢理化学辞典｣や｢○○ハンドブック(・・・ハンドブックという書名とは
裏腹に非常に分厚い書籍がほとんど)｣の類を調べるしかないだろう。

ちょっとこれ解いてみてくれないか？

∫sinhx dx

coshx+C

すばらしい

回路をVerilog-HDLで記述する問題です。
資料をあさったりして一部頑張ってみたのですがけっこうさっぱりで辛いです。
続きをお願いできれば、と思いますorz

http://www.za.ztv.ne.jp/yosi-h/img001.jpg

module kadai(clk, inp, outp);
input clk;
input [7:0]inp;
output [7:0]outp;

reg [7:0] r1, r2;

always @ (posedge clk) begin
r1 <= inp;
end



endmodule

>>85-86
ｵﾓﾛｲ

ツェナダイオードとダイオードの相違点を教えてください！！できれば、�D個ぐらい…お願いします。

667 名前：774ワット発電中さん[] 投稿日：2006/12/05(火) 21:35:00 ID:0UIoU3PZ
ツェナダイオードとダイオードの相違点を教えてください！！できれば、�D個ぐらい…お願いします。

宿題で『非線形光学デバイス』っていうものがでてきたのですが、
これは何なのでしょうかー。
できれば解りやすいように例を上げていただけると嬉しいです。
よろしくお願いします。

>>91
ttp://www.opt.ip.titech.ac.jp/room1/research/nlo.htm

>>92
レスありがとうございますー。
非線形工学はよーくわかりましたが、
非線形工学デバイスとは具体的にどんなもののことなのでしょうか？？

宿題で「直流電位差計の測定範囲を超える大きな電圧を測定するにはどうしたらよいか
また、直流電位差計による電流および低抵抗を測定する方法を調べよ」
ってのがでたんです。高校1年にだされた問題ですからみなさんにすれば簡単かもしれませんが、
教えていただけないでしょうか？調べるにも本がないので調べれないのでお願いします。

>>94
つ　オームの法則

>>94
>高校1年にだされた問題ですから
その時のノートと教科書はどうした？

>>94
ホイートストンブリッジ

今宿題で出されてるOTL電力増幅回路の項の問題について聞きたいのですが。
「最大出力電力について説明せよ」という問いに対して、
「(出力電流)*(出力電圧)で出力電力が求められる。だが、出力電流を上げすぎると出力電圧が下がるので、出力電力には限界がある。これを最大出力電力と言う」
と答えたら、「その限界を超える方法があります。もし超えた場合、回路等はどうなりますか？」返されました。
一応教科書やネット等見てみたのですがよくわかりません。
どなたか教えていただけないでしょうか？

>>98
http://science4.2ch.net/test/read.cgi/denki/1102774251/

ふざけた質問するな
なにがOTLだ

orz

>>100
ふざけてないですよ
OTL回路って普通にありますよね？
なんでキレてるんですか？

顔文字の方思い浮かべてキレてるなら2ｃｈに毒され過ぎですよ気持ち悪い

ああ、課題の方は出来たのでもういいです

http://science4.2ch.net/test/read.cgi/denki/1102774251/
このスレがこの状況じゃなぁ･･･

>>102
うざい
しね
きもい

電気の問題集の問題でわからないところがあったのでお願いします。

相電圧200Vの対称三相交流起電力をY結線にした電源に、Y結線平衡負荷を接続した。このときのa相の線電流Iaが3-ｊ4Aである。
Ib,Icを求めなさい。

自分で解いてみたら答えは大体Ibが1.96+ｊ4.6、Icが-4.96-ｊ0.595になったんですが解答を見たらIbとIcが逆の値でした。どちらがあってるんでしょうか？

なにIbIcって
ヒト馬鹿にしてるの？

ベース電流とコレクタ電流ｼﾞｬﾏｲｶ？

Ib、Icっていうのは三相交流の第ニ相と第三相の線電流のことです。
言葉が足りずすいません

> OTL回路って普通にありますよね？

Output Transformer Lessで

あーもしかしてBTL接続の話か？な。
電源電圧の制約の多い、電池ものとかカーオーディオとかで使うね。

アーステスタの原理を教えて下さい。よろしくお願いします。

次の３つの問題の答えをお願いします

X(jω) = 2j, 0<ω≦π
X(jω) = -2j, -π<ω≦0
の離散フーリエ逆変換

x[n] = sin(nπ/3 + π/4)
の-π≦ω≦πの領域での離散フーリエ変換

x[n] = δ[n+2]-δ[n-2]
の離散フーリエ変換

なぜ接地抵抗は１０ｍ話して接地するのですか？お願いします。

>>111
電流を流す→電位差を計る→接地抵抗を計算する

>>113
そういうことになっているから

オープンコレクタ型TTLの出力同士をつないでワイヤードANDが実現できる理由と、
トーテムポール型TTLではワイヤードANDが実現できない理由を教えて下さい。
お願いします。

いまどきTTL？
時代はとっくにCMOSだよ

等価回路みろ

>>115
オープンコレクタ　ＧＮＤへのスイッチ
トーテムポール　ＧＮＤへのスイッチ　＋　Ｖｃｃへのスイッチ
と考えて下さい。

ＧＮＤへのスイッチだけであれば、いくらでも並列にしても問題ありませんが、
Ｖｃｃ、ＧＮＤへのスイッチが混在していると、スイッチの組み合わせによっては
ＶｃｃとＧＮＤがショートするので問題になります。

>>113
接地抵抗は地表の測定点から地中の仮想ゼロ点までの抵抗値と考える
また土砂は単位断面積あたりの抵抗値は大きいが地球規模で考えると断面積が巨大だから地中ではゼロΩと考える
接地抵抗を測定するときに電極を10ｍ離すのは、きょりがあまり近いと仮想ゼロ点までの抵抗値ではなく電極間の抵抗値を計ってしまうから
10ｍも離してやると電極間の影響は小さくなって電極と仮想ゼロ点間の抵抗値となる
うろ覚えだが、こんなとこ

半導体のホール係数を理論的に計算で算出することは可能ですか？

半導体の寸法と材質はわかっています。

よろしくお願いします。

R_H=1/qp=-1/qn

銅線でできた一つのコイル温度上昇を、抵抗法によって測定する。今20℃の
時の抵抗値が0.64Ω、温度上昇後の抵抗値が0.72Ωを得たとすれば、温度上昇は
何℃になるか？
ただし、20℃における銅の抵抗温度係数を255/1℃-1として計算せよ。

わかる方　教えてください(ToT)/~~~　　　

ttp://www.uploda.org/uporg615371.jpg

電流増幅率hを持つトランジスタを用いて↑に示す発振回路を構成した。
ここで、X1,X2,X3は全て実数とする。
(a)図のX1,X2,X3の値に必要な条件（バルクハウゼンの発振条件）を求めよ。
(b)(a)の条件を満たすX1,X2,X3をそれぞれコイルもしくはコンデンサによって構成する場合、
可能な回路を全て記し、各回路の発振周波数を求めよ。



http://www.uploda.org/uporg615383.jpg

↑に示すｐｎ接合ダイオードにステップ電圧を印加してスイッチングさせた。
(a)負の電圧から正の電圧への変化するステップ電圧を印加してターンオンさせたとき、導電率変調現象が生じた。
この発生メカニズムをエネルギーバンドモデルを用いて説明せよ。
(b)正の電圧から負の電圧への変化するステップ電圧を印加した時、蓄積時間と転移時間がかかる。
この理由を、エネルギーバンドモデルを用いて説明せよ。

>>122
マルチいくない

>>77
結局[uF]で提出しましたが、再提出をさせない先生だったので
結果をフィードバックできません。
申し訳ございません。

RL微分回路の原理がよく分かりません。
ググってもRCばかりで、数式を使ったものが多くややこしいです。
RC微分回路はコンデンサに電荷が溜っていく様子が
直感的に理解できるのですが、RLの場合はどういうふうに
して微分できるのでしょうか？

RL回路はRC回路の逆
Q=CV
Φ=LI
のため

図書館で基礎電気回路でも借りなさい

http://maniakou.s7.xrea.com/cgi-bin/upload/img/img20061216203503.jpg

Ａ〜Ｂ間の合成抵抗を求めよ。


キルヒホッフ、ホイーストン等で調べたり考えたりしたのですが自分に応用力が無いのか、すでに考えの基本から違うのか解けませんでした。
どなたか回答と解説をよろしくお願いします。

回路図を変形してみろといいかも
AとBを結ぶのが大事

>>130
すいません、思い浮かびません・・・

ホイーストンブリッジでよく表記される菱形の回路図は違いますよね？

>>131
キルヒホッフを習っているなら、それでやってみたら？
A-B間を仮に1Vとすれば電流の逆数が合成抵抗になるから。
ただ、計算量が多いから途中で間違えないようにゆっくりやらないと…

学校で習ってるのかわからないから、使っていいのかわからないけど、
5本のうち3本を変形するやり方（○-○変換）ならキルヒホッフより計算量は少ないかもね。

論理回路なんか嫌いだー

半導体のon判定の方法として、
・ホール効果測定
・金属との接合時、ショットキー接合になるための条件の差を利用する
・ゼーベック効果による熱起電力測定
以外に何かありますか？
よろしくお願いします。

ごめんなさい。
on→pnです。

>>129
キルヒホッフを使うのが基本
3Ωの抵抗を右方向に流れる電流をi(1)
4Ωの抵抗を右方向に流れる電流をi(2)
5Ωの抵抗を右方向に流れる電流をi(3)
6Ωの抵抗を右方向に流れる電流をi(4)
2Ωの抵抗を下方向に流れる電流をi(5)
ここまでで未知数5個

キルヒホッフを利用して
Aに流れ込む総電流=i(1)+i(2)
Bから流れ出る総電流=i(3)+i(4)
よって
i(1)+i(2)=i(3)+i(4)・・・[1]
同様に
i(1)=i(3)+i(5)・・・[2]
i(4)=i(2)+i(5)・・・[3]

さらに各点の電位に着目すると
AB間の電位差(上経由)=3i(1)+5i(3)
AB間の電位差(下経由)=4i(2)+6i(4)
よって
3i(1)+5i(3)=4i(2)+6i(4)・・・[4]
また各合流点での電位から
4i(2)-3i(1)=2i(5)・・・[5]

ここまでで[1]〜[5]の5式が得られた

あとは5元の連立方程式を解くだけ

解けません...orz

ΔＹとか使えばいいんじ もしくわ行列とか

>>138
あーそれそれ
絶対それで解ける

>>132が書いてる。伏字だけどｗ

ここの解説が良くまとまってますね
ttp://home.catv.ne.jp/nn/iijima/lecture_kiso22.htm

若いうちは自力で計算しないと頭が固くなっちゃうよ。
ちなみに答えは4.442…Ω。
もちろん少数じゃなくて分数で答えないと○もらえないと思うけど、
答えがあってるかどうかの確認用ってことで。

数学じゃないんだから小数で答えるべきだろ。

途中で 251 っていう数字出てきませんでしたか？

伝送行列について質問です。
2端子対回路A、Bを従属接続した場合回路全体の伝送行列はA、Bの伝送行列の積になりますが
それが成り立たない場合っていうのはどういう場合があるのでしょうか。

[A,B]≠0

129です。
5.5091.......ってなっちゃったorz
また再計算しなおすのはきついのですが再計算する前に先にとりあえず報告します。

結論から言うと先生の問題ミスでした。
ホイーストンブリッジの問題を出そうとしていたそうですが詳しく説明すると長引くので省きますが
色々放置系のミスがあり>>129のまま出してしまったそうです。
ヒント、方向などを示してくれた方ほんと申し訳ないです＆ありがとうございました。

引き続き１３６さんのを参考に解いて見ますｍ(_　_)ｍ

>>147
>ホイーストンブリッジの

Wheatstone bridge

>>147
> 引き続き１３６さんのを参考に解いて見ますｍ(_　_)ｍ
これこれ、上の方で大勢が書きこしているが、左半分か右半分のいずれかにY-Δ変換（スター・デルタ変換）を適用すれば、速攻で出るだろ。
まあ、変換公式覚えたくなければ別だが・・・

便乗質問で申し訳ありませんが
この方法で計算しても同じ答えになりますでしょうか？
http://upp.sakura.ne.jp/src/upp5176.png

デルタのする場所が違う
ホイートストン橋みたく変形するとわかる

信号処理の問題です。

次の３つのDT信号をそれぞれ離散フーリエ変換したときの
X1(jω),X2(jω),X3(jω)についてX(jω)を用いて表せ

x1[n] = x[1-n] + x[-1-n]

x2[n] = (x*[-n] + x[n]) / 2 　※x*[-n]は複素共役

x3[n] = (n-1)^2 x[n]

すみません。x1とx3は自己解決しました。
x2だけどなたか解方を教えてください。
答えは実数か純虚数になるのでしょうか・・・

100MゲートのシステムLSIの設計生産性を、IP再利用で2倍にするとき
IP再利用率をX％、再利用部分は新規設計のY倍の設計生産性、とするときの
XとYの関係式はどうなりますか？
ご教授お願いします。

2 = xy/100 + (1-x/100)

ごめん間違えた
2 = xy/100 + (1-x/100) + 1
です

>>156
どうもありがとうございます！本当に助かりました！
本当にありがとう！

あのぅ、教えて頂いてもらっといて失礼ですが
>>156の(1-X/100)の項は(1-X)/100の間違いではないでしょうか？

>>158
(100-x)/100 だから 1-x/100 でいいんじゃないかな
2 = xy/100 + 1 - x/100
境界条件を試してみよう
x = 0 のとき y = 1
x = 100 のとき y = 2
どちらも成り立つだろうか？

あれ？ x = 0 のとき y → ∞ かな

>>159>>160
なるほど、Y→∞とすればいいわけですね。
何度もありがとうございました！

ホール電圧の極性以外で
ｎ型かｐ型か判別する方法を教えてください。

　　 　 　 　　　　　　　　　　　　　,',i＞＜iヽ
　 　 　　 　　　　　　　　　　　　 /（(ﾉ_ﾘﾉ）)
　　　 　 　　　　　　 　　　　　　〈《(* 々`ﾉ)　あー・・・
　　　　　 　　　　　　　　　　　　/,　　 つ
.　　　　　　　　　　 　　　ﾌﾞﾘｯ!（_(_　　/
　　 　　　　　　　　　 　　 　　//レヽJ
.　 　　　　　　　　　　 　　 　●
　 　 　 　 　 　 　 _
　　　　　　　　　　|.| ミ
　　　　　　　　　　|.| 　 ミ　　_ 片付けなさい！
　 　 　　.ィ/~~~' 、.　　 　ミ// ∧＞＜iヽ
　 　 、_/ / ￣｀ヽ}　　　　//＜ｶﾞｯ＞ﾉ）)
　 　 ,》@ i(从_从)）　 　 // 　　V* 々ﾟﾉ)　う・・・
　　　 ||ヽ||#ﾟ�听ﾉ||　　 //　 　/,　　 つ
　 　　|| 〈iﾐ''介ﾐiつゝノﾉ　　 （_(_　　/
　 　 ≦ ノ,ﾉハヽ､≧　　　　　 レヽJ
　 　 テ ` -tｯｧ-' テ　　 ●

　　　　　(　⌒　)
　　　　　　l | /
　　　 　,',i＞＜iヽ,'~~~ヽ
　 　 　/（(ﾉ｡ﾘﾉ）⊃￣ヽヽ_, あ"んま"ーーー！！
　 　　〈《(#;々ﾟ;ﾉ(从_从)i@《,　　　　　
　 　　/,　 つ●从`Д´||/||　　
　 　 （_(_　　/　と{ﾐ介ﾐ}つ||
　　 　 レヽJ ≦ノ,ﾉハヽ､≧
　　　　　　　 て` -tｯｧ- ' て

>>162
納品時についてくる検査成績表を見ればわかる。

　あああ

>>164
まぁそういうことじゃなくてね・・・・

過去ログもみれないのか？

ttp://kasamatusan.sakura.ne.jp/cgi-bin2/src/ichi66412.jpg

図の回路で最初にスイッチSを1の端子に接続し、十分時間が経過してからｔ＝0で
スイッチを2の端子に切り替えた。ｔ≧0における電荷q(ｔ)を求めよ

t=0のときi=E/R1+R2 v=ER2/R1+R2
Sを2に替えるってことはi=0になっていくってことですよね
ここから自分の頭じゃわかりませんでした

どなたか回答と解説をお願いします

直リンさせるたぁいい度胸だ
帰れ

間違えた
かさまつさんだった
ttp://upp.sakura.ne.jp/src/upp5206.jpg

よろしくお願いします

まさに外道

Ｒ−Ｌの回路で電圧、電流、レジスタンス、ω、力率がわかっているんですが、
ここからインダクタンスを求めたいんですよ。
どうしたらいいんでしょうか？

>>162
・金属との接続時、オーミックorショットキー
・ゼーベック効果測定時の電界の向き

Ｒ−Ｌの回路

これだけじゃわからん
図寺しろ

AM、FM変調の実験で、100Hz程度の低周波では入力波と変復調後の波の位相がずれず
10kHz程度の波では位相がずれました。
これはどちらも同じだけずれているけど、高周波の方が周期が短いから影響が大きいと言うことであっていますか？

アマテラス降臨！

>>175

ttp://www.wdic.org/w/WDIC/%E6%90%AC%E9%80%81%E6%B3%A2

ttp://www.wdic.org/w/WDIC/%E5%81%B4%E6%B3%A2%E5%B8%AF

>>172
どうゆう回路か知らないけど電圧と電流から回路のインピーダンス求めて、あとはRとωLの関係で求まるんじゃないの？

>>177
質問の文章が分かりづらくてすいません。
100Hzと10kHzの波は両方とも搬送波としてではなく
信号波として使ったんですが、、その場合はどうなりますか？

>>172
電圧(E)、電流(I)は絶対値ですよね。
|Z|=E/I=sqrt(R^2+(ωL)^2)

力率=cosθ
|X|=|Z|*sinθ=|Z|*sqrt(1-力率^2)=ωL

上式をLについて解き、
それぞれ E,I,R,ω または E,I,力率,ω を代入してLを求める。

>>175
搬送波の周波数はどれくらい？
位相がずれた、ずれない は、どうやって評価しているの？

変調後の出力をオシロで見て疎なところと密なところができるかどうかで
判断しているの？

>>179
AM,FM変調の原理とかを理解しているかが気になる
あと信号波と搬送波の振幅・周波数がそれぞれ適切なものでないと
変な波形しか観測されんぞ

変調の原理は理解していると思います。
変復調の実験装置を使っていたので、搬送波の周波数は分かりません
位相の評価は、入力した波形（100と10kHzの正弦波）と
変復調後の波形を比べています。

復調後の波形は正弦波が出力されており、歪んだりはしていませんでした

>>183
搬送波の周波数がわからない変復調の実験って・・・そんなのあり？

>>183
位相のズレは何msecですか？

>>184
低脳大学なんで

>>185
10kHzで50μs位で、100Hzでは確認が出来ませんでした

一つ聞くけど位相のずれを測定するのが実験の目的になってるのか？
あと搬送波の周波数がわからないのはおかしい

すいませんすごく初歩的な問題なのですけど
半径ｒのＮ回巻き無限長ソレノイドの単位長さ当りの軸方向の電磁力って
Ｆ＝(1/2)*μ*π*r^2*N^2*I^2
でいいんですよね？
単位長さ当りに蓄えられる磁気エネルギー＝単位長さ当りの軸方向の電磁力
ってことですか？

次元を調べろ
磁気エネルギではH・A^2

すいません誰かわかる人がいたら教えてください。
問題
最大出力60000ＫＷで落差が160ｍの水力発電所がある。この発電所の最大出力時の水圧管流速が4ｍ/ｓならば、
この水圧管の内径の大きさ（ｍ）はいくらか。ただし、水車効率84％とし、発電機効率を95％とし、水圧管による損失
水頭は7ｍとする。

>>189さん
エネルギーが
Ｗ＝(1/2)*I*Φ＝(1/2)*μ*π*r^2*N^2*I^2
であることは分かるんですが軸方向の電磁力がよく分からなくて･･･

>>190
わかりました！！！

振幅の実効値が10V、周波数80MHzの搬送波を、周波数3kHzの信号波で周波数変調したとき、
最大周波数偏移が30kHzであった。

占有周波数帯域幅 BHz は何kHz か

という問題なのですが、
占有周波数BHz=2(�冉+Pmax)だという事はわかるのですが、Pmaxは30+3[KHz]でよいのでしょうか。
信号はの周波数が3kHZで、偏移を30kHzもとっていいのでしょうか？偏移は搬送波のみの話でしょうか？
だとしたら、Pのmaxとは何なのでしょうか？変動するものなのですか？

上半分と下半分の抵抗値が異なる直方体を、
左端と右端の上半分と下半分の分かれ目の真中にリード線をつけて、
計る場合の抵抗値を求めよという問題なんですが、

直方体の大きさは高さh(m)、奥行きd(m)、幅w(m)、
直方体の上半分の抵抗率は1(m^3)あたりR1(Ω)下半分は1(m^3)あたりR2(Ω)で温度の影響は無視、
上半分と下半分の分かれ目はh/2の高さにあり、
平らな面で接していて接合面には抵抗値はない場合でお願いします。

>>接合面には抵抗値はない
なら0Ωです

>>195
あと接合面は大きさも持ちません

面積が0なんだな

意味不明だ。
接合面の面積がゼロなら一点で接してるのだろうけどそれじゃ直方体にならないぞ。
リード線も付けられないんじゃないか？

上半分と下半分の並列合成抵抗ってことにしてあげるよ

A xor B = (A or B) and ~(A and B)
を標準積和形に変換してください

ド・モルガンの定理

すいません、質問させてください。
今大学1年で物性学について勉強しています。

銅線に1.0[V/m]の直流電界を加えたときの電子のドリフト速度、移動度、緩和時間を求めよ。
銅の抵抗率1.56×10＾8[Ω・m]、電子密度を8.5×10＾28[m＾3]とする。

この問題で、ドリフト速度の求め方は「電流は断面を通過する電気量」ということから
1/8.5×10＾23
でいいのでしょうか？
しかし、抵抗率がどのように関わってくるか分からないので自信がもてません。
アドバイスお願いします。

ググればすぐにわかる

半波整流のコンデンサの平滑回路で
コンデンサに流れる電流の波形はどのようになりますか？

>>204
平滑回路の種類により、流れる電流は変わるんだが・・・・

すいません、
教科書に載ってるような一番popularなやつです。

じゃあ教科書見ろ

なんというやりとりｗｗｗｗｗｗｗｗ

そこらのトランス式のＡＣアダプタ開けてブリッジ半分にしてＣにシャントをカマせて観測してみよ。
特に、負荷を変えるとどうなるか。
また０Ｖの位置をよく見ておくべし。

4096点の出力波形がExcelのデータとして与えられいるんだが、
これは入力波形f(t)、反射波αf(t-τ)の合成波なんだ。
(α：反射係数　τ：遅れ)

これから、αとτを求めて、最終的にはf(t)を図示するという問題なんだが、
どう考えていいのかさっぱりだ。

フーリエやら離散やらz変換を使ってみたがいまいちよくわからん。

一階変数分離型微分方程式
df(t)=-αf(t-τ)dt
をとけばいいジャマイカ？

訂正：αは反射係数でなく、減衰定数だった、すまんそ

合成波が関数として直接与えられているわけではなく、
4096点の離散した観測波として与えられているんだ。

このばあい、df(t)は隣あう２点の差分をとればいいのかな？

離散だったら差分方程式で十分

すまん、わかんないっす･･･orz
差分方程式がたてられません
もう少しヒントください

>このばあい、df(t)は隣あう２点の差分をとればいいのかな？

X

>>57
浮遊容量で検索してみ。

>>102
わろたｗｗｗ

ガウスの法則に関する穴埋めで一箇所分からないので教えて下さい。

問：電荷が一様に分布している場合、(　　　　)が等しい面で電荷を囲み、
ガウスの定理を用いると、電界の強さが簡単に計算できる場合が多い。

「電位」、「電気力線の密度」などと考えましたが、正解が分かりません。
よろしくお願い致します。

電位じゃね?

等電位面だったっけ?

すみません、自分なりに調べたのですが分からなかったので・・・
エミッタ接地増幅回路の入力電力についてです。(´･ω･｀)

ベース・エミッタ間電圧　：　Vbe = Vbias + vi
ベース電流　：　Ib = Ibias + iin

この場合、エミッタ接地増幅回路の入力電力は、
iinとvinの実効値の積でしょうか？
テキストには、iin・vinとなっていましたが、
実効値の積という意味ですよね・・・

ｘ　＝　√(12+√(12+√(12+√(12+√(12+・・・　　　　　・・・）））
ｘの値は？
東大の過去問らしい

7 ^ 7 ^ 7
の1の位の数字は？

「 ^ 」は階乗

>>222
x = √(12 + x)
x^2 = 12 + x
x^2 - x - 12 = 0
(x - 4)(x + 3) = 0
x = 4, -3
ただし x > 0 のはずなので x = 4

>>218

　その宿題を出した教官の意図はよくわからないけど、俺なら｢電荷からの距離｣と答える。
　これは、以下の2つの前提が理解できていれば直ちにピンとくるはず。
(前提１)Qクーロンの電荷はQ/ε本の電気力線を発する。ここでεは電荷が位置する環境の誘電率で単位はファラド/メートル。
(前提２)単位面積を貫通する電気力線の本数を求めることは電界の強さを求めることと同義。
　そこで、さしあたり一番シンプルな例題として、電気量Qクーロンの点電荷から距離rメートルの
位置の電界の強さEを考えてみる。
　この場合｢電荷からの距離｣が等しくなるような面で囲むということになると、必然的に
電荷の位置を中心とする球面を想定すればよい。その半径をrとすれば球面の表面積は4πr^2
したがって電荷が位置する環境の誘電率をεとすれば、Q/ε本の電気力線(←前提１)が
面積4πr^2の面を貫通するわけだから、前提２によって直ちに
E＝Q/ε÷(4πr^2)
となって、煩雑な微積分を使わずに、おなじみの公式が得られる。
　この他にも、前提１および２を理解していれば煩雑な微積分を使わずに電界を求めることが
できる例題が教科書や演習書に記載されているはずだよ。
　たとえば直線状に分布する電荷の発する電界とか平面状に分布する電荷による電界なんかも
煩雑な微積分を使わずに求めることができる。

>>224
大当たり

すみません、英語の問題が出てきて、ちょっと困っているのですが、よかったら教えていただけないでしょうか。
Two seats of emf ε1 and ε2, with internal resistances R1 and R2 respectively,
are connected in parallel with each other and with the load resistance R.

(a) Find the current through the load.
(b) If the load resistance is varied and other quantities kept fixed,
what should R be in order that it dissipate maximum power?

内部抵抗がR1、R2の何か（電源？）を並列に接続するらしいことまでしかわからず、
どうすればいいかもわからず…
丸投げに近い形になってしまって本当に申し訳ないのですが、もし判る方がいましたら、ご教授願えると有難いです…

辞書ぐらい引いてください

了解しましたorz

鄙ｻ險ｳ縺ｮ?ｼｨ?ｼｰ繝壹?ｼ繧ｹ繝医＠縺ｦ險ｳ縺輔＠繧?縺?繝ｼ縺倥ｃ繧薙�?
縺ｨ縺ｦ繧る擇逋ｽ縺?譌･譛ｬ隱槭↓縺ｪ縺｣縺ｦ霑斐▲縺ｦ譚･縺ｦ讌ｽ縺励＞繧医�?

縺薙ｌ?ｾ懶ｾ幢ｾ�
http://science4.2ch.net/test/read.cgi/denki/1103040633/154
crick hire 繧偵�後％縺薙ｒ縺九■繧翫→魑ｴ繧峨＠縺ｪ縺輔＞縲阪□縺ｨ縺ｯ窶･

↑ は、

翻訳のＨＰペーストして訳さしゃいーじゃん。
とても面白い日本語になって返って来て楽しいよ。

これﾜﾛﾀ
http://science4.2ch.net/test/read.cgi/denki/1103040633/154
crick hire を「ここをかちりと鳴らしなさい」だとは‥

アドミタンスコンデンサCｓ＝3.2とあるのですが、
これはY＝JCsと考えてよろしいのでしょうか？
かりに、JωCsとおいた場合伝力円線図がおかしなことになってしまいます

しらねーよ
あと下月文字の書き方を習って来い

下月文字って？

Csって書きたいならC_s

>>219
>>220
>>225
ありがとうございました。

周波数応答H(jω)　=　|H(jω)|　e^(jθ(ω))
実数のインパルス応答h(t)の連続時間線形時不変システムについて
このシステムに，x(t)　=　cos(ω_0t　+　φ_0)を入力した場合
出力は，y(t)　=　A x(t - t_0)となる。

Aを|H(jω_0)|，t_0をθ(ω_0)を用いて表すとどうなりますか？

H=Y/X
ただしX,Yはx,yそれぞれのフーリエ変換

|H|=√{(Re[H])^2 +(Im[H])^2}
θ=tan^(-1){Im[H]/Re[H]}

水晶振動子の高周波等価回路を教えてください

電機子反作用の対策を教えてください

>>240

図書館などで自分で調べたようなニュアンスが感じられない
書き込みなので
却下。

>>241

図書館などで自分で調べたようなニュアンスが感じられない
書き込みなので
却下。

>>243
電機子反作用とは何なのかを調べたんですけど、対策はわからなかったので
教えてくれませんか？

>>242
調べたけど高周波というのが分かりません

知らないままでも良いんじゃない？

>>246
それではだめなので教えてください

あきらめろよ
おまえは工学屋に向いてない

速度V1,V2をもつ電子が同じ平面内にあり、電子間の間隔はL、
電子同士を結んでいる線分と角度αをなしている。速度V1とV2の大きさが共にＶに等しい
としたら、電子が近接する最小距離はいくらか。ただし２つの電子の共に荷電量はe、質量はmとする。

回答をお願いします。間隔Ｌの時と最小距離の時の球のx成分,ｙ成分のエネルギーを考えれば、
保存の法則を用いてなんとかなりそうなんですが・・・。

>>238
亀レスですが解決しました。ありがとうございます。
代入と周波数シフトで
Y=HX=|H|e^(jθ)X
y(t)=|H|x(t+θ/ω_0)
となりました。Xを計算する必要はないんですね‥。

初めまして
いつもお世話になってます
さっそくですがお願いします
特性インピーダンスZ、伝搬時間Tの無損失線路の始端に抵抗R、終端にキャパシタンスCが接続されています。時刻ｔ＝0でスイッチを閉じたとき（直流電流です）時間0から1.5Tについて終点の電位をもとめたいのですが・・・
よろしくお願いしますｍ(__)ｍ

http://zetubou.mine.nu/timer/file/bomber34489_d30.png
http://zetubou.mine.nu/timer/file/bomber34491_d30.jpg
http://zetubou.mine.nu/timer/file/bomber34493_d30.jpg
http://zetubou.mine.nu/timer/file/bomber34494_d30.png
http://zetubou.mine.nu/timer/file/bomber34495_d30.png

半導体工学で「なぜ半導体を精製する必要があるのか」という問題が出ました。
なぜ精製してから不純物を入れる必要があるのですか？
またなぜ多結晶でなく単結晶を使うのでしょうか。よろしくお願いします。

つ　含有率
つ　均一性

自己解決しました。スレ汚しｽｲﾏｾﾝでしたorz

>>254
ありがとうございます。

ラプラス変換で公式として覚えていたL[f(t-τ)]=exp(-τs)L[f(t)]を証明せよという
問題が出たのですが、
手順のヒントを教えていただけないでしょうか。
∫f(t-τ)exp{-s(t-τ)}dt　と、左辺をラプラス変換の公式に当てはめ、
exp(sτ)∫f(t-τ)exp(-st)dt　としてみたのですが、ここからどう進むのか、そもそ
もこのやり方があっているのか分からない状況です。
是非とも、一言手がかりだけでも教えていただけると非常にありがたいです。

t-τ=uとおいて、積分する変数をtからuに変換。
高校の微積分の教科書に載ってると思う。

そうするとラプラス変換の定義そのものを示す積分が出てくる

長文すみません。
ブリッジ両波整流回路の特徴のひとつとして、以下のサイトのブリッジ両波整流の項を参考に、
http://home.highway.ne.jp/teddy/tubes/tips/b360.htm
「入力電圧が低い場合、整流器による電圧の低下が無視できない」
とレポートに書いたのですが、ここでさらに、「入力電圧が低いと無視できなくなる理由」を答なければならなくなりました。

入力電圧と整流器による電圧の低下の比率から単純に入力電圧が低いときは無視できない、と考えていたのですが、
それ以外の理由があるということみたいなので。ご存知の方おられませんでしょうか。

>>260
ダイオードでだいたい電圧降下が0.3〜0.7Vくらいだし
シリコンで考えれば0.7Vかな？Geなら0.3Vだったよね
低下率、だといまいち不明瞭ってことかな？

詳しい人のレスがほしいね

ありがとうございました！なんとかなりそうです。

両波整流だとダイオード2個分だろ

あとはこれかな
http://park15.wakwak.com/~ja1cvf/diy/led-zaclamp/img_1824.0502.jpg

あぁ、不感帯かぁ・・・そうすると平均値も変わっちゃうね
パルスなら問題ないけど正弦波とかだと波形率じゃ補正しきれないね・・・。

>>260
そのリンクにもあるけど教科書にも良く出てくるこの絵は
ttp://home.highway.ne.jp/teddy/tubes/tips/image/basic26y.gif
低電圧のときは現実とかけ離れてるってことですね

>>261-266 早速のレスありがとうございます！また長文失礼します。

何分知識不足なもので誤解していたらごめんなさい。ダイオードは順方向に一定電圧以上の
電圧がかからないと、電流を通さない。これにより、ダイオードに正弦波を入力した場合、正弦波の一定
電圧以下の部分の出力電圧は0Vになる。この入力電圧によらず出力電圧が0Vの部分を不感帯と呼ぶ。

入力電圧が低いほど、不感帯は広がり出力電圧の平均値は著しく下がる。よって入力電圧が低いときは
出力電圧の低下の注意が必要である。全波整流回路では、ダイオードが2つに電圧がかかるので、不感帯
による電圧の低下により注意が必要である。


波形の電圧を入力した場合にはダイオードによる平均電圧の降下は一定でないと考えていいでのしょうか？

雷が広い帯域にわたり雑音を与えることについて誰か教えてください。

色々自分で調べては見たのですが、出てこなくって…。よろしくお願いいたします！

詳しく知らない人間ですが
ぱっと思いついたのが空電現象です。
雷の放電が起こす電磁波ですね
その電磁波の帯域が広いってことかな？

詳しいレスがつくといいですね

実際に雷を浴びて来い

インパルスの周波数成分は無限だから

>>267
たぶん不感帯の意味を良く分かっていないんだと思うよ

http://cgi.2chan.net/m/src/1169303021079.png

面積を比べてみよう

矩形波の場合は省略してるから自分で考えてね

あと半波のときより両波の方がダイオード２個分の損失だけど
不感帯を考えると両波の方が損失が少ないことが分かるから
ダイオード２個だから不利ということにはならないと思う

あー入力電圧によっては微妙なのか
どっちが得なのか臨機応変に考えよってことですね

>>268　雷は急峻な電流波形（時間軸で見て）。
例：ttp://acelion.co.jp/naibu/ent/hakei/hakei.htm

だいたいの波形は時間ｔに対してフーリエ変換すると、
周波数軸上の分布に置き換えることができる。

短時間での単発パルスは、>>271のいうように、広い周波数帯域に
なる。

極端な例として、デルタ関数（t=0のときのみ振幅をもち、
その振幅が∞の関数）のフーリエ変換は、1となる。

これは、どの周波数も等しいエネルギーをもつ意味であり、直流から超高周波まで同じ
周波数軸上のエネルギー密度をもつことになる。→帯域が無限に広いということ。

続き：近似的に雷電流の時間波形f(t)を

f(t)= exp(-αt) t>0
　 　=0　t<0

とすると。周波数上の表現F(ω)は

F(ω)=1/（α+jω）
∴
| F(ω) |=1/√(α^2+ω^2)

となる。これは直流で1/αの強さで、周波数が高くなるほど
振幅が小さくなることを意味している。

続き：実際の雷のスペクトルはさまざまだが、例として
波頭長10μS、波尾長350μS　のモデルにおける雷電流のスペクトル密度は
約300Hzで3dB低下する特性になり、100kHzでも60dBほどの低下となる。

また、実際の波頭長はもっと短いものも多く（1μS以下など）、0.25μS/100μSの場合は
約1kHzで3ｄB低下、1MHｚでも-80dB程度で、実際の観測ではUHF帯まで感度がある。
（ホントX線も観測されているが、これとはまた別の話）

小さい雷である静電気放電では、もっと波頭長が短いこともあり（ｎSオーダ以下）
数十GHｚまで帯域が伸びていることが分かっている。（というか、スペクトルが観測しきれてない）

>>272-274 レス有難うございます！お手数かけます。

自分の前の書き込みは言葉足らずでかなりわかりずらかったです、本当にすみません。
ダイオードの数で比較するのは全波か半波かではなく、ダイオードを2回通るブリッジ型か
1回しか通らずにすむセンタータップ型でした。何回も同じことを尋ねるようで恐縮なのですが、
ダイオードを通る回数が増えるほど、不感帯は広がる（>>272で上の図から下の図になっていく）
と考えて良いのでしょうか。

そりゃそうだ

体積密度ρの電荷で一様に帯電した半径a,誘電率εの誘電体球が真空中にある。
球の中心からの距離をr(ただしr>a)とした場合、rでの電界を求めよ。

という問題なのですが、∫D・ds=∫ρdV　からD(r)を求めてから、
D=εE　の関係からEを求めると思うのですが、誘電率が真空中にあることからε0とεの２つが考えられると思うのですが、
この場合はどうすればいいんでしょうか？

>>280
いってることの意味がわかりません・・・。
r(ただしr>a)なんでしょ？
比誘電率じゃないんでしょ？

>>222 >>224
この再帰的関数に停留点があるとすればそのひとつは
x=4だ、という証明にすぎず、このままでは入試の得点は
半分ももらえない。どの初期値から出発しても極限は x=4に
なることを証明してごらん。高校生なら実数の範囲で、
大学以上なら複素数全域で。

>>281
説明下手なんで、上手く伝わるか不安なのですが・・・

もし一様に電荷の分布した物体が誘電率εの誘電体中にある場合、D=εEで問題ないと思うんですけど、
この問題のときは電荷の分布した物体の誘電率がεで真空中に置かれている事から真空誘電率はε0ですよね？

そういう時、D=εEの関係式で使う「ε」は物体の誘電率εなのか、真空誘電率ε0のどちらなのかと迷っているんです。

↑D=ε↑E=ε_0 ↑E+↑P
↑D：電束密度
↑E：電界
↑P：分極
ε：誘電率
ε_0：真空誘電率

ε=ε_s ε_0
ε_s：比誘電率

>>223
> 7 ^ 7 ^ 7
> の1の位の数字は？
> 「 ^ 」は階乗
階乗じゃなく累乗だろ?

7^2 = 49 は10 で割れば余り9. これは余り-1と考えてもよい。それ
を 7^2 ≡ -1 (mod 10) と書く。よって、
7^7 = 7×7^6 = 7×(7^2)^3 ≡ 7×(-1)^3 ≡ -7 ≡ 3 (mod10).
だから
7^7^7 ≡3^7 = 3×(3^2)^3 ≡ 3×(-1)^3 ≡ -3 ≡ 7 (mod10).
よって一位の数は 7.

>>280 >>283
誘電率というのは局所的性質。この場合、真空の領域の
Eを求めよというのだから、真空の誘電率を使っておけ
ばよい。

>>286
アドバイス、ありがとうございます。

でも真空の誘電率を使用した場合、↑P=0になるのは大丈夫なのですか？

真空中だったら分極は起こらないだろうが

>>287
分極うんぬんは、なぜ誘電体の中で見かけの Eが小さくなるの
かの言いわけみたいなものだから、外側では気にしなくてもよい。

>>288,289
あ、そうか・・・。

すんません、ありがとうございました。

>>280 >>283

r<a
r=a
r>a

で場合分けしろっていう意味じゃないかなぁ

>>285
7^7^7 って
(7^7)^7 じゃなくて
7^(7^7) だと思いますが

>>292
おお、すまんすまん。べき乗演算子は右から左に評価するのか。
7^(7^7) = 7^X とおく（つまり X=7^7）. 7^2 = 7×7≡-1 (mod10)
だから、10の剰余の数体において 7 は虚数単位 j の役割
をしている。7^3=j^3≡3 (mod10)は-j である。
とうぜん7^4=j^4≡1(mod10). あとは、このくりかえし。(4乗を周期)

ということは、7^XのXについては4で割った余りが問題となる。
7≡3≡-1 (mod4)より、X=7^7≡(-1)^7≡-1≡3 (mod4).
つまり7^X≡7^3≡3 (mod10). (-jに相当する数)
答は3である。

>>288
真空の誘電率としてε0が観測されるのは、真空も
分極するのではないかという説がある。いや、だ
からどうしたというわけではないが…。

>>294
なるほど
調査してみよう

半周期(0.T/2)での方形波電圧と三角波形電圧の平均値は
どうやって求めればよいのでしょうか？（最大値はEm最低値を-Em）

方形波→平均値＝波高値
三角波→平均値＝波高地/2
普通に考えてこうじゃない？
求めるんだったらちゃんと積分して半周期で割ればいいし

>>293
ということは
7^7^7^7≡3(mod10)
7^7^7^7^7≡3(mod10)
なのですか？

>>298
うん、7^7^…^7≡3 (mod10) になるみたい。

へー

はじめまして。こういう掲示板に書き込みするの初めてなので…よろしくお願いします。秋月で1.5Vの乾電池で白色発光ダイオードを発光させるキットを買って作製しました。なぜ1.5Vで3V以上の電圧が必要な発光ダイオードを光らせることが出来るのでしょうか？

1.5V⇒3Vになる原理を教えて下さい。これはフライバック電圧というのが関係してるのでしょうか｡｡｡よろしくお願いします。

>>301>>302
色々な方法があるけれど、この場合は多分チャージポンプ方式だと思うよ。
詳しくは「チャージポンプ」でググればオケ。

ありがとうございます。調べてみます！

1：IC(TTL、C-MOS)を用いる際に注意しなければならない点を考察せよ

漠然過ぎてよくわかりませんorz
TTLは電力を食いすぎる、C-MOSは静電気に弱いという感じでいいのでしょうか・・・

>>303
これチョッパ回路じゃね？

>>306
流す電流次第だと思うよ。大雑把な事を言えば、
チャージポンプのDC-DCの方がインダクタを使わない分、小さくまとまるが電流は流せない。
昇圧スィッチング式のDC-DCの方が電流は多く取れる。
10mAぐらいならチャージポンプじゃないかと思うけど、設計者の趣味もあると思う。

あ、スマソ。秋月の555使ったキットってとこ読み飛ばしてた。
これはチャージポンプ式じゃない。英語が読めれば、
ttp://japan.maxim-ic.com/appnotes.cfm/appnote_number/2031
あたりに、とても判りやすく書いてあるんだけど・・・

すいません
レポートでこんな問題が出たんですけど、どうやってもとめればいいですか？
教えてください、おにい。

■電界が E = E_0 exp[-j(kz-ωt)] [V/m] (ただし、E_0 は振幅)で表される平面波が均質媒質中を伝搬している。下記の問題に答えよ。

�@　 ω はなんて呼ぶか。また、周波数fとどのような関係にあるか。
�A　波の位相速度v_pと郡速度v_gはどのように表せるか。
�B　真空中での波長λ_0と媒質の屈折率nをもちいてkを表せ。
�C　媒質の比誘電率ε_rはどのように表せるか・
�D　真空中の固有インピーダンスη_0は何Ωか。
�E　媒質中の波動インピーダンスηは何Ωか。
�F　この時、磁気Hはどのように表せるか。

GaAsにSi加えたらどういう時にドナーとして働いてどういう時にアクセプタとして働くんすか？

>>310
http://science5.2ch.net/test/read.cgi/denki/1166291869/995

>>309
すくなくとも１と２と３は自分でやろうよ・・・。

     。 ＿＿＿＿＿＿＿＿　　　　＿＿＿＿＿＿＿
 　　　　I１　→　　 　　　｜.　　　.｜　　　←　　I２｜
　　　　　　　　　　　　L1　ミ　　　ミ　L2　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　｜　　　　　　　　　｜
　　E　　　　　　　　　　　　−−−　　　　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　　　　　　　　｜　　　　　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　　　　　　　　抵抗R　　　　　　　　 ｜
 　　　　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　　　　　　　　　｜
　　。−−−−−−−−−−−−−−−−−−

この回路にキルヒホッフを適用した場合、
その式は、

R I１＋ｊｗL1＋ｊｗM I２＋R I２＝E
　　　　　　　
R I２＋ｊｗL2＋ｊｗM I１＋R I１＝０

であっていますか？

>>309 微妙なレポートだな。
�@ぐらい自分でやれ
�Aヒント：TEMなので位相速度と群速度は同じ。expの中を時間微分すれば位相速度でるじゃろ。
�Bヒント：c=ｃ0/ｎ　ｃ0は真空中の光速,ｃは媒質中の光速。
�Cヒント：n=√ε/ε0
�D√μ0/ε0≒377
�E√μ/ε
�F略

>>313
jwL1I1
jwL2I2
I付け忘れてるけどそれでオッケーですね
あってますかあってませんかだとどうやったかよくわからないけど
等価回路書けてればだいたいあってます。

>>313　とても惜しい。L1,L2の後にI1,I2をかけるのを忘れている。

ああ、本当だぁ
電流掛け忘れていました。左から見たインピーダンスを求めよとのことなんですが、
かなり汚い式になってしまって憂鬱・・

お二方、有り難うございました

問題解決できました。有難うございました！

すみません、ホール素子について、
4端子素子に（仮に電極(1),(2),(3),(4))
(1),(3)間に電流を流して、表面から裏面に貫通するように
磁場がかかると、ローレンツ力によって電子の
進行方向は変化するまでわかりましたが、
実際、どの方向へ電子が進行していくのでしょうか？

フレミングの左手の法則かな
(1)(2)(3)(4)の配置が問題

Wikipediaでホール効果を検索するか
ホール素子の構造　動作原理　とかでググると良いかも

>>321
Wikiとググって理解できました。
有難うございました!

テレビの供給線の選択を誤り、同軸線の端子に平行2線を接続した、反射係数はいくらか

５０−３００/５０＋３００＝-5/7＝-0.7

であってますか？

>>323
条件不足。
・　どの点で、どちら側からどちら側を見たときの反射係数なのかが不明。
・　同軸線端子の入力インピーダンスは本当に75Ωだったのか(テレビの同軸は普通50Ωじゃなくて75Ω系だよ)が不明。
・　平行2線だけじゃわからん。平行フィーダーは200Ω系と300Ω系が一般的だが、これ以外も作れる。
・　平行フィーダーの先に何が繋がっているか（終端がどうなっているか）が不明。

問題になってない。

>>324
ありがとうございます

プリントの出題にはこれしか書いていないので・・・・
解くための条件が不足しているので解答できない
って書くのは問題ありそうだし、ノートの条件を照らし合わせてみます

光波と異なりミリ波を使用すると雲の上からでも地上を観察できる理由は

雨粒程度の大きさだと波長が近いから減衰するけど、雲の小さい水滴なら減衰は少ない
光波だと雲で散乱現象を起こしてしまう

とりあえず、これだけしかわからないんですがどなたか正しい答えを教えていただけますか

>>326
両方同時

光波における現象は、つまり人間の目で見える可視光での話、つまり
飛行機から雲の向うの地上が見えないのは何故か
雲の向うの太陽が見えないのは何故か
と同じ、
曇の日は晴れの日より暗い=太陽からの可視光が減衰している。
飛行機から雲の向うの地上をみようとすると雲が光っているのが見えるだけ=雲で光が散乱反射している。
つまり両方同時。

次に波長の長い電磁波を考える
極端な話、0Hzの磁場=コイルに直流電流を流す、では間に雲があっても関係ない。
波長が長ければ長いほど影響を受け難くなる(厳密には波長によるムラはある)が
今度は地上の"観測"が解像度的に難しくなる。
ミリ波を使うのは、
雲を通過出来る=波長が長い方が良い
地上を細かく観測=波長が短い方が良い
の間の選択肢の一つ

質問します
抵抗率σ〔S/cm〕,周波数f〔Hz〕,真空の誘電率ε0〔F/m〕の時
比誘電率εrは
　　　　　　εr=100σ/(2πfε0)
　　　　　　　　　　　　　　でいいんですか?

次元を確かめればいいだろ
比誘電率は無次元だから

バイアス抵抗
エミッタ抵抗
コレクタ抵抗
の働きってなんですか？

>>330　回路図が無いと、前提が漠然としすぎて答えにくい。

てきとーに、エミッタ共通（接地）増幅回路（抵抗負荷）という意味で答える。

・バイアス抵抗
　トランジスタを直流的に（ベースに対して）バイアスするための抵抗。
　トランジスタは直流をあらかじめ流しておかないと、素直に増幅してくれない。
　なくても条件次第では十分に動く。

・エミッタ抵抗
　直流バイアスの安定度を高める。
　増幅度を下げる働きがある。
　ベースのバイアス電位を調整する。

・コレクタ抵抗
　出力信号電圧を取り出す。

バイアス抵抗　バイアス電圧を決定する
エミッタ抵抗　ベース電流を決定する
コレクタ抵抗　出力電圧を取り出す

電線の接続方法には終端接続、直線接続ともう一つ分岐接続がありますが
分岐接続について詳しく教えてもらえないでしょうか？

2時間くらいマイナス検索とかでググっては見たんですがどうしてもマニアックすぎたり、製品情報やら書物のページしかでてこないんです。
よろしくお願いします。

>>331
>>332
ありがトン!！

ＲＬ回路の充電放電実験を行い、波形を測定しました。
(1)充電・放電があのような波形になる理由はどうしてか。
(2)放電波形からコイルに蓄えられたエネルギーＷmと、放出されるエネルギーＷ'mを比較すると、Ｗm＞Ｗ'mとなる理由を教えてください。

エミッタ接地増幅回路のエミッタ側に接続される抵抗とコンデンサはどのような役割があるのでしょうか？
お願いしますm(__)m

>>336

>>331を読め。

>>335
丸投げの上に教科書レベル
自分で調べろ

網路方程式と節点方程式の導出ってどうやればいいですか？
キルヒホッフを使うとこまではわかるんですが・・・そこからさきどうすればいいのかわからないもので・・・
お願いします

ボード線図についての質問です。よろしくお願いします。

図は描けたのですが、一次遅れ要素の位相特性を折れ線近似をするとき、
ゲインカットオフ角周波数の1/5倍で０(deg)と接線を持つのは何故なのでしょうか

あるコンピュータの処理能力が2MIPSで、1回あたりのページング処理に
5000命令が実行され、その実行時間は2.5ミリ秒である。ページングに
要するオーバヘッドが全体処理能力の5％であったとき、1秒あたりの
ページング回数として正しいものはどれか
ア　5
イ　20
ウ　250
エ　400

答えはイ 20　
1秒間の処理におけるページングに当てられる時間は50ミリ秒
(1秒×5％)となる。1回のページング時間は2.5ミリ秒なので
50ミリ秒/2.5ミリ秒=20となり1秒間に20回のページングが可能となる。

と解説されていましたがよくわかりません。
オーバヘッドが5％と言っているのになぜページングにあてられる時間が
1秒の5％と言えるのかわかりません。

次の問いに答えよ。ただし真空の誘電率ε0は、1/(36π)×10^-9[F/M]とする。


1.真空中の点OにあるQ1=7.3×10^ｰ6[C]の点電荷からでる電気力線の総本数Nを求めよ。

2.またこの点電荷より、距離r=50[cm]離れた点Pにおける電界の強さを求めよ。
3.点Pにおいた正電荷Q2=2.8×10^ｰ6[C]に働く力の大きさを求めよ。

分かる人いたら計算過程まで教えてください。よろしくお願いします。

作図すればわかる問題

>>339
そのまんまだよ。
> 網路方程式
電圧の和=0：第二法則
>　節点方程式
電流の和=0：第一法則
・・・・後は、教科書の例題見ろ。

>>342
・・・・なあ、何で教科書見ればすぐわかる問題を丸投げするかな？

>>342
教科書見ても分からないのです。教えてください。お願いします＞＜

むしろ物理のやうな‥
高校でもやったような。

>>346
> 教科書見ても分からないのです。

それなら自分の進路について真剣に再考したほうがいい。
教科書に載っている公式にあてはめればいいだけなのに
｢教科書見ても・・・｣というのは文盲かな？

>>348
まぁ、この時期は試験の時期だからね
明らかに丸投げは適当にスルーか追撃すりゃいいんじゃないかな

>>339

まあ、全て>>344で言い尽くされているのだが、
キルヒホッフの法則を使いこなすには、ひたすら
教科書や演習書の例題を数多く解くこと。

遠からず貴方は、キルヒホッフの法則を自明のものと
して数多くの回路を勉強することになるわけで
わからないままにしておくと、そこで非常に困ることになる。

>>341
それ、なんかの公的な試験の問題なのか？
もし学校の講師が作った問題ならオーバーヘッドの意味を間違えて・・・？

磁束密度の式教えて下さい

アンペールでもビオサバールでもなんなりとお使いください

>>341は
テクニカルエンジニア　エンベッデッドです。
もしかしてスレちがい？？

↑B=μ↑H

CB形とPF・S形の違いを教えてください

変圧器の設計をやってます。
二次巻線のターン数を求めるところなんですが、『両足に巻くことを考慮して巻数を仮定する』
この文はどういう意味なんでしょう？
４８．８ターンとなれば４８に、１８．６ターンとなれば１８でいいんでしょうか？

>>356はマルチ

>>354
>テクニカルエンジニア　エンベッデッドです。

だったら、もう「そういうもん」としてパターンで覚えておけばコトは足りる。

>>341==354
プログラム技術の板があるからそちらへどうぞ

「ページングに要するオーバヘッドが全体処理能力の5％であったとき」
ってのは
「ページングのために許される、本来の計算に寄与しない無駄な時間が、全体処理能力の5％まで許されているとき」
と読み替えるんだよ。そしたらＣＰＵタイム１秒の中でその５％の
５０ミリ秒が、ページングのために使っていい時間だ、ってすぐわかるろ？

>>360　時代遅れの認識では？
発言規制をやめるべきでは？
プログラムとハードウェアの境界は融合状態になっている。
たとえばVHDLのようにハード論理設計がプログラミング言語で書かれ
論理回路自動生成、自動配置配線はコンパイラ・配置配線ツールで
できるまでになっている。
アナログ回路設計にパソコンのspice利用はさかんだ。
こうした状況を踏まえたうえはもちろん、それに加え、
何より学びたい者を妨害する発言規制行為が大問題。

>>341
確かに問題の文章の日本語が不正確だね。
”オーバヘッド”→”処理時間”
と書いてくれないと正確な日本語でないね。
オーバヘッド、全体処理時間も題意中で未定義な
用語で理解できないね。出題者が賢くない。

>>362
ただ単にこっちじゃレスがつきづらいってことなんじゃ？
まぁ、2行じゃわからんけどね

スティック線図を書いたときその図から出力配線抵抗を求めるにはどうしたらよいのでしょうか？

>>364
スレ違いって言うやつは、99.9%　答えられないレベルなんだよ。
要は、自分の攻撃本能を満たすために排他行動をとって満足してるだけ。
そういうろくでもないやつ多いよ。
プログラム技術板にしたって、おおかた意地悪な回答しか帰ってこない
粗悪なところだし。
悲しいかな、世の中の大部分は性悪な人。

>>366
だったらアンタが答えてやったら？
他人を叩いたり、責任を転嫁するばっかりじゃなくさ

少なくとも漏れは
「もしかしてスレ違い？」って聞かれたから
適切なスレを教えてあげただけ

あっちへ行けとかそういう意図はない

むしろ勝手に曲解してる >>366 がしょうあく(なぜか変換できない)

小悪　洩れのは変換できるゼｗ

性悪（しょうわる）って言いたいんだろう。

>>363
ページングなんて、本来やらなくてよい処理（非生産的計算）
なんだから、これをオーバーヘッドと表現するのは正しい。
会社の上役と同じこと。

オーバーヘッドシュートも本来やらなくてよい無理な体勢でやるからそう呼ばれる

>>372
ジャンピングボレーとの違いは？

式　I＝I1＋I2 とオームの法則を用いて分流公式
I1＝R2／（R1・R2）・I
I2＝R1／（R1・R2）・I
を導け という問題なんですが
公式が載っていても導き方が見つからなかったので
ここで質問させていただきます。
よろしくお願いします。

>>374
志村ー次元次元！！

電気って、そもそも何ですか？

>>375
次元…

すいません よくわかりません。

I_1 [A]＝(R_2 /R_1 R_2)・I[A/Ω]

I1 = G1V
V = I1 / G1
I = (G1 + G2)V
= (1 + G2 / G1) I1
= I1 (R1 + R2) / R2
I1 = I・R2 / (R1 + R2)
I2 = I - I1 = I・R1 / (R1 + R2)

電流IはI1とI2に分流されています。
　I
┌→──┐
＝　┌←┴→┐
│R1□I1　I2□R2
│　└─┬─┘
└───┘
携帯からなのでズレがあるかもしれませんが
回路図はこんな感じです。

携帯からそんなもん打つヒマあったら解けよｗｗｗｗｗｗ

>>379
ごめんなさい
G1G2がわかりません

Gはあれだよ、あのあれだよ

>>381
解けないから聞いているんですｗｗｗｗ

>>383
(ﾟдﾟ)


全体の電圧Ｅは
Ｅ＝Ｉ・（Ｒ1＋Ｒ2）で求められますよね？

で Ｉ1は
Ｉ1＝Ｅ／Ｒ1で求められないんですか？

電気苦手でもうよくわかんないです。

>>384
ホント馬鹿だな
G[S]はコンダクタンスでレジスタンスR[Ω]の逆数を意味する

だいたい問題文の式もまともに書けないんじゃこの道あきらめたほうがいい
電流イコール電流じゃないじゃないか

>>385
付き合ってくれてありがとうございました。
まだ駆け出しの工業高校生で右も左もわかりません。
でも 好き好んで入った道なので躓いても頑張ります。


本当にありがとうございました。

箸を持つ方が右で、茶碗を持つ方が左だ
右利きならな

>>384
＞全体の電圧Ｅは
＞Ｅ＝Ｉ・（Ｒ1＋Ｒ2）で求められますよね？
直列の式では求められない

　　o→─□─────┐　　　　この回路において、VとIが同相であるための
　　　　I XL ┌─┴─┐　　Rの大きさを求めよ。また、この場合Rが存在
V↑ R □ □Xc するためには、XLとXcにどんな関係が必要か？
　　　　　　　　 └─┬─┘
　 o────────┘

この問題を教えてください。同相であるためには、電流の虚部が０であればいい
と思うのですが、それ以上分かりません。よろしくです

書き直せ

389はミス。正しい問題は以下です。

抵抗Rと容量リアクタンスXcを並列に接続詞、これに誘導リアクタンスXLを直列につないだ回路がある。
これに一定電圧Vを加えた場合、VとIが同相であるためのRの大きさを求めよ。
また、この場合Rが存在するためには、XLとXcにどんな関係が必要か？

>>391

回路のインピーダンスが虚数成分を持たないとき
必然的にVとIは同相になる。
というわけで、与えられた回路のインピーダンスを求めて
それをZ=A+jBの形に整理してB=0となる条件を求めればよい。
あとは自分で解決できなければ失格。

>>389、>>391
>同相であるためには、電流の虚部が０であればいいと思うのですが
V=ZIを考えれば、
V〔実数〕＝Z*I〔実数〕
これが成り立つための、Zの条件は？

Zが実数

Zの虚部が０になったらいいんですね。
やってみます

同相になる理由は、おかげ様で解けました。感謝です。
Rが存在するための、XLとXcの関係はどう求めるのでしょうか？

n型半導体のキャリア密度なんですが
Nd:ドナー密度
Nc:伝導帯の電子の有効状態密度
Nv:価電子帯の正孔の有効状態密度
Eg:エネルギーギャップ
としてpを1.0*10^(16)[/cm^3]ドープしたn型シリコン
Nc=Nv=1.0*10^(19)[/cm^3]、Eg=1.12[eV]で
�@300[K]におけるnとpを求めよ。ただしpはすべてイオン化している。
�A出払い領域から真性伝導領域の境温度を求めよ。

あさってテストなのですがこの問題の解き方が分かりません。
どなたか解説していただけませんでしょうか。よろしくお願いします。

300[K]では条件どおりドナーがすべてイオン化し
N_D=N_D+
となる。そこで
n=N_D+ +p=N_D +p
と
pn=n_i ^2
からpを消去すれば300[K]つまり室温条件N_D≫n_iから
n≒n_i=(N_c N_v)^(1/2) exp(-E_g /2kT)
と、nとE_gの関連付けができる。

文字の出演

n：電子濃度
p：正孔濃度
N_c：伝導帯有効状態密度
N_v：価電子帯有効状態密度
N_D：ドナー密度
N_D+：イオン化ドナー密度
E_g：エネルギーギャップ
T：絶対温度
k：ボルツマン数
n_i：真性キャリア濃度

>>398->>399
ありがとうございます。今から解読してみます。

信号発生器の簡単な回路を教えてください。
正弦波(サイン波)だけ発生出来ればいいのですが。
どなたかお願いします。

ぐぐ（ｒ

ジャンクの信号発生器を買う

>>401
> 正弦波(サイン波)だけ発生出来ればいいのですが。

フザケンナ！　キレイな正弦波を作るのって、それはそれは難しいんだぞ（涙目）

ＡＣコードに電線を巻きつける

単一正弦波を変調指数７０％で振幅変調(AM変調）したときの電力効率を求めよ
どなたかわかるかたご教授ください

パソコンを用いた実験として､どのような実験が考えられるか?
また､測定に使う場合､パソコンをどんなところに使うと良いか?

という課題だ出されましたが全然思い浮かびません｡
どなたかアドバイスお願いします｡

ヒント：Excelでのグラフ描画

>>408
それは考えたのですが､"どのような実験"というところが思いつかなかったので･･･｡

普通のデスクトップやノートは
サウンドカード付いてるから
その入力をサンプリングするとか

>>407
GPIBを使って測定の自動化を図る

>>402
ググっても複雑な回路しか出てきません。
ICチップ使わずOP-AMP等使って作れませんかね？
言い忘れてたのですがDCの信号発生器使えます。

>>403
ジャンクの信号発生器は回路が複雑でして。。。

>>404
キレイな正弦波を作るのってそんなに難しいんですか？！
ノイズの影響があるからですかね。
ローパスフィルターやハイパスフィルターは作れるのでそこら辺は大丈夫だと思います。
何か正弦波作るアイデアがあったら教えてください。お願いします

>>412
http://www.rlc.gr.jp/index.html
の[Project]→[アナログ回路]→[ウィーンブリッジ正弦波発振回路]でも見たら？
ウィーン橋限定だけど、波形も載ってるから判りやすいと思うぞ
リミッタも色々と検証・考察してるし

>>412
> ジャンクの信号発生器は回路が複雑でして。。。

そんだけ、複雑なことをしないと、まともな発振器にならないということ。簡単にできるん
だったら、みんなやってる。

> キレイな正弦波を作るのってそんなに難しいんですか？！
> ノイズの影響があるからですかね。

違う。ちゃんとした正弦波を作るためには、リニアな増幅、安定したフィードバックが必要。
ピンポイントでしか満足しない位相・振幅条件を安定して持続させなければならない。
そうしないと、歪みだらけ（高調波がいっぱい）になってしまう。ましてや、これで周波数可変
なんて言ったら、もうね・・・
Agilent(旧Hewlett Packerd)は、Tarmanの弟子のHewlettがフィードバックループ内に電球
を使うことを考案し、これを商品化により創設された。時代が違うとはいえ、発振器一個で
会社が成立しちゃうほど、まともな正弦波発振は難しい。

なんて、泣き言いってもしょうがない＆でも正弦波をつくらにゃアカンって時は、
1. とりあえず「オシロで見れば正弦波」程度でよければ、ターマン発振器か、ウィーンブリッジ
を用いた発振器あたりを、それなりに作ってお茶を濁す。（素人が作った回路では、それなり
の性能しか出ないけど）
2. 秋月あたりのMAX038のキットを作る（MAX038自体はディスコンだったと思う）
3. AD9833あたりのDDSをサンプリングより十分低い周波数で使う。

だいたい　周波数、可変範囲、出力レベル、歪み率　くらい希望を書いて欲しいよ
なんの用途でつかうのか
低周波と高周波では全然違ってくるし

おっと、突っ込み入れんの忘れてた

>>412
オペアンプもICチップじゃねーの？

>>412
３．５ｍｍプラグを買ってきて
ttp://www.vector.co.jp/soft/win31/art/se074350.html
これなんか使えば結構綺麗な波形が作れる。
PCを壊さない様にOPアンプでバッファすると良い。
ついでにこういうのも入れると便利かも。
ttp://www.ne.jp/asahi/fa/efu/soft/ws/ws.html

おっと、突っ込み入れんの忘れてた。
普通はICチップのままだとボンディングしなきゃいけないので
DIPパッケージなりSOPパッケージなりに入れてあるICを使う。

>>412
>>417方式で良いなら、これがお勧め。
テスト信号発生ソフト WaveGene
ttp://www.ne.jp/asahi/fa/efu/soft/wg/wg.html

昔、TA7137+2SK30Aでウイーンブリッジの発振器を作った事があるが、色々な意味で目からうろこがぼろぼろ落ちた。
TA7137はテレコ録音用の安価なALC付アンプで、ALCを制御して負帰還を掛ける方式だった。

ウィーンブリッジならLM386のデータシートに載ってたなぁ
確か電球式のやつ

で、結局>401は、正弦波信号が欲しいのか、それとも、正弦波を発生する回路を知りたいのか
どっちなんだ？これによって答えが全然違う。
前者だったら、「素直にSG買うか、秋月のキットでも作れ。信号純度が悪くていいなら、PCの
音源を使うって手もあるぞ」だし、後者だったら「ウィーンブリッジでググれ」なんだけど。

DCモータの制御でフォトインタラプタのセンサ情報をRSフリップフロップでラッチしているのはなぜか、という問題なのですが・・・
わかる方お願いします

宿題という訳では無いのですが、
すっかり忘れてしまいどなたか教えてください。

1,充電電圧(5V)
2,充電電流(10uA)
3,ｺﾝﾃﾞﾝｻ容量(0.01pF)

コンデンサの充電電圧が1.6Vに達するのは何秒後でしょうか?

>>423 1と2は条件がまるっきり違うのではないか？
充電電圧一定と充電電流一定で、それぞれ計算が異なると思う。

すいません、では(1)の条件を削除でお願いします。
あと、0.01pF→0.01uFの誤記です。

>>423 >>425

V＝(1/C)×∫Idt

充電電流が一定なら、この式は積分記号が不要となり
中学生が数学で習う文字式のレベルにまで簡単になる。
あとは自分でやれ。

Q=It

>>423
Q：電荷[C]、C：静電容量[F]、V：コンデンサ電圧[V]、i：充電電流[A]、t：充電時間[sec]
Q=CV
Q=it
ｉｔ=CV
t=CV/i=0.01*10^(-6)*1.6/［10*10^(-6)］=0.016［sec］=16[msec]

MOS型FETの電気的な特性ってわかりやすく言うと何なんですか？

何と比べて・・・とかじゃないと、「わかりやすく」は言えない。

>>429-430
接合型と比べるならVgs-Ids特性だろうね。（デプレション or エンハンスメント）

>>429
日本語が変。電気的な特性と言うのは、抵抗一本にさえ存在する。
電気的な特徴という事であれば、構造上、ゲート漏れ電流が少ない等の
特徴がある。

74HC00を１個だけ使ってExclusive-OR論理を実現するには？

NAND4個でExOR作るんなら確か一つをnot扱いするんだっけ？
ttp://tamuro.gooside.com/guen/NandExor.html

ttp://www.hobby-elec.org/gif/ckt16_27.gif
こんな三角波発振回路でコンデンサを変えて発振周波数を高くしてくと、
発振周波数が理論値より低くなっていくのはなぜですか?

理論が間違っているから。
各部品を理想化した理論では、適用範囲が狭いので、必要であれば
例えば周波数の高い領域では、部品の遅れ時間、浮遊容量、インダクタンス
アクティブ素子の最大出力電流、等々、考慮する必要がある。

http://imepita.jp/20070212/591320
図の回路で、E=130V、R0=10Ω、R3=60Ω
R4=30Ω、R5=50Ωのとき、I0=3A、I5=0Aであった。
このときのR1、R2の値を求めよ

R1、R2、R3、R4に流れる電流をそれぞれI1、I2、I3、I4とすると
キルヒホッフ則より
I0=I1+I2
ｰE+R0I0+R1I1+R3I3=0
EｰR0I0ｰR2I2ｰR4I4=0
I1=I3
I2=I4
の5つの式が出来ると思うんですが
未知数は6つのため、あと一つ式が必要ですがそれが分かりません。
あと一つの式はどうやって求めるのでしょうか

R5とかI5は？

R5とかI5の使い方がよく分かりません。
I5=0AからR5には電圧がかからないので。

R3，R4，R5を通るループで式を立ててみれば？

>>437
連立方程式を組まなくても解けるようにできてると思う。

I5=0　だから、無いものと同じで、R5自体を取り去ってしまう。
回路も書き直す。

┌R1┬R3┐
┤　 　 　 　├R0->電池-極へ
└R2┴R4┘

全部は表せないけど、こんな感じ。

ここでR1-R3の中点とR2-R4の中点の電圧は同一でなければならない。
（でなければ、R5に電流が流れてしまう）

すると単純にR1:R3=R2:R4の分圧比が成立するから
R1とR2の比率が分かる。

あとは、R0の電流値を元に全抵抗値が求まるので
そこから計算していけばよいと思う。

>>437
R1・R3の中点電圧＝R2・R4の中点電圧・・・A
したがって、R5は切り離して考えても、ショートして考えてもいい。
I1R3=I2R4　（R3、R4、R5（ショートして考える）のループ）　イ
I1R1=I2R2　（R1、R2、R5（ショートして考える）のループ）　ロ
I1+I2=Io　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ハ
E=IoRo+I1(R1+R３）　（E、Ro、R1、R3のループ：隣のループでもいい、R5は切り離して考える）　二

最も、この計算、>>441の指摘のように簡単に求まる。
電位は、電源の負側を基準にする。
A→（イ）で、I1とI2の比率が出る。
Ioは判っているから、I1とI2はすぐ出る。
そうすると、図の分岐点の電位がすべてもとまる。
抵抗に流れる電流と、その両端の電位差がわかれば、抵抗値は出てくる。

>>442事故レス
×　R1・R3の中点電圧＝R2・R4の中点電圧・・・A
○　R1・R3の中点電位＝R2・R4の中点電位・・・A （電源の負側基準）

質問なんですが、三相三線式交流回路で、R-SとS-Tの２つの電圧、
それからRとTの２つの電流、そしてそれぞれのベクトルが決まれば
R-Tの電圧や、S相の電流を計算することは可能でしょうか？？

なんとなく可能じゃないかとは思うのですが、どういう計算で求めるのか
よく分からないので、例題つきで教えていただけるとありがたいのですが。

よろしくお願いします

すみません、さげてしまいました

４４４ですが、もしかして、三相三線式では３つの電流の和はゼロだから
２つの電流の大きさと位相のベクトルが分かれば、残り１相の電流は
分かるっていうことですか？

>>446　ＹＥＳ

　計算で出すことも出来るし（大変＆難しいけど）トランスで合成して指示することも
出来る。実際三相計器はそういう使い方をする。

>>447
お祭りサンキュー。

＞トランスで合成して指示することも
ＣＴのV結線のことですか？？

図が見ずらくてすみません、化けまくってないといいな・・・
下の図をテブナンの定理でab間に流れる電流を求めよという問題なのですが
切り離した後の回路はどのように見ればいいのでしょうか
どなたか教えてください


　＿＿＿＿＿＿＿＿＿　
　|　　　　｜　　　　　　　｜
　E　 　　|　　　　　　 　 ｜
　|　　　　R1　　　　　　2R2
｜　 　　 |　　 　　　　　　|
｜　　 a|＿＿R3＿＿_|b
　|　 　 　|　　　　　　 　 ｜
　|　　　　2R1　　　　　　R2
｜　　　　|　　　　　　　　|
￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣

　　　　　 ＿＿＿＿＿＿
　　　　　 |　　 　 |　　 　 |
　　　　　 |　　 　 |　　 　 |
　　　　　R1　　　|　　　2R2
　　　　　 |　　 　 |　　 　 |
　　　a.＿|　　　 E　　 　 |＿b
　　　　　 |　　 　 |　　 　 |
　　　 　 2R1　　 |　　　R2
　　　　　 |　　 　 |　　 　 |
　　　　　 ￣￣￣￣￣￣

煮詰まってしまったので質問です
トランジスタ増幅回路について以下の問いに答えよ
1.出力波形の上下が歪む理由を出力特性、負荷線、動作点を用いて説明せよ
2.電圧増幅度が低周波、および高周波で低下する原因をそれぞれ説明せよ
　
1.入力電圧とベース電流が線形ではない範囲、つまり入力電圧が大きくすると、出力電圧が歪むという事まで調べましたが負荷線、動作点とどのように結びつければよいでしょうか？
2.低周波ではハイパスフィルター効果、高周波ではミラー効果で増幅度が低下したという事でよいでしょうか？

電気回路の問題です。
インピーダンス関数Z={s(s+3)(s+6)}/{(s+2)(s+4)}
が与えられる場合、RL一端子対回路を次の各方法で実現しなさい。
(１)RL並列回路の直列接続
(２)RL直列回路の並列接続

テスト問題のやり直しやってるんですけどわかりません・・・おねがいします。

http://p.pita.st/?m=ipg9m7uv
テストの問題なんですが、この問題お願いします。
最初からよくわかりません。

くそ教師のいってることがぜんぜんわかりません。しょーもない質問なんですが三相モータでMCを二つ繋げてしまった場合、モータがショートしてしまうらしいのですがどういう原理でショートするんでしょうか？わかる方いたら教えてください!

>>453
写真は回転しておいて欲しかったな…
i,irに関する連立方程式ってことでS閉として経路上の電圧辿ってみろ。
i+irとかLi'とか使えばわかるだろ？
てかSの扱いがよく見えないんだが。

>>456
過渡現象ってことを強調したいんじゃない？
任意定数と初期条件から決定っていってるし
t=0でSをONにしてグラフを書くとかさ
細かい部分が省かれてて問題だけだから想像するだけにとどまるけど

t=0でON→OFFでもOFF→ONでもあり得る訳か

>>456その連立方程式からわからん…
E=（R1+R2）ir+R1i
てのは合ってる？あと二つあるはずなんだけど…

http://p.pita.st/?lcemfmw5
と、この上に書いてる問題。
図に示す回路において、時刻t=0においてスイッチSを閉じた。電流i、irを図のようね設定しこの時の過渡現象について答えな。

L使った式がわからないって事？
コイルの性質考えてコイル両端電位差=R2ir=f(i,L,t)な式たててみろ。
したらirをiの式に直せるだろ。

コイルの性質がわからないってのなら教科書嫁と言いたい

>>462
とりあえず、丸投げするな、出し惜しみするな

初速度0から、電位差�Xで加速された荷電粒子(電荷q、質量m)を磁場Ｂに
垂直に入射させると、どのような運動をするか説明せよ。
次に荷電粒子が電子で、�Xが100�X、Ｂ=３×１０^(-5)Ｔの場合について
軌道の半径を計算せよ。

という問題なのですが、
解答によると
ν=eB/2πmより ν=8.5×10^5 (回/s)

r=mv/eBに　(1/2)mv^2=e�Xのvを入れて計算するとr=1.58(m)
となるらしいのですが、前者にしてもmの値が与えられてないので
mが消えずに数値の答えにならないのですがどうすればいいでしょうか？
よろしくお願いします。

3つの同じ抵抗を直列にして9Vの直流電源につないだ．
陽極側から一つ目と二つ目の抵抗の間の点を基準にすると，
陰極の電位はいくらか．
また，電子にとって陰極の位置エネルギーはおよそいくらか．
（電気素量 : e=1.602E-19 [C]）

という問題なのですが，
この場合，陰極の電位は6Vだと思うのですが，
電子にとっての位置エネルギーとは何なのでしょうか．
ご教示お願いします．

>>465
電子の（静止）質量というのは有名な定数で約 9.1*10^-31(kg)

>>466
> この場合，陰極の電位は6V
ではなくて、マイナス6Vでしょう。位置エネルギーという
のは、電子を最初に一粒、基準の位置に置いておいて、そこから
陰極まで運ぶのに要する仕事のこと。(-e)×(-6)ジュールで
ある。正の値になるのでわかるように、陰極に運ぶには正の仕事を
要す。電子は陰極から2本の抵抗を通って基準点まで落ちてきた
とすれば、この位置エネルギーが電子一個の電流による2本の抵抗
の発熱となるはず。

>>468
なるほど，納得です．
ありがとうございました．

>>467
なるほど、判りました。
ありがとうございます。

ttp://up.spawn.jp/file/up4656.jpg.html
今回学校の課題でアンプのキットを作りましたが、うまく動作しませんでした。
パーツの場所をミスってことは、動作した友人数人に見せて貰い、十回近く見比べたのでないと思われます。
上記のURLから飛べる画像が今回の回路なのですが、テスタで測ってみたところ。
中央の本来741mVのところが656mV。その左の本来710mVのところがマイナスいったりプラスいったりで測定ができませんでした。
右側の本来7.54Vのところが1.7Vといった感じになってしまいました。
下の方はちゃんと出てるので、原因は上の方だとは思うのですが、配置ミスでないとするとパーツが壊れてると考えたのですが、
どれを交換すればちゃんと動きそうですか？また、他の原因だとすればそちらも教えて頂けると助かります。よろしくお願いします。

>>471
D7,D8の向きはあってる？

>>472
はい。向きや他のパーツの極性等もちゃんとしています。

測定不能っていうのは、だいたいオープンになってる
＝＞半田付け不良の可能性大
だと思うよん

>>474
作ったキットが動作してない奴がいうのもなんですが、
割と半田付けは慣れてまして、裏面みてもしっかり付いてますし、
ためしに全パーツの両端ピンセットでつまんで、
軽く押したり引いたりしても特に異変はありませんでした。
尚、トランジスタのエミッタの部分は物理的に押し引きできてません。

見た目だけじゃなくて、ちゃんと部品の足（半田じゃなくて、足ね）
の間が予定通り繋がってるかの導通チェックからやってみた方がいいよ
あと、ダイオードテストのレンジが付いてるなら、トランジスタのB-Cとか
B-E間も念のため。
±に振れちゃって測定できないっていうのはオープン状態になってる
というのが大半だから

>>476
ふむふむ、そういう意味でしたか。なんか変な風に解釈しちゃったみたいで。
計測器は全部学校にあり、現状登校できず、提出はメールに添付する形なので、
計測を再度やる事は無理そうです。
助かりました。ありがとうございます。

問題
a=b+cを実現するためのアセンブラを示し、その横にマシン語を示すこと
ただし、aは100h番地、bは10h番地、cは20h番地に割り当てられているとする（hは16進数の表現の意味）

おねがいいたします・・・・。

情報板逝け

a EQU 100
b EQU 10
c EQU 20

LD A, b
ADD A, c
LD a, A

シャープの距離センサ（GP2D12）を使って、対象物までの距離を測って
センサ出力電圧を、16ビット・ワンチップマイコンSR8C15CP（18番ピン）に入力する回路。

距離センサからの出力をA/D変換して、
その値から距離を求める。ってプログラムをＣかアセンブラで書かなきゃなりません。
詳しい方、よろしくお願いします(>_<)

距離センサの特性（距離変化に対するアナログ電圧）は0�p〜40�pまでを1�p間隔で測定済みです。

>>481
>>479

http://www8.pekori.to/~taniuchi/ryo/dennzisyaku/dennzisyaku.pdf

小六がマジメにやった実験結果だが　１１ページのグラフを誰か説明してくれ。
なんで電流３A直前で、鉄粉吸引力が急増したのか漏れには判らんのだ。

あ、判った。
3A未満の時はコアが励磁されていなかったんだな。

>>481
あっちこっちの板に聞き回るのはおよし！

ハードウェアをソフトウェアで制御する利点って何ですか？
また、欠点も教えていただけると幸いです。

>>486
作った後も、ソフトを変えることで動作を変えることが出来る。
ハードの場合は大きな改造がいるから、大きな利点。

欠点はデリケートな精密電子機器なので、ノイズで誤動作をしたり
ソフトの不具合で誤動作をしたりする可能性があったり、
ほこりなどの多い劣悪な環境で使うと故障しやすかったり。

絶対に誤動作が許せない非常停止回路なんかはハードウェアで
組んで複雑な制御はソフトで実現とか、使い分ける。

＞４８７
まだそんなこといってるのかよ。
PIC使えよ素直に。

もっとも有効な非常停止回路は電源コンセントを抜くことだ。

>486が>487をもとにレポートを作ったとしたら50点がせいぜいだな。
後半は吊りとしか思えんｗ

質問です。
単相全波整流回路の直流電圧脈動率を求めよという問題なんですが、
直流出力電圧の差から平均値を割る以外の方法ってあるのでしょうか？
点呼角を使って場合分けをしろと書いてあるんですが・・・。

その問題は回路図が憑き物なんだが無いのか？

>>488
残念ながらNC旋盤などだと非常停止よりも一時停止のほうが回転体にブレーキ効く都合上安全だったりする
まあ暴走には対処できないけど

>>491
問題文だけで回路図はないです。
与えられているのは電源電圧の実行値Vと点弧角αです。

>492
メカモノなら電源切ってプールに突き落とすのがよかろ。

>>490
＞場合分けをしろと・・
ってなんや？？

α＜θなら脈動率 = 〜
θ＜αなら〜

ってじゃね？

回路図なしならΔtを式に入れて、α>Πを別条件とするのかな？
つかこれが回答なら設問がおかしいな

>>492
だな。
うちのNC旋盤は非常停止かけるとデータ飛ぶし・・・

同一素子でのスイッチング時の消費電力は消弧時の方が大きいようですが、
その理由が良く分かりません。
どなたか教えていただけないでしょうか、お願いします。

>>499
慣性だよ

(問)次の曲線群の微分方程式を求めよ。ただし, A , B は任意常数である。

x^{2} + y^{2} + 2Ax + 2By = 0

微分してこねくりまわして考えたのですが、わかりませんでした。
答えは

| x^{2} + y^{2} 　2x 　2y|
| x + yy' 　　　　　1 　 y'| = 0
| 1+y'^{2}+yy''　　0 　y''|

です。

参考に例題を書いておきます。

（例題）２つの任意常数 A , B を含む曲線群の微分方程式を求めよ。

y = Ae^{2x} + Be^{x}

(例題の解答)与えられた方程式

y = Ae^{2x} + Be^{x}

の両辺を x で２回微分して

y' = 2Ae^{2x} + Be^{x} , y'' = 4A^{2x} + Be^{x}

この２つの方程式から Ae^{2x} と Be^{x} を求めれば

Ae^{2x} = 1/2(y'' -y') , Be^{x} = -y'' + 2y'

これを最初の方程式に代入すれば, A と B が消去されて

y'' -3y' +2y = 0

これが求める微分方程式である。　　　　　(解答終)

| x^{2} + y^{2} 　2x 　2y|
| x + yy' 　　　　　1 　 y'| = 0
| 1+y'^{2}+yy''　　0 　y''|

一次独立

■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学(http://www.naist.jp)は、
入学者(合格者ではない)の過半数以上が旧帝大出身理系スーパーエリート。
キミもエリートの仲間入りするなら、まずは募集要項を！！
http://isw3.naist.jp/IS/PubWG/Tenken03/tenken2.pdf 最終ページ閲覧
■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
１大阪大学 260
２京都大学 118
３神戸大学 60
４九州工業大学 40
５京都工芸繊維大学 34
６大阪市立大学 30
７大阪府立大学 27
８同志社大学 26
９関西大学 25
１０名古屋工業大学 24
１１岡山大学 19
１２九州大学 19
１３東北大学 17
１４奈良高専 17
１５立命館大学 17
　　　（以下省略）
■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■

>>501
最初の方程式
x^2 + y^2 + 2Ax + 2By = 0 …(1)
とする。これを xで１回、２回微分したものを(2),(3)とする。
2x+2yy' + 2A + 2By'= 0 … (2)
2+2(y'^2+yy'') + 0A + 2By'' = 0 … (3)

(3)からB=…　の関係式が求まるので、それを (1),(2)に代入
してBを消去。さらに(2)から A=…の関係式が求まるので(1)に
代入すれば、それが答。おそらく模範解答の行列式を
展開したものと同じだろう。

>>501
このややこしい式を、どうしたら模範解答のようにスマートな
表現、すなわち det8A)=0 の形にできるかが問題となる。
上の(1),(2),(3)の関係式は、行列にまとめれば、(1,A,B)Tを
列ベクトルとして、
A・(1,A,B)T = 0
と書ける。この式が A,Bにかかわらず成立するためには、
det(A)=0 は必要条件。どうしてこれで十分なのかは、よく
わからん。

>>483
この宿題で問題なのは、磁石の吸引力と磁束密度を同一視している
こと。吸引力というのは磁束密度の絶対値ではなく、その場所に
おける磁束密度の変化率できまる。砂鉄なんていうぐにゃぐにゃした
ものを引き付ける方法では、その総量をみても磁束密度は求まらない。
ナットを引き付けておいて、それのはがれる瞬間の力をなんらか
の方法で測ればよかった。

スマン文字が重複しておかしな文になってしまった。下と交換
させてくれ。

このややこしい式を、どうしたら模範解答のようにスマートな
表現、すなわち de(Q)=0 の形にできるかが問題となる。
上の(1),(2),(3)の関係式は、行列にまとめれば、(1,A,B)Tを
列ベクトルとして、
Q・(1,A,B)T = 0
と書ける。この式が A,Bにかかわらず成立するためには、
det(Q)=0 は必要条件。どうしてこれで十分なのかは、よく
わからん。

素人な発言で申し訳無いですが、教えて下さい。
24V/15A（直流電源）があります。
12V/1Aの電球と12V14Aの電球を直列で繋いだ場合。
どちらも本来の明かりの電力数は確保されますか？

なぜ　並列に繋がないの？

ヒント：宿題

>>510　並列なら24V供給になるでしょ・・・
24Vの電源に対して12Vを2個繋ぐ場合ですから・・・

>>509
いいえ

>>513
どういう結果になりますか？

>>514
12V1Aの電球がブチ切れる(#^^

12V 1A -> 12/1Ω

12V 14A -> 12/14Ω

12Ω+12/14Ω = 169/14Ω

12V -> 168/169A < 1A

壊れない

>>516
お題は
>24V/15A（直流電源）があります。
> 12V/1Aの電球と12V14Aの電球を直列で繋いだ場合。
なので

> 12V -> 168/169A < 1A
が致命的に間違い。

>>514
学校の宿題的には
・絶対に焼き切れる事のない空想上の電球
・温度によって抵抗値が変化しない空想上の電球
などもアリだが、そういう場合必ず、
「ここで、電球は現実には存在し得ない空想上の電球とする」と定義するのがスジ
なので現実世界に存在する、ごく常識的な電球と仮定すると。

電源投入直後、12V/1Aの電球に通常起動時突入電流のさらに2倍近い電流が流れる事になるためスグに焼き切れる

>>518　3倍の電流が流れても問題無いと思うのですが・・・電圧がオーバー
なら問題ありですけど・・

ぇ・・・間違ってますか？
例えば、100V15Aは　100ｖ//1Aの電化製品を15個繋ぐ事ができるって事ですよね。
1個でも大丈夫ですよね

ぇ・・ほんとすいません。何故ですか？；；

>>519
>ぇ・・・間違ってますか？
はい、間違っています。
並列繋ぎと直列繋ぎの違いを区別しましょう。
> 例えば、100V15Aは　100ｖ//1Aの電化製品を15個繋ぐ事ができるって事ですよね。
> 1個でも大丈夫ですよね
例えば、
お題が
12V/15A（直流電源）があります。
12V/1Aの電球と12V14Aの電球を「並列」で繋いだ場合。
なら、その例えの考え方でOKですが、お題は
>24V/15A（直流電源）があります。
> 12V/1Aの電球と12V14Aの電球を直列で繋いだ場合。
なので、ダメです。

>>519
>24V/15A（直流電源）があります。
同じ特性の12V/1Aの2つの電球を直列で繋いだ場合。
もしくは、
同じ特性の12V14Aの2つの電球を直列で繋いだ場合。
であれば問題ありません。

> 12V/1Aの電球と12V14Aの電球を直列で繋いだ場合。
それぞれの電球に平等に12Vの電圧は掛かりません
24Vの電圧の少なくとも93%以上が12V/1Aの電球にかかる事になります。

12V1Aと12V14Aを直列に24V電源に繋いだ場合、1Aの電球に22.4V、
14Aの電球に1.6Vが掛かりますからまず確実に1Aの電球が切れるでしょう。

計算方法のヒント。
・電球の抵抗を求める（12V÷電流）
・直列だから２つの抵抗を合計して合成抵抗を求める
・24Vを繋いだ場合に流れる電流を計算する。（24V÷合成抵抗）
※この時点で28/15Aとなり1Aの電球には定格オーバーの電流が流れることが分かる。
・電流×各電球の抵抗で各電球にかかる電圧が求まる。

ID:1B3Ssr7L様　本当にありがとう御座いました。
後は自分で何故93％以上になるのか頑張って自主勉します！！
これで私の中の　「うんちく」　が解けたような気がします。
学校で自信持って　何を言われても答えられるように頑張ります！！
ほんと助かりました＞＜

みなさんありがとう御座います；；　ほんとありがとう；；

素朴な疑問を教えてくれて感謝です！！

「うんちく」　の意味が？？

>>517
ありがとうｗ
マジで勘違いしてたｗ
なんで壊れないんだろうってｗｗｗ

１００V、３００Ｗの電熱線がある。電熱線が切れたので、切れ端を捨てて接続し直したら、長さのもとの４/５倍になったという。
１００Vの電圧を加えたら、流れる電流は何倍になったのか。また消費電力は何倍になったか。

答えは電流、消費電力ともに５／４倍になるのですが
答えまで過程がよくわからないのですが、
解る方よろしくお願いします。

抵抗値が長さに比例するって前提があるとして、
抵抗値R=抵抗率ρ*長さl / 断面積d
だから長さが4/5になれば抵抗値Rは4/5
I=V/(4/5*R)だからIは5/4倍

そして電力はこのI使って求めればおk

周りに誰も教えてくれる人がいなくて困ってます。
電卓を使った計算なんですが、
Pg=10logPo/Po1
これはどの順番で電卓にうちこんでいったらいいのでしょうか？
Po÷Po1×10log
なのかなーと計算してたんですが、どうも値がちぐはぐみたいで…。
正解がわからないので確かめようもないんです。アドバイスお願いします。

Po[÷]Po1[log][×]10

シンプルですごくわかりやすいです、
回答ありがとうございました

＞＞５２８

ありがとうございます。

I=V/(4/5*R)だからIは5/4倍のところをもう少し詳しく教えていただけないでしょうか。
何度も申し訳ありません
よろしくお願いします。

電圧をV、元の抵抗値および電流をそれぞれRo、Io、加工後をR、Iとすると、
Io=V/Ro　　(1)
I = V/R = V/(4/5 * Ro) = (5/4)* V/Ro　　(2)
(2)に(1)を代入すると
I = 5/4 * Io
I/Io = 5/4
従って電流は5/4倍になる

12Vで回転中負荷無しのモーターの電源をCUTすると
モーターの両端子電圧は何Vまで上がるでしょう。

>>534
モーターの種類によって様々。

どうしてボットン便所のお釣りってお尻の高さまで上がってくるのはなぜ？

>>536
つ「運動量保存の法則」

作用反作用の法則では？

電験で損失揚程ってあるけど、意味と例を教えてください。

ｸﾞｸﾞれ

>>539

電検の対策本や参考書を読まれたし。

電気回路初心者なのですが質問させてください

立方体ABCD-EFGHの各辺に1Ωの抵抗を設けるとき、この立方体の対角間の合成抵抗を求めなさい

という問題があるのですが、これはどのように解くのでしょうか？
平面の回路での直列並列回路は解けるのですが立体になるとどうしても解けなくて困っています

>>542
つ「Ｙ-Δ変換」

>>543
ご意見ありがとうございます
4月から入学する大学の入学前課題だったのですが
Y-Δ変換を調べてみると難しそうだったので
偶然「抵抗 立方体」で調べると発見できてしまいました

>>544
高校レベルでスターデルタ変換もできないのか？

直列回路でアルミ缶を焼けますか？

>>541さん
アドバイスありがとうございます。 自分が持ってる電験の本には詳しく書いてないので誰か教えてください。

スターデルタ変換を聞いたこと無いんですけど便乗質問しますが
>>542の問題って
順番に3-6-3の束として見なして解けばいいんですよね？

500Wの電気ﾎﾟｯﾄに10℃の水1Lを入れた、10分間通電すると水の温度はおよそ何度になるか。
ただし、1ｶﾛﾘｰは4.2Jで、消費電力60％が水の加熱に利用されるものとする。
の問題の解き方がわかりません。教えて下さい、お願いします。

単位変換すれば良いだけ

熱の仕事当量でぐぐれ

水�@リットルは1000cc 発生する熱量は500×60×10[J] でも60%をかける �@ccの水を�@℃高めるのに�@calだから それに変換

>>552
血が牛

200Wが加熱以外に利用されるポットってどんなのだよ

>>549
[W]＝[J/s]　4.2[J]＝1[cal]＝1mlの水を摂氏一度上げる。
これだけ判れば十分だろう。

>>554
器具表面などから熱が逃げる。また水の一部が蒸発すれば
これも熱を持ち逃げする。

某旧帝の電気電子だが高校でスターデルタ変換は習わなかったな

工業高校と勘違いしてるんだろ、基地外が

ものすごい大まかな質問になるがアナログ通信方式とディジタル通信
方式の違いってなんだろうか？

一応本でも調べてみたのだが情報の所在が波形とパルス列、雑音が劣化
するのみに対しﾘｾｯﾄ可能、品質評価がＳ／Ｎ比と符号誤り率と部分的に
しか書いておらずによく分からないので詳しい人よろしくお願いします。

君の日本語能力では何読んでも理解するのは無理だと思う

>>559
ものすごい大まかに言って、変調と復調の無いのがデジタルだ。

ネットワークの話になるけどOSIモデルでいう物理層だと全部アナログ通信になるよな

そんなことはない

(有限種類の)離散値を送ろうと思っているのがデジタル通信。
(有界の)連続値を送ろうと思っているのがアナログ通信。

アナログすなわち相似値による通信は正しい用語だが、デジタル
という表現は誤解を招きやすいかもしれない。本当は離散値通信とか
ディスクリート通信とかいうべきだろう。

>>562
これまで試みられた通信方式では、物理層はすべて連続の物理量
（電圧とか気圧とか糸の振幅とか）が使われたと考えられるので、
物理層はすべてアナログ通信だったと言って大きな誤りではない。
（乗せる情報がデジタルなら、その連続量を離散値に固定しつつ
使うので、なんとなくデジタルにも見えるが、本質的にはアナログ。）
しかし、もし量子暗号などの量子通信が実用化されれば、物理層も
デジタルである。通信として実用的かどうかは知らないが、赤い
お手玉と白いお手玉を相手に投げつけることで情報を表せば、これも
物理層がデジタルである例。

「デジタルという言葉を充てたのが間違いだ」という主張なら、スレ違いぽ。
哲学か宗教あたりでやってくれなり。
「デジタル通信」っていう用語の定義についての話題だろ？

用語を定義しようとすれば、その用語について深く考えなけ
ればならず、当然根源的な議論となる。それを哲学と呼ぼうと
宗教と呼ぼうと勝手だが。あんた、デジタルの語源のデジット
の意味を知っているか？　指のことだよ。参考
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%87%E3%82%A3%E3%82%B8%E3%83%83%E3%83%88

電信は？

電信(A1変調等)はデジタル通信でよいと思う。
R ・―・の真ん中を引き伸ばして「了ー解」の気分を
送る、なんてしなければね。

符号化（コーディング）してある→デジタル通信
符号化してない→アナログ通信
っていう括りじゃだめ？

一般に通用している用語をいまから俺定義する人がいるのはこのスレですか？

>あんた、デジタルの語源のデジット
>の意味を知っているか？　指のことだよ。参考
よし、では指についての根本的な問題から議論しようじゃないか

>>571
だめ

今彼女が俺のチンポを舐めてるｗｗｗっうぁぁはぁあｗｗｗ

こんなにたくさんの人が回答してくれてどうもありがとうございます。
まぁ皆さんのレスを見て載ってる用語等の場所を調べてみたら大体
分かりました。
ただ、微妙な点がいくつかあるので再度質問させてもらいます。
�@なぜ、ディジタルの方がコストを下げられ、使われているのか。
⇒個人的には送る情報量を下げられる上に、雑音等の被害も少ない
　ので同程度のアナログ通信よりも費用対効果が優れているから
　ってな感じでいいんだろうか？
�Aディジタル化の短所
⇒いろんな本を見ていたがアナログの短所についてはかなり述べられ
　ているがディジタルの短所についてはあまり述べられてはなく長所
　がひたすら書かれてる本が多くいまいち分かりません。
�Bディジタル化の方法と雑音の除去
⇒ディジタル化の方法ってのは要は標本化と量子化を施すことにより
　ディジタル化出来るって感じでオケーでつか？
　あと、雑音の除去は再生中継を施すことにより除去できるってこと
　であってるでしょうか？　

ディジタルは雑音撒き散らすんだけどね

「デジタルのほうがコストを下げられ」
今ではそう主張して誰も不思議がらないが、はじめてデジタル通信
の試みられた 1950年前後では、評価はまるで逆だった。たとえば
普通のAM変調なら真空管1本でできるが、8ビット量子化のデジタル
通信となるとAD/DA変換などで数100本の真空管を要す。1970年代
までは、デジタルは「性質はよいが、実行するのに膨大な回路を
必要とする」評判の悪いものだった。評価の逆転したのは、ほんの
20年ほどのこと。マイクロプロセッサと集積回路技術のおかげ。

「デジタルの短所」
上でのべたように回路のコストが問題になればデジタルは
短所だらけの技術だが、それを不問としてよい現在、短所
はないかのように見える。ただ、音声にしろ画像にしろ、
もともと連続量とみなすべき情報をデジタルにするには
必ずサンプリング/量子化しなければならない。これは情報
を近似する（歪める）ことにほかならず、その点についての
是非論は根強く存在する。たとえば昔のアナログオーディオ
のほうが音はよい、など。

「雑音の除去」
1とゼロの間になってしまった情報を再生できるのはたしかに
デジタルのメリット。しかし、もっと重要なのは、誤り検出
符号・誤り訂正符号を導入することで、1をゼロと読み間違え
ても誤りの少ない間は100%もとの情報に復元できることの
を述べるべき。CDやDVDでキズやホコリがあってもエラーにな
らないのはそのおかげ。ワンセグのデジタル放送で、電界が
弱くても受信できるのもそのおかげ。

キズやホコリがあったらエラーになるんですけど・・・

>>581
クリーンルームで使っているのか？

A「キズでエラーがでても、少なければ訂正できます」
B「キズでエラーになるんですが・・・」

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　　≫　　今だ、2ゲットオォォォォォ!!!　　　　≪　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　,,''　　　i
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セーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーフ！！！！！！！！！！！！！

アナログ回路の実験なんですが
非反転増幅器をつくってその周波数特性を測定、
理論値と測定値との違いを考察せよ

ってのがあるんですが、
理論値の出し方がよくわかりません。
虚数単位とかあるんですがどうさばいたらいいでしょうか・・・？



よろしくおねがいします。

電磁気の質問なんですが、

半径a,b(a<b)の同心球殻導体A,Bがある。
AとBの間は誘導率εの誘導体で満たし、他は真空である。
球の中心に点電荷qを置き、Aに電荷Qを与えた。
Bには電荷を与えていない。
このとき、AとBを導体で繋ぐとA,Bの電荷はどうなるか。

いまいち、解法が思いつかず解けません。
どうぞよろしくお願いします。

ガウスの法則で

ttp://www.mogami-wire.co.jp/paper/tline/tline-01.html

このページの2.3のαの導出は、どのように行えばいいのでしょう？
本を見るとγから近似しているのがほとんどで、フツーに解くと
α=0となってしまうのですが。

磁路長0.5m、断面積0.002m^2の鉄心で
B=1Wb/m^2、ω=2πf=377、H=50A/mの時、この磁気回路の出力を求めたのですが、
377*0.5*0.002*1*50=18.85[VA]と出たのですが、
出力が小さすぎませんか？
計算ミスがありそうで心配しています。
こんなものなのでしょうか？

定格動作での変圧器の全損失（銅損＋鉄損）が一定の条件で銅損と鉄損の比をどのように設計すれば効率が最大になりますか？

ここで聞いていいかわからないけど質問です。
最近実験レポートで書く回路図などが複雑になってきて
ワードでやるにはかなり時間がかかってしまいます。

そこでなにかいい作図？ソフトみたいなものがあれば教えてください
（できればフリーで）

回路シミュレータ使ってないの？

なにそれ？ちょっとググッテ来る

とりあえず2，3個落としてきた。
どれ使うかは使ってみて考えます。
>>593�d

書いた回路図をワードに貼れるの一個しかなかたｗ
シミュレータじゃなくって只の描画ソフト。
素子の初めから書いてある文字をいじれないのがちと不満
だがワードで書くよりは絶対早いな。

＿＿＿＿回路ＣＡＤ＿＿＿＿
ttp://science6.2ch.net/test/read.cgi/denki/1072278904/

>>592
BSchおすすめ

初心者スレからの移動です。

よろしくお願いします。


http://prinpa.servepics.com/view.cgi?K6WnxFbxOm
この回路でインバータの入出力特性が測定できる理由を
教えていただけないでしょうか

よろしくおねがいします。

>>599
正弦波とかで、インバータの入力をスイープしてやると、お城の画面に

┼
┿━┓
┼　 ┃
┼┼┗┿┿

と表示されるので、変化点でスレッショルド電圧がわかる。
また、シュミット特性のインバータであれば、

┼
┿━┳┓
┼　 ┃┃
┼┼┗┻┿

と表示されるので、立ち上がり／下がり電圧がわかる。


っていうか、授業や実験さぼるなよ。

いや、さぼってないですよ＾＾；

実験でこの実験があって
矢印の上の波形を見て、

考察課題でなぜ測定できるか？　ということなんです...

>>599
お城でリサージュ模様とか描いたことある？

昨年の実験で描きました

なんでID違うのか分からんが一応釣りじゃないとして回答しとくけど
スイープするのに正弦波入れたり三角波入れたり矩形波入れたりして
色々試してみなかった？

急ですが、質問よろしいですか？
１００Ｖ１００Ｗの電球αと１００Ｖ５０Ｗの電球βを２００Ｖの直流電源につないだ直列回路があります。
この回路において、其々の電球にかかる電力Ｐや電圧を求めろという問題なのですが、自分はここにおいて電球αが１００Ｖ時に１００Ｗであるのなら、抵抗は１００Ω、同様にベータは２００Ωと考えました。
しかし、回路にその数値を代入して考えると、どうしても其々にかかる電圧が電源の数値を超えてしまいます。
どー、考えても自分の考えが違うはずなのですが、１００Ｖようの電球に２００Ｖをぶち込んだときの反応が分かりません。
考え方を教えてください。どうか、よろしくお願いします。

PC立ち上げなおしたからでしょうか・・・？（IDが変わった）

>>604
色々やったとは思うのですが、あまり覚えてないです。
多分周波数を変えただけかもしれません。

>>605
電源の数値とは200Vのことか？
それを超えることはありえない。定格を超えることはある。

はい、ありえないです。つまり自分の考えが間違っていると判断しました。
申し訳ありませんが、電球の抵抗の出し方を教えてください。

>>605
>>509-526

>>608
抵抗の値は P = V * V / R であってる。
Ra = 100 * 100 / 100 = 100
Rb = 100 * 100 / 50 = 200

抵抗の直列合成 Rab = Ra + Rb
電圧 V = 200
よって、電流 I = V / Rab = 200 / (100 + 200) = 2 / 3
個々の電圧
Va = I * Ra = ... 
Vb = I * Rb = ...
で Va + Vb = V が成り立つことを確認する

抵抗による分圧と考えて
Va = V * { Ra / (Ra + Rb) }
Vb = V * { Rb / (Ra + Rb) }
でもいい

直列の場合は電流が等しく流れ、並列の場合は電圧が等しくかかる　を覚えておく

>>605

電球の抵抗値は非線形なので、規定された状態以外の抵抗値は不明。
必要なら実測するしか無い。

温度が変われば抵抗値が変わることぐらい常識だろ、馬鹿じゃねえの

質問です！

コレクタ接地回路において電圧増幅度が1よりわずかに小さいのは何故か。
ＩＢ（ベース電流）−ＶＢＥ（ベースエミッタ間電圧）静特性を用いて説明せよ。

って宿題が分かりません。分かる方いたら教えてください！

>613
そんな質問にはこう答えてやれ

「てめえで考えろ　ボケ」

>>613
何がわからないんだ？
どういう回答を求められているのかか？
それとも質問の内容自体がチンプンカンプンなのか？

「メモリを外部から設定できる自動累算器の回路」

教えてください。4ビットデータセレクタ 74LS157を使うみたいなのですが

>>613
コレクタ接地回路ってなんだっけと思って
調べたらエミッタフォロアのことじゃん。
コレクタ接地なんて言ってないでエミッタフォロアって言えよ、アホ。

>>615
普通に電圧増幅度がなんで１より小さいかわかんないとです。

>>617
> 調べたらエミッタフォロアのことじゃん。
コレクタ接地と言えばエミッタフォロワのことだと、
調べないと出てこないようなヤツがアホという、そのことの方がアホ。
そんなこと常識で知っているのが普通。

>>619
それは漏れも思ったが、アホにアホと言ったって理解出来ないだろ？
それに彼は最近電々板のあちこちのスレで罵倒だけして去っていく
（結局答えられない）かわいそうな人なんで放置で。

>>618
仮にVBEが常に一定なら電圧増幅度＝１はなのは解かる思うけど、
ベース−エミッタ間はダイオードそのものなので、VBEにはダイオードの
電流−電圧特性があると考えると、
ベース電位上昇 → ベース−エミッタ間電位差増加 → ベース電流増加
→ VBE増加 となり、
ベース電位下降 → ベース−エミッタ間電位差減少 → ベース電流減少
→ VBE減少 となるので、VBEの変動幅分、出力振幅が小さくなる。

そそそ。
ダイオードのVfがいつも0.65V一定じゃなく
Ifによって変動するってことよね。

トランジスタのスイッチ素子の動作原理について電圧、電位を使って説明する。問題がありましたが、全然分かりませんでした。
分かる方、お願いします。

電気化学に関する質問です。
1.25℃の0.100MのKCｌ(伝導率κ＝1.1639Ω-1m-1)を満たした伝導電解そうの抵抗は33.37Ω
溶液をつくるときに使った水はκ＝7.0×10＾-6(Ω-1m-1)
0.0100Mの酢酸で満たすと電解そうの抵抗は2715Ωとなる。
酢酸溶液のΛはいくらか？

2.291Kで0.0200MのKCｌを満たした伝導率測定用の電解そうの抵抗Rは17.60Ωで0.100Mの酢酸のRは91.8Ω
もし291Kで0.200MのKCｌのκが0.2399Ω-1m-1,Λ0(H+)＝0.0315(Ω-1�umol-1),Λ0(CH3COO-)＝0.00350(Ω-1�umol-1)であるとすると、酢酸の0.100M溶液の溶解度はいくらか

3.NaClのクロロホルム(εｒ＝4.8)やエタノール(εｒ＝25)への溶解性について
�僞p＝=Q1Q2/4πε0εr(1/r2−1/r1)を用いて説明せよ。

よろしくお願いします。

参考書の質問ですが、電気回路学の参考書でオススメのものがあれば教えて下さい！

２つの信号線路間に起こる電磁結合と静電結合について、原理を教えてください！

>>625
マルチ禁止な

>>622
君はなにが分からないか分からんから説明のしようがない

すいません

夜分遅くすいません。
課題で「単相変圧器がある。定格容量10ｋＶＡ、定格電圧200/100Ｖとする。
この変圧器の定格負荷のときの外箱の温度上昇を30Ｋとする。
今、負荷電流を1/2にすれば外箱の温度上昇はいくらになるか？
ただし、この変圧器の効率を96％とし、定格状態の95％の時、最大効率とする。
ただし、力率は常に1.0とする。」という問題が出たんですが、
解法が教科書を見ても全くわからないので、どなたか教えていただけませんか？

おおよそ15Kただし効率が減少するため温度はそれより増加する

教科書に載ってるけど理解できないのか、全く載ってないからわからないのかくらい書けyo

すいません。公式らしきものはあるんですが、
それを完全に理解していないので使う事が出来ません(T_T)
つまり載っているけど理解できないになると思います。
（定格状態の95％の時）を（定格状態の時）に変えた
問題なら答えが18.7Kと載っているのですが、解法が載っていないので
分からないのです。630さんお願いします。

完全に理解していなくても使えるのが公式じゃないのかい？
使うたびに証明とか考えてたらやってられないよ

>>629
変圧器の負荷損と無負荷損を考える
負荷損wc：負荷電流Iの二乗に比例
無負荷損wf：一定
全損失(変圧器の発熱)w=wc+wf
最大効率ηmは、wc=wfのとき
温度上昇はΔt=C･Q、ここでC[J/K]：熱容量、Q[J]：熱量。温度上昇は熱量に比例

定格負荷時(10kW,力率1)の効率は96%だからそのときの全損失w100は、
w100=10*10^3*0.96=400[W]
これから、
w100=wf+wc=400[W]・・・(1)
最大効率時の損失w95は、
w95=wf+0.96^2*wc
　=wf+0.9216wc・・・(2)
また、
wf=0.9216wc・・・(3)
(1),(3)式より、
wc=400/1.9216=~208.16[kW]・・・(4)
wf=0.9216wc=~191.84[kW]
１／２負荷時の負荷損wc50は
wc50=(1/2)^2*wc=1/4*208.16=52.04[W]
よって1/2負荷時の全損失ｗ50は、
w50=wc50+wf=191.84+52.04=243.88[W]
1/2負荷時の温度上昇Δt50は
∴Δt50=243.88/400*30=18.291[K]

http://www.eccentrix.com/members/tottori/

質問です。
DA変換器のビット数を4ビットから8ビットにしたときに量子化単位電圧は
どうなるかという問題なんですが。(入力信号の電圧値は変化させません。)


最大出力電圧値が変化するのかがわからないのでとくのに苦労しています。
最大出力電圧値が変わらなければ当然量子化単位電圧は小さくなりますよね？
割る数が15から255になるわけですから。

でも最大出力値が変わっても量子化単位電圧が変わらないって場合
も考えられるので・・・

どなたか教えてください

教科書も略答となっていて、ググってみたり参考書を開いて調べてみたのですが
問題の意味からして全く分かりません。どなたか教えて頂けないでしょうか。お願いします。
【問題】
上:入力AまたはBのいずれかがH(５V)のとき、出力YがH（約4.3V）となるOR動作。
下:入力A・BともにH（５V）のとき出力Yが（５V）となるAND動作。
それぞれの論理の原理動作を説明せよ。
　D1
A-→|---| 　
　　　　|
　D2　　|
B-→|---|--- Y
　　　　>
　　　　< R
　　　　|
　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　D1
A--|←--|
　　　　|
　　D2　|
B--|←--|--- Y
　　　　>
　　　　< R
　　　　|
E ― 5V
　　 -
|

>>633さん、ありがとうございます。
大変参考になりました！！
負荷電流の二乗に比例するんですね。＾＾！
自分で解けるよう理解を深めてみます。
ありがとうございました。

>>636
授業サボったか寝てたかしてたんだろ？

ググってみたら、こんなサイトが引っ掛かった。
ttp://www.page.sannet.ne.jp/je3nqy/
デジタル回路の初歩→ロジック回路の基礎その１

オペアンプが発電所にならない理由。
普通の増幅器とオペアンプの違いを教えてください。

↑宿題なんです^^;

>>639
上：無から有は生まれない
下：違いなど無い

JECによる極性表示法を図示せよって問題なんですが、ググってみてもなかなか出てこないので
教えてください＞＜
図示するのは、図記号とアルファベットです。

ツーロン回路は制御遅れ角αを１８０°まで大きくする事はできない。その理由について考察せよ。また、
１８０°以上とする方法があるのかどうか考えよ。方法あるか教えてください。どんな方法でしょうか？

もうひとつお願いしてもいいでしょうか。

単相交流電力調整回路の実験にて、測定に用いる電圧計の方式の違いにより、
交流出力電圧Vr1とVr2に差が生じる理由を述べよ。また、Vr3=Vr2/1.11となる理由を説明せよ。

お願いします。

>>11
うっすら理解してしまった
有難うございます

>>13
0x90はそういう意味だったのか・・・

丸投げは禁止じゃ。

>>642-643 パス
>>644 Vr1 Vr2 Vr3 って何？

http://www.geocities.com/akira2756/

http://www.geocities.com/akira2756/

BJTは熱に対して負特性、FETは熱に対して正特性であるが
FETがBJTと比べて並列運転が容易な理由を答えよ。

誰か教えてください＞＜。

>>647-648
スレどころか板違いだ。
こっちに移動汁。
　↓
ちくり裏事情
http://tmp6.2ch.net/company/

>>649
ググり方がなっとらん。
てか教科書に載ってないのか？
ttp://72.14.235.104/search?q=cache:RLunLATPiv4J:www.ee.kansai-u.ac.jp/jikkenjo/toranomaki/kotu/fet.htm+%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%82%BF+%E4%B8%A6%E5%88%97%E9%81%8B%E8%BB%A2&hl=ja&ct=clnk&cd=1&gl=jp

電磁気学の問題です。
y=0に面密度ρ_s=(５/π)[nC/m^2]のx-z面に平行な無限平板状面電荷があり、
x=0[m],y=3[m]にｚ軸に平行な未知の一様な線電荷密度ρ_lを持つ無限長線電荷がある。
さらに点（0,2,4）[m]にQ＝３０[nC]の点電荷があるとき直角座標における点（0,1,4）[m]における
電場がゼロとなるような線電荷の線電荷密度ρ_lを求めよ。

をおねがいします。教科書とか見まくったんですけど最初っからわからないです。

　　

>>649
> BJTは熱に対して負特性、FETは熱に対して正特性であるが

回答が書いてあるじゃないか。

>>652
中華丼みたいな豪華絢爛な問題だな。
面電荷だけあるとして(0,1,4)の点の電界（方向に気をつけろよ）、
線電荷だけあるとして、同上、
点電荷だけあるとして、同上、を求めておいて、合計すればよい。

キャリア密度

n=4π*(2m/h^2)^3/2∫√(E-Ec)*exp{-(E-Ef)/kT}dE [Ec→∞]

という式から

n=2*(2πmkT/h^2)^3/2 exp{-(E-Ef)/kT}

まで導きたいのですがわかりません。どうか教えてください。

置換積分とガウス積分を使え

電子回路習い始めの問題です。
ベース接地電流増幅率αとエミッタ接地電流増幅率βについてα=0.99のときβはいくらかという問題で、
α=β/（1+β）に代入してβ=99となったのですが、Webで色々な所を調べてみると「α=0.99のときβ=100が典型例」という記述ばかりです。
なぜβは99でなく100なのでしょうか？

20Vで5Aの回路に直列で2Ωの抵抗と並列でR1とR2というのがあるんですが、
R1：R2が1：2という回路があるんですがR1：R2の抵抗を式で出す計算式ってどんなのでしょうか？
答えが3：6でわかりやすかったのであてはめて行くと答えはでたんですが・・・

>>658
R=E/I
{R1*R2/(R1+R2)}+2=20/5
R2=2R1を代入してR1について解くとR1=3[Ω] R2=2R1=6[Ω]

>>657
β≫1という電気的近似を公式の分母に適用

>>660
なるほど確かに100になります
ありがとうございました

電力P={V/(R+X)}R
で、リアクタンスXを固定したとき電力Pが最大になる抵抗Rの条件は何ですか？

>>662の電力Pを間違えました。
P=VI.・cosΘ=VI・R/Z=I^2Z・R/Z=(V/Z)^2・R={V/(R+X)}^2・R
です。

>>663ですが問題がおかしいですよね。条件は∞になってしまう。考え直してきます。

電流計、電圧計の切り替えレンジは1.３系列となっている。
例えば電流計では10mAレンジ半分の5mAではなく
中途半端な3mAになっている。何故か。

ようするに上のツマミが何で３なの？って事ですよね？
僕も１０と１の方がわかりやすいと思うんですけど。
そういう風に作られたからじゃないんでしょうか？

>>665
log10(2) ≒ 0.3

nMOSトランジスタに電流が流れる理由って何ですか？
教えて下さい。

>>666
平方根ではなく常用対数なのはなぜですか？

>>667
電圧をかけるから

RLC直列回路でL,Cにおける位相差は計算でどうやって求めればいいのでしょうか？

RL,RC直列回路時は分かるのですが、RLCのときだけわかりません・・・。

長さ５μｍのｎ形Ｓｉの棒状試料がある。両端面に良好な接触（電極のこと）
を形成し、電圧２０Ｖを加えたら１０ｍＡの電流が流れた。
（１）電子の試料中の走行時間を求めよ。
（２）電圧０.１Ｖを加えたときに流れる電流を求めよ。

という問題なのですが、まったく分かりません・・・
半導体じゃなくて導体中の電子として考えればできるのですが。
なので、分かるかたがいらっしゃいましたらヒントをもらえないでしょうか？

>>670
C-Lが相互に逆符号で相殺するだけ。他はＲＬ，ＲＣと変わらん。
Zｃ＋ZL＝０を特に「共振」と呼び、直列Rしか現れない。
その時のＺｃ／Ｒ＝ＺL／R＝Q　と定義し共振の鋭さを表す

ttp://up2.viploader.net/pic/src/viploader470915.bmp

全体の抵抗を求めよとありますが、
どなたか詳しい解説をお願いします。

ε-Δ変換で

Δ-Y変換で

>>673
真ん中の縦は抵抗じゃなくてあってるのか？
中心の交差しているところは接続されているのか？

>>676
あってます。
接続されております。

だったら●かいとけヴォケ

>>677
直列と並列の計算でOK

>>673
直並列の計算だけで出せるお。

R=2*(4//(4+4//8))

a//b=(a*b)/(a+b)

>>678
この表示でもいいんですけどね＾＾；（笑）
ご存じなかったのでしょうか（笑）

>>680
答えには6[Ω]とあるのですが・・・



誰も指摘しないということはその程度のレベルの人間しか居ないということですね・・・
残念ながら低レベルの癖に吠える屑も居るし＾＾；（笑）
いつまでもそうやって吠えてればいいんですよｗ
所詮低脳なんですからｗｗｗ似合ってますよ貴方＾＾



以下悔しくなった屑の負け犬の遠吠え（笑）

>>673
まず、右側の抵抗を求める。
下の3本の合成抵抗を求め、1本の抵抗とみなす。
上の2本の抵抗と上で求めた合成抵抗を合成する。
左も同様なので、2倍する。

>>682の2行目
×　まず、右側の抵抗を求める。
○　まず、左側の抵抗を求める。

>>681
>答えには6[Ω]とあるのですが・・・
>誰も指摘しないということはその程度のレベルの人間しか居ないということですね・・・

小学生でも判る問題だからスルーしただけでは？
6Ωで納得出来るなら向いてないかも。

は？
JIS表記無視していいわけないだろ
モノホンの低学歴か？

結線変換もできないならこの業界から去ってくれ

＞6Ωで納得出来るなら向いてないかも
これが意味する所は…
分からん奴はspiceでも使って確認してみろ

<cGRJEaxG
なんだ？なにかの罰ゲームか？

>>685
回路図のこの手の表記には、二通りある。
A：結線には●、繋がない場合は╋。（現在通常使われる表記）
B：繋ぐ場合は╋、繋がない場合は、
　　　　　　｜
　　　　　　┗ー┓
ーーーーーー╋ーーーーーー
　　　　　　┏ー┛
　　　　　　｜　（実際には角がない半円）
>>673は┻部に黒丸がない（Aの表記なら入れるのが妥当だが、省略されることもしばしある）のだから、厳密にはどちらの表記か不明。
しかし、仕事じゃないんだから罵倒するほどのことではない。

>>684
だな・・・回路図を図形的に書き換える能力が必要とされるだけだから、（並列直列だけを教えた）小学生の方が直感的に解けるかもしれない。

今気がついたが・・・cGRJEaxGに釣られたのか・・・・>>673は6オームじゃなくて、５オームが正解だ。

基礎的な質問ですみません。

オシロスコープで　TIME/DIVを「20μs」とした場合、
とある一周期がオシロスコープのメモリ上で、2.4マスだった場合では、
値は2.4×20×10＾-6を計算した物、で合ってますか？

ピンポン

ＮＡＮＤ素子でＡＮＤ、ＯＲ回路などを作れることは分かったんですが、どうしてＮＡＮＤ素子を使うんですか？
利点とかありますか？
お願いします。

>>692
部品数が少なくて済む

部品数というより、部品の種類が少なくて済むだろう

>>691
せんきゅー！

>>690
答えは正解だが、

　　2.4マス × 20us　ではなくて、

　　20us × 2.4マス　が正解

20usが2.4個分、ということね。

>>666
そういえば、昔のアナログテスタには、
対数表記が付いてたな。

>>696
どっちでも同じﾀﾞﾛ
2.4個分の20us でもイイじゃん
ゆとりでつか？

AAまで使って・・・ヴァカなやつ

>>698
全然違うよ
かけ算というのは、「○○を▲個」という風に使う。

1本10円の抵抗を100本買うから100円なの。

100本を1円????　説明できんだろ。

かけ算の場合は
順序を入れ替えても答えが同じになるから、そう言うだけ。

上記の100円を、割り算で説明すると、
100円の中に1円がいくつあるか、
あるいは100円の中から1円はいくつ取り出せるか、ということだ。

驚いた。真性がいる。

>>700
秋月かｗ

ぶっこ抜いてみました。

　392 名前： 774ワット発電中さん [sage] 投稿日： 2007/05/19(土) 16:35:28 ID:OMEhD93X

　　いや、OS9のころはダメだったけど、
　　OS Xになってからは、めちゃめちゃ安定してる。

　　WindpwsXPだと起動後でもHDDが2-3分カリカリ回ってて、すぐに使えないけど、
　　Macだと、OS起動、シャットダウンともに1分程度でOK。

　　オレは、MacBookProでMac OSとWinを切り替えて使ってる。
　　ソフト開発関係はWin、それ以外はMacでやってる。

　　XilinxのISEで速度比較したら、
　　WinXP(P4, 2.2GHz)よりMac(Dual core, 1.8GHz)のWinXPの方が
　　速かったのには、驚いた。

　166 名前： 774ワット発電中さん [sage] 投稿日： 2007/05/19(土) 16:27:30 ID:OMEhD93X
　　>>164
　よくわからんなぁ。

　　> 163で３分周と５分周を一緒に出力
　　って、どういうこと?
　　・3分周した信号と、5分周した信号を、1つの74163で取り出すということ?


ほかでもブイブイいってるみたいね。

　心狸板の素人どもが物理でもめています。参戦すると面白いよ。

　http://academy6.2ch.net/test/read.cgi/psycho/1072684936/276-

サイリスタにおいて、オン状態のときにゲート電流を０にしてもアノード電流が流れ続ける理由は何でしょうか？

＞1本10円の抵抗を100本買うから100円

この抵抗を10本買った場合は、10√10円が妥当と思われ。

>>1本10円の抵抗を100本買うから100円なの。
よく、1本だけ買えば10円の抵抗でも100本まとめ買いすると100円になるもんな。
なるほどなぁ、単なるタイプミスと思わせておいてそんなウラがあるとはなぁ。

真性半導体はすっころんでろ

1本だけ買ったら30円でした（´・o・

V(x)=+∞　 　↑　　　　　　　↑ V(x)=+∞
ポ                 ┃　　　Ψ　　    ┃
テ　　　　　  ┃　　-e •　　 　┃
ン                 ┃　　　　  　    ┃
シャ              ┗━━━━━━━┛
ル               x=0               x=W
V(x)　　　　　　　　→x

図の井戸型ポテンシャルV(x)を考える。
ポテンシャル中の波動関数をΨとする。
電子エネルギーをEとする。
x=0とx=WでV(x)=+∞であるとする。
電子eは井戸の外には出られないが井戸の中では自由である。
0≤x≤Wにおける定常状態のシュレティンガーの方程式を立てよ。

○投げになって申し訳ないのですが、
自分の頭ではどこをどうしていいか検討もつきません。
書き出しやヒントだけでも教えて頂けないでしょうか。
お願いします。

ずれしまって済みません。
書きたかったのは井戸みたいな形です。

http://up.spawn.jp/file/up21703.jpg
宿題なんですがどうしても解けないです。
例題を見ながら解こうとしてるのですがわからず・・・
投げやりみたいですみませんがどなたかご教授お願いします。

電界の単位[N/C]と[V/M]が同じ量であることを示せ

という分かる人には凄く簡単な問題が出たのですが、自分は苦手なので分かりません・・
お願いします教えてください。

一次おくれってなんですか??自分では想像もつかなくて丸投げになるんですが誰かお願いします。

>>713
E[N/C]=F[N]/q[C]

>>710
0≦x≦WではV(x)=0
よってハミルトニアンHは

>>712
教科書を参照
電位差を記述していくといい

媒体としての音はどのような情報を伝えるのか？

スレ違いかもしれませんが教えてください。お願いします。

>>710

多分量子力学の教科書にその問題が載っていない教科書は無いと
思いますがとりあえず指針だけ回答しときます。

まず時間発展をするシュレーディンガー方程式は知っていますね？
というか教科書に絶対書いてます。これは、
　　　　ih / 2π　(d/dt)ψ　= Hψ
です。このψが時間依存する項と位置に依存する分に変数分離できる
として、上の偏微分方程式を解くと定常状態のシュレーディンガーEq
を得ることができます。

この後、量子井戸構造では井戸の外ではポテンシャルが無限大なので
存在することができません。つまり、波動関数の２乗が０。従って、
波動関数は０。
井戸の中ではポテンシャルが一定なのでハミルトニアンの中の
ポテンシャルを一定値として（普通は０）、微分方程式を
解けば良いです。

>>714

制御の分野の一次遅れで良いんですかね？自動制御の分野でそういう言葉
があって、伝達関数が分母がｓの１次で分子が定数となっているときの
伝達関数を一次遅れ要素とか一次遅れとかいいます。

例えば、コイルと抵抗を直列につないだような系は一次遅れの系になる
と思います。

伝達関数は多分制御の言葉で、数学ではグリーン関数のことです。

ありがとうございます。

もう1個だけいいですか??一次おくれにはどんな特性があるんですか??
何回もすいません

>>716
>>719
本当に有り難うございます。
また分からなくなったら質問させてください。

>>722

制御理論では、

（出力）＝（伝達関数）＊（入力）

という関係がラプラス変換によるｓ領域で成立します。伝達関数とは系の
特性のことと思ってください。ｓ領域というのもあまり気にせず、普通
微分方程式で結びついている関係が掛け算に出来ると思ってください。

つまり、出力は直感でもわかるとおり系の特性と入力で決まります。
通常我々が観測できるのは出力であって、これは系の入力とは切っても切れない
関係にあるということです。つまり、１次遅れの特性を語るには
何か入力（テスト関数）を決めてやる必要があります。僕は学生なので
実情は知らないですが、僕が読んだ本にはステップ関数（t=0で印加する直流）が
主流とあったので、１次遅れのステップ関数に対する応答について述べます。

これは例えば、電気回路で抵抗とコイルの直列接続に直流電圧を加えた系です。
この例の電流波形の結果はご存知の結果だと思います。１次遅れの
ステップ関数に対する応答は全て上記の例の波形と同じです。つまり、
ステップ関数に対して１次遅れは振動などをせず、例で言えばインダクタンス
の影響により電流（出力）が電圧（入力）に対して遅れてしまうような言葉通り
の特性を持っています。多分この意味で１次遅れと呼ぶのだと思います。

すっごく親切な回答屋がいるな
適当に答えたわしが悪いみたいじゃぞい

>>719
あれすみません
もうちょっとよろしいですか＞＜；
まずih / 2π　(d/dt)ψ　= Hψを解いてEqを出したあと
微分方程式を解くとありますがこれは何のことでしょうか。
すみません。教えてくだしあ

>>725
じゃあもっとhintください＾＾；

>>726
貴様が解く方程式は
-{(h/2π)^2 /2m} d^2 ψ/dx^2=E
つまり定常状態のハナシだからi(h/2π)dψ/dt=Eとしていい

微分方程式を解くというのは微分演算子d/dxを方程式から消去することだ

-{(h/2π)^2 /2m} d^2 ψ/dx^2=Eψの間違い

>>728
ありがとうございます＞＜

ということは、-{(h/2π)^2 /2m} d^2 ψ/dx^2=Eψを
を解くとi(h/2π)dψ/dt=E→�@で、
私は�@からd/dxを消去すればよろしいのでしょうか！？
何度もすみません。

だめだこりゃ

>>731
そこをなんとか

定常状態という言葉の意味を考えてください。時間依存しない
という意味です。731さんがおっしゃりたかったのは、僕が言った
時間と位置に依存する偏微分方程式としてのシュレーディンガー方程式を
、今の場合はそこまで考えなくても位置に依存するだけの常微分方程式として
-{(h/2π)^2 /2m} d^2 ψ/dx^2=Eψで済ませることができるという意味です。

この方程式を眺めてください。単なる２階定数係数線形常微分方程式ですね？
この方程式を解けないならばそれは物理の問題ではなく数学の基礎知識が
欠けています。微分方程式論を勉強するべきです。

>>733
ありがとうございます。
ほんと何度もすみません。
-{(h/2π)^2 /2m} d^2 ψ/dx^2=Eψを解けばコンプリートですか！？

711を最初見たときに思ったのですがシュレーディンガー方程式を
立てよというだけなら別に微分方程式を解かなくてもいいと思います。
ただ、普通そういう問題はエネルギー固有値を求めよとか波動関数の
形を導けとかがあるので、境界値条件や規格化条件で解くことをおすすめします。

>>735
そうでしたか
確かにそのような問題があと４問もあるんです
でも>>731さんと>>735さんのおかげで高山を超えました。
遅くまで教えてくださって本当に有り難うございます。

よかったよかった

MATHCADを使ってpn接合を書きたい(伝導帯だけでいい)のですが、書き方がさっぱりわかりません。
電子の密度をあらわす式
n = N_c exp -(E_c - E_f)/kT
とよくある式をE_cについて解いてやると、とりあえず伝導帯を現す式になるのですが、その程度のことしかわかりません。
絵的には横軸に距離ｘ、縦軸に電子のエネルギーEというものにしたいのですが、接合部分の曲がりどころか中世領域の直線部分もうまく書き表せません。
どなたか書き方を教えてください！
よろしくお願いします。

同次形微分の宿題ですが
dy/dx=（y/x）/1-（x/y）
でy/x=uとおくとdu/dxはどうなりますか。
途中の変換の過程まで書いてください。

>>739です。解決しました。

>>739
> 同次形微分の宿題ですが

｢宿題｣には誰も答えてくれないだろうよ。

>>741
スレタイには宿題〜ってあるのになんでダメなの？　739じゃないけどさ

>>742
>>1
> ・宿題／課題の丸投げ禁止！

>>743
だったら丸投げ禁止って書くべきだったろ>>741は

「インダクタとキャパシタの損失はどういう原因で生じるか」という問題なのですが、
インダクタの抵抗分(損失)は巻いてある導線自体の抵抗によって発生するって考えたんですが
問題ないでしょうか？
あとキャパシタの抵抗分(損失)はどのような原因で生じるのでしょうか？

>>745
> インダクタの抵抗分(損失)は巻いてある導線自体の抵抗によって発生するって考えたんですが
> 問題ないでしょうか？

他にも要因がある。60点ぐらいかな。
（ヒント：　磁気ヒステリシスあたりで調べる）


> あとキャパシタの抵抗分(損失)はどのような原因で生じるのでしょうか？

（ヒント：完全な絶縁体ってあるのか？とか、tanδとかで調べる)

>>746
ありがとうございます。
調べてみます。

P型半導体のフェルミ準位について、簡単な説明をお願いします。

P型半導体のフェルミ準位について、簡単な説明をお願いします。

P型半導体のフェルミ準位について説明をお願いします。
フェルミ準位が価電子帯の近くまで下がってくるのはなぜですか。

完全な投げやりなのですが誰か教えてください。
答えのみでいいです。
http://up.spawn.jp/file/up21703.jpg

>>712
教科書を参照
電位差を記述していくといい

論理設計の問題です

符号なし2進数や符号付2進数の比較を行う回路を考えよ。
入力はXとYがそれぞれ4ビット、出力はX＞Yの時のみ１になるX＞Y
と、X＜Yの時のみ１になるX＜Yの2ビットとする。

X = x[n-1]x[n-2]・・・x[0]
Y = y[n-1]y[n-2]・・・y[0]
である。括弧の中は文字の添え字。

どのようにすればいいかさっぱり分かりません。
図示の仕方も見当がつきません・・・

あるキャパシタにV_0[V]なる電圧で充電し、その後1秒間
抵抗R[Ω]を通して電荷の一部を放電したとき、キャパシタの
端子電圧はV_1[V]になった。キャパシタの容量C[F]を求めよ。

という問題なのですが、どのように考えれば良いのでしょうか？
t＝0(放電開始)の前後で全体の電荷は保存されることを
使って式を立てたり、キルヒホッフの電圧則から解いてみたり
しているのですがどうもうまくいきません。
よろしくお願いします。

電子の軌道の名前の由来おしえてください。
お願いします。

>>754
Cは定数なので前後で変化しない。
変化するのはV,Q(変数)である。これらはCを使って式にできる。
ならば、C=式1=式2... と記述できるから C=変数の式 が求まるはずである。
考え方ならこんな感じになるかな。
もうひとつ、Cを求めるのは容量計に他ならない。ならば、容量計の原理を調べるのもありだな、と。

>>750

フェルミ準位を定量的に求めるためには電気的中性条件を用いて
算出することになります。つまり、

正孔密度 + アクセプタ密度 = 電子密度 + ドナー密度

です。Ｐ型の場合、ドナー密度を無視して構いません。後は、
アクセプタの縮退を考えたＦ−Ｄ分布を用いてそれぞれの準位
のキャリア密度を算出すれば、何故フェルミ準位がバンドギャップの
真ん中より下になるかわかります。

定性的には、フェルミ準位とは絶対温度Ｔ＝０で占有可能な最大
エネルギー、有限温度ではＦーＤ分布を０．５にするエネルギー
のことです。有限温度で考えると、Ｐ型では導電帯に電子が少ない
のでフェルミ準位が下に落ちてこないといけないのが分かる
と思います。

http://winter.group.shef.ac.uk/orbitron/

>>756
Q(0)/V(0)=Q(1)/V(1)
としてQをRの式で表せるようにすればいいのでしょうか？

>>753
並列ピン入力を2進数と思ってその大小比較をする回路を
大小比較器 magnitude comparator という。英語のほうで検索
すればたくさんヒットするだろう。まさに 4ビットでそれを
おこなう標準ロジックがある。MC14585B ないし SN74HC85 。
そのデータシートを調べればどういう回路で機能を実現できる
かもわかるだろう。

>>755
分光学のスペクトル観測上の特徴から、
sharp、principal、difuse、fundamental の頭文字をとった
ものだと言われているそうだ。ところでこういう質問は化学板
でしてね。

>>754 >>759
Vo にチャージされたコンデンサ C に抵抗 Rを接続すれば、
t秒後の電圧は v(t) = Vo exp(-t/(CR)) になることを知って
いれば解けるし、知らなきゃ絶対解けないよ。キルヒホッフ
も電荷保存も関係なし。コンデンサに蓄えられる静電エネルギー
と電圧の関係、抵抗で消費される電力（積分すればエネルギー）
で方程式をたててね。

>762

＞知らなきゃ絶対解けないよ。

問題の説明から、微分方程式を立てて解けば出てくる式だよ。ボケ。

圧電定数d31=350pC/NのPZT素子1cmに、電界1kV/cmを印加したとき何μｍ伸びるかって問題誰か分かりませんか？

>>763
> 微分方程式を立てて解けば出てくる
だからそう書いてあるじゃないか。ボケ。
(>>762の記述)
> 静電エネルギーと電圧の関係、抵抗で消費される電力
>（積分すればエネルギー）で方程式をたててね

サイリスタのV-I特性で、
ゲート電流を変化させるとブレークオーバー電圧が変化する理由というのはどういうものなのでしょうか

トランジスタの基本増幅回路で習う固定バイアス回路の簡易等価回路で
電流増幅率[倍]を求めるところがあるのですが、
先生からは分流公式からIb=(R1 / (R1 + hie)) * Iiより
Ii = ((R1 + hie) / R1) * Ib
Io = (R2 / (R2 + RL)) * Ic = (R2 * hfe *Ib) / (R2 + RL)
よってAi = Io / Ii　より
Ai = (途中省略) = [(R1 * R2)/{(R1 + hie)(R2 + RL)}] * hfe
と教えられたんですが手元の教科書その他には hfeと載っています
いったいこの違いは何なのでしょうか（高校・電子回路です）

>>767
R1>>hie
R2>>Rl

光ファイバで長距離(1000km以上)伝送を行うには、光ファイバの損失により弱くなる光強度を戻す必要がある。
元の大きさもしくはそれ以上に強めるには、どうしたら良いか？
説明問題なのですが、良くわからないです。
単に「増幅器を用いる」といった回答のみでは不十分ですよね。
調べてみたら光ソリトン伝送方式というのがでてきたのですが、これで説明できるのでしょうか？

>>769
なんでその方向に行くかね。
「光増幅器」で充分だろ。

マイコンの課題なんですが、JMP命令（分岐命令の一種・JuMP命令とも書く）のフローチャートやしくみを書かなければならないのですが、分かりやすく書くにはどうすればよろしいでしょうか？
関連サイトなりは見つけたのですが、どこを要約すればいいのか・・・

ttp://www.siemens.co.jp/simatic/japan/as/step7/data/manuals/japanese/v5.3/kop_v53_j.pdf
上記サイトの6.3　P73〜に載ってる感じです。

初めまして、初心者なのですが・・・デジタルICとはANDやNOT、NORなどの回路素子のことでしょうか？

ＣＭＯＳ

>>773
マジで？　やっちまった・・・

ん、CMOSもデジタルICなのではないでしょうか？
http://hp.hana-neko.com/electro/electro/not_multi/not_multi.htm
http://hp.hana-neko.com/electro/electro/oneshot/nand_oneshot.htm
これらはデジタルICで構成されているものではないと・・・？

CMOSじゃないデジタルICもあるし、CMOSのアナログICもある。

>>776
ではデジタルIC＝CMOS&その他ってことかな？

三相誘導電動機の軽負荷運転時の特性を教えてください。

>>772-777
自演？

>>779
違うが？

バイポーラトランジスタとMOSFETを比較したいのですが、何を比べればよいのでしょうか?
おわかりになる方いらっしゃいましたら、模範解答お願いします。

>>781
丸投げか？
教科書見ろ・・・・・

　-L
　　|
　　r
　　|---|
　　C　 R
　　|---|
　　Grand
上のような回路図で、Rにかかる電圧の規格化応答特性を求める問題ですが
全体に１Vかけたとして、微分方程式を解いていくと
　α＝　1/2 ( 1/ CR + r/L )
とすると特性方程式の解が
　λ＝　-α+-√（α^2 -　R+r /　LCR）
となるのですが、ここでルートの中身が負になるらしいのですがその理由が分かりません。
rLCRには特に条件は与えられていません。
どうか教えてください。

非常に単発な質問ですが
ポインティングベクトルを微分したとき
あらわせるものはなんですか？

すいません　質問なのですが

ＬＲ-直流電源回路についての質問なのですが、

このとき　時間t=0からの　電流Ｉの任意の時間での値を出したいのですが、

出すならばフーリエ変換すればいいのですかね？（直流電源でもフーリエ変換していいのでしょうか？）

回路に流れる　もともとの電流を「i（t)」、フーリエ変換したもの「Ｉ（ｔ）」

抵抗をＲ　インダクタＬ　直流電源電圧をＥとします。

としたら　回路方程式

Ｒi（ｔ）+　Ｌ・�冓(t)/�冲 = E

これを普通にフーリエ変換すればいいですかね？

（自分はつい先日微分方程式でフーリエ習ったばかりでラプラス変換の知識なしです）

おとなしくラプラス変換しなさい
フーリエ変換すると周波数解析のみになっちまう

あぅ了解いたしました〇。゜（ノ´д｀）゜。

ありがとうございました。

がんばってみます

関数f(t)のラプラスF(s)

F(s)=lim[K→∞] ∫[0,K] f(t)exp(-st)dt

これに従い回路方程式を変換して
(R+Ls)I(s)=E/s
∴I(s)=E/s(R+Ls)
i(t)=ILT[I(s)]

>>771
それ、言語仕様書だし。
マイコンに制限や指定はないのか？
無いのなら、図書館に行って、今時のAVR・ＰＩＣじゃなくて、Z80 や 8085
あたりの解説書を漁れ。
CPU自体の構造は複雑じゃないし、丁寧に書いてある事多いぞ。


>>772
ディジタルＩＣ
　信号線の電圧・電流の大きさ・向きを "1" or "0" の２値のディジタル量に
対応させて扱うＩＣ
（例： TTLの場合、 Vin<0.8V→Low("0") Vin>2.4V→High("1")）

アナログＩＣ
　信号線の電圧・電流の大きさ・向きのアナログ量をそのまま扱うＩＣ
（例： OPアンプ，ビデオアンプ，ラジオ用チューナＩＣ等）


>>778
http://science6.2ch.net/test/read.cgi/denki/1177931539/883-885

ちょっと試験勉強しててわからない所があったので質問します。
http://www.rupan.net/uploader/download/1180519397.jpg
手書きで申し訳ないですが
この回路の端子a-b間の合成抵抗の求め方がどうしてもわからないです。
Y-Δ変換を使うのかなと思ったんですが、値が「2/57＋5/68」とかなってしまい
違うと思うのですが…
答えじゃなくてもいいので求め方だけでも教えて頂けないでしょうか

スターデルタ変換でぐぐれ

>>791
つりじゃないんだな？・・・・・・と、一応聞いてみる。

a-b間の合成抵抗だな？と、再度聞いてみる。
答えは、・・・・・・暗算で出るんだが。（10オーム）

端子c関係ないからな

答えて頂いてありがとうございます。
10Ωって事は端子Cと5Ωは一切考えなくて良いって事ですか？
Δ-Y変換とかそんなんばっか考えてました。
参考にして解いてみます。

でもこの機会にデルタスター変換覚えてもいいんじゃないか

3分の1するだけなんだぞ？

>>796
この後の問題でどうやら使いそうなので覚えてみます。
>>797
1/3とは？自分が教わったのは、隣接する二つの積/総和とかそんな感じだったのですが…

>>798
この後じゃなくても
この問題でも使えるぞ

おおおおお！！
今解いてみましたが、成程！1Ωと2Ωが出てきて直列で計算すればいいって事ですね。
勉強になりました

すみません、質問させてください。
球状の電荷密度が作る電界の問題の勉強をしてるのですが、
極座標の体積積分の、ｒの積分だけが解けません。
積分 exp(-r/R)/r dr
なのですが、解き方教えてもらえないでしょうか？

>>801
難しそうな積分？電磁気習ったけど分子にExpが出る問題は解いたことねぇ・・・
これが教育格差ってやつか・・・

スレの内容とはちょっと違うんですが
みなさんPCで回路図描くときはwordで描いてます？

linear power density⇒日本語訳教えてください

>>804
直訳すればいいじゃないか

線形パワー密度　線出力密度　などなど。　単位系はW/mっぽいな。

意味的には 単位長当たりの出力　とでも見ればいいんじゃね
後はケースバイケース

>>801
こんなの不定積分では初等関数にならないよ。問題で出た
とすれば、積分関数の誤りか、積分範囲が規定されている
のに表示されていないか、どちらか。

>>801
忘れたけど・・・・部分積分法か置換積分法で何とかならんのか？
もちろん、exp（-r/R)の積分がわからなきゃどうもならんが。

レスありがとうございます。

積分範囲は一般の位置ベクトルｒで出されていてわからないんです。
電荷密度は半径Rまでだけあります。
やっぱりミスプリなんでしょうか？

>>807
部分積分でやると無限ループにはまってしまって解けなくなりました

そもそも問題が分からんのだが
「積分 exp(-r/R)/r dr を解け」って問いが与えられたの？
君の立てた式が間違ってただけとかじゃ

>>805
ありがとうございました。

もう一つ質問なんですが。
ベクトルの問題です
E,r,eはθとφのベクトル


Re[e×r×E]・r　

⇒Re[e_{θ}E^｛*｝_{θ} + e_{φ}E^｛*｝_{φ}]

の証明です。

よろしくお願いします。

横殴りスマソ、でもすぐに教えてもらいたいです

ホイートストンブリッジの講義で出された課題。いくらといても解らないので質問

E=R2(I1+I2)+R4(I1+I3) -�@
0=R2(I1+I2)+RG(I2-I3)+R1I2 -�A
0=R4(I1+I3)+RG(I3-I2)+R3I3 -�B

この式からI3,I2を求め、I3-I2=0になることを証明せよ、って問題です

おいらのやった方法
�A＋�B
0=R2(I1+I2)+R4(I1+I3)+R1I2+R3I3 -�C
�C−�@
E=R1I2+R3I3
I2=E-R3I3/R1
I3=E-R1I2/R3

んでここで気づいたのが、どちらの式にもIがあるから漏れはなぜかEを代入

I2=R1I2+R3I3-R3I3/R1
=I2
I3=R1I2+R3I3-R1I2/R3
=I3

なにこの無限ループ。。。これじゃ証明は出来て・・・ませんよね？よくわかりませんが
ってことで質問することにしました
この問題の解法は勿論のこと、このような文字がたくさんあるときの連立方程式の考え方などを教えください

>>808
レスをした手前、責任上わかるところまでレスをする。
（多分ここまでやったと思うが・・・）

∫{exp(-r/R)}/r dr
-r/R=uとおくと
r=-Ru
dr=-Rdu
与式=∫[{exp(u)}/(-Ru)](-R)du
=∫{exp(u)}/u du　　　　　　　　　イ
さらに、exp(u)=tとすると
u=ln(t)
du=1/t dt
与式=∫[t/{ln(t)}](1/t) dt
=∫{1/ln(t)}dt　　　　　　　　　　　ロ
イあるいはロの形が解ければ解決だが、俺は解法を知らない。

>>811
回路図がないから推測でしか答えられないけど、
＞I3-I2=0になることを証明せよ
ってことはブリッジが平衡している状態だとおもうから、
�@〜�B以外にも条件があるはず。
たとえばR3/R1=R4/R2みたいな…

>>813
この式のみでやれって言われているんですよ・・・
数学板で質問してみます

>>814
>>813に禿同。
>>811の回路図を推定して描いてみたが、特定の条件（R3/R1=R4/R2）が成立しなければI2-I3=0にはならない。
その式だけでは、I2、I3は求まるけど、I2-I3=0は出てこないぞ。

>>814はすでに見てないと思うが、代入や加減で解き難い場合は、行列式の計算法であるCramerを使う手もある。

簡単そうな手順は、
E=R2(I1+I2)+R4(I1+I3) -�@
0=R2(I1+I2)+RG(I2-I3)+R1I2 -�A
0=R4(I1+I3)+RG(I3-I2)+R3I3 -�B
�@　E=(R2+R4)I1+R2I2+R4I3　　　　�C
�A　0=R2I1+(R1+R2+RG)I2-RGI3　�D
�B　0=R4I1+RGI2+(R3+R4+RG)I3　�E
�C−�D−�E
E=-R1I2-R3I3　�F
�D*R4-�E*R2
{R4(R1+R2+RG)+R2RG}I2-{R4RG+R2(R3+R4+RG)}I3=0　�G
�F、�GからI2とI3は出てくる。（計算めんどくさくなったので省略）

>>808
普通に考えて、電荷密度ρがrベクトルに関する関数じゃない限り
Expは分子に出てこないよね。

立式が間違ってないか？
原点に球電荷の中心があるとして、電界はφ、θによらず距離rのみの関数となって
dE = dQ/4πεR^2
だよね。でdQを考えると、とても解きたくなくなるわけだ。

で、ガウスの法則使っちゃだめなの？
半径aの球状電荷の中心を原点としてそこから任意の距離の点rにおける電界を求めたほうが早いと思うんだけど。

r > aの領域で
E* 4πr＾2*ε0　=4πa＾3/3

でE=に変形するだけで出るよ。

>>810
数式中の＿はなんだ？そんな演算子あったか？
もしかしてe_{θ}　でeベクトルのθ成分のことか?

いまいちつかめんなペイントとかで数式を手書きしてくれたほうがわかりやすいわ。

>>817
ρが抜けてた

r > aの領域で
E* 4πr＾2*ε0　=ρ4πa＾3/3

>>818
演算子じゃないだろ
サブスクリプトだろが

_で上付扱い

うえつけは^な
テンプレよんどれドシロウト

>>818
http://www.rupan.net/uploader/download/1180676285.JPG

よろしくおねがいします。

>>818
ttp://www.rupan.net/uploader/download/1180676645.JPG

↑失敗しました。これでおねがいします。

スイッチ回路の配線を書く問題なのですが
2階建て住宅で　1階から2階に階段を上がる場合　1階のスイッチSW1で2階の電球をつけて上がる
2階に上がったら2階のスイッチSW2で消灯する　っていう問題をスイッチ回路の配線で書きたいのですが
どう書けばいいんでしょうか？

>>825
階段　スイッチ の検索結果 約 994,000 件中 1 - 10 件目 (0.19 秒)

V-◎-―＜二＞―GND
これでおｋ

>>820
Tex使ってるから、そうだろうと思ったけど
>>822
で、テンプレのどこに書いてあった？
ここではTex形式で書くってはじめて知った。
あ、もしかして板のデフォ？それならすまん。

E^{*}って複素共役なんだろうか、って思うし。

数学板のテンプレ

┏直流電源┓
┗――――┛

異論は？

>>828
テンプレも読めないドシロウトか

問題：皮相電力1000VA，有効電力500Wの場合，力率および電圧，電流の位相差ψを求めよ。

公式
v(ｔ)＝Vmsinωt
i(ｔ)＝Imsin(ωtーψ)

p(ｔ)＝ｖ(ｔ)ｉ(ｔ)
　　 ＝ＶｍＩｍｓｉｎωｔｓｉｎ(ωtーψ)
　　 ＝ＶmＩm/２[ｃｏｓψーｃｏｓ(2ωtーψ)]

Ｐａｖ＝ＶmＩm/２×ｃｏｓψ＝ＶrＩrｃｏｓψ

問題の値を公式にどうやって代入するのか分からないんです、どんな風に代入すればいいのかと理由を教えてください
よろしくおねがします

教科書に
（皮相電力）＝（電圧の実行値）×（電流の実行値）
（有効電力）＝（皮相電力）×（力率cosφ）
って公式なかった？

よく読んでなかったスマソ

Ｐａｖ＝ＶrＩrｃｏｓψ

Ｐａｖが有効電力（平均電力）
Ｖrが電圧の実行値Irが電流の実行値だからＶrＩrが皮相電力
ｃｏｓψが力率
ψが位相差

>>834
ありがとうございます！
やっと理解できました

>>832-835
×　実行値
○　実効値
２ちゃんじゃ良くても試験じゃ減点対象かも。

暗算用にはもっとずるく、
有効電力５００Wを実軸（X軸）方向に採って
そこから直角３角形を考え、
その斜辺が皮相電力１０００VAとなって、
２：１：√３　の直角３角形が現れて、
その絵から位相角６０度（π／３）、力率１／２が直接見えてしまう。

数学の要領と一緒で、３０度６０度９０度４５度１５度辺りの３角形の特徴を頭に
入れておくと、テストの場合は採点側の都合もあるから結構
その３角形の相似形を基準に問題を出していることが多い。

２ｃｈで誤字指摘ってどーよ

>>837
ちゃんと嫁。内部なら構わない世界だが要求がよそ行きだろ。外の試験じゃダメかもって書いてるだけ。

この時間に長文はきついぜ

ああどうも機械変換慣れないから間違えた
まぁ実効値を知らないなんてことないだろうし
俺の投稿丸写しして出すなら勝手に減点されてくれって感じではあるが…

ベクトルの問題です
E,r,eはθとφのベクトル


Re[e×r×E]・r　

⇒Re[e_{θ}E^｛*｝_{θ} + e_{φ}E^｛*｝_{φ}]

の証明です。

よろしくお願いします。



ttp://science6.2ch.net/test/read.cgi/denki/1162207007/

ミスりました。。。
ttp://www.rupan.net/uploader/download/1180850004.JPG

>>836
すみません、今度は気をつけます。

pn接合ダイオードの作製で拡散源として窒化ボロン(BN)を用いたのですが、このボロン(B)の拡散深さを測定する手法について教えてください。
調べていたら、拡散深さは拡散係数と熱処理時間で求めることができる、という記述があったので拡散係数を求める方法を調べたのですが、見つかりませんでした。
ボロン(B)の拡散深さを測定する手法、どなたか教えてください。お願いします。

質問です。
正帰還増幅器において増幅器利得Ａ、帰還増幅利得Ｈとした場合、
その利得Ｇ＝Ａ／（１ーＡＨ）で表されますが、
ＡＨ＝１の時に発振するという理屈が理解できません。
たしかにＡＨが１に近づけばＧは無限大になりますが、
それが何故発振に繋がるのかわかりません、単に飽和するだけのような気がいたします。

どなたかわかりやすい説明をお願いいたします。ぺこり。

>>845
逆に考えて、出力は飽和値近くなのに、絶対値で無限大の増幅度時の
入力はゼロ。入力ゼロなのに勝手な出力のあるアンプを特に「発信器」
というんでないの？

あっ、やった、スマソ！
×　発信器
○　発振器

それはつまり言葉の違いですかね？

発振器とは交流発生器の意味だと捕らえていたのですが・・・
単にに出力がぶっ飛ぶだけで発振器ってこと？

>>848
その出力が、予め狙ったものだった場合は「発振器」、
期待と違うのが出ちゃったら「寄生振動」とか「設計ミス」とか、んなもんよ(w

>>849
いや、そういうことではなくて、
その状態においてなぜに＋−が随時入れ替わるようになるのか、
その原理が知りたいのですが、それはまた別の理屈と知識が必要になるのでしょうか？

ってかどう考えてもこれだけの理屈じゃ発振（交流電圧）は生じませんよね・・・。
レポートには飽和を起こすって書いておくことにします・・・。

どうもありがとうございました。

>>851
熱擾乱雑音だの様々な「交流」が最初から存在し、
それがアンプと周波数選択回路を介して目的の周波数だけ
必要な振幅にするものを特に「発振器」という。
発振器というのはアンプ（増幅器）の応用回路の一つだ。

最初は直流だなんて馬鹿なことを考えてはいけない。
人の聴覚だって無音状態でも耳鳴りや血流音が聞こえているではないか。

様々な周波数選択回路により、
CR-３段とか、Tノッチとか、ウィーンブリッジとか、LCC、LLC、LC反結合など
様々あるだけで、先出饋還回路式の分母が０になる周波数で発振する。
（利得が不足で０を含めないと発振不能。………実は分かって聞いてないか？？）

あー、何となくわかってきたかも！！

多段接続の増幅器は高周波になる程位相が回るから、
逆相出力の帰還増幅回路の入力に様々な波を入れたとき、
ある周波数の波だけが１８０度回転し帰還する、本来の反転増幅が非反転増幅となって
その周波数だけ飽和、発振（むしろ共振する）ってかんじでしょうかね？

あー、やっぱわかんない・・・。何で正相帰還で発振なんだろう。。。

たとえば論理素子のＮＯＴ回路の入力と出力を繋ぐとじたばたと発振する。
だけどそれは逆相帰還のようなものだから発振するのに、
アナログだとなぜ正相帰還で発振するのだろう・・・

>>855 ＞　たとえば論理素子のＮＯＴ回路の入力と出力を繋ぐとじたばたと発振する。

CRの１段相当では発振できない。発振するのは２段分以上の遅れ要素や、
無駄時間要素があり利得があるからだ。
負帰還回路が発振するのも１周利得が絶対値１より大きいうちに逆相になるから。

＃どうも分かって質問を作ってる臭いが芬々だなぁ。初心ROMを混乱させちゃいけないよ。

ファラデーの銅版発電機において電気の流れる方向はどうなるのでしょうか？
N極を正面とした時に回転方向は右回りです。
できれば、説明もお願いします。

周波数、ゲイン、位相角の実験値から
ナイキスト線図を描く場合、どのようにしたらいいのでしょうか？

>>858
データをプロット汁

>>859
手書きでなんとか描けませんか？

絵心で描け

微分回路の動作特性実験で、高周波数領域で発振器とオシロスコープから測定した波形の周期が違ってたんですが
入力と出力の周波数が変わるなんてこと普通はありえるのでしょうか？

>>860
Excelで書いてトレース

>>862
そんなの時間軸較正の問題だけだ。＞862
オシロスコープの時間軸調整つまみに「cal」「non-cal」とあって
calは一応較正値だが、もっと正確に設定したいときは
標準周波数源を観測して、non-calで時間軸目盛りに合う様調整して
その時間軸で被計測波を観測する。
オシロスコープ観測の基本的較正技術で、これを知らずに扱っても計測作業にはならない。

＃電圧軸の較正も分かる？大抵のオシロには標準電圧源が操作面に出ていて、これで
プロープC調整と電圧感度調整が出来るようになってるはず。

>>864
自分の読み間違いだったわけですか。ありがとうございました

核融合のエネルギーを直接使う方法はまだ開発されてないのですか？

>>866
つ「核爆弾」

分巻発電機の特性ではどんな負荷が適してるんですか？

半径35cmの一様に帯電した円板が電荷密度7.9×10^-3 C/m^2を持っている。
円板の軸線上にあって円板中心から次の距離にある点の電場を計算しなさい
(a)5cm
(b)10cm

公式など具体的に教えてください。

>>869
普通に電界を求める公式が使えると思うが？

具体的に教える前にググればあほでもわかると思うぞ。
普通に電界の公式に値を入れればいい。場の対称性から電場は軸方向の成分のみだし。

ttp://www.eee.nagasaki-u.ac.jp/~magnet/fukunaga_home/lectures/Physics/Physics.4.pdf

この2問をお願いしますm(_ _)m
http://www.imgup.org/iup395087.jpg

結線(?)が二つの問題は分かるのですが、3つになるとどうすれば良いのかわかりません。
よろしくお願いします。

>>872
線間電圧、線電流の関係とスターデルタ変換で何とかならない？

Δ変換の方法も分かるのですが、結線が三つある場合はどうすればよいのですか？

>>872
結線が二つって意味わからんが（単相のことか？）
三相回路の基礎がわかればできる問題
当然、単相交流回路もわからなければできないが。
三相回路の基礎勉強した？
問１８も１９も△−Y変換して単相に直して計算しなさい。

>>874
三相回路といいなさいw
△をＹに変換し、その中点（中性点）を共通（接続する)として、
一相分の単相交流回路として計算する。
なお、全消費電力を求める場合は一相分を3倍する

三相起電力が１つ、Δ形・Y形負荷が1つで塊が計2つの三相交流は解けるけど
負荷が2つになって塊が計3つになると解き方がわからないってことじゃない？

4j+(1/3j)になるのですか？

>>877
その通りです。
説明が下手で申し訳ないです･･･。

http://vista.jeez.jp/img/vi8132851491.jpg
この問４の問題なのですが、rbを求める公式を色々やっていって、
等価順方向抵抗rb＝12.5Ωと出ました。
それで解答を見ると、Vi＝(rb+100)×10/100となっていたのですが、
恐らくrbに加えている100は、回路に繋がれている抵抗だと思うのですけど…
これらを加える理由は、直列回路を考えて合成抵抗を考えているからでしょうか？
また10/100と演算しているのが何故かよく分かりません…
これはこの回路に流れている電流を表しているからなのでしょうか？
どうかアドバイス等お願いします。

>>880
> これらを加える理由は、直列回路を考えて合成抵抗を考えて
> いるからでしょうか？

そのとおり。ちなみに交流回路として考えているので、直流
電源 V_DCは無視してよい。

> また10/100と演算しているのが何故かよく分かりません…
> これはこの回路に流れている電流を表しているからなのでしょうか？

結果的には電流だが。10/100の 10は電圧(mV)、 100は抵抗(Ω）だ。
次のように考えるとよい。交流信号 Viはダイオードの等価抵抗 rdと
抵抗 R ( = 100Ω) で分圧されて出力 V_L となる。関係式は
V_L = R/(R+rd)・Vi だ。これを 10 (mV)としなければいけない
ので、上の式から Vi を逆に求めよ。

初歩的な質問で申し訳ありませんが、今会社の引越をしてるのですが、250ボルトのコンセントは何ワットなんでしょうか？

what?

ほんとうに250ボルトのコンセントか？

計測の問題なんですけど、ご教授おねがいします。
負荷としてRとXが並列であります。
電源は交流で240V
電流は20A
電力が2880Wとなる時
抵抗RとリアクタンスXの値はいくらか？

自分では
R＝20Ω、X＝15Ωと思うんですが
解答は
R＝20Ω、X＝80/3Ωになってます。

問題の図です
ttp://aikofan.dee.cc/aikoup1/src/f0029.jpg

>>872
問１８
負荷のキャパシタンス分を△−Ｙ変換し中性点を共通として一相分を取り出し単相交流回路とすると、

　電流Ia→
┌──r─jx────┬────┐
｜　　　　 　　 　 　 　　│　 　　　　│
｜　　　　 　  電流I↓ │　　 　　　│
Ea'　　　　 　　　　　　 jXL    　　  -jXc
｜　　　　　  　　 　　　 │　 　　　　│
└────────┴────┘
ここで､Ea'：電源電圧(相電圧)
r=3[Ω],x=8[Ω],XL=4[Ω],Xc=3[Ω]
となる。
Ea'を基準ベクトルとして、(｜Ea'｜=Ea=200V)
電源から見た負荷側インピーダンスZ'[Ω]は
Z'=r+jx+{jXL*(-jXc)}/(jXL-jXc)
　=3+j8+{j4*(-j3)}/(j4-j3)
　=3+j8+12/j
　=3-j4
Ia'=Ea/Z'=200/(3-j4)=40(3+j4)
I'=-jXc/(jXL-jXc)*Ia'
  =40(3+j4)*(-j3)/j
  =-120(3+j4)
I=｜I'｜=600[A]