トランジスタってもういらなくね？

FETだけでよくね？
規格表の厚さも FET ＞＞＞ トランジスタだしね。

当初の予定通り、FETが先に発明された世界だったらどうだろう。

■▲▼
【1:1】トランジスタってもういらなくね？
1 名前：774ワット発電中さん 05/01/02 14:33:55 ID:8A0yrQ+J
FETだけでよくね？
規格表の厚さも FET ＞＞＞ トランジスタだしね。

>>1
スレタイ通りなら、電界効果トランジスタも不要でしょ。

ICのチップ上に形成されてるのも要らないの？

静電誘導型Ｔｒ.とか金属遷移型Ｔｒ．はどうよ？

IGBTとかどうなっちゃう

3.3Vや2.5V系で動くFETも出てきたしね。

トランジスタもＦＥＴも殆ど同時に発明されたんだっつーの。

>>1
あんた馬鹿？
バイポーラの増幅率を甘く見ちゃいけない
アンプに使われてるトランジスタで入力段と出力段以外はいまだに高い増幅率を持つ
バイポーラが多用されてるんだよ

FETばっかりつかってると、ﾊﾞ化になるよ

トランジスタ壊れた時の代換トランジスタが無いとな。

不飽和だﾊﾞｶﾓﾝ

>>1 （ ﾟДﾟ）ポカーン

トランジスタと比べて足の配置が結構バラバラ
E(エミッタ)C(コレクタ)B(ベース)
トランジスタ→E、C、BとE、B、C
S(ソース)G(ゲート)D(ドレイン)
FET→S、G、DやD、S、GにS、D、G
FETだけでスーパーヘテロダイン式ラジオ作れ>>1さん(FETは4石だけでスピーカー鳴らせる)
ちなみにポンコツラジカセから取り出したラジオ部の基板のトランジスタは
FETくらいの厚さしかない(FM部を除く)
トランジスタの表示→A114･C114･C2668･C2785･A1175(2Sは省略)

>>15
フェットならボディ端子も忘れずに。

端子は回路図と同じ順番がわかりやすいよね

>ちなみにポンコツラジカセから取り出したラジオ部の基板のトランジスタは
>FETくらいの厚さしかない(FM部を除く)

何が言いたいのかが分からないのは俺だけですか

パッケージの大きさのことじゃないの？

リード部品だけどTO-92みたいな大きいヤツじゃなくて
小信号用のFETによくある薄い四角なヤツを指しているとみた。

2SC1815は永遠に不滅です!

2SA1015も忘れないで！

>>20-21 ｺﾝﾌﾟﾘﾒﾝﾀﾘｹｺｰﾝ

その前はA733とC945だったな

また2SA1015GRと2SC1815GRを買い足さないと

1015と1815は多用してたんだが、チップ(SA1313/SC3325)に置き換えると実装面積はぐーんと減るよ。

>>25　　　
YahooBB218137134021.bbtec.net
http://dictionary.reference.com/search?q=electronics
The science and technology of electronic phenomena.

http://dictionary.reference.com/search?q=electronic.
Of or relating to electrons.
Of, based on, operated by, or otherwise involving the controlled conduction of electrons or other charge carriers, especially in a vacuum, gas, or semiconducting material.

eTrlq5kXはelectronicsの意味すら知らない高卒確定。

どんなローカル学会のどんなローカルルールやローカル用語を
書き散らしたところで、

高卒eTrlq5kXの妄言：「フーリエ変換もウィナーフィルタも世の中にあるものは全て偽物だ！疑似だ！そんなものは実現不可能だムキー！！！」
一流大学大学院生によるクリティカルヒット：
「離散化とは高卒以外にとっては帯域制限以外の何物でもない。
よって高卒以外で離散化を疑似フーリエ変換とか疑似ウィナーフィルタなんて言ってる奴は世界に一人もいない。
ググっても0件だ。」

高卒eTrlq5kXの妄言：「周波数領域ではデータが全部そろわないと計算できないんだ！実現不可能なんだムキーー！！」
一流大学大学院生によるクリティカルヒット：「有限長カーネルのコンボリューションは帯域制限付き窓つき短時間フーリエ変換と等価であり、有限長カーネル・窓のコンボリューションを使った実時間周波数領域フィルタは幾らでも実用化されている。
そもそも世の中のDSPのほとんどがこの目的で使われている事すら知らないとはあまりにも哀れ。」

高卒eTrlq5kXの妄言：「サンプリングでは帯域制限なんか絶対されないんだ！ＡＡＦが帯域制限の原因なんだムキー！！！」

一流大学大学院生によるチェックメイト：
「ほう、ならAAFを外せばCDは60KHzの音も記録・再生できるというわけか。乙。」

高卒eTrlq5kXの断末魔：「サンプリング定理に帯域制限されるなんて書いてない！ムキー！！」

一流大学大学院生によるとどめ：
「サンプリングで帯域制限されるとは何度も書いてるがサンプリング定理で帯域制限されるなどとは
一度も書いた事がない。日本語すら読めない高卒哀れ。マジ哀れ。
まさかサンプリングとサンプリング定理の区別すらついてないのか？」


これがおまえeTrlq5kXの現実。


しかし、自分が選んできたテーマでずたぼろにされる事ほど哀れなものはないよな。
死んだ方が良くない？

あの高卒ってば、まぁ俺の専門分野ならずたぼろに出来るのは当たり前だから面白くないから
「この板に来てる以上知らない事は許されない固体物理の常識」
を聞いてやった訳よ。
それでもずたぼろで哀れなので、
その高卒が出してきたその高卒の専門分野での質問を答えてやった上に、
如何に高卒がデタラメな事いってるかこてんぱんにして潰してやった訳よ。

まぁ、　狂　う　わ　なﾌﾟｸｸｸｸｸｸｸ

中卒の脳内学会では、反論できなくなると
「●●学会〜〜！！」とか学会名を叫ぶと許してもらえるんだろうか？

そ　ん　な　哀　れ　な　学　会　に　は　
間　違　っ　て　も　近　寄　ら　な　い

まぁ脳内学会だろうけどな。

1815より2458が好きな人はいないのか

ちっちゃくてかわいい！

おれは2SC1740派

デジトラしか使っとらんな。

俺は何でもいい。
バカデカいのや小さすぎて半田付けしにくいのは困るが・・・。

2SC1000!

Trは静特性が大体似たり寄ったりだから（不飽和回路で）設計しやすい。
FETはデータシート熟読しないと怖くて使えない。
（仕事だったらTrもちゃんと読むけど。）
数量ではTrのほうが多く使われているのに、FETの品種が多いのは、
FETが癖のある素子であることのあらわれ。コストも高くなる。

FET使えよって設計もときどき見るけどね。

スイッチの容量性があるから・・・

俺はＦＥＴでないとウマく動作させるのが難しいところやＦＥＴを使う方が合理的
な場合にはＦＥＴを使っている。
そうでないところはＴｒで済ます。
Ｔｒの方が回路つくりやすい。

ディスクリート

FETはフェットとは読まんよ
えふいーてぃー　そのまんま読み

>>37
いや読む。MOS FET「モスフェット」、GaAs FET「ガスフェット」、MES FET[メスフェット」、
H-FET「エッチフェット」…なぜかJ-FET「ジェイフェット」はあまり聞かない。

でも単独で"FET"とあるとやっぱりエフイーティーと読む方が多いような気がする。

フェチって読む

モスフェチ　ガスフェチ・・

>>38-39
広辞苑でもエフイーティーと書かれていてフェットとは無いよ

>>39
どうでもいいが今日の昼飯モスバーガーだった。

じゃぁ、H-FETは「エッチフェチ」？

>>40
広辞苑��(ﾟДﾟ;)
いや、あの、ここは正しい日本語かどうかじゃなくて、外部の人と話すときに何て読んでいるかが
問題じゃないかと。広辞苑でエフイーティーだからフェットと読んじゃいけない、ってのは
ひきこもり理論ではないでしょうか。

レスがどんどんドランジスタからFETの読み方に変わっていく・・・。

だってさ、トランジスタいらねって誰も思わないモン。

温故知新で、古いからいらないのではなく、
そこからまた新しいのができるだけ。基本は
消えることがない。

話が少しずれるけど、真空管もいまだに必需ですしね。

オーディオじゃないけど、ＴＶやラジオの放送に高周波増幅(500W以上)とか。

新しいものでもできないことがあるしねぇ。

もう半導体化されてるでしょ

>>46
今はね。

真空管かぁ・・
宇宙空間なら、ニクロム線の卓上コンロの上にナベを乗せれば
二極管になるのかな・・

>38
Ｖ−ＦＥＴが抜けてまつ（ｗ
Ｋ６０とＪ１８持ってるが効率悪い。
ＡＦアンプ作ったけど出力段以外は結局トランジスタでつ。

単純にいいますと、トランジスタは電流で、ＦＥＴは電圧だから
用途によって分けたほうがいいんだよ。
それで、、、ありゃ？何を書こうとしたかわすれた。ｽﾏｿ

おーIDがENDだ、なんか嬉しい

田魁昂嘉賭蘭慈廢

おりゃふぇっと

ラジオ作るとき、トランジスタはインピーダンス変換したりする。
FETは高抵抗のため直結にする
バイポーラトランジスタ、高周波バイポーラトランジスタ、小信号用トランジスタ
低周波バイポーラトランジスタ、電源用トランジスタ、大信号用トランジスタ
すべて無かったらマジ困る。>>1よ考えてくれ・・・

どうせ、日本の電子産業なんて衰退の一途だから
どうでもいいでしょ？

大体TRが0.6VぐらいでONするのを理由に簡単なフィードバック回路を作ったりするから
全部FETになるとだるい。。。
わざわざ、コンパレータ入れたくないしな。
やっぱTRはある程度必要だよ。

SN悪い、
プロセスによるバラツキが大きい、
FETだけじゃ正直使えない。

昔は個別の小信号高速スイッチング用トランジスタっていうのが実際に
使われていたけれど、最近は見かけない。
最近の CMOS アナログ＋デジタル IC なんかを見ると、個別の小信号
バイポーラトランジスタは無くなってしまうのかも知れないね。
もちろん例外はあるだろうけど。

って言うかデジトラなら、まだ使ってるし．．．

漏れは７４ＬＳしか使わん。

LSつかうメリットってあんの？

少々乱暴に使っても壊れんし、消費電力の問題。
趣味に使う程度だから処理速度は遅くてもいい。

別にHCでもいいんじゃないの？

空きピン処理しなくても何とかなってくれるところがありがたいだろ

ＨＣはＣ−ＭＯＳだから静電気に弱い。
漏れは冬に作ることが多いから静電気は困るのだ。
まあ、だったら夏に作れと言われたらそれまでだがｗ

いまのCMOSってめったに壊れないでしょ。
そういやALSってどうなったんだろ

漏れの部では未だに使ってますが？

>>66
74H とか、7400 もそのまま使っていませんか？
回路図・部品表に書いてあるので、いまさら怖くて変えられないとか。

確かに下手に変えると誤動作することもあるからなぁ
tpdが小さいのに変えたりすると変なところでグリッジが
出てきたりして誤動作したり（たいてい、元々の設計が悪
いんだけど、今更変えられない）

僕はそういう時、オーバースペックになるけど、
74Hシリーズは｢AS｣で、74Nシリーズは｢AS｣で代用することが有る。(どっちも同じか．．．)
74ASシリーズって高いからなぁー。
でもたしか、74Nシリーズはファンアウトが多いだけと考えて問題な誘うな気もするけど．．．

誤：な誘う
正：なさそう

ゴキスマソ

>>68
こんなのも考えてみたけど、抵抗の値の設定のしかたがむづかしい。
ttp://proxy.ymdb.yahoofs.jp/users/1491735/bc/Q/crtl.png?bceXftCBGQIg06XE

さっさといいかげんに継続接続しても、まあ、ちゃんと動く、というのは
「USA」のフォード式大量生産工場の流れなんだろな。
おかげさまで、いろいろ勉強させてもらいましたので、批判はしません。

>>64
導電性スポンジか、アルミホイルにつつむとヨシ

半導体アンプなんか、バイポーラないとほんとマジ困る。
FETだと特性がばらつくし、gm低いし、オープンループゲインが
バイポーラ使ったときに比べて低い。（気にしない人はいいけど）
アナログ回路を設計する人はバイポーラは必需品だと思われ。。。
>>1よ。アナログ回路はどうしても個別バイポーラトランジスタが必要なんだ。
（ディジタルは消費電力とか回路規模の面からCMOSとか有利かもしれんが）涙。。。

CMOS アナログ IC もあります。もっと発展するかもしれませんよ。

デジタル信号のレベル変換に便利なんだわ。C1815,A1015
いちいちICで変換なんて、面倒な場合もあるんだよ。

いちいち３本半田付けするなんて、面倒な場合もあるんだよ。

ICじゃ最大40も半田付けしなイケンだろ

全部が全部ってわけじゃないがＣＭＯＳアナログはノイズが多くてな
以前これでＶ/Ｆコンバータを組んだが変換比を上げるとボロボロの結果がでたのじゃ
結局、前段にアンプを入れて解決したが… これでＰＬＬなんぞ組んだ日にゃ(ry

和紙の感じではローノイズの用途では(ものにもよるのじゃが)
ｐ型ＢＪＴ＞ｎ型ＢＪＴ＞ＪＦＥＴ＞＞＞ＭＯＳＦＥＴ ってな感じじゃ

ｐ型ＢＪＴはμＡ以下の動作でのｈｆｅの伸びがよくてな、ローパワー用途では
よくお世話になったわ

またＦＥＴには面白い使い方があってな、ピンチオフ電圧の低いやつを選別して使うと
0.5Vとかで動作するアンプが結構簡単にできるのじゃ
昔これでソーラーセル１個で動作する小型トランスミッタを作ったわい(遠い目)

orz
くそっ、またクレームだしてもうた…今夜は休出で手直しじゃ

>>78
ガンバレ！

＞ＦＥＴには面白い使い方があってな、ピンチオフ電圧の低いやつを選別して使うと
＞0.5Vとかで動作する

なるほど、シリコン BJT (Bipolar Junction Transistor) を使ったら、0.5V 電源では
なにもできませんよね。G-S 間の整流作用も存分に利用した回路なんでしょうね。

誰か2SK125のデータシート持ってないですか
持ってたりある場所を知ってたら教えてください

このくらいしか見つからなかった。
ttp://homepage3.nifty.com/ebina2540/data/2SK/2SK0101-0200.htm

昔、秋月で買ったときに付いていたやつなら・・・

>>77
そこで1Gateですよ
http://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/websearch/browseDo.jsp?class=C8351EA4D11

うはwwww

2SC1815 で
Vbe : 666m[V] の時 Ib : 7.48μ[A]
Vbe : 687m[V] の時 Ib : 76.77μ[A]

・・・って　ふ　ざ　け　る　な　よ？

Vbeがちょっとしか増えてないのに、なんでベース電流が

１　０　倍

なんだよ wwwwww
バカか？アホか？この糞トランジスタ野郎！

素直に比例してればいいんだよ！素直にねwwwww

以上ＱＷＷ

>>85
マジレスすると、
＞バカか？アホか？この糞
なのはトランジスタの方ではなくて････ry

>>86
ああ？！俺様に貴様ごときが直言すると？身分をわきまえたらどう? www

でもトランジスタが糞というのは変わらない事実抱けどもね。
それとも
>なのはトランジスタの方ではなくて････ry

というのはバイアス回路が悪いとでも言いたいわけ？
はっ！！！今度はバイアス回路に責任転嫁ですか。

責任転嫁はおまえの方だ87

1815Lって売ってる?

>>89
今Y億に出てるぞ。
コンプリの2SC1815LGRと・・・

>>1
FETは同一品種内でもスレッショルド電圧の変動が激しいので、
バイアス設計が難しい。

雑音といえば、kT/C[V^2]のおかげで理論的にがんばれない・・・(´Д｀:)
L長、W長を上げればフリッカ雑音減るが寄生容量増えるし・・・(´Д｀:)

あと、バイポーラ・トランジスタは、Vbe=0.6Vを境に急激にIbが立ち上がる
特性があるので、入力電圧の僅かな変化に対して大きなIcを得ることが出来
るから、電流増幅率hFEが80程度であるものの、実質的な電圧増幅率は高く
できると思う。ある電圧を境にスイッチング動作させたいような用途でも
使いやすい。入力電圧が0.6Vを僅かでも超えると急激にスイッチがONする
ので。

MOS-FETの場合、この0.6Vに対応するのがVthなんだけど、出力が急激に
立ち上がるわけではないので、増幅用途には使いにくいような気もする
し、スイッチング用途でも、あらかじめ別のトランジスタで一端増幅
しておかないとうまく使えないような。

＞＞８５
馬鹿。

>>94
ネタにマジ（ｒｙ

>>1 の遺言　 FETだけでよくね？
規格表の厚さも FET ＞＞＞ トランジスタだしね。

↑　いらないのは、おまえだよ。そういらない　>>1



LSI = トランジスタ,抵抗器などの大規模集積回路。　半導体の集まりだね。


　 　 　 ＿＿ IC = Integrated Circuit,
　 =≡ ( 　 @)　　　　　∧∧
　 　＝爪ﾟ∀ﾟ)　　 　　(*ﾟ∀ﾟ)<…LSI = Large Scale Integration
　 =≡⊂ 　　 ⊃　 　 （ 　　 ）
　 　 ＝/　　つ　　　　│　　|
　　=≡し'~　　　　　　　し｀J

　チョン発見！
　>>1はチョンです！！！

　FETのTはトランジスタのTだ！ボケ

　 　 　 　 ,..-‐−-､、
　　　　　/^`~",　　:＼　　,ィ":::::::::::::::::::;;;;;iii>;,、
　　　,.-",　　 /......:::::i::l　/:::::::::::::::;;;;;;;;iii彡" ::ﾔi､
　　,.i　　.|　　:ｷ:::::::::::|::Ｖ::::::::::::;:"~￣　　　　 ::i||li
　/　、　 |　,;:::::l:::::::::::ﾏ,.-‐-､j'_,.ィ＞､、　　 .:::iii》
　i、 ﾍ　 :＼:::::::ｷ;:::::::（:::j::）:...）　`‐-‐"^{"^ヾﾉ"
　 ﾔ、 ＼:::::＼,::::＼:;;;:iゞ:-:;ィ　　　　　,.,li｀~~i　　　　／￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣
.,;iiλ＼.,,ィ^-‐'`ー",:::|::;Ｘ'::7、 　 ･=-_､,　.:/　　　＜　　　この>>1をさっさとつまみ出せ！！
";ii::i｀ゝ､::;;;:､-‐-;;;;i‐'''|　　.}'.ﾍ　　　 ''　 ./　　　　　＼＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿
.;ill;;:＼::::::::::::::::;ノﾉl} ィ|､.／:ー-`=‐-､、ノ
iilllllli;;:::`:‐-‐'":;ﾉ　　│丶=‐-､,,_`l, ,.へ
llllllllllllii;;,,___;;;iill|||（ `Д´） ＼ー＝､7^ヾ'‐-､、
||||||||||||||||||||j'::::::U>>1U‐"､:::::＼..::/　　 ＼　 `ヽ
　　　　 　 　　　 　 U U

個別部品としての BJT は「もういらなくね？」という話だと
思い込んでいました。これはていへんしつれいいたしましだ。

A1015GRとC1815GRのhFEを計ってみました。
hFEを合わせるのは大変なんですね。同じ袋の中で値が
10%以上外れているのが3-4%しかありませんでした。
そもそもA(230)とC(290)で中心の値が60もずれていると
合わせられないですよね。(そもそも安物テスターが悪いのか)
1袋1袋で+-5%以内で揃ったのが4組だけでした。
別袋のC1815YとA1015GRで合う物があるのですが、
ランク違いでもhFEが揃えば良いのでしょうか?

＞＞hFEを合わせるのは大変なんですね。同じ袋の中で値が
＞＞10%以上外れているのが3-4%しかありませんでした。

どうでもいいけど、その国語へんだろ。ｗｗｗ

>>100　（そもそも安物テスターが悪いのか）

テスターのhFE測定機能を使って±５％以内の測定が出来ると思えん。
いや、VBEとかhFEの測定ってめんどうなんだわ。テスターのあれは信用ならないし。チョランズィスタを指でつまむと体温であったまって針がぐいぐい動いちゃうし。
チョランズィスタのピソに合わせたコネクタ用意しといてピソセットで嵌めるしかない。
んでもって測定精度あげようと、定電流の測定回路組んだら、インピーダンスが高かったので盛大に発振したおぼえがあるわ。

>>75
デジタル信号のレベル変換には2SK679Aなんぞが便利。
面倒なベース抵抗も省略できるし。

同じように使えるMOSFET、他に何ぞあるかね？

>>100
5.1kΩ±5%の抵抗の中から5kΩのものを選別しようとする話を思い出した。
（抵抗値は違ったかもしれんが）
ほとんどが±1%以下だったので失敗したのだとか。

>>103
>>100によると、2SA1015-GRと2SC1815-GRで中心値が60（約20%）ずれてたそうだ。昔の誤差帯のない抵抗器の程度だと思った。

>>100に追加レス
hFEを±5％以内に合わせるなんて、バイアス電流のキャンセルくらいしか思いつかないが、どんな用途なんですかね、そのペア。
どうせhFEなんて1℃につき１％くらい変わっちゃうので、両トランズィスタの温度差を±5℃以内に保たなきゃ意味ないやね。

>>101 は読解力のないアフォで桶？

>>105
オイラにもよく分からないんだけど。

>>100
合わなくて当然だと思いますよ。GR は　200-400　ですから。
私なら 3-4%?の外れた物を外して、残りの95%を使いますが。
考え方の違いで95%揃っているのだから良いと思いますが。

>>107
>>100 は、hFEのそろったコンプリメンタリペアを
取り出したいというのが目的だろ？
GR品の200側の3-4%品を Y品と組み合わせて
コンプリメンタリペアを組んでいいのかと問うているのでは？

なんかTRのhFEで不毛な努力の話をしてる香具師がいる。
さてはオーディオオタだな。

漏れが昔、ランク分けの実力を探ろうと
1815の200個袋のhFEの分布を計測してみた時には
同じ袋の中に数ロットのものが混ざっているのか、
特定の代表値を中心にした狭い集合が２，３個と、
どの集合にも入らないやつが何個かいたと記憶。
決してランク分けの中央値を中心にばらついている訳ではない。
セラコン５００個袋も似たような感じ。
カーボン抵抗１００個袋は確かに実力1%程度。

GRとかYとかも設計じゃなくて、ロットごとの出たとこ勝負でしょ？
詳しい人居たら教えて。


>>102
テスタでも相対誤差という意味ではイイ線いけると思うよ。
温度については長時間室温に放置後、
テスタから線引き出して、ICクリップで挟めば良い。

＞オーディオオタだな。

なんか真空管のペアチューブからの類推で、hFE や Gm まで合わせなけりゃいけない
と思い込んでいるヲタは珍しくないみたいだね。
昔のアナログ IC 回路なんて横方向 PNP トランジスターを使っていたから、どうやって
も特性を合わせるのは無理。そこで、合わせなくてもちゃんと動く回路を工夫したもん
だけどな。知らねーとは思うが。

昔のSP駆動用ICの最終段は準コンだったな。今でもそうか？

バイポーラモノリシック IC は準コンプリメンタリーでしょう。ハイブリッド
IC の中には純コンプリメンタリーのものもあったと記憶しています。

＞真空管のペアチューブからの類推で・・
真空管の P-P 出力にはおそらく必ず OPT を使います。P-P 用の OPT はアイドル電流
の偏差制限があるので、また出力振幅を揃えたいのでペアチューブが欲しくなるわけです。

ところがトランジスターは OPT を使わないのが普通なので、ダーリントン接続
(inverted Darlington でも可) で利得を揃えさえすれば、あとは温度補償付き
アイドル電流調整回路 (バイアス回路) でこと足りてしまうわけです。

ところで >>100 さんが言っている Tr の品種から見て電力出力段とは思えません。
なぜ NPN - PNP で hFE を揃える必要があるのか、不思議でしょうがありません。

NJM2076って低電圧ヘッドフォンアンプは外付けPNPを使うっぽい
ttp://www.njr.co.jp/pdf/dj/dj05010.pdf
コンプリメンタリエミッタフォロワじゃないけど。

あっ、もしかして「ダイアモンド回路」あたりを考えていらっしゃるのでしょうか。
hFE には温度依存性・コレクター電圧依存性があるので、また NPN, PNP ではその
依存性の程度が微妙に異なるので、10% 〜 20% くらい差があっても大勢に影響ない
ような気もします。もちろん歪率 -100dB とかを狙っていらっしゃるなら話は別ですが。
(それにしては使う Tr が安物過ぎるような。)

>>114
NJM 2076 は低電圧動作 (1.0V min) という要求性能を満足するために、外付けの
PNP Tr を使うことにしたのだと思います。おそらく inverted Darlington 純コンプリ
メンタリーでもなく、出力段に利得を持たせる回路でしょう。そうすれば
出力電圧振幅 ＝ 電源電圧 − 200mV くらいまでは可能になりますから。

>>111-112
ほー、そうなんですか。

あ、テスタでのhFE測定、
PNPとNPNという意味では、相対精度もとれてないかも。
ですね、すいません。

NJM2076については、たぶん116の言うとおり。

>>115　　(それにしては使う Tr が安物過ぎるような。)
　2SA1015/2SC1815 は安いんだがhFEリニアリティがいいよねー。カタログではほとんど直線ぢゃないか。
　……て、いまあらためてカタログPDF見てみたんだが、こりゃアヤシイような気もしてきた。誰か測ってみた奴いない？　ﾐ　ﾟ　дﾟﾐ

>>119
ほかの東芝のTRについては正直っぽい特性が載ってるのを見ると、
1815のデータシートを信じて良いんだか、どうなんだか、、、、。
今週末やってみようかな。

>>109 GRとかYとかも設計じゃなくて、ロットごとの出たとこ勝負でしょ？　詳しい人居たら教えて。

昔トランジスタ農業という言葉がありました。まあ作ってみて、出来たものを測って
ランクを決める。農産物や鶏卵と同じ。
露光に使うマスクは全部同じなんです。今ではかなり制御できるようになっているとは思いますが。
もっとも CPU のクロックスピードの最速ランクなんかは、今でも農産物方式だと聞いたことがあります。

>>108 >>100 ・・GR と Y でコンプリメンタリペアを組んでいいのかと問うているのでは？
前記のような事情ですから、いっこうにかまいません。

>>121
「トランジスタ農業」いい響きですね。

半導体産業には小さい頃から憧れつつも、
実際に作る立場に立つよりは
たぶん使う方が好きなので機器設計やってるけど、
ベランダ園芸でトランジスタが作れたりすると楽しそう。
真空管ぐらいなら趣味でも作れるかな。
点接触型や成長型なら、個人で作れる可能性はあるかな。
特に価値のあるものではないですけどね。

ttp://tmp5.2ch.net/test/read.cgi/tubo/1117805574/
386 名前：218-251-83-4.eonet.ne.jp[sage] 投稿日：2005/06/17(金) 21:56:34 ID:98MoTNf4
>>351
P=NaCV^2f+NtIlV

アフォだねえｗfが上がればcが下がるんだよ。低脳君。

ゲゲッ
ドランジスタが増えすぎた。
農場だな。酪農か・・・羊・・・どうしよう
8袋と格闘中

トランジスタもFETも種類多すぎ。
せいぜい5種類ぐらいにしてくれ。

>>125
ここみて涙してくれい

http://lamson.ftp4me.com/LAMSON%20ALL%20PARTS%20PICTURE/TRANSISTOR/page_01.htm

たしかに種類増えすぎだけど、５種類は少なすぎ。

電力用・低周波・高周波・Etcで足りない。

一般用・高周波用・低雑音用・高耐圧用・中電力用・高電力用。
あれま、６種類になりました。

>>128
「低雑音用」っていうのは変。これを除けば５種類

>>129
高周波でかつ電力増幅もできるとか色々あるので、凄い量になる。

ON抵抗が低い方がいい、OFF抵抗が高い方がいい、高速な方がいい、
高速と言っても遅延が少ないことが必要か、増幅率が高周波領域でも
大きいことが必要なのか、あるいは、スイッチング動作が早いほうが
いいか、色々要求が違う。

あと、雑音の大きさも色々ある。

なかみ同じで形だけちがうもんもたくさんあっからなあ……　≡■_ﾐﾟ仝　ﾟ　ﾐ ｺｸｲﾝｷｴﾃﾙｮ...

理想トランジスタが現れて他の型番は絶滅する…なんてことはあるわけないか
あっても使いづらいだろうな、ベース端子を指で触れただけで電源をふっとばしたり、
ゲイン高めにとり過ぎてミリ波帯で発振したり、
電源落としたと思っていてもキャパシタの残留電荷で延々と動作し続けたり、
昔のＯＰアンプなみに使いにくくなりそう。

>>132
アハハ。

でもまあ、出力側に抵抗入れて使うから電源吹っ飛ばすことはないと
思いまっせ。

逆に言えば、抵抗入れなければ、今のトランジスタ類でも電源吹っ飛ばせ
まっせ。

トランジスタ類だけ理想化されて、導線には浮遊容量が存在した場合で
も導線に現実的な抵抗があるならそこで損失が発生してしばし後に放電
されるから大丈夫だと思うけど。

発振についてはどうかな。軽く考える程度では大丈夫だと思うけど。

>>133
アフォですか？

>>133 軽い冗談のつもりです hi

それはそうと、スレ違いですが組み込み用ＯＳでいいネタでもありましたらぜひともご披露くださいませ。

>>134 これこれ、彼はその方面ではかなりなレベルの方ですよ

意味分かりますよね。理想トランジスタであっても、ON抵抗が0になれども、
電流が無限大になったりすることはないということで、普通、出力側に
抵抗を入れて使うので、電源に過大電流が流れたりすることはないと
いうことですね。当たり前ですが。

理想Tr、hFE=∞ってことはないよね？　そうだったら、やたら使いにくいようなきもするし、たんにgmのおおきいFETのようにもおもえる。そこらへんどうなんだろ　ﾐﾟд　ﾟ　?ﾐ

>>137
hFE=∞なら、負帰還が前提になりまんな。

少なくとも、普通のトランジスタとは違う素子になってしまいそう。

>hFE=∞
コンデンサマイクとかの信号増幅やりにくそう・・・。

便宜上∞と考えられ、しかし実際は有限、っていう微妙なところが実用的
なのかな？

hFEが３０００以上あるスーパーβトランジスタの2SC3113を
1000個入り一袋を\1000でゲット！
こいつの注目すべき特性はNFが全トランジスタのなかで最低だってことだ。
こいつと定電流ダイオードを組み合わせてｎＶオーダーの信号を増幅できるアンプを組んだことがある。
特に困ったのは電解キャパシタが全く使えないこと、だからフィルムキャパシタをパラって代用したんだけど、
おかげでアンプの重量は軽く５ｋｇを超えてしまった orz ちなみにキャパシタ以外の重量は７０ｇちょっとだった。
これはもう笑うしかなかった

hFE=∞否定派が多いが、出来たらすごいものが出来ると思う。
何かは分からんがすごいものが。
片方向にしか電流流れないという、凡人にはなんでもないような性質を応用して、
コンピュータ作った人が居るのだから。

hFE=∞
たしかに凄いモノができそうだが、凄いモノ以外はできそうにない予感。

印象として、それは電流帰還形オペアンプの理想形なのではないかと
感じますが。

＞ hFE=∞
MOSFET のスレッショルド電圧が 0.6V くらいで gm は好きなだけ、というのを
想像すればいいのでは？

理想トランジスタがあるとすると、
リバースhFEは０？ ∞？
あと、ベースコレクタ間もダイオードとして働かなかったりするのかな？
それはないのかな。

逆方向伝達特性とか、Sパラメータの反射係数とかのことですか?

hFE って言うんだから直流の話でしょう。たぶんエミッターとコレクターを
入れ換えた場合の話かしらん。 (あと、ベースコレクタ間もダイオード・・・
なんて、どうでもいいような気がします。)

>>147
同じソフト屋としてあなたのことは尊敬するが…
シミュレータでは分からないことが多すぎますな。

現実　古い型を探している。

>>149]
SPICE系は、バイポーラ・トランジスタのシミュレーションは使える範囲に
あると思いますが、どうやらMOS FET系は変なような気がします。

色々実験してみましたが、なんか変な気がするんです。

「NEC化合物」の高速FETのパラメータでも、AWR Microwave Office用には
たいていの場合ありますが、SPICE用にはほとんどないようです。

これも、適合するようなSPICEパラメータを作るのを断念している証拠
なのかもしれません。

あー、また、いいかげんなこと書いてしまった。
AWR用のデータは、Sパラメータだけみたいです。

Sパラメータだけで何もかもシミュレーションできるのかな。

そういうものだろうか?

あー、振幅が大きいときと小さいときで、増幅率も違うし、そういう
ところはSパラメータでは表せないはずですよね。Sパラメータは、
特定の周波数について固定すれば線形な素子しか表せないですからね。

ある敷居電圧を境に出力が立ち上がるような特性は、Sパラメータで
は表せないですよね。

あと、蓄積電荷とかは、以前にどれくらいの時間ONにしたかなどにも
依存しそうだし。

>>151-153
その手のFETはLNAで使うので歪みがどうのこうの、って議論はほぼしないです。
よって設計もSパラメータだけで出来てしまうし、デバイスのまわりの分布定数回路に
周波数分散等があるからそもそもタイムドメインでのモデリングは手間がかかりすぎなんですよ。
たかがプリント基板のパターンですら合わないし…(ってフィルタにしてるんだから
当然ですが)。

#パワーアンプ屋とミキサーの研究をしている人以外はSパラ&線形解析でやっていける、と
#言ってみるテスト。実際てい倍器ですらSパラと簡単な手計算だけで設計やってピタリと出来てるし。

高周波パワーアンプ…
俺の一番苦手な領域だ、下手すると命を縮めそうな予感がする

>>154
最新のデジタル・オシロスコープを作る場合、
サンプルホールド回路の、スイッチング波形が美しくないと
よくない場合で、その波形は実験的には現存のオシロスコープでも
見れないと思うんですが、そういう場合、どうやって解析するのか
な、と。

それ自体の波形を見るんじゃなくて、回路を実際に働かせたときの
測定結果がよくなるように回路定数を調整しているのかもしれませ
んが。

>>156
あ、俺アナログ高周波回路屋でそういうSパラメータと絶対最大定格しか出てない石で
LNAとか設計してるので全然不思議に思ってなかったですね。最大パワー20dBm以下が
基本だから(笑)。

で、超高速サンプルホールド回路の評価は繰り返し波形を入れてデジタイジングオシロで
観測すね。デジタイジングオシロで40GHzあたりまでは見たことあるから(もっと繰り返し
周波数が高い機械があるのではないかと)それを使って繰り返し波形を観測すれば良い
でしょう。単発波形をストレージするオシロ(デジタルストレージ)だと数GHzが限界ですよね。

古いデジタイジングオシロはダイオードサンプラ使ってますね。サンプルホールド回路を
FETで設計するなら結局ギルバートセルの設計になってしまうからICでないと困難で
メーカー製ディスクリートの出番は無し、SPICEモデルも提供不要、となるのが昨今の
状況だと思いますよ。ちなみにpHEMTやGaAsFET、Fabのスタンダードプロセスに関しては
非線形パラメータやSPICEモデルの提供サービスがあります。光通信関係のドライバ
アンプとか超高速サンプルホールド回路はこれで特注設計できますよ〜(笑)

それからPA用の石(LDMOSFETとかレーダー用GaAsFETとか)はデバイスメーカが
非線形パラメータを提供してます。ただ石が強烈に高価なのでサンプルホールド回路は
ばかばかしくて出来ませんが(笑)。


結局Sパラメータしか提供されないデバイスでデジタル回路を組むのは非現実的
って事で納得していただければ良いんですが…ダメ?

サンプル・ホールド回路を、ディスクリートのBJTやnMOSで作れるか
試してみてます。

それなりに出来てはいますが、1(GS/s)出せているのは、BJTのみで、
MOS-FETは、高速なものがSPICEデータが見つからないので今のところ
10(MS/s)位までしか上手く行ってません:

http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-IdealMOS.png
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-2SK2980-Parallel.png
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-NEC-BJT-Parallel.png
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-BJT-Down.png

最近の話題はココ↓:
http://pc8.2ch.net/test/read.cgi/os/1107608053/l50

>>157
質問させてください。
・ダイオード・サンプラーとは、どういうものでしょう?
・ギルバート・セルとは、どういうものでしょう?
・非線形パラメータが提供されているLDMOSFETやGaAsFETの具体例
を教えていただけませんか。

ギルバート・セルは、トランジスタで組む、乗算回路(MIXER回路)
ということのようですね。これについては、何を行う回路かは
分かりました。

サンプル&ホールド回路は、乗算機を使わずに、アナログ・スイッチ
でも実現可能です。実際>>158での例は、そういう原理です。

ちなみに、MIXER用の乗算機は、交流的な動作を目的にしているので、
直流的なスイッチングには向いてないかもしれませんが。0をかけると
本当に出力が0になってくれるかどうか怪しそうですから。

というより、ハイインピーダンスにしないといけないので、乗算機では
無理だと思います。

>>159
・ダイオード・サンプラーとは、どういうものでしょう?

ダイオードをスイッチング素子として使用したサンプル回路です。バイポーラやFETより
高速にスイッチング出来るのですが、何しろ端子が2つしか無いですからどうやって制御
信号と観測信号を合成・分離するかが難しかったり…実は高周波ミキサの応用例だったり
しまして、正弦波の代わりにサンプリングパルスを入れるんです。


・ギルバート・セルとは、どういうものでしょう?

アナログ乗算回路として有名ですが、これの下側の差動増幅セルをスイッチング動作させて
出力側にしかるべきレベル変換アンプとホールドコンデンサを入れると高速なS/H動作が
可能なんです。差動ペアに加える電圧にある程度以上の電圧差があるとIc=0、つまりスイッチング動作
します。アナログ乗算回路として使う場合はIcがカットオフしないような領域で使うわけです。

LightCone氏の研究している回路と波形を拝見しましたが、Tr等をスイッチングするのに差動増幅回路に
なっていないので改良する余地は大きいかと。ちなみにギルバートセルはECLのAND回路の等価回路と
ほぼ一緒だったはず。S/Hに応用するなら下の差動ペアに差動のサンプルクロックを、上に乗っている
差動ペアはアナログ増幅回路として使います。それと高速動作ならNPNだけで揃えて組むようにした方が
絶対良いですよ。

S/Hはやったこと無いけどアナログ高周波用途でPIN Di SWのドライバを設計したとき、C1815/A1015
を使って差動増幅回路でスイッチングさせて、速度100nS以下をクリアしたりとかやったことがあります
(+/-の両方の電圧を出力するためにコンプリペアになってしまった)。"差動増幅回路=ECL"ではない、
普通のスイッチング回路ではスピードアップコンデンサを付けても約500nS以下に短縮出来なかったの
ですが(笑)。ちなみに高速SW用Trなら普通にスピードアップコンデンサを付けてスイッチング
動作させて50nSぐらい出るんですけど、互換性とか入手性を考えると差動ペアの方が好みです。

#大手メーカの設計者で、半導体屋にいくらでも好き勝手言える立場なら高速SW用Trでもいいかなぁ(笑)。

ECLや、GaAs FETならSCL(ってあんまり言わないかな)の回路は超高速ロジック回路で良く
出てくるので、On Semi.あたりのECLのデータシートを眺めていると参考になると思いますよ。
ちなみにGaAsのMMICでは実験室レベルでは40GHzのFF(分周に使う)の例があったけど、
これもソース共通の差動増幅回路でした。記憶があやふやだけどS/HはソニーのECLの
データシートにあったような気が(間違ってたらごめんなさい)。


・非線形パラメータが提供されているLDMOSFETやGaAsFETの具体例
を教えていただけませんか。

LDMOSFETならこの辺。元祖の旧モトローラ提供の非線形パラメータ。EEsof-ADSやAPLAC,Microwave
Office,Ansoft等のファイルも提供されてます。これらはSPICEモデルの変形ですが、普通のSPICEには
入っていないのでライブラリのプログラミングが必要かな、と。
http://www.freescale.com/webapp/sps/site/homepage.jsp?nodeId=017520

GaAsFETは例えばこの辺。これも高周波シミュレータ向けのモデルでVgs-Id近似関数とかが
単なるSPICEモデルでは無いので使うの大変かも。
http://www.filtronic.co.uk/products.php?catID=1&productID=72

とは言えこういった石はハイパワー用=Idssが大きい(数A級)=ゲート容量が大きい、となって
GHz以上の周波数でスイッチングさせるには大きな電流を流せるドライバ回路が必要になり、結局
実用化できないんじゃないかなと思います。

>>162
すみませんでした。
ギルバート・セルは、差動増幅回路として用い、完全に出力をHiZに出来る
ということのようですね。本当に失礼なことを、、、。

差動増幅回路の高速性とかもよく知りませんでしたし、ECLとかも
恥ずかしながら余り勉強してません。


あと、IC内部では、CR値が下がり、寄生容量に対する充放電に必要な
時間が少なくて済むので、ディスクリート部品で組むより高速動作
が可能なのではないかと思っているのですが、実際はどうなのでしょう。


トランジスタも使い方によって速度が変わるようですが。
飽和領域と非飽和領域の違いもありますが、カレントミラー回路
などである電線の電流値を固定し、余った電流を出力とすると、
増幅率が非常に大きくなる。結果、高速な立ち上がりとなる。

そんな感じなのでしょうか。

余りよくわかりませんが、この辺を見ても、ゲートアレイの遅延時間
が、条件によっては、35-43(ps)と、25(GHz)程度に相当してるようです:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/prd/asic/lineup.html

多分、シリコンだと思うのですが、ディスクリート素子とは
雲泥の差があるように思えるのですが。

>>163-164
>差動増幅回路の高速性とかもよく知りませんでしたし

まあそんなものですよね(笑)。S/H回路はアナログデジタルの境界領域で
良い参考書も無ければ記事も無いですし。ロジック回路で差動増幅を使う
ってのもICの中に隠蔽されて外からは分かり難いですから。ECL回路も、
もはや忘れ去られた技術になりつつあるみたいですし。


>あと、IC内部では、CR値が下がり、寄生容量に対する充放電に必要な
(以下略)

ビンゴ!。高速ロジック回路もGHzが見えてくるようになると、プリントパターンの
対GNDの寄生容量が馬鹿に出来なくて大変らしいです。
#アナログ高周波回路屋でホントに良かった、と思ってみたり(笑)。


>トランジスタも使い方によって速度が変わるようですが。
(以下略)

チョイ難しい話になりますが、飽和領域で使うとベース領域のキャリアが
過剰になります。バイポーラTrはことごとくoffの方が時間がかかるのですが、
このキャリアが再結合でどこかに消えて無くなるまでコレクタ電流が流れる
からなんです。この問題が無いFETはスイッチング動作させた場合にon/offの
時間がそれ程変わらないと言う仕掛けです。高速スイッチング用のバイポーラ
Trは、この再結合にかかる時間を短縮するためにベース領域にAuをドープ
して結合中心を作って…とココからは半導体物性で実は良く判らないのですが(笑)。

#物性板なら詳しい人が居るかも。

では飽和領域で使う=スイッチング動作させる場合に、ベース領域に過剰な
キャリアを注入しなければ良いって事で、B-C間にショットキダイオードを繋ぐと
過剰なキャリア注入が防げます。これがTTLのショットキタイプ(SやLSシリーズ)です。

もう一つ、B-E間に逆バイアスをかけると過剰キャリアを素早く抜くことが可能で、
トランスでベースをドライブするためにパルストランスがあります。一方デジタル
回路向けなのがECL=エミッタカップルドロジック〜差動増幅回路で、こちらは
差動の信号を突っ込むとエミッタ電位を中心にベース電位が上下に振れるから
逆バイアスが可能、と言うわけです。


このあたりの回路技術は上にも書いたようにロストテクノロジー化しつつあるようで、
そもそもIC内部の微細化による高速化の方が有用だと考えられてるわけです。
さらにIC内部ならTrいくつ使っても大差ないけどディスクリートでは重大な問題に
なるし、部品もICの内部から見ると絶望的に大きいし…
ちょうど最近の組み込みプログラムは可読性優先、メモリ空間には余裕があることが
多いので速度が出ないならクロック上げようか、なんてやってるのとよく似てますね。

あとゲートアレイの遅延時間は、結局寄生Cをチャージ/ディスチャージする時間
で制約されているのでディスクリートと雲泥の差があるわけで、仮に寄生Cが一切
無かったらそれ程は違わないですよ。逆にゲートアレイの出力に重たい容量性負荷を
ぶら下げると大変なことに((((;゜д゜)))

>>165
>この問題が無いFETはスイッチング動作させた場合にon/offの
>時間がそれ程変わらないと言う仕掛けです。

実際にシミュレートしてみると、MOSの直流的な性質であるところの
「ゲートに電流が流れない」という性質は、「交流的には嘘」という
ことが分かってきました。

高周波になると、ゲートの容量のせいでかなりゲートに電流が流れて
しまいませんか。

そして電圧増幅素子という性質は維持されたままなので、かなり
大きな電流がゲートに流れているのに、出力はなかなか変化して
くれない、という困ったことがありました。

高周波領域だと、BJTの方が扱いやすいような気もします。

しかし、実際の実物のオシロスコープ波形を見ると、MOSの方がスイッチング
波形は美しいようです。あれは、ある程度の周波数までの話なんでしょうか。

実際はどうなんでしょう。

差動増幅回路をスイッチングに使うのだとすれば、負帰還をかける必要
があるんでしょうか。

最初、余り深く考えずにシミュレートしてみると、増幅率が大きすぎたり
小さすぎたりして、どんなに回路定数を調整しても、入力信号と出力信号
が似ても似つかないカーブになったままで、上手くいきませんでした。

その対策として、今度は、「マイナス入力」に出力を入れて、
オペアンプのいわゆる「イマジナリ・ショート」状態を作って
上手く回路定数を選ぶと、スイッチONに相当する時に、出力=入力
を、ほぼ実現することが出来るようになりました。

しかし、オフセット電圧のようなものがありますし、回路定数を微妙に
選んでやらないと、コレクタ電圧が電源電圧の範囲から超えてしまいがち
です。原因は、入力が中央の時でも、常にベース電流が流れているように
なってしまっているからです。

余り詳しくないのですが、多分、レベル・シフタという回路を付けてやる
必要がありそうな気がします。

というより、結局これはオペアンプそのものになってしまっています。

やり方に間違いがあるんでしょうか・・・。

これが実験中の回路です:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/GilbertCellTest.png

結構当てずっぽうな回路ですが、どうでしょう。

左下のパルス発生器の注釈は間違っていて、正しくは、
10MHz, Duty 50%, 0-5Vです。それに繋がっているインバータ
は、正転出力と反転出力を持っていて、出力は0-5Vです。

>>166-170
えーと、MOSFETのゲート容量は電圧依存性が無いので、周波数に依らず
「同じ電荷量をチャージ/ディスチャージ」出来ればOKです。

i=dQ/dtですから、周波数が上がる=時間が短くなる→電流が増えるなのです。

もちろん回路屋から見れば「ゲートに電流が流れないのは交流では嘘」って
言い方も有りですが、半導体の中を考えた場合は「それならゲート長を
短くすればゲート容量も減るでしょう?」ってことで、行き着く先はICと
なるわけですね。

あと同じ事はホールドコンデンサにも言えます。超高速のS/H回路と低速の
S/H回路ではコンデンサの適正値も違ってきます。



ところで実際の実物のオシロスコープ波形、とはシミュレーションではなくて
ブレッドボードモデルですか? BJTの方が波形が汚いと言いますが、実物が
シミュレーション回路に近い構成だとしたら、まあそうなんじゃないかなという
気がします。以下感想。

#何か関連ページのNWSOS云々のスレは俺の領域じゃないみたいで全部読んで
#ません。ソフトウェア工学はワケワカランなので。もしそのあたりに何か他の
#例なり実験結果なりあったらごめんなさい。

(1)BJTはキャリア(NPNなら電子)をエミッタ→コレクタへ一方的に注入する
　方向でないとまともに動作しない。オーディオ帯域では逆方向も使って
　可変抵抗素子として使うこともあるけど、高速な回路ではNG。多分
　ベース領域厚みと周波数の上限に相関があると思う。
(2)シミュレーションの回路では、BJT/MOSFET共に双方向にキャリアが
　移動できるスイッチング素子として使われているが、上記(1)故にBJTの
　回路で波形がおかしいのは当然。MOSFETはCgs/Cgdが非対称で構わない
　なら割と高い周波数まで双方向にキャリアを流すことが出来る。
(3)S/H回路をドライブする事を考えると、MOSの場合K2980のようなゲート長の
　長い大きな石では数MHzが限界。入力容量155pFをGHz付近でドライブしよう
　なんて無茶。実は入力容量数pFでもヤバイ。1nSec内に1pFをチャージすると
　して、Vt=2.5Vとしても2.5mA、これだと数十〜百MHzでサンプルが妥当かと。
　でもこんな小さな石があるか、と言うと…俺の知る範囲にはないような気が。
(4)S/H回路のホールドコンデンサの容量も問題で、理想スイッチによる開閉と
　しても10pFをチャージする回路の最大電流容量が10mAの場合、1Vで1nSかかる
　計算。現実の回路ではとても高速動作は出来ないんじゃないかなと。
　シミュレーションは理想電源だから良い波形が出ると思いますけど…。
(5)キャパシタをチャージ/ディスチャージする時には必ず上下アームに能動素子を
　入れてやる必要あり。片方が抵抗だと、抵抗の側がRCの時定数で速度制約されます。
　キャパシタのチャージ/ディスチャージはスイッチング用素子のドライブも、ホールド
　コンデンサも両方対象になります。となるとコンプリメンタリペアが必要になるのですが
　Pch MOSやPNP TrはGHz超えると速度低下要因になります。
　一つこれを回避する良い手段として、差動出力を使うという手があります。信号を
　常に差動で使えばアームの片側がRでも反転側は能動素子でドライブされるので
　RCによる制約から逃れられるわけです。

…長すぎて弾かれた(笑)。


ってことで少し落ち着いて研究してみると良いと思いますよ。ちょっとググって見ましたが
ttp://www.national.com/JPN/an/AN/AN-775.pdf
ttp://www.dsl.hiroshima-u.ac.jp/presen03/fujikawa.pdf
あたりは参考になるんじゃないでしょうか。


#個人的にはギルバートセルを使ってスイッチングするClosed Loop構成に行き着く
#のが正しいんじゃないかなぁ、と。NSのAN-775のfig.9みたいな回路。デバイスは
#BJTが良いと思いますが…実際にはS/H回路やってないんで判らないんですよね。
#あくまでアナログ高周波屋の感想、と言うことで話し半分以下でレス読んで下さい。

さてシミュレーションの回路ですが、まず下のペアに入れるパルスが0〜5Vなら、相手の
TrQ2は1/2の2.5Vにバイアスしてみて下さい。その上でQ1-Q4ペアのコレクタの電圧差を
観測するとスイッチングされた波形になるはずです。Q3,Q5は差動ペアを構成するための
捨て石(笑)なので、実は省略しても良いのですが安定に高速動作させるためには
必要になってきます。無いと入力インピーダンスが変動してしまい、波形が乱れると
思われます。実は今回のようなスイッチング動作では、一方のペアからは出力を
取り出せません。なにせ上に乗ったQ1-Q4ペアとQ3-Q5ペアをQ2-Q6ペアでon/off
しているわけですので。

利得が高すぎる場合はコレクタの負荷抵抗を下げると利得が下がりますが、
実用回路では負帰還をかけけることになるかと。

回路を考えるだけでも大変な時間が必要になるんじゃないかと思いますが…
これ、実はオペアンプ以上に複雑な回路になってます。Q3,5,6を省略すると
トランスコンダクタンスアンプ(LM13700とか、古いところではCA3080とか)の
心臓部になります。

以上、長文で申し訳ありませんが頑張って研究して下さい。

そういう風にしてもやはり上手くいきません。負帰還は基本的に遅いので、
このような回路では私の直感では無理なんじゃないかと思うんです。
実際、波形をごらんいただくと分かるように、>>169にしても、
10MHzなのに全く問題にならないほど追従してくれません。実は、
入力電圧の振幅を僅かに大きくしても、これよりさらに酷くなります。
出力のコレクタ抵抗を大きくすると追従速度は基本的に上がりますが、
そうすると今度は、電圧が「割れ」ます。つまり、電源電圧の範囲
を超えてしまいます。


一方、以下のようなシンプルな回路だと、1GHzだしても非常に綺麗です:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-NEC-3BJT-Parallel.png

これは、実際のNECの実在するBJTのSPICEデータを用いてシミュレーション
した結果です。

この回路のサンプリング周波数は、1GHzですが、インターリーブ方式で
並列動作させると、このままでも40GHz位ならば対応できるような
気がするんです。

このトランジスタは、現存する最高速度のトランジスタではありませんので
現実には、もっと綺麗な波形が出る可能性もあると思っています。

メーカー製のS&H用のICは、調べた範囲内では、100(MS/s)程度でした。

それから比べると、>>173のリンク先の回路は、10倍の速度で動作しており、
そこそこ良い回路なのではないでしょうか。

また、大事なこととして、これは、ディスクリート部品でのシミュレート
結果なので、IC化すると、これより高速化できる可能性があることです。


>>172の一つ目のリンク先の回路は、オペアンプを使っていますね。
これだと追従が遅いので、単独のBJTで作ってある>>173には勝てない
と私は思います。

それから、>>172の二つ目のリンク先の回路は、コンデンサへの充電を
片方向でしか行っていません。

>>173の回路では、二つのトランジスタそれぞれで、逆方向にに電流が
流れるように組んであるので、両方向に電流が流れ、非常に効率よく
充電できます。また、放電サイクルが必要ありません。充電サイクルで
必要あらば、自動的に放電されます。


それから、>>158のリンク先の回路の中には、「直列タイプ」のものが
含まれていますが、その場合でも、BJTに逆方向に電流を流
したりはしておりません。BJTには、ショットキーダイオード
をい並列に付けてあり、電位が逆になった場合はそちらに流れ、トラン
ジスタ自体には流れません。

また、MOS-FETの場合は、逆方向に流すことは可能ですね。その場合、
寄生ダイオードや並列に接続したショットキーバリアダイオードと、
FET内部のチャネルとの両方に電流が流れますが、ソース電位より、
ゲート電位を高くしている場合は、Vds<0の場合においても、ON抵抗
となり、mオーム程度の導通状態になると思って設計してあります。

>>172でご指摘頂いたように、TrQ2を2.5Vにバイアスした時のシミュレーション
結果は以下のようです:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/GilbertCell2.png
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/GilbertCell3.png

ふたつあるのは、Q2のベースに対称なQ6と同じ10Ωの抵抗R17を
付けてあるかどうかの違いです。


ちょっとお手上げ状態です。

余り良い回路ではありませんが、オペアンプとスイッチの組み合わせの
S&Hは、以下のようになってます:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold2.png
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold3.png

これはこれで悪くはありませんが、オペアンプまで高速性が
求められるため、可能な限りは、>>173のような回路の方が
望ましいと考えられます。

>>175
うーん、よく見てなかった所がいっぱいあった(笑)。ギルバートセル応用であってギルバートセルそのものでは
真っ当な動作はしませんよ。それからギルバートセルだとしても何か変な所もある。
・Q1,Q4のコレクタは+5Vに直結。他にはどこにもつなげないこと。
・R8,16はいらない気がする。何の役割なんだろうこれ…
・R5はバイアス電流を決める肝。100ohmあたりにして10mAぐらい流すようにすると良いかも。1mって
　1megの間違いかな? LTspiceも一般のと同じ記述方法のはずだと思うけど、これじゃスイッチングすら
　しないですよ。この抵抗はQ2/Q6を飽和で使うならコレクタ電位を決めるだけでなく、上に乗ってる
　差動ペアのエミッタ抵抗も兼ねます。ちなみにIC内部なら定電流回路を組むところ。シミュレーション
　では最初は定電流源にすると、R9,17の値が変でも割ときれいに動作するはずだから、そこから
　始めるのも手かも知れない。
・R9,17は10k ohmぐらい。もしかしたら4.7k ohmぐらいでも良いかも。あんまり飽和させると良くないけど、
　逆に飽和が足りないとQ1,4,3,5のエミッタ電位が上がって苦しい。2つ目の設計の肝。ある程度カットアンド
　トライしてみるしかないかな。Q2,Q6のコレクタ電流を観測して、きれいにon/offのシーソー動作しているか
　チェック。さらにコレクタ電圧が1V程度まで下がっていればOK、ダメならベース電流を増やす=R9,17を
　小さく。でもあまり大きいと過飽和してスイッチング速度が低下するので厄介なのだ。
・R12,13,10,11は不要。全部ショートして下さい。こんな所にフィードバック抵抗入れたら訳判らなくなるから。
・Q3のコレクタの負荷抵抗R2とQ5の負荷抵抗R3は大きすぎ。利得が高くなりすぎます。
　取りあえずオープンループで実験するなら50ohmぐらいでも大きいかもしれない。波形がサチるようなら
　ベース抵抗R1,4,6,7を10k ohmとか100k ohmとか大きくして逃げるしかないかな。
・観測信号のV2は2.5V程度の直流バイアスが必要です。Q2がonしたときのコレクタ電圧=Q1,Q4のエミッタ
　電圧だから、

…まあこれ、アナログ回路の中では難易度の割と高い分野なので設計が難しくて当然。いきなり
複雑な回路を組むのではなくて、Q2Q6のIcを高速にスイッチング出来るか、って所から入ると良いでしょう。
最後に実際に回路として製作することを念頭に置くので、どうしても高インピーダンスでドライブ可能な
電流スイッチ回路の実現が一番最初に必要なわけ。

　逆にシミュレーションだけで良ければ、そもそもQ1Q4のエミッタを共通にして方形波の定電流源で
ドライブすると、アンプを高速でon/off出来る様子が観測できるはずです。

　ちなみにこのギルバートセルのサンプラ回路、バッファアンプも兼ねているので既出のスイッチ回路より
圧倒的に複雑なのは当然であります。なにせサンプリングパルスの電圧ソースV4からの電流も0.2mA程度と
小さいし、観測信号のV2から見た入力インピーダンスも1k ohm程度で容量成分は充分無視可能。既出の
スイッチ回路は、サンプリングパルスのドライバ回路や観測信号のアナログバッファが別途必要ですから、
トータルでの複雑さはどうなるか考えると難しいですよ。

>>177
誰も成功してない独自提案の回路で、提案者も実験しておらず、
実際に試してみても不安定な結果、遅い結果、大きな波形の歪みを
伴う結果、中間部位で電源電圧を超えてしまうことによる破綻、
などなど思わしくない結果しか出てない現状では、他人が回路を
設計することは基本的に無理です。

しかも、素子が増えれば増えるほど、遅くなると言う当然の法則も
考え合わせると非常に実現は難しいと考えられます。

やはり、自信がお有りなら、ご自身でやって頂かないと難しいでしょう。

>>173
素朴な疑問で申し訳ないのだが、ご提案の回路の中には理想ダイオードが含まれており、
そのダイオードだけでＳ／Ｈを構成すればどのような周波数のにも対応できるのでないかと思われるが…
トランジスタは回路中ではむしろ「脇役」ではないでしょうか？

>>179
確かに理想ダイオードだけでもS&Hが出来るかも知れませんが、
>>173の回路に置いては、理想ダイオードがメインというわけ
ではありません。

スイッチが切れる瞬間にQ2がコンデンサから電流を吸い出すような
現象を防いでいるつもりです。

現実のダイオード(MBR745)に取り替えて試したところ、サンプリング
周波数は半分程度しか出なくなり、大分波形が汚くなりましたが、
500(MS/s)程度の速度のS&Hはシミュレートできます:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/SampleHold-NEC-3BJT-Para2.png

>>181
なるほど、それでは今度はトランジスタを理想トランジスタに換えてみてはいかがしょう？ (やっと登場しましたね)
どちらが回路により大きな影響を与えているか分かるかも知れませんよ。

それと>>181の回路を-30〜+60℃の範囲で温度を変化させて解析してもらえないでしょうか？
なんとか８ビットＡ／Ｄコンバータの精度くらいは確保できればいいのですが…

>>182
温度解析はやったことがないので、難しいです。

逆回復時間が短い(1nsレベル)の実際のダイオードでやるとどうなるか
興味深いです。

Fairchildにそういう高速なダイオードのSPICEモデルが大量にある
ようです。

>>183
あなたほどの方がダイオードを利用したＳ／Ｈ回路をご存知ないとは驚きです。
下図は理想ダイオードを使ったＳ／Ｈ回路で適当なＲＣを選択することにより
例えば１０００ＧＳ／ｓのサンプリングレートを得ることができます。
　 　　　 　 　 　 　 ○　Vs
　 　　　 　 　 　 　 │　 　 　 　 　 　Ｖｓ ， Ｖｓ＃はサンプリングパルス入力
　　 　　 　 　 　 　 ＞　 　 　 　 　 　 　　Ｖｓ＝Ａ のとき Ｖｓ＃= −Ａ
　　 　 　　 　 　 　 ＞　 R 　 　 　 　 　　Ｖｓ＝−Ａのとき Ｖｓ＃＝Ａ
　　 　 　　 　 　 　 ＞　 　 　 　　　 　 　 ダイオードはすべて理想ダイオード
　　　 　 　 　 　 　 │　 　 　 　　　 　 　 Ｒ ， Ｃ を変えることにより任意のレートでＳ／Ｈ可能
　　　 　　　┌──●──┐
　　　 　　　┷　.　 　　 　　┷
　　 　 　 　△ 　 　 　　 　 △　
　in 　 　 　│　 　 　 　 　 │ 　 　 　 　 　 　 　 　out
..○───●　 　 　 　 　 ●─────●──○
　　 　 　 　│　 　 　 　 　 │ 　 　 　 　 　│
　　　 　　　┷　 　 　.　　　┷ 　 　 　 　 　│
　　 　 　 　△ 　 　　 　 　 △ 　 　 　 　 　│
　 　 　 　　│ 　 　 　 　 　│ 　 　 　 　 　┷ C
　　　 　　　└──●──┘,　 　 　 　 　┯
　　 　　 　 　 　 　 │　 　 　 　 　 　 　 　 │
　　 　　 　 　 　 　 ＞　 　 　 　 　 　 　 　 │
　　 　 　　 　 　 　 ＞　R　　 　 　 　 　 　 .Ｖ
　　 　 　　 　 　 　 ＞　 　 　 　 　 　 　　 GND
　　　 　 　 　 　 　 │　
　 　　　 　 　 　 　 ○　Vs#

ようがんばった。
回路ＡＡ簡単に作るツール誰か作らんかいのう。

ADCやサンプル&ホールド回路をインターリーブ動作させるための時分割回路
です:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/TimeDividerForInterleavingADC.png

コンパレータの伝達遅延時間を利用して時間差を作り、発振にも利用して
ます。

遅延時間の少ないコンパレータを使うともっと時間間隔を狭くできます。

ただ、発振しにくいタイプのコンパレータもあるかもしれないので注意が
必要です。

>>184
どうもありがとうございます。

この回路は、Rを大きくしても、小さくしてもジレンマがあるような。

>>186
コンパレータの伝達遅延という現象は、電圧を比較するというコンパレータの
本来の機能とはことなる(好ましからざる)副作用でありデータシートでも
最大値と標準値が記載されているのみで、製造プロセスのばらつき、温度
はては電源電圧などの条件により簡単に２〜３倍のばらつきを生じるため、
実験室レベルならともかく、量産に持ち込むにはかなり無理があります。
このような回路はあくまで個人の趣味にとどめるべきでしょう。

>>187
確かにそうかも知れません。というわけで、正確な水晶発振器を
基準にした次のような回路の方が安定性は高いはずです:
http://www.nowsmartsoft.or.tv/images/TimeDividerForInterleavingADC2.png

しかし、発信できる最高周波数は低くなると思います。

>>188
そんなときこそオーバートーンとか周波数逓倍でしょう。

>>189
そういう問題ではなく、、、。

トランジスターさんは政治家さんより偉い

◆＜Ｈ２Ａロケット＞８号機の打ち上げを延期
ttp://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20050722-00000107-mai-soci

　宇宙航空研究開発機構（ＪＡＸＡ）は２２日、今年９月に鹿児島県・種子島宇宙センターで行う予
定だったＨ２Ａロケット８号機の打ち上げを延期すると発表した。搭載予定の大型衛星「陸域観測
技術衛星」（ＡＬＯＳ）の姿勢制御装置に使用している・・
・・恐れがあるのが理由としている。

＞　米国製トランジスタに、異物が混入している恐れ
・・・・・・

日本製品の代替がきかないような余裕のない設計しやがって！
打ち上げ遅れの損失は設計者の給料から天引きね。

純国産って言ってなかったっけ？

ロケットはね。

>トランジスタってもういらなくね？

と言う友達はいらない。

>>398
がんばれ

>398のやつは今から準備しておけ。だいぶ先の話になるが。

すみませんが、初心者なもんで教えてください。
１MHｚ〜６００MHz程度の発信回路にFETとTrと発振周波数の安定度に差があるのでしょうか。
Trの方が温度変化の影響をうけやすいとか言われているようですけど。
クラップ発振回路がVFOによく使用されますが、これはTrの容量変化の影響を受けにくいからだとか、どれも実証したことがないのでどなたかご教授してください。

　　　　　　 r───-/∠二ヽヽ. ﾏ7__,.. ----──┐
　　　　　 　 l　　　　　 ー_-=' ´￣￣マ≧ｰ ､_　 　 ｿ
　　　　 　 　 l　 -rｧ７,.‐' _,　　　　　　 ヽ 　 　 ＼　ﾊ
　　　　　　　 ゝ、 ∨/ァ'´　　 _,.- ､ 　 　 　 　 　 ヽ７
　　　　　　 ／ヽヽ/ {/　　　 /ﾆ>'7/　 i　　　　　 　 ＼
　　　　　 く　　　Yli ,' /　i　 l／//////l l l　li i　 ヽ 　 ＼
　　　　 　 /＼　 | ｌi　'　 l　 !///////,ﾘ l l　lｌ l 　 ｌｉ i　ヽ.ヽ
　　　 　 く.　 /＼! l! l　 ,l　i l__/,-‐//// j.j /l_jl　 j ! l l ! l ヾ.
　　　　　 /∨　　V! l　 i ! l7 //__/ //l /l//l/l/ﾄ/ j j l ｌｉ l　 }
　　　　　i// //i　 | l　 l l ﾚ/ト-:lヽ'　 / //,ｨﾃﾒ〃///// !j
　　　 　 | l,-H-l　 | l　 l l l いｯｿ　　　　　 ﾄｯｿj l/ｲ l/　ｿ
　　　　　! l　ﾘ /弋! l　 l l ト -,,　　　　'　　 ｰ',, l/ lノ　　　にはは、手前で実証しる。
　　 　 　 | !/ / /j | l　 l l ﾄ、　　　　こﾌ　　　,ｲ　 l
　　　　　,ﾚ'// // i| l　 l l ｌ　ヽ、　　 ''　_,. イｌ l　　|
　　　 ／／/_/-‐ 1 l　 l l l、　　` ｧ‐_,タ⌒ !ｌ l　　l
.　　///,　'´　　 　 ! l　 l l l ＼ 　 {　|.／ｸ,ノ! ｌ　 ,ﾘ
　 ////　　 ヽ.　　 い.　l l l　 /､＿フ //ｌ　 ｌ ｌ 　/!
. ////　　　　iヽ　 i い　l ｌiト<.__,.イ j// ｌ　 l l　 ｌ l
// l/　　　　　い.　l　い. ｌ ｌ > '´,.-^ﾉ/　.!　l l　 l　l
| l　!　 　 　 　 い　!　 い V　 '´,.ィﾞ）　　 ｌ iｌ l　 ｌ　l
| l /　　　　　　 ! } j 　 ∨ｌi　　　,ｒ' ）　　　ｌ l l　 l　 !
L/　　　　　　　l　ﾘ　 　 V　　　 ／l　　　　ll l　 ｌ　 |

>>398は来年の春くらいか…。

>>199
その辺は、自作派ハムの人なんかが詳しいと思います。回路構成はもとより、
温度、電源電圧、バイアス電圧の与え方、さらには L, C の温度係数も考えて、
お互いに変化がキャンセルし合うように作ろうとするなら、ノウハウのかたまり
でしょうね。

>>202
１９９ですが、その自作派の方にお聞きしているんです。

１MHｚ〜６００MHz程度の発信回路にFETとTrと発振周波数の安定度に差があるのでしょうか。
Trの方が温度変化の影響をうけやすいとか言われているようですけど。
クラップ発振回路がVFOによく使用されますが、これはTrの容量変化の影響を受けにくいからだとか、どれも実証したことがないのでどなたかご教授してください。

>>202は、違うスレで聞いたら？ってことだと思ふ

>>203
だいたい、１ＭＨｚと６００ＭＨｚでは全然実態が異なることぐらい気付け。
それと、204嫁。

つまりわかる者はこのスレに存在しないってことだな。

じゃーなくて、そういう質問では答えようがないということだ。

同意、子供にもわかるように説明すると、>>199は周波数をスピードに置き換えて考えると、
幼稚園児用の三輪車とＦ１用レーシングカーの設計を同じレベルであると考えているようだ。

1>>（ Д ） ........_。........_。 ｺﾛｺﾛｺﾛ…
お馬鹿な私はトランジスタ無いと安く処理できる場所もIC使わなきゃ…
おいおい…何も出来ない…
ってか基本的なICの内部すら作れない…

そうだな。
真空管有るし。

そうだよな。
俺はパラメトロンにするよ。

ばかだな。ぱらめとろんなんかどこで売ってんだよ。

＞２０８例え方が幼稚

もっと幼稚に、(個別？ IC？ ) トランジスタと、発振回路の周波数安定度に
どんな関係があるのか、よくわかりません。

>>213
わざわざ“子供にもわかるように”と断ってから書いているのに
“例え方が幼稚”とは、煽りにしてもレベルが低すぎ(^^)

発振周波数の安定度はゲート容量やコレクタ容量の変化の程度で変わる。
発振周波数の純度(C/N)はQが同じならトランジスタの超低周波特性で決まる。
UHF 以下ならバイポーラトランジスタに分がある。マイクロ波なら大抵 HEMT。

電流をコントロールできる　なんてこたぁない素子の一つってことだ。

A970とA1015の違いは何ですか?

>>218 定格（スペック）が違う。

>>218
似たような・・・　何に使うの?

＞218
地道に比較しましょう。
ttp://www.semicon.toshiba.co.jp/release/omc/list_osc_tr.html

UJTってもういらなくね？

＞222
踊らないぞ！　（踊らせられないぞ！　という言い方は、なぜ日本語では不自然なのか不明decyu。）

「踊らされないぞ！」という日本語が出てこない方が不思議。

UJT 銀行? UFJ??　だったら要らないぞ。

　Ｕｔｔｕｏｕｓｉｉ　Ｊｉｊｉｉｎｏ　Ｔｏｒｏｇｕｒｕｍａ
は確かに路上から消えてヨシ。

IGBT が消えてなくなったら、都市部の電車車両の半分ほど？ ９０％？　が
動かなくなる、と思うんだけど、どうかな。

トランジスタは主食なのでなくなったら困る。おいしいんだよ。

>>227
うちの近くの電車、ディーゼル式しか通ってないから既に電車じゃ・・・（以下略

そこでポルシェ博士の出番です

弱反転領域でMOSFET動作させたときって、IdsはVgsの指数関数になるよね？
この領域で回路動作させたら、閾値とかいらなくなるのかな？
むしろ閾値が高い方が弱反転領域での動作が安定するの？
電源電圧0.5Vとか容易に実現できそうなんだけど。

弱反転領域って、Vds の極性を普通とは逆にして使うという意味ですか？
その MOSFET はエンハンスメント型ですか？　代表的な型番は？

弱反転領域って、VgsがVthより低い領域のことみたい。
で、この領域ではIdがVgsの指数関数になるみたいでつが、
直感的には、温度の影響大きそうでここで動作させる気がしないなぁ。

研究テーマにしているところもあるんですね。
ttp://www.elect.chuo-u.ac.jp/takakubo/takaintro.htm

弱反転領域で動作させてるアナログなんて　山ほどあるよ。お前らの目の前にある液晶のドライバーもそうだ。
別に、特殊なことでもなんでもないけどな。

>>231
＞弱反転領域でMOSFET動作させたときって、IdsはVgsの指数関数になるよね？
＞この領域で回路動作させたら、閾値とかいらなくなるのかな？
＞むしろ閾値が高い方が弱反転領域での動作が安定するの？

基本的にはゲート容量とチャネルの空乏層容量で分圧された　ゲート電圧が
寄生バーポーラのベース電圧になります。式を確認ください。

安定というのは回路によります。
たとえば差動対は入力換算オフセット電圧が小さくなりますが、
カレントミラーは電流ミスマッチが大きすぎて使えなくなります。

3端子ﾚｷﾞｭﾚｰﾀの電流ブースト法で「ｲﾝﾊﾞｰﾃｯﾄﾞダーリントン」というのがありますが
このｲﾝﾊﾞｰﾃｯﾄﾞﾀﾞｰﾘﾝﾄﾝにＦＥＴを使っても良い物なのでしょうか？

　~ﾍﾐﾍ●○●○●ミ・∀・彡

　|彡ｻｯ

ダーリントンをまるごとFETに交換することもできるが、
自分で判断できず、こういうとこで質問しちゃうような
香具師は原回路そのままで作ったほうがよさそうだ。

>>238＠魚チョコさん

出来るか出来ないか・・・・ではなくて「良い物」かどうか・・・・
なのですが。（＾＾；

このｽﾚは「トランジスタってもういらなくね？」なので
タイトルに添ったネタを振ったつもりですが
住人の人間性によってはケンカの元になりかねませんね。

　|彡ｻｯ

>>239
悪かったな。初心者すれ読んだ後だったんでな。

で、３れぎゅーか。よく考えるとＦＥＴじゃむりだな。
Ｖｔｈが高いしｇｍ低いしってか。探せば
使えるのあるかもしんないがバイポーラーなら
代替がきくな。

ん？なにいってる？

ブースと法は知らんが、いんばーどedのTrって、
逆hfeが高い奴だろ？（ここですでにまちがってたらごめん）

用は、普通のバイポーラだとnpnでCに正、EにCよりも電圧値が低いときに
Bに流し込む電流でCEの電流を変化させて見かけ上電圧を変化させてるよう
に見せてる。
んで、電流の向きは決まってるので普通npnだとEのほうがCよりも電圧が高くとも
からCには電流流せない。（CEには普通のhfeがあって、ECにはきわめて低いhfeしか
ないとも考えられる。）

んで、ミュート回路なんかでCEだろうがECだろうが電流がどっちにでも流れることが
要求されるのに使うのがインバーデッドTrじゃないの？

向き関係なく動くのは、J-FETとかじゃない？こっちは向きというかそもそも
GSとGDの内部構造が一般的には完全に同じなのでそもそもソースとかドレインとか
適当に名前付けてるだけだけど。（特殊向きは弄ってるけど）んで、Idｓｓが10ｍA
程度しかないから意味あるのかどうかは知らないけど。

というかトランジスタってもういらなくね？か。

個人的には三極五極整流管最強！！！！！

いや使ったこと無いデス。というか動作原理も知りませぬ。
電子だと電子と正孔の移動度がでてたりするけど真空管って熱でなに飛ばして
移動度とかあるのか？（速度が遅いって聴くがコレが問題なのか？）

というか真空管について熱くかたってくれだれか。興味はある。

よい感じに転がってますね　（＾＾

>>240

プラスマイナス5ボルトくらいの「誤差」で
FETをたくさんパラレルで・・・・・・

あるいは、わざと発振させて平滑かまして・・・とか（＾＾；

>>241

＞いんばーどedのTrって、
＞逆hfeが高い奴だろ？（ここですでにまちがってたらごめん）

ちがってます（＾＾；

ダーリントンの２段目の方にPNPをつかうやつ・・・っていう言い方でよいかな？

ふうむフェミヘイターって何のことかとおもったらフェミニズム（スト）にくしって意味か。
いちぶでちょっと有名らしい。かんがえてみれば、
俺は草の根、ニフティ、ニュースグループ、２ちゃんと、
あちこちネットをまわってきたが、いちども
有名になったことがない。ひかげでほそぼそうごめいてるだけ。
有名になるひけつってなんですかね。わずらわしそうだが　ﾐﾟ〜　ﾟ　ﾐ

>>243
＞よい感じに転がってますね。

――転がらねえよ。いまどきチョランズィスターでもねんだよ。
FETでもだめ。いっとき転んでもすぐ沈静。
ディスクリートが流行るわけねえぢゃん。

ところでいま 2SC と 2SK の最大番号ってどちらがでかいの？　ﾐ　ﾟ　дﾟﾐ

>243
先々月の時点で最終型番は 2SC6065 と 2SK4041 だね。
ttp://ederec.jeita.or.jp/info/ede_b200511.htm

にしても2SK型番って 4000もあったのか…。

>>244-245＠魚チョコさん

＞いちぶでちょっと有名らしい。

そのようですね（//∇//） ﾃﾚﾃﾚ

「2ちゃんねるの本」で、けっこうなスペースを割いて紹介されたとか・・・
私は読んでいないので良くわかりませんが（＾＾；

＞有名になるひけつってなんですかね。わずらわしそうだが　ﾐﾟ〜　ﾟ　ﾐ

秘訣・・・（￣〜￣;）　心当たりがない・・・

長期間、戦闘コテとして「フェミヘイター」を名乗っているわけですが
生息地が「九州某県」とか
自称「乙女系美少年」とか
髪が腰まで伸びてるとか
たまに自転車で「徹夜ｻｲｸﾘﾝｸﾞ」と称して往復8〜10時間程度走りとおすとか

キャラが立ってるところが受けてるのではないでしょうか？

興味をお持ちでしたら↓など御覧頂ければ幸いです。　ミ・∀・彡●○●○●ﾍﾐﾍ~
レイプ（性犯罪）の刑罰は重過ぎると思う vol.15
http://love3.2ch.net/test/read.cgi/gender/1132412668/
ずるい女Part2
http://jbbs.livedoor.jp/bbs/read.cgi/news/273/1022476760/
東京町田・女子高生殺人事件って
http://love3.2ch.net/test/read.cgi/gender/1131753592/

＞ディスクリートが流行るわけねえぢゃん。

一般には流行らんでしょうね　ミ・∀・彡●○●○●ﾍﾐﾍ~

PCの電源をｼﾘｰｽﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀでつくるという無意味な野望を抱いて早5年（笑）
この土日は、ｱｸﾃｨﾌﾞPFCのついたATX電源を改造していて・・・
1次側ｺﾝﾃﾞﾝｻｰに400WV270μFのものがついてたので
通電（待機）状態で電圧を測ると約135V（安物のｱﾅﾛｸﾞﾃｽﾀｰなので・・）
「なら、200WVでいいぢゃん」と、200WV470μFのものに交換。

ｹｰｽに入れて、もろもろ接続してPCを起動したら・・・・・

いやまぁその、えぇえぇ・・・素人のする事ですから

　~ﾍﾐﾍ●○●○●ミ・∀・彡　温かい目で見守ってね♥

　|・∀・彡ﾆｮﾛ　


　|~ﾍﾐﾍ●○●○●ミ・∀・彡.｡oO(放置プレイ？)


　|彡ｻｯ

Vgsが0のエンハンスメント、Vbeが0のバイポーラつくって。

>>250

そんなの作ったら世界制服できそう・・・

>>250　ｖｇｓ＝0のエンハンスメントは出来るよ。サイズ的に競争力無いけど。

あら…不勉強ですみません　ミ・∀・彡●○●○●ﾍﾐﾍ~

　恥かしいので・・・

　|彡ｻｯ

>>252
なんてやつ？もしくはなんていう論文にのってた？

>>254　いや普通にその辺のＣＭＯＳプロセスで作ったるよ。俺が前いた会社では。結局Vt=0だとソース　ドレイン間で
パンチスルーが起きやすくなるんででVt=0のＭＯＳ作ると、ゲート長としてはL=2.0umからとかになるよ。
L=0.35umプロセスのオプションだと、そんなもん。

まあそういうの使いたければ、どっかに相談すれば？ファウンドリーとか？マスクオプションで出来ますよ。

誤＞その辺のＣＭＯＳプロセスで作ったるよ。
正＞その辺のＣＭＯＳプロセスで作ってるよ。

2SC945

古いレスに続けて、近頃の低電圧 CMOS ロジックは、限りなく E/D 型 (Vgs=0) に
近づいているようにも思える。

>>250
ゲタをはかせればいい。ふつう「差動増幅器」というヤツね。

リマーク品つかまされた
トランジスタなんか消えてヨシ

ってゆーか世界人口が多すぎる
40億人くらい逝ってよし

そだね。真空管あるしね。

TVも見ねえし、常用ラジオは真空管ラジオだしな(´･ω･`)

生き残るのは10億の中国人か

コピーしかできない奴らは、オリジナルの制作者がいなくなったら全滅

漏れは2SC1906と1907派！

イランジスタ

北朝鮮ジスタ

2SC2120に激しく萌える

トランジスタはもういらねー！これからはパスコンの時代

test

とらんじすた技術って雑誌
もういらなく（ry

>>264
C1906とC1907って殆ど同じだと思ってたが、RFアンプで
C1906の代わりにC1907使ったら、みごとに発振した。
よ〜く規格表見直したらC1907はOSC用途となっていたorz。

大雑把に言えばＦＥＴは壊れるんだよね

>271
ルネサスにある最近のデータシートには増幅用途が追加されている！

>>270
既に分かってる人には不要かも知れないが
毎年新人は量産されるから彼ら向きには必要かもしれない

少なくともいつまでもトラ枝を卒業できない漏れは（ｒｙ

誰だよトランジスタいらねとか言ってるやつ。
ボコボコにして木からぶら下げてやっから出てこいや。
この腐れハゲ野郎。力ずくでトランジスタ好きにさせてやんよ。

２SC1815買い過ぎワロタ
去年、10個50円だったからって20個も買って手付かずだったorz

覚えているだけでも、
1S1588、A1015、C1815、A970、C2240、2N3055、2SK30A 等
を、100個単位で買っていますが、何か？

10個単位だと、
1N4007、A872/C1775(pair)、J74/K170(pair)、J105、K246、K134
74HCU04、TL072、4558、5532/5534、LF411/412、LM386、LM380　等
を、死蔵しております。うふふ。

2SC1815は200個単位ですよ。

2N3055を100個なんて嘘くせぇ

レギュレーター用に、安売り見かけたら買ってるからね。
メーカーはいろいろ。東芝、モトローラ、MOSPEC、無印ｗ

>>277
100円ショップで3000円ぐらい買いそうだな

>>1
ＦＥＴは動作理解しやすいがトランジスターの動作理解できていない
自称エンジニアだと思われる。

こいつは必要
http://pstyle.kir.jp/mobile/keijibann/bbsprev.cgi?thno=3
http://pstyle.kir.jp/mobile/keijibann/bbsprev.cgi?thno=1
豚画像

>>282
えー、FETのほうが理解しにくいよー。

>>279
安定化電源をたくさん作ったのかもしれない。で、設計が悪くてポンポン
飛ばしてたとかね。

ディスクリート品なんて時代遅れですよねー

>>286
専用ICが無かったら諦めるのかい?

>>286
家電量販店のオーディオコーナー見ていたらディスクリートで構成していることを売りにしているアンプがあったぞ。
三洋のハイブリッドパワーアンプICと自社の基板を並べて展示してな。
でも、その基板は見るからに設計も実装もへたくそそうだった。

アートワークがへたくそなのを隠すのにＩＣ化して見えなくするのが常識だろ。

パワー Tr とそれのドライブ用 Tr はなくなりそうもないね。(含 FET)
周波数が 100MHz あたりを越えると整合回路内臓になるようだが、
あれはパッシブ回路だからな〜

NPNのトランジスタをエミッタフォロアで使うと、
出力電圧＝入力電圧-0.7V
となりますが、Nch-MOSFETでソースフォロアでやると、
どんな式になるんですか？

>>291
Bipolar　Vout = Vin - Vbe
FET　　　Vout = Vin - Vgs

Vbeは大体一緒だが
Vgsは品種差が大きい。データシートが必要。読み方はパス。

>>292
例えば、Vｇｓが0.5Vとか、そのヘンのTrよりも小さいMOSFETとかあるんですかね？

>293
0.5VどころかマイナスのVgsの Nch MOS FETとか普通にあるけどな < 2SK241
実際、ソースフォロアで使うときはそういう奴のが便利。

>>294
3Aくらい流せられるPowerMOSFETで、そういうの、あります？

何に使うのさ？教えれ。内緒ならそう書け。

>295
そういうのの必要に迫られたことないので知らない。

逆に尋ねたいのだが、
Vgsを負として使うのは普通に組めば消費電力的にとても損になると
思うのだが、3Aも要る世界で、どういう状況でどういう風な回路で使うの？

5VのマイコンのPWMをLPFにかけたあと、レールレールなOpAmpに通して、,
起動電流2A、平常時１Aのモーターを回転数制御したいんですよ。
で、2SDとかのエミッタフォロアだと0.7V落ちるので、そのロスを減らしたい。

>298
おまいそれは(笑)
素直にエミッタ接地で作れ。

>>299
エミッタ接地ってことは、回転数を制御するためには、電流制御しなきゃならんわけで、
そうすると電流検出抵抗のIRドロップがバカにならんのではないかい？
それにエミッタ接地だとモーターを減速する手段が無いわけで。

>300
いや、意味不明なんだが。
つうか、何にしてもエミッタ接地構成をいじくって目的の仕様をみたすように
考えたほうが、エミッタフォロアの電圧低下を減らせるようなレアデバイス
探すよりも、ありとあらゆる意味で良いと思うよ。

>>301
んーそうですか。いや、ひょっとしてMOSFETを使えば、何も考えず、
"Vbe"を0.7より落とせる方法があるのかと思ったんですがｗ
どうも、そうでもなさそうなので、諦めますｗ

>>302
＞レールレールなOpAmp
こいつの出力段の等価回路を見れば目的に近づくであろう。

>>303
低ドロップタイプの３端子レギュレータが目的に近いんじゃない？

トランジスタって日本人が考えた発明品だろ。あと液晶とかフロッピーディスクも。
なのにいらないってどいうことだよ馬鹿が！

３端子レギュレーターの起源は中国の三足土器である

フロッピーディスク（正式にはフレキシブルディスクだけどな）が日本人の発明という
>>305は、多分ゆとり世代。

インターネットを駆使して由来を探してみろよ、ゆとり世代。

MOSは日本人の発明だがな。

>>305
トランジスタはショックレーというアメリカ人が発明したはず
液晶はドイツ人が発見したんじゃなかったかな
フロッピーディスクはIBMが開発したような気がする

>>307>>308
ないない。大学の先生が言ってたから。プロパガンダ次第でいつも欧米だからな。
飛行機も実はライト兄弟ではなくて日本人なんだよ。メディアに毒されたアホだな、お前らは。

二宮なんとかか…

>>309
つり死か？
まーどっちでもいいけど、君の言ってることは仮に真実でも合コンのネタ程度の扱いだ。
それでも日本人の功績にしたいならキチガイ扱いされてろ。その辺は自由だ。

違ったけど訂正するのもめんどくさい

フロッピーディスク　はDr.中松に決まってるだろ　知らんのか？　by 軽いノリでとんでもないことを言うｽﾚ

>>313
まず、その博士号がどこの大学の博士号か明かにしてもらおうか。

Dr. がドクターとは限らないだろ！
ドライブ、かもしれないしドロップアウトの略かもしれない。

名古屋弁の「でら」では無いか？
まぁ、とんでもないって意味らしいけど。

Dr.中松の最大の発明はDr.中松である…

最低じゃないの？

トランジスタってほんとにもういらないよな。
これからはトランジスタアレイの時代。

今はデジタルトランジスタの時代だろ

>>2,　>>9
あのー、今更なんですが、
実用化は（バイポーラ）トランジスタの方が早いけど、
特許上はＦＥＴが先に発明されたことになっている。
２０年ぐらい早く。

ブツがなければ発明とはいわないでしょ

現物が無くても発明になるんじゃない？
その法律自体は知らないけど
『永久機関に関しては現物がない限り特許を認めない』
と言うからには永久機関以外は現物がなくても特許が認められるんだろうからさ

実際は実現性を証明しないと特許はなかなか通らないよ。

ビジネスモデル特許なんかは商売が本当に成功してからじゃないと認められないって事か。

実現性だから、商売始められればいいんじゃね？

さっさと「トランスコンダクター素子」なんぞを発明してくれや

ダイヤモンドバッファって、どういう効能があるのですか？
オーディオアンプ回路に頻用されているようだけど、
ゲインはほとんど１だし、意味がよくわかりません。
NPNとPNPを結合することで、増幅の上下差をなくすってことでしょうか？

1　電流増幅回路
２　エミフォロ2段なので高域が高いFまで伸びているOPアンプのループに入れても
　　悪さをしないくらい広い百MHzまで行くんでは？
３　上下2段対称にしてＡ級動作域を広くしている

>>329

ありがとうございます。
PushPull一段の回路よりも動作範囲が広いということでしょうか。
いまひとつよく飲み込めませんが、そういうものと思うことにします・・

>>329　に、PushPull一段との比較で追加すると

４　バイアス回路が簡単（上下に抵抗一本ずつ）
５　温度補償回路が不要（もちろん条件付き）

PushPull一段でやっても、バイアスや温度補償で
回路規模はたいして変わらなくなってしまう。

なるほど。回路を単純化しやすいということですね。
これは、ダーリントン回路とは比較にはならないでしょうか？

>>332
ダイヤモンドバッファってのは基本的にダーリントンのエミッタ(ソース)フォロワ回路その物だけど?
ポイントは、インバーテッドダーリントンのプッシュプルにしてバイアス回路を簡略化したりしてる所なのだけど。

無知で大変失礼しました(ｾｷﾒﾝ
なんとなく似てるなあとは思っていたのですが・・
ありがとうございます。

ダイヤモンド回路の説明ですが皆さん一人も正確にできておりません。
まず、出力段はインバーテッドダーリントン接続ではありません。
ダーリントン接続は後段のＴｒのコレクタ、ベース間に全段のＴｒのコレクタ、エミッターを
接続したもので、インバーテッドダーリントンは通常のダーリントンに比べればベース、エミッターの
バイアスが一段で済むことやＰＮＰのパワートランジスタが手に入り難いときにはＰＮＰ・ＮＰＮ（パワトラ）の
ダーリントンで代用することもありました。
基本的にはＰＮＰ・ＮＰＮ、ＮＰＮ・ＰＮＰの２段のエミッターフォロワをコンプリメンタリー接続
したものです。通常のエミッターフォロワに見られるシンク電流の不足もなく高速で、入力と出力の電位が同じに
なるために、コンプリメンタリー接続をすると特別なバイアス回路がなくてもクロスオーバー歪みの発生もなく、
理想的なバッファー回路といえます。ダイヤモンド回路を用いたエランテックのＥＬ２００３やハリス？の
ＨＡ５０３３等はビデオ増幅器の出力アンプとしてよく使われています。電流帰還オペアンプの入力段や出力段も
ダイヤモンド回路になっています。
この回路はＦＥＴでは実現できません。バイポーラＴｒにはバイポーラＴｒの利点があり、ＦＥＴにはＦＥＴの
利点があります。ＩＧＢＴのようなバイポーラＴｒとＭＯＳＦＥＴの長所を組み合わせたものもあります。
回路設計する人が、いかにこれらの素子の特長を熟知し生かしていくかが大切なのです。
ちなみに、ダイヤモンド回路の語源は三菱電機が設計したからとも言われていますが、ＮＨＫの特許という説も
あります。私にはどちらでも良いのですが、日本発の回路技術であることに間違いはないようです。

ダイアモンド回路は、前段の Tr のエミッターに定電流源を接続している
ところが重要だと思う。

ここで聞くのもアレだけど、npnバイポーラトランジスタのIc-Ib特性ってどうやってグラフに書けばいいの？
Ic-Vceの表から求められるの？

hfe-Icの表はないですか。あったらそれとIc-Vceの表から換算できる。

hfe-lcの表は見たことが無いです（涙

hfeってのはIc/Ibのことですよね？

気温25℃で、Vceが６Vの時のIc-Ib特性を求められたんですが・・・・・

また例の2SC1815を使った問題か？
どっちにしても、「気温25℃で、Vceが６Vの時のIc-Ib特性」だけで答えが出るわけがないから、
何か他に前提条件があるはずだ。残らず晒せ。

もらったグラフはこちらになります。
http://2sen.dip.jp:81/cgi-bin/upgun/up1/source/up12461.jpg

>>341
何?　グラフが何になるって?　時間がたつと「こちら」に変化するのか?
なんだそりゃ。変な表現。

「○○になります」って、敬語でも丁寧語でもない。間違った表現だ。
やめた方がいい。コンビニのアルバイターと同じだ。

「1000円ちょうどお預かりします」←預かったのなら返してくれ
「1000円からお預かりします」←1000円からって何なんだ?
「ご注文は以上でよろしかったですか?」←なんで過去形なんだよ
「これ見てもらってもいいですか?」←????

>>341
その表があれば、少なくともIc-Ib特性が6点は取れるだろ。
あとはその6点を適当に、なめらかにつないどけ。

日本語は常にゆれているんだからそんな目くじらたてない方が賢明だよ。

>>344
> 日本語は常にゆれているんだからそんな目くじらたてない方が賢明だよ。
いい方向に揺れているなら良いが、そうではない方向に揺れているから困る。
今のしゃべり方で、誰も何も注意しなければ、
そいつは「勉強しなくてもやっていけるし、全然問題ないじゃん」と考え、
ますます勉強しなくなる。

勉強は一生続くし、勉強が人間を育て、勉強が人生の楽しみの幅を広げる。
知識を身につけることほど楽しい事は、ほかにない。

この場合の勉強とは、学校に入るための勉強よりも、たくさんの本を読み、
たくさんの人と意見を交換し、いろいろな体験をすることを指す。
それを実現するための基礎教育が学校で学ぶ内容なのだ。
なのに、小中高生は「大学に入るための高校、に入るための中学、に入るための塾勉」
しかしていない。

みんな、
もっと本を読もう。もっと新聞を読もう。もっと人と意見交換しよう。
そこには楽しい人生が待っているのだから。

などとわけのわからない供述を繰り返している

開発の当初からずーっと、トランジスターにエラ (イラ) はない。

「1000円丁度いただきます」
「1000円お預かりいたします〜円のお返しです」
「1000円からいただきます」
っていう人も少なからずいるから、特に気にしていない。

>>345ってコンビニ店員に言いまわしがおかしいとか説教してそう

>>348
「一万円はいりま〜す」
そんな風俗プレイ

＞「1000円ちょうどお預かりします」←預かったのなら返してくれ
1000円分の商品で返却している

データシートのノイズフィギアについて教えて欲しいのですが
データシートは大体エミッタ接地でのテスト回路が表示されているのですが
これは、ベース接地で使ってもそれほど変わらないものなのでしょうか。

今時あきばには雑音のフィギゅアも売ってるのか?
ヲタの巣窟だな。

えみっタについては、こちらで
ttp://science6.2ch.net/test/read.cgi/denki/1098349605/l50

トランジスタが無くなると，電源回路が無くなる．
ゆえに，
このスレも無くなる．

これからはトランスコンダクターの時代だよね

MOS-FETは静電気で簡単に逝くから扱いたくない。

>>342
お前みたいな奴って今でも
「失敬しかまつりそうろう」とか「何をおおせられるか」とか言ってるの？

＞静電気で簡単に逝くから扱いたくない

そうろうはキライって言われてる。

俺はOPアンプが要らないから廃番品のトランジスタを復活させて欲しい。
まぁ俺が使う分にはっていう話だけど。

あのね、FETとトランジスタは別のものだから。





======================== 終了 ========================

FETのTってなんのTだっけ？

トランスのT
ターミナルのT
トリマーのT

えーっと、あとは...えーっとぉ.....

>>362
ｸﾞｸﾞﾚｶｽ

つまらん

>>362は「FETのTはトランジスタのT」ということを言いたいんだろう。
それを嫌味っぽく質問して聞いて「トランジスタ」と答えさせようとしてるわけだ。

つまり、「FETとトランジスタは別のものだから。」というのに対し、
「お前、自分でトランジスタって言ってるじゃないかよ。何が別ものだよ。」
と、言いたいわけだ。嫌な性格だねぇ（笑

そういう奴は上水道と下水道も同じって判断なのかね？
下水道でも飲んで暮らせよな（爆

下水道を飲むのは無理だわ、上水道を飲むのも無理だけど

>>366が上水道と思ってるそれは上流に住む誰かの下水道でもあるんだな
>>366が水源に住んでれば別だけどさ

>>367
>>368
お前らバカだな。
FETとトランジスタは別物だって言ってるんだよ。

そんなこたみんな分かってて言葉遊びしてるだけだよこのバカ

言われるまで分からなかった奴↑が逆ギレしてますｗｗｗｗ

それマジで言ってんの？

フェットか・・・

フェレットかわいいお
ttp://images.google.co.jp/images?hl=ja&q=%E3%83%95%E3%82%A7%E3%83%AC%E3%83%83%E3%83%88&btnG=%E3%82%A4%E3%83%A1%E3%83%BC%E3%82%B8%E6%A4%9C%E7%B4%A2&gbv=2

URL長すぎ。

ブラウザーの URL 欄にコピペすればいい。あ、先頭に "h" をつける。

トランジスタのボリューム上げて初めて二人〜♪

>>376
「打つのが面倒だ」とか「やり方が分からない」とか言ってるわけじゃなくて、


「URLが長すぎだ」と言ってるのだ。

そっか、言っているのか。
書いているのだと思っていたよ。

>>378
２ｃｈでは「一行の文字数制限」があるよ。特に URL 限定というわけではないが。
（あぁ、やっとアクセス制限が解除になった。今回は長かったナ。）

>>379
>>書いているのだと思っていたよ。

え？液晶画面に？どこに書くの？ボールペンで？それともマジック？
君は何か書いちゃってるの？

それじゃぁ画面閉じても文字が残っちゃうんじゃないの？

それって「じゃあお前は音声認識で書き込みしてるのか」って逆に聞かれたらどうすんの？

>>382
え？え？「聞かれたら」って、俺のPCのスピーカーから誰かの声が出て、っていうこと？
一応ボリュームはあげとくけど。

>>383
あ、「違うよ」でいいのか（笑

ははは。

>>383
いや、君の隣にいる奴に聞かれたらってことだけど？

>>385
誰も居ないはずなのに、ふと見たら居たりすると怖いな。

>>385
それでも「違うよ」で終わる話なんだけど。

ざしきわらし参上。夏でも出てくる。

＞トランジスタってもういらなくね？

うん、トランスコンダクタンス素子を使うから、どーでもいいよ。

>>389
>>1は「FETがあるからトランジスタはもういらないんじゃないか？」と聞いてるんだろ？

俺はトランスコンダクタンスアンプをトランジスタ11個で組んでるけど。

>>342
お前みたいな奴は今でも江戸時代の言葉をしゃべるんだよな？

このスレめっちゃﾜﾛﾀ

随分無駄な時間を過ごしたんだな

現在でもまだ、真空管でないと出来ない分野の機器もあります、

>>394
「現在でもまだ」っていうのが余計だね。

あと「真空管でないと」っていうのも。

高出力Ｘ線管、マイクロＪＫ管などは、半導体では無理、内部が
真空の鋼鉄製の真空管だよ、それ以外にも半導体などでは
作れない、内部が真空の大出力発信管は幾種類も世界中で
生産されている、参考までに価格は高出力工業用Ｘ線管は
一セット最低600万円です、内部が真空の電子機器は他にも
幾つもありますよ。

>>396
だから何？
人がせっかく「スレ違いで余計な部分」を指摘してるのに。

「FETがあればトランジスタはいらなくないですか？」
っていうスレなんで、真空管なんかどうでもいいんだけど。

>>397
ホー そうなのか。このスレは、
FET もトランジスタだし、バイポーラ接合トランジスタ、電界効果トランジスタ、
SCR, IGBT とかの個別素子・複合素子・ＩＣにこだわりなく全部使おうよ。
てなことを言うスレかと思っていた。

>>1を見ないアホが多すぎ、さすが夏だ。

>>398
それはお前が勝手に思ってるだけで、スレの趣旨を理解出来ていないだけ。

Ｃ急出版のトランジスタ規格表はイラネというスレなんです

トラ技もそろそろ、FET技か

「Ｃ急出版」
「規格表」

規格表はどこか変か？

話がズレてるってことじゃね？

ひとつは、分厚い規格表あっても
実際最新ＴＲなんて、1個、2個じゃあ入手不可の場合多いし
入手可能なのは、本で規格表買えないクラスだし
まあぐぐればあるけど、ある意味終わってTR

何で2SA872Aを廃番にしたのか分からない。
あれだけ色々な本の実験で定番として使われてるのに。

トランジスタ発明した奴って馬鹿じゃね?
コイツ等がいなければ電子回路もかなり簡単になったんじゃねえか

まあ、ね

>>407
http://documentation.renesas.com/jpn/products/transistor/rjj03g0932_2sa872ads.pdf
http://documentation.renesas.com/jpn/products/transistor/rjj03g1103_2sc1775ads.pdf

低雑音といえばこれだったんだが、ディスコンになってるな。

>>407>>410
それはこのスレに書いてやってくれ。

ディスコン情報
http://science6.2ch.net/test/read.cgi/denki/1076320100/

うちの会社はデジタル中心だが、トランジスタは使わなくなったなぁ・・・

UJT, BJT共に"スイッチ"としてしか使っていないから、電圧制御で動かせる
FETに全部変わってしまった

＞412
大電力用途では、今でも SCR が健在らしい。

FET の欠点は、同じ容量(Id,Ic)のトランジスタに比べてかなり高いこと。
トランジスタなら一個3円をFETに置き換えると15円とかになったりする。

でも自分が扱ってる商品は一品ものが殆ど、
多くて100台だから、単価数円〜数十円の部品代よりも、設計工数や部品の流通、
トラブルの回避などを優先で考えるほうがメリット多いな。

FET もトランジスタだろが、ボケが

>>416
「彼女さえいればもう女の子はいらないです。」

じゃあもらった！

つまらんスレ　削除希望

>>416
アホか！！
FET もトランジスタだと言うなら余計トランジスタが無くなったら困るだろう！！


あれ？(´・ω・`)

FETはFET、トランジスタはトランジスタ。
どっちも必要。

妖刀のような切れ味あげ

油あげ

はぢめて買ったトランジスタは、2SB56でした。

今は真空管があるからなあ　トランジスタは過去の遺物

原油が値上がりしているわけだが・・・

ＦＥＴは未だに使い方が判らん

確かに解説してるサイトも少ないね。

JFETは電流調節用で、バイポーラトランジスタの用途を置き換え可能。
だが、増幅率、電流ともにバイポーラにかなわないので、ハイインピーダンスを要する用途に用いられる。
IC構成素子としての用途が多い。

MOSFETはスイッチとして使うことが多い。
パワーMOSFETは、わずかな制御＊電圧＊で数〜数十Aクラスの大電流を制御できる。
JFETよりさらに入力インピーダンスが高いので、
ゲートにキャパシタをつけるだけでワンショットタイマーを構成できる。
ゲートが絶縁されているので制御電流は極めて小さいが、
電荷がたまってしまうので、発振回路や高速応答を要する回路では、プルアップやプルダウンが欠かせない。
結果としてそこそこの電流消費につながるが、バイポーラよりは少ない。
多くの場合、バイポーラの回路を置き換えることもできる(若干の修正が必要)が
ディスクリートのMOSFETでは単価が高いので割にあわない。
一方、構成が単純で高集積化しやすいので、ICには極めて適してる。


そんなわけで、素人さんはバイポーラでも使ってなさいってことになる。

JFETってもういらなくね？

>>428
解説ありがとうございます。初心者の自分には勉強になりました。

>>429
オーデオ用途か定電流回路に使えるよ。
安いのだと定電流ダイオードよりお得。
ゲートソースを直結もしくは抵抗挟んで接続でおけ。
JFETは極性が逆なことがミソ。

>>431は使っているのか？

>>432
集めてるだけ使ってない。

MOSとちがってボディダイオードがないから測定器用のバッファとかに使える

はじめて買ったトランジスタは、2SB54でした。
はじめて買ったFETは、2SK19でした。
今は無き名古屋矢場町カトー無線パーツセンター。
子供の自分にとって夢のあるお店でした。
BCL全盛の時代でした。
お願いです。トランジスタを見捨てないでください。
2SC372も945も1306も思い出いっぱいのトランジスタなんです。
今はPICに夢中です。

PICを見捨てるなら考えても良いぞ

メタカンTRを割ると
小さい円盤にリードがついてました。

>>1
一部の機器では必要だったりする
オーディオアンプとか

シオヤ電気のショーケースに2SA101置いてあった。
あれ売ってくれるのかな。

買えた

数GHｚくらいのCRTドライバー用のTRが片っ端から無くなってるよ
ブラウン管のTV無くなったのがいたい

「実際に機能する単分子トランジスター」の開発に成功！・・・馬鹿なんで何が凄いか全く解りません＞＜
http://tsushima.2ch.net/test/read.cgi/news/1261742357/l50

>>442
氏ね

くそー、トランジスタがなければこんなうんこな仕事しなくてもよかったのに

>>441
ヒント：チップトランジスタ

圧電素子式の加湿器が壊れた。

圧電素子を駆動してるドライバトランジスタが死んでるところまで突き止めた。

それで、こいつがサンケンの2SC3835ってやつなんだけど、ｈFEが300くらいある。
手持ちの廃材をバラして代替を探してるのだけどなかなか見つからない。

元のトランジスタ
www.sanken-ele.co.jp/prod/semicon/pdf/2sc3835j.pdf

ATX電源とか、スイッチング電源の一時側にある素子を取り出して調べたものの、
この類の電源に入ってるトランジスタって、hFEが10くらいのヤツが大半なのよね。

2SC5027、2SC3320ってのを取り付けたが、駄目だった。
せっかく取り付けたのに、水面がモッコリするだけで、湯気が出てこない。

Vceが120V位、hFEが300くらいあるトランジスタの乗っかってそうな
家電のジャンルを、だれかプリーズ。ありそうで、本当に無いわ。

ダーリントンにするんじゃだめなのけ？

Vbe1.2Vになる

トランジスタがなくなったら、トランジスタ・グラマーが困るだろ

トランジスタがなくなったら、藤井フミヤが歌を歌えなくなるだろ

ＦＥＴでも良いけどあのややこしい
記号を何とかしてくれ　バカ垂れすぎるぞ

>>450
いやむしろキヨシローだろう

>>446だけど、代替の部品が手にはいらないまま、冬が終わってしまったよ・・・

圧電素子を、いまどきのFETで豪勢に駆動する回路サンプルがほしい今日この頃
単純に、500KHz程度の強烈な方形波を与えて駆動すればよいのかな

>>453
その規模で300なんてのはなかなか無いけど、こんなのあるんだ。安いな・・・
ttp://jp.rs-online.com/web/search/searchBrowseAction.html?method=getProduct&R=0545061
2SD1047P-E,NPN,Vceo=140V, Ic=12A,TO-3PB hFE 100〜200　120W　97円

ん？　2SC3835って hFE 300 もあるか？　70〜220　の記述が見えるが。
さっきの>>454で行けるんじゃないかな？　詳しくは調べていないので、悪しからず。

>>454
おおthx。たしかにこれは安い。代替が見つからなかったら、これでチャレンジしてみるかな。
あと、おっしゃるとおりhFEは220の間違いだった。敷居を下げて代替を探せる。

2SC3835のデータシートをみると、用途がもろに「加湿器用」と書いてあるくらいだから、
この用途以外ではあんまり使ってないのかも。

>>23
ものすごぉぉぉぉい亀レスですまんが、
俺は2SA54，2SB56で育った。

>>457
それはコンプリメンタリじゃなく、高周波用と低周波用だったような。。。

>>1
質問自体に隔世の感だなぁ。小生はサブミニュチュア真空管で設計
していたもんな。ところてで、2SC372+2SA395+抵抗2個のみの低入力
、高出力インピーダンス回路の特許は、ちっとも金が入らなかったなぁ。

　

>>1
http://dic.nicovideo.jp/a/%E3%81%8A%E5%89%8D%E3%81%8C%E3%81%9D%E3%81%86%E6%80%9D%E3%81%86%E3%82%93%E3%81%AA%E3%82%89%E3%81%9D%E3%81%86%E3%81%AA%E3%82%93%E3%81%A0%E3%82%8D%E3%81%86

>>450

＞ トランジスタがなくなったら、藤井フミヤが歌を歌えなくなるだろ

まだ歌ってたの？

ボリウムが見当たらないんだが？

http://www.nahitech.com/nahitafu/mame/mame2/mame2.html
こういう感じのトランジスタ使用テクニック集がたくさん載っている本とかってありませんか。

あんた高周波や数ｋＷ以上の大出力の装置を扱った事のない
素人さんだね、ＴＲが仮になくなったら真空管でも使うつもり

トランジスタがなくなったら、清志郎が歌を歌えなくなるだろ

トラｵ支がなくなったら‥

>>464

その手の回路は、集積回路の回路設計として扱われています。
「アナログ集積回路設計技術（倍風館）」なんかはどうでしょう？
この書籍は上下巻に分かれていて、合計で８０００円くらいです。

私の例ですが、本を読んで、その回路を直接的に採用した経験はありません。
何か必要に迫られたときに、その都度、回路を独自に考案します。
その際に、ブレッドボードが役に立ちます。
また考案した回路は、その働きや設計過程を詳細に記録しておきます。
この独自の回路の集大成が、あなたが求めているものかもしれません。

ときどき考案した回路で、「そういえば、この回路モデルはあのＩＣも同じハズだよな」などと思って、
データシートの回路図を見て、「あぁ、やっぱり」と思うこともあります。

プロとして既製の回路を採用するのは、自分が当該回路を全て理解できて責任が持てれば
それでも良いのですが、理解できないうちに採用するのは極めて危険です。
例えば、ディスクリート・トランジスタも様々な製品がありますが、
どの製品が・なぜ最適なのか？を説明できるくらいに、実力を高めることが必要です。

ディスクリート・トランジスタは、低コスト・堅牢などに寄与しますから、必ず役に立ちます。
しかし、トランジスタの特性評価に使える装置が高価であることに問題を感じます。。。

>>457
オレもオレも
ついでに力技は2SC32だった

絶対不可欠。

２ＳＣ１８１５が無くなる方向が決定してるね。
既に、数万個単位で買いあさってる人も出てる。

2SC945を買い込んでるからどうでもいい

ほんとこのスレを立てた奴は本物の大馬鹿だな、素人以下だ。

出来合いのＩＣだと、その使い方に縛られる。
例えばＮＥ５５５も、トランジスタ回路をちょっと付け足すだけで、
すげー使いやすい！って回路に早変わりｗ
ディスクリート回路設計センスの有無が、回路設計者の仕事の大きな開きになる。
こんな仕事をしてる人は理解できるが、チェンジニア・レベルに浸りきってる無能には理解不能ｗｗｗ