☆電気・電子の宿題、資格試験問題は俺に任せろ！☆

宿題、資格試験問題、かかってきなさい！

２ (σ・∀・)σｹﾞｯﾂ!!

>>1
箱中の1粒子波動関数のx依存部についての
運動量演算子をちょっと教えてください。プリントと計算した値がちょっと
違うものになってしまうので。

あわわわっ　
あんたいくら何でもそんな、質問は

>>3
油の粒子でやるやつか？
サンプルを指示された倍以上取って、計算内に収まるのだけ使えば？

なつかすぃなあ。
漏れもデータねつ造良くしたな（藁
科学に対する冒涜行為だよな。

所詮、学部の実験だから
主たる目的は、レポート提出かつ単位取得

大学の場合、まー教授にもよるだろうが答えが正解かはあまり
重要でないんじゃ？
2chを含むネットに答えが転がってることが多いご時世だし。

電池の内部抵抗を測定するにはどのようにすればいいのですか？

電験スレで質問したのですが、軽やかにｽﾙｰされた挙句
「ばかﾊｹｰﾝ（ｗ」等と言われましたので、こちらで質問させて下さい。

多重電源＋抵抗の直流回路の電流値を求める問題が
ありますが（要はキルヒホッフを使うような問題）、ミルマンの定理を
使えばどんな問題でも解く事が出来ますか？

キルヒホッフを使う手間と計算ミスが嫌なので、便利なミルマンの
定理を使おうと思っているのですが・・。

>>10
先ず検索エンジン様を使ってみなされ。

重ね合わせは？

>>9
ttp://biz.maxell.co.jp/maxell02/shop/kiji/kiji.aspx?kid=41

>>11
幾つか見たのですが、大学の講義用の論文？みたいなのばかりでｻﾊﾟｰﾘ。
工高生には難しいです(つД｀)

画像工学の問題なんだが
500nmの光が2W/m2乗の強さで照らされている。
何lxかって問題〜答えが0.325らしいんだが
どういう公式使ってるのかわからんorz

過渡現象をラプラス変換で解く問題です。
　RLC直列回路に、t=0(s)のとき直流電圧E[V]を加えた。流れる電流iを求めよ。
　但し、電圧を加える前に回路に電流は流れておらず、Cに電荷は蓄えられていな
　いものとする。
という問題です。どうか、よろしくお願いします。

>>15
I(s) = (E/s)/(sL + R + 1/sC)
　　 = E/{s^2 + (R/L)s + 1/LC}
　　 = E/{(s + R/2L)^2 + 1/LC-(R/2L)^2}

で、α≡R/2L、ω^2=1/LC-(R/2L)^2
として、
I(s) = E/{(s + α)^2+ω^2}
　　 = (E/ω)*{ω/(s + α)^2+ω^2}

もちろんωについて3つに場合分け…
あとラプラス変換すれば良いだけ。

>>13
>ミルマンの定理を使えばどんな問題でも解く事が出来ますか？

どんな問題でもってとこが、ウ〜ンだなぁ。
例えば、多重電源が並列ONLYで入ってれば、R回路に対して、直流だろうが交流だろうが必ず成り立つが、
直並列の場合、>>12さんが謂っている様に、並列部分はミルマンで、直列部分は普通に解いてと、重ね合わせの理で分けて解くのが良いと思うが。

>>14
どういう状態で照らされてるか(光源のタイプは(点とか線とか球とか？)とか色々書かないと分からないYO。

>>17に追加
・直並列は電源が直並列を表す。
・電源が交流ONLYまたは交直混合の場合、交流電源は瞬時値で計算。

JKFFを用いたカウンターでパルスの値が
(000) (001) (011) (010) (110) (111) (101) (100) と変化するカウンターを設計せよ
って問題なんですけど、どうやって設計すればいいのですか？

Q1=2^0 Q2=2^1 Q3=2^2

元の状態 変化後
Q3Q2Q1 Q3'Q2'Q1'
0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 1
0 1 0 0 1 1
　　　・
　　　・
　　　・
とやっていって
Q3' Q2' Q1' の入力方程式をたてそれをJKFFの特性方程式にあてはめて
入力K3 J3 K2 J2 K1 J1 を求めればいいのかと思ったのですが、
計算してみるとK3=J3=1になってしまいます・・・

グレイコードか？

入力に対して出力の状態が解っているんで在れば出力一ビットずつに分解して
入力状態との関係を回路化したら良いじゃんよ。

あー、ごめんなさい、元の状態ってのは勝手に想像してつけちゃいました、、

実際の問題は3bitのグレイコードカウンターを設計せよ　って問題です。

>>16
ありがとうございます。おかげで回路の単位が取得できそうです。

カウンターは、次の状態を出力から作って、それをラッチする・・・これの延々繰り返しだから
やり方は変わらんよ。

早速で申し訳ございませんが　A・Bnot+Anot・Bと　A・Bという回路を簡略化
するにはどうすればいいのでしょうか。お願いいたします!!

>>25
EXOR回路。

>>25
基礎ぐらいは勉強したらどうだい、排他的論理和はそれ以上圧縮不能と習ったでしょ。

>>14
データとして比視感度曲線のデータが与えられてないか？
ルーメンは人間の感覚で単純なエネルギー量じゃないから（ゆえに波長が与えられているわけだけど）
比し感度のデータがいると思われ。

蓄電池は、放電状態の正・負両極の活性質を充電によりそれぞれ化学エネルギー
の大きい状態にして、電気エネルギーを貯えるものである。充電による正・負両極の変化
に関する次の記述のうち、正しいのはどれか。
(１)充電により正・負両極ともに還元反応が起こる。
(２)充電により正・負両極ともに酸化反応が起こる。
(３)充電により正極では還元、負極では酸化の各反応が起こる。
(４)充電により正極では酸化、負極では還元の各反応が起こる。
(５)充電による両極の反応は、酸化・還元反応ではない。

(４)が正しいですが、解説してください。

共振曲線からR,L,Cを求める方法を教えてください

>>27
”と”をOR記号で読み替えたら？

>>16

ありがとうございます。

>>29
ヒント、充電するとき、負極では電子が与えられます。(マイナス＝電子）
あとは、酸化還元の定義を調べれば、おのずと答えは出てきます。

>>30
共振周波数から適当にL,C出して、
共振電流からRを出す。

かな…ｽﾏｿ

>>23
>>32
ん？？？

>>31
ああ、早とちりだなスマソ。

って事で手っ取り早く答えを知りたければカルノ図を書いてみればいい。

http://www7.big.or.jp/~mb2/bbs/up/kao/source/up0017.jpg
電流Ｉを求める問題です。
１１０Ｖの電圧がなければ簡単に解けたのですが
それがあるために、分からなくなってしまいました。
よろしくお願いします。

>>37
重ね合わせの理。

>>38
重ね合わせとは何でしょう？
キルヒホッフの法則？
具体的な式を教えてください。

なんかいろいろ足りてないみたいですね。
手元に問題ないし友達に聞いた問題なんで
ちと問い詰めてみます
ありがとうございました。

>>37
130Vのマイナス（０V）を基点に一周したときの電圧降下が130Vになると考えればよい。

そう考えると I*20 + 並列部の電圧 = 130
また、並列部の電圧は同じだから I1*10+110 = I2*40
故に I2 = (I1+11)/4

なので I = I1+I2 = (5I1+11)/4
20*(5*I1/4+11/4) + 10*I1 + 110 = 130
25I1 + 55 + 10I1 + 110 = 130
35I1 = -45
I1= -7/9
I = (5*(-7/9)+11)/4

あまりエレガントじゃねぇな。

>>41
上は風邪で頭痛いの我慢しながら書いたから消防レベルのミスがあるyo（藁

＞＞４１
よく分かりました。
並列の電圧は等しいというのは分かってたのですが
１０×Ｉ１＋１１０＝４０×Ｉ２
に気づかなく、
２０Ｉ＋（１０×４０／１０＋４０）Ｉ＝１３０−１１０
という訳の分からない方式を立てていました。
ありがとうございました。

太陽電池の負荷特性グラフについて、光源と太陽電池の距離を
遠ざける(照度を下げる)と、
(1)出力電圧のピーク位置(可変抵抗の値)が異なる理由は何か
(2)出力電圧のピークが、照度が大きいときは鋭いのに、照度が小さいときは
　鈍いのは何故か

お願いします＿|￣|○

出力電圧ではなく電力です

太陽電池の負荷特性グラフを挙げないと話にならない。うｐせよ。
あと、それは負性抵抗特性になってないか？垂下特性やフの字特性のこと。
電源抵抗が大きくて、電流が流れれば流れるほど出力電圧が下がる。
この辺にヒントがあるような気が駿河。

>>46
ヒントｻﾝｸｽです。画像はうpできないですｽﾏｿ(´Д⊂

電池の内部抵抗と負荷抵抗をインピーダンスの整合で考えるといい。

電池の内部抵抗をZi、負荷抵抗をZoとすると
Zoで消費される電力は、P = Zo * (E/(Zi+Zo))^2
これが出力電力のカーブ、Pが最大になるのはZoがどんなときか考えればよい。

>>48
ありがとうございます！m(__)m

追加
Ｖは照度の関数であると思うけど。すると出力Ｐ＝ＶＩはＩと照度の関数であらわされるだろう。（Ｖと照度の関数でたから）
それを照度を変えてＰ−Ｉのグラフ化してみて、そのときのピーク位置とスロープを見てみたら。
そうすれば関連がつかめるんじゃないかな。

50は46の人間の追加ね。

すいません
エミッタ接地基本増幅回路について聞きたいんですがいいでしょうか？
動作点とミラー効果を考慮した周波数特性についてなんですが

実験レポの考察でわからなくなっています。過去レポはあるんですが、一応ちゃんと理解したいので。
きちんと講義にでていれば・・・・
では具体的に。交流電源を用いたエミッタ接地基本増幅回路についてお聞きします。

1・動作点は入力電圧は考えない、まわりのコンデンサを考えないで、理想トランジスタ（ナレータ、ノレータを考えた）の回路で機械的に
Iｃ＝IeやVｃ＝Vcc−RcIcなどを用いて計算してもよいのですか？

２・交流等価回路を考えて利得を計算する際にバイアスのための直流信号を除くためのコンデンサと
増幅する信号を側路に流さないためにある（抵抗REと並列な、CEとかいてある）コンデンサを短絡しますが、これで本当に正しいのか？
本には最初では、コンデンサの容量が大きくインピーダンスが小さいから無視して計算してよいとか書いてあって、
そのあとでミラー効果なるものが出てきてこれを考慮した計算したが出てくるんですが、どっちを採用して計算してよいかわかりません。

お願いします。

バイアスを考えるときは直流で、信号を考えるときは交流で、
単純化するときは、Ｃは交流については短絡、直流については断線。
(音声、映像回路ではＺとして計算するが・・・。)
1.バイアスは、直流で考え、エミッタバイパスコンが断線を意味するからＶcc=Vce+RcIc、
Ｉc+Ib=Ic=Ieとしてよい。
2.上記に書いたように単純化モデルではそれでよい。

＞本には最初では・・・
エミッタバイパスコンの容量は充分大きくしてあるなら、交流について短絡。
ミラー効果は、バイアスではＣ成分は断で考えるので外してよいのだが、ベース0/1のスイッチングでは、充電が関わってくるので、動作グラフとは別に、スイッチング速度が関わってくる。(過渡状態での考察。定常状態では考慮せず）
エミッタ接地でミラー効果を防ぐ為にショットキーをＢ−Ｃ間に入れると
　　　　　｜
｜￣￣￣｜
△　　　　｜
｜　　　／
ーーー｜
　　　　＼
ショットキーは少量キャリアが少ないのでTrがOFFの時に溜まったショトキーB側の-電荷をTrONのときに放出する量が少ない。(E接地だとTrONでコレクタが0V)
従って、浮遊容量をキャンセルできる。

>>35
>>23に聞いたら23が分からずにこのスレに問題載せて俺が見たという・・

とりあえず今日の試験は単位取得できそうです。ご教授いただきアリガ�d

平面平板コンデンサにおいて、
比誘電率ε=1450の時に電極間距離d=0.02では静電容量C=166.883
0.04ではC=140.343
ε= 820の時 d=0.02ではC=95.67
0.04ではC=78.85
ε= 630の時　　　　　　d=0.02ではC=71.3792
0.04ではC=60.9578
　　　　ε= 95の時 d=0.02ではC=6.5291
0.04ではC=5.7882
の時、静電容量Cをεとdを使って平行平板コンデンサの時の
C=ε*S/dのような式に表わしたいのですが、
どのようにしたらできるか教えてください。
お願いします。

排他的論理和を総ゲート数を4つで論理回路を組むことって出来るんですか？
だれか回路図描いておしえてください
ちなみに自分は5つ以下にすることは出来ませんでした

>57
局所変換による回路の簡単化
排他的論理和のNAND回路構成
ttp://www-net.cs.umass.edu/~ohta/lecture/logicalCircuit/slide/chap4.pdf
これって、結果を知っても何の意味も無いよ。
自分で論理合成出来ないと試験では×でしょ。

宿題スレだからそれを言ったら可哀相だよ。
ここは端から自分の頭を使わずずるするスレなんだから。（ｗ

>>57
最近やってないから忘れたけど、
排他的論理和ってこんなんでいいんだっけ
http://no.m78.com/up/data/u000287.gif

カルノー図を眺めていると自ずと回路は解りそうなものなんだけどね。（ｗ

>58
演習問題

５．ＥＸ−ＯＲ演算という物が出てきました。この演算は少々特殊なので、
あまりこのゲートだけが入ったＩＣというのは使われません。
ではその他のゲートを使って、このゲートを作ってみなさい。
ttp://www.apony.com/elec/elec5/elec5.html#test

演習問題・解答
ttp://www.apony.com/elec/elec5/elec5_ans.html

NAND×4ヶで、EXORと等価な回路を・・
ttp://www50.tok2.com/home/tamuro/guen/NandExor.html

>>56
実験データ？
何がしたいかよくわからないが、
理論だと、Ｃ＝ε･Ｓ／ｄになるはずだが、
電界の広がりや測定誤差あるからその通りにならない。
特にｄが大きいと電界の広がりが大きくなり差が大きくなると思う。
それとも電界の広がりも考慮した式を導きたいってこと？

１０年後の送配電について推測せよ。

って問題が明日のテストで出そうなんですけど、誰か推測してください。

まず現状の送配電の欠点をしることだな＞＞６５
その上で現在まだ実用化されていない有望な技術にどんなものがあるかググる。

調べずに書くと、超伝導送電線とか高周波無線送電か。
蓄電技術は発送には含まれんだろうな。

>>66　>>67
ありがとうございます。

高温超伝導体を用いた超伝導電線が本格的に実用化し、
エネルギー損失がなく、送電効率の良い理想的な技術が開発されていく。

って感じでどうですかね？

>>65
10年位じゃあんまり変わんないなー。
ってこれじゃ回答にならないから、
たしか今から10年前には50万Ｖ送電始まってたと思う。
100万ボルト送電は現在試験使用中だったと思う。

送電系統の推測
・100万ボルト送電が本格的に使用されている。
・直流送電が今以上に増える
・大都市周辺中心に送電線の地中線化が進む。
・電力使用量はある程度増えていくと思うので、送電線増設・大容量化もある程度進むが、
　燃料電池･コージェネ・太陽電池など分散化電源が普及していくと送電容量を増加させなくてもよいかも(多分10年じゃ無理だが)
・各電力会社間での電力やり取り今以上に盛んになる。
・電力の自由化がある程度進む。
・超伝導送電が普及？（実際多分10年じゃしていないと思う）
配電系統の推測
・都市部中心に配電線が地中線化され、電柱が少なくなる。
・分散化電源(燃料電池・太陽電池等)がある程度普及
・配電線自動化システム(故障時の停電時間の短縮)が普及

よく分からないがこのくらい？
あくまでも俺の推測で根拠がない部分があり。当てにせず参考程度に。。

あと社会の情報化が進む→停電対策が今以上に重要になる。
送電系のフォルトトレラント化が進むと思われ
（要するに一系統逝かれたらすぐにもう一系統が確保されるといった
安全対策）

技術士の第一次試験結果が発表になったね。
ttp://www.mext.go.jp/b_menu/houdou/16/01/04013001.htm
誰か受けた？もしくは知り合いが受かってたりしない？

波長λの平面波（電界振幅Ｅ）が入射角θで空気と完全導体面
の境界に入射した場合について。
（１）入射波と反射波の干渉によってできる定在波について論じよ
（２）このようなｐ偏光平面波の照射により、完全導体は力を受ける。
　　　単位面積当たり受ける力の時間平均を求めよ

この問題が全く分かりません。他の事は自分で勉強して解けるようになった
のですが。よろしくお願いします

>>69
試験中なの！？

この前の前くらいに架電工のことプロジェクトXでやってたけど、
数年前に100万V送電して、過去最高の電力需要を
乗り切ったとか言ってたけど…

>>64
>>56は「平面平板コンデンサ」だから悩んでるんだろ?

出力2kWのときおよび12kWのときの効率が等しい単相変圧器がある。
出力が何KWのとき効率は最高となるか、ただし力率は１００％

7kW？どういう考え方、公式を使えばようでしょうか？
宜しくお願いします

>>75
ヒント
変圧器には負荷に無関係の損失：無負荷損Ｗｉと負荷(電流)の自乗に比例する損失：負荷損Ｗｃとがある。
変圧器出力をＰとすると、変圧器効率ηは
η=P/(P+Ｗｉ+Ｗｃ)
なので・・

３μＦと６μＦのキャパシタが並列に接続され、そして１２Ｖに帯電されている。（a)各キャパシタに蓄えられる電荷
を求めよ。(b)蓄積される全エネルギーを求めよ。

これって(a)１０８μＣ　(b)６４８μJ　であってますか？

>>56　>>74
スマン間違えた。。
「平面平板コンデンサ」・・・わからん。。
少なくとも平板面積だけじゃなく形状に関係するような気がするが・・
わかる人お願いします。。

>>73
100万ボルト用送電線は、最初50万ボルトで送電されていた。
それから本格的に100万ボルト送電が始まったということを聞いたことがないです。
しかし、一部分試験的に100万ボルトで使用している(試験的にといっても実際送電はしている)
と聞いたことがあります。
↓これ見ても載ってない
http://www.ircorp.co.jp/j/tool/pdf/2003/tepco_cb_j.pdf
http://www.tepco.co.jp/cc/press/96053001-j.html
http://www.pref.niigata.jp/atom/kashiwa/souden.htm
ってことは本格運用してないと思うが。。
誰か知ってる人いない？

　　　2　　　　　　　　　　　　　　１２
ーーーーーーーーー＝ーーーーーーー(=η)
２＋Pi＋(α^2)Pcn　　１２+Pi+(β^2)Pcn
これを解くと
10Pi+(12α^2-2β^2)Pcn=0�@
ところで
2=Wα、12=Wβ(Wは全負荷）より�@に代入して
Pi=24Pcn/W^2�A
又
　　　Wγ
ーーーーーーーで分母分子をγで割って
Wγ+Pi+γ^2Pcn
　　　W
ーーーーーーー�B
W+Pi/γ+γPcn
最大となるのはPi/γ+γPcnが最小のとき。
ところでPi/γ*γPcn＝PiPcn=一定
従ってPi/γ＝γPcnのとき最大(注)
Pi=γ^2Pcn
これを�Aに代入
γ=2√6/W
従ってη最大時の出力Wγ=2√6=4.9になってしまったけど･･･
(注)Pi/γ＝γPcnのとき最大の理由
Pi/γ+γPcnにPi/γ*γPcn=PiPcn=一定=Kを代入
Pi/γ+γK/Pi
これのピークはPiで微分して0になったとき、しかもグラフを書くとピークは最小値であると分かる。
Piで微分すると1/γ-γK/Pi^2=0
Pi=√(γK）　Pi/γ=√(k/γ)
従ってPcn=√(kγ)　γPcn=√(k/γ)
でPi/γ=γPcnとなる

>>77
（ａ）は「各キャパシタ」じゃない？

>76
ありがとうございます
・・・（計算）
√６K[Hz]かな

>>82
えっ、[Hz]？、[kＷ]の間違い？
答は、>>80さん言ってるように２√６［ｋＷ］のはず。
＜参考＞
変圧器には負荷に無関係の損失：無負荷損Ｗｉと負荷(電流)の自乗に比例する損失：負荷損Ｗｃとがある。
変圧器出力をＰとすると、変圧器効率ηは
η=P/(P+Wi+Wc)
このＰ=２ｋWのときとP=12ｋWのときの効率ηが等しくなるのだから、それぞれのPのときのWcをWc2,Wc12として、
2/(2+Wi+Wc2)=12/(12+Wi+Wc12)　
5･Wi=Wc12-6･Wc2　・・・�@
また、Wcは負荷の自乗に比例するので、Wc2とWc12には
2^2･Wc2=12^2･Wc12の関係がある。よって、Wc12は
Wc12=36･Wc2　・・・�A
�@に�Aを代入し、
Wi=6･Wc2　・・・�B
任意の出力Ｐの時のηは
η=P/｛P+6･Wc2+(P/2)^2･Wc2｝
　　=1/｛1+(6/P+P/4)･Wc2｝　・・・�C
となる。ηが最大になるにはP>0なので�C式分母の(　)内が最小のときである。
よって、これをyとおき、
dy/dP=-6/P^2+1/4=0
のときηは最大となる。よってこのときの出力Ｐは
P=2･√6[kW]

>>80方法とほぼ同じ、ただ、負荷損の基準を出力２［ｋＷ］のときにしただけ。。
定格負荷時基準の方が一般的です。。
間違ってたらスマソ。

負荷効果を回避する方法を教えてください。ひとつはＯＰアンプ（演算増幅器）を接続する。あとひとつがわかりません。また回避できる簡単な理由も教えてください。大学の試験問題です

ほんとだ
計算ミスしてました
しかもHｚとか書いてるし・・・

>>80さん>>76さん
ありがとうございました

>>84はマルチポストです。無視っすかねー？

何ですか。それは

せっぱつまってます

>>88
でもマルチポストの理由にはならん。
留年して頭を冷やしなされ。

>>84
マルチしてもだいたい見てる人は同じと思われ。。

電圧計の内部抵抗による負荷効果です

電気かの先生おしえてください

ただのマルチかと思ったらかなり質の悪い荒らしみたいだな。

>>84
インピーダンス変換か？
なら、OPampのボルテージフォロワかTrのエミッタフォロワ(コレクタ接地)
両者とも、入力Zが高く、出力Zが低い

回避できる理由は、負荷のインピーダンスとマッチング(1:1)できるから。
入力側のインピーダンスが出力側より高いと、入力で電力を消費し、出力が下がる。
逆に出力側のインピーダンスが入力側より高いと、入力で電力を消費する分の変化量が減り、増幅度が下がる。

>>95
言葉不良てか言葉間違い！訂正！
出力側のインピーダンスが負荷側より高いと、出力側で電力を消費し、負荷の消費電力が下がる。
逆に負荷側のインピーダンスが出力側より高いと、出力側で消費する電力分の変化量が減り、増幅度が下がる。

。電圧計の内部抵抗によって測定電圧が変わることを負荷効果と言う。負荷効果を回避する方法を２つあげそれぞれ回避できる理由を簡潔にのべよ
あとひとつは？

ヒント！倍率器。電圧計に流れる電流を下げる。

ブリッジ回路ですか

約５Vの電圧を二桁の精度で測定したい。測定精度何％以上の電圧計が必要か？式もお願いします

後は自分で何とか汁。
電圧計２をある値になるように可変電圧源を調整すると・・・・・
この回路の原理は、

　自　分　で　考　察　し　ろ　。

これが判らなかったら、留年した方があなたのためです（マジで）

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＋Ｖ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＞
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＞
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＞
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　電圧計２　　　　　｜
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　｜
　　　　　●ーーーー●ーー●＋（−）Ｖ２ー（＋）●　←問題の電位とする
　　　　　｜　　　　　　｜　　　　　　　　　　　　　　　　｜
　　　　　｜　　　　　　｜　　　　　　　　　　　　　　　　｜
　　　　　｜　　　　　　｜　　　　　　　　　　　　　　　　｜
　　可　 ●　　　　　　●　　　　　　　　　　　　　　　　＞
　　変　 ＋　　　　　　＋　　　　　　　　　　　　　　　　＞
　　電　 −　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ＞
　　圧　 ＋　　　　　　V１　　電圧計１　　　　　　　｜
　　源　 −　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　｜
　　　　　●　　　　　　−　　　　　　　　　　　　　　　 ｜
　　　　　｜　　　　　　● 　　　　　　　　　　　　　　　｜
　　　　　｜　　　　　　｜　　　　　　　　　　　　　　　 ｜
　　　　　｜　　　　　　｜　　　　　　　　　　　　　　　 ｜
　　　　　●ーーーー●ーーーーーーーーーーー●
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＧＮＤ

>>101は直流でのみ通用する。
よって交直両用での方法というなら、不正解だ。

仕様
1.増幅率が正確に−２倍であること。LSIで実現した場合でも、増幅率の誤差が５％以下であること。
2.±５V電源で動作すること。（電源は＋５Vと−５Vが使用できる）
3.出力信号の振幅は最大２Ｖpp（実効値0.354Vrmp）とする。
4.増幅器の消費電流は、２０ｍA以下であること。
5.増幅器の周波数特性は、２０ｋHzに高域遮断周波数を持ち、２０ｋHz以上では、-6dB/octの特性を有すること。
6.直流を増幅できること。（例えば、０．１Vの直流電圧を入力したら、出力は−０．２Ｖになること）
7.負荷抵抗は１ｋΩ以上とする。（１ｋΩでの動作を保証すること、１ｋΩ以上でも増幅率が変わらないこと）
8.入力信号、出力信号は、差動信号であっても良い。

電子回路の設計が初めてでどう手をつけていいのかわからないので手順等を教えて下さい。
ちなみにサーキットメーカーで動かします。

約５Vの電圧を二桁の精度で測定したい。測定精度何％以上の電圧計が必要か？

誰でもいいのでお願いします。

>>104、>>105
マルチ

YLxJt3B3　＜　釣りにつきIDあぼーんで無視を推奨します。

>>104
お前のした書き込み、全部、削除依頼出しとけな
電子板全体を汚くする暇があったら自分で調べろ
ウザすぎ

ネタにマジレスカコイイ！

>>103　　実際には学術的に決めるのでなく顧客が満出来る最低限の性能｡　つまりコスト最優先で決めて逝く。
　　>3.出力信号の振幅は最大２Ｖpp（実効値0.354Vrmp）とする。
　　　　　　　　　　　　　　　　~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
こりゃまたクレストファクターが高い歪んだ信号入力波形ですね｡（正弦波なら実効値の２√2倍がP-P値だから）｡
まあこの問題の場合電源電圧が±５Vで出力のP-Pが２Vならダイナミックレンジは問題にならないでしょうがね｡
Ampの入力Impを規定、歪み、使用温度範囲とかを規定していない、のは実用上の問題として不親切ですね｡
・実際の技術屋とあひて一番最初のするのは、素子の選定（OPアンプが一番簡単でしょうから）からスタート｡
�@製造メーカーの人間なら一番先に考えるのがコスト。⇒NJM4558が一番安そうだからこれで使えるかなとか？
�A石を決めたら±５Vで入力側のダイナミックレンジと最大負荷、最高周波数での大振幅時の出力ダイナミック
　レンジの確認｡　　２０ｋHz での裸ゲインから希望ゲインの差でNF余裕度確認（３０ｄB以上欲しいとか）。
　⇒NJM4558では高域特性不足なら次に安いOPアンプの候補　例えばNJM4559とかに変更。
�B±５Vの時の電流を確認　
�CNFが十分なOPアンプなら増幅度の誤差は抵抗の誤差だけとなるから、一番安いカーボン抵抗J（±５％）が
　使えるかを考える｡⇒、両方の抵抗が＋と−が双方にl５％ではダメだからF級（±１％）の酸化金属皮膜｡
�E抵抗で低域ゲインを決めたら、一次のLPFのCの値をｆ＝1/2πRCの式より求める。

　 　 　 　 　○+5V　　　　　　　　　 　　　　　　　C１
　 　 　 　 　｜　　　　　　　 　 　 　 　 ┌──┤├─┐ 　　まず低域のGain　＝−R3/R1　＝-２ （６ｄB反転)に選ぶ
　 　 　 　 　●──┐パスコン　 　　.│ 　 R3　　　　.|　　　但しR3はOPアンプの重負荷と成らぬよう10ｋ〜100k程度
.　　　 　　 　| 　 　. ┴＋　　　　　　　 ●──'VVV─●　　 高域での‐3dBポイントは　　R3＝1/jωC1に成る時より
Input.　　|＼| 　 　. ┬ - 　 　 　 　 　 │　 |＼　　　　｜　　 fc ＝1/（2πR3×C1）からｆc = 20kHzの時のCの値を選ぶ
　○──|＋.＼　　.┷　 　 　R1 　 　 ●─| - ＼. . 　 |　　　R2は　R2＝（R1×R3）/(R1+R3)に選ぶが、ゲインが低い
　　 　 　 | 　 　 >─●──'VVV──┘ 　| 　 　 >─●───○┐　　　　　ので０Ω（コストダウン）でも実用上はOK
　　 　 ┌|−.／.　　│　　　　　　 　　 ┌─|＋.／ 　 　 　 　 　 　 　|　　　　　　　　　1次のLPFだから‐6dB/oct
Gnd 　│|／.| 　 　　| 　 　 　 　 　 　　.|　　|／ 　 　 　 　 　　　　　＞負荷　　　　　　or -20dB/dec.で高域は減衰
　○ 　└─┼──┘　　　　　　　　　＞　　 　　　　　　　　　　　　＞　＞１ｋΩ
　┷ 　　 　 ●──┐　　　　　　　R2 ＞　 　 　 　　　　　　　　　　＞　￣　　　　入力Imp.不明のためボルテージﾌｫロワ
　 　 　 　 　│ 　　 ┴ - 　　　　　　　 ＞　　　　　　　　　 　 　 　 　|　　　　　　　がついている（どうせ2個入りOpアンプ）
　 　 　 　 　｜ 　 　┬ +　 　　　　　 　 |　　　　　　　　　　　　┌○┘　　　　　　　　　　　
　 　　　‐5V○　 　 ┷ 0V　 　 　　　　┷　　　　　　　　 　　　┷

答えてくださってありがとうございます、OPアンプを使った設計は無事できました。

またまた申し訳ないのですがＯＰアンプの中も設計しなければいけないようです。
使用できる素子がトランジスタ、抵抗、コンデンサのみです。
中はどんな回路になるでしょうか？

>111
オペアンプのデータシート見れば等価回路とか描いてあるんでない？

キーボードの「Q」のところに右手の中指、
「A」のところに右手の人差し指をおいて、
その指を、ガーって右にスライドさせると
かなりの確率で「ふじこ」が登場

>>111
オペアンプの等価回路と、ディスクリートで組むのでは回路が違ってくるよ。
ＩＣの場合、同一ウエハー上で回路を組んであるからね。
例えば温度対各パラメータの問題は、ディスクリートよりは格段に楽になる。
ディスクリートで組むとなると、同一の性能を持たせるのは結構骨だ。

>111
バイポーラならば基本構成定電流源やバイアス回路に＋、−入力の作動入力回路とシングルエンドの
電圧アンプにコンプリの出力回路とか言う構成が多いと思うけれど｡
等価回路や内部構成回路がNS（ナショナルセミコンダクター）のハンドブックやJRC(新日本電気）の
ハンドブックに書いてあるから参考にすると良いと思う｡(4558系の等価回路には確かFETとツエナーD.
まで入っていたと思うから他の物か、NJM2904,NJM3404等の単電源系の方が参考になるかも知れない。

>>114訂正、大恥かいちゃった・・・
>ディスクリートで組むとなると、同一の性能を持たせるのは結構骨だ。
→難しい。（場合によったら不可能か？）
機能限定とか、コストを度外視すればできなくはないんでしょうが・・・・

マジで組むのでしたら、位相補償だけはきちんとやってくださいね。
これしないと負帰還回路組んだら発振します。

>113

くぁｓｄｆｒｔｇひゅじきぉ；ｐ＠：
くぁｗせｄｒｔｆｇｙふじこｌｐ＠；：
くぁでｒｔｆｇｙふじ；ｐ＠：・

http://ouzu.ns0.it/upbrd/img/1611.png

だれか、頼みます･･･
試験落ちてレポート提出で何とかなりそうなんですけど･･･

大問1，3は解けるんでつが･･･
それ以外がもうだめで･･･

卒業かかっているのでおながいしまつ･･･

>>118
ごめん、分からん。ただ、教科書的な問題と言う気はする。
＞卒業かかっているので
漏れみたいにもう後なし、留年4回目が言うセリフ。

>>118
すまん漏れのパソコンでは上手く開けない｡問題を直接upしてくれ。

>>113
たしかになるが、誰がこんなアホなこと思いつくのか、それが不思議だ。

http://ouzu.ns0.it/upbrd/img/1612.jpg

もう一回Upりました･･･
よろしくお願いします。

>>122
おいおい、試験問題殆ど全部じゃないか。
しかも基礎問題ばっかり。
もしかして教科書も購入してないんじゃないか。

>>122
だから教科書読めやヴォケ

　いくら宿題スレでも教科書に載ってる問題を丸投げしても誰も答えてくれないよ。

　学校の勉強より空気の読み方を勉強した方がよさそうね。

そうですか･･･
じゃあ卒業あきらめて首つってきまつ(つд｀）

>>126
をいをい、問4もわからないなら重症だぞ。
電気回路の教科書何か使っているなら、
そのものずばりの解説があるぞ、多分。
微分使って関数の増減を調べるのが出来ないなら、
マジで留年した方が・・・・
高校で何やってたの？

卒業かかっているのでっ、もしかして大学の？
だとしたら、かなりヤバイよ？しかも再履でしょ
みんなの言ってる通りホントに基礎中の基礎の問題だよ
まぁココはそういうスレだから別に聞くのは構わないと思うけど、この程度の問題は
自分で解かないとマジでこの先大変だよ。

>>122
先ずは漏れにも解ける一番簡単なＱ４でも解説しましょうか｡
Ｑ４−（１）
・負荷抵抗Ｒで電流はＩならばＲの発熱は電力の式　　　　　　　Ｐ＝I^2×Ｒ・・・１　だよね
　電流は Ｉ は（Ωの法則　Ｉ×Ｒ＝Ｅ）だから,この図の場合は　　　Ｉ＝E/(r+R)・・・２
・１に２を代入して整理すれば　Ｒの電力Ｐの式が出せる｡
Ｑ４−（２）
この式は横軸をＲとし縦軸をＰとした座標上に表せば（ｒとＥはただの数、Ｒが変数）、上向きにピークがあり
両側が０に向かって落ちていくカーブとなる｡
そのカーブの頂点が電力最大の所だから。その点を求めるには上式をＲで微分して傾きが０になる実数を
出せばよい訳　　⇒頑張って微分汁　　その微分の式が＝０　となるＲの値（実数）を求めよう｡
Ｑ４−（３）
答えは　Ｒ＝ｒ　になったでしょう。　つまり発電機側の内部抵抗と負荷抵抗が同じ値の時が一番電力を発電
機側（信号源）から取り出せる訳。　　当然 ｒ とＲは同じ発熱（消費電力）となる訳。
この時のＲの電力は　電流は Ｉ ＝E/(r+R)＝Ｅ/2r (R=rだから） 　電力はＰmax＝(E^2)/(4r^2)×ｒ 　

・検証はしていない自分で式を立ててやってミソ。

>>126
しょうがないなァ。
４．E-rI=RI�@ P=(E-rI)^2/R
ところで�@よりI=E/(r+R)なのでP=E^2(1-1/(r+R))^2/R�A
Pのぴーくは微分値が0の時。でぴーくだけでは最大か最小か分からない。
�Aが上向きグラフか下向きグラフかはグラフ書くか、2階微分すればいい。(負なら上向き）
これでれば(3)はでるな？

５．
　ラプラス使うやり方とそうでないのがある。ラプラスでないやり方でやると、
　　ｄi
E＝Lーー+Ri　が瞬時式
　　ｄt

Ldi/(E-Ri)=dt
両辺積分すると（ラプラス使わないなら微分方程式は必ずこの形にもってくる。積分∫dtがあるなら両辺tで微分して消せ）
L∫｛1/(E-Ri)｝di=∫dt
-(L/R)log(E-Ri)=t+C
t=0のときi=0だからC=-(L/R)logE
-(L/R)log(E-Ri)=t-(L/R)logE
-(L/R)log｛(E-Ri)/E｝=t
i=(E/R)(1-e^(-Rt/L))

>>126
んじゃ俺がラプラス変換バージョンで５を

KVLから
　Ri(t)+Ldi(t)/dt=E
この式の両辺をラプラス変換すると
　RI(s)+L{sI(s)-i(0)}=E/s
初期値i(0)=0を考慮してi(s)について整理すると
　I(s)=E/{s(R+sL)}
　　　=(E/R){1/s-1/(s+R/L)}
これをラプラス逆変換すると
　i(t)=(E/R){1-exp(-Rt/L)}

　　　　　　　　 ／　　　　→　i（ｔ） 　　　　定性的に物事を考えれば、左の回路でＳＷをＯＮにしたら、Ｌコイルって
　　　┌──○　○────┐　　　　物は電流の急変を嫌う物だから、いきなり電流は流れ出しにい（よって
　　　│　　　ＳＷ　　　　　　　⊃　　　　ＳＷを入れた瞬間は０Ａでそれからeｘｐで増加して逝こうとする｡　然し十分
　　　│　　　　　　　 　　　　　⊃ L　　　に時間が経過すればＬの効き目はなくなり（直流と同じ状態）になり最終的
.　　‐┴‐E　　　　　　　　　 　 ⊃　　　　には　Ｉ ＝E/Ｒ　の値に落ちついてしまう｡　　下の電流波形参照
　 　 ┯　　　　　　　 　 　 　 　 |　　　　　よってこの図を参照しながら式をだす。　 expの式を思い出してクレ｡
　 　 │ 　　　　　　　　　　　　＞　　　　 時定数τ＝L/Rより
　 　 │ 　　　　　　　　　　　　＞ R　　　Ｉ（ｔ）＝（E/Ｒ）×[(1- e^-(t/τ)]　＝（E/Ｒ）×[(1- e^-(t×Ｒ/Ｌ)]　　　　
　 　 │ 　　　　　　　　　　　　＞ 　　　　　　　　↑　　　　　　　↑
　 　 └‐────────┘　　　　最終電流値　　expで増加

　　I　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＊参考書が手元にないし検証もしとらんから考え方だけ参考に汁！
　┃　　　　　　　τ＝L/R
　╂E/R--------------------　_,,,,,....--――――　
　┃　　　　　　　　　　　　　　_,,.-‐:''""　
　┃　　　　　　　　　　　,,..ｨ''"　
　┃　　　　　　　　 ,,:r''"　
　┃　　　　　　 ,.ィ"　
　┃　　　　　,.r"　　
　┃　　　 ／　　　
　┃　　,.;"　　　　
　┃　,.:'　　　
　┃/　　　　
.0┗━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━　ｔ　　　　

ところで�@よりI=E/(r+R)なのでP=E^2(1-1/(r+R))^2/R�A

これって
P=E^2(1-1/(r+R))^2/RではなくてP=E^2(1-r/(r+R))^2/R
じゃないのですか？

>>133
まあまあ、当人が問題の考え方さえ分かればよいのだから、、、
正解までを正確に書いてやる事は当人の為にイクナイ。（過剰の情けは　人の 為に ならず）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　~~~
誰も問題２の解き方を書いてくれなかったので　>>126君 は今頃首を吊ったかもしれないな｡

変圧器のv1･i1の平均値は電源発生電力である。e1・i1の平均値は一次巻線消費電力である。
なぜ前者には「発生」、後者には「消費」という言葉が付くのか。

i1は電源から出て、一次巻線を流れる電流
（参考図）http://eagle.ee.fit.ac.jp/class/3energy1/09/09-2.gif

こんな問題なんですがどう答えたらいいですかね。

答えは
「日本語で問題を書いて下さい｡」ってのが適切な答えでは｡

電力系統なんですけど教えていただけますか？
三相送電線対地電圧がEa、Eb、Ecの三相送電線と通信線の間の静電容量をそれぞれCa,Cb,Ccとする。通信線と対地間の抵抗Rと静電容量Cの並列回路として通信線に誘導される電圧を求めよ。
とゆー問題なんですが、どーでしょう？

ON回路、OR回路、AND回路を使ってる身近な電化製品て
何か無いですか？

なるべく複雑な回路の中にちょっと使ってるものじゃ無くて
ぱっと考えてみて、あ〜XX回路だなって思えるようなものでお願いします

>>138
◎ワイヤードOR
トイレとバスの共用換気扇のスイッチ
◎ワイヤードXOR
階段の照明のスイッチ

どもありがとうございます

>>138
◎ＡＮＤ
ガスの元栓と湯沸し器のコック

材料系の問題なんですが、
半導体が温度依存性を持つのは何故でしょうか？
どなたか教えて下さい。

>>118
卒業すべきじゃないと思うが？

ココの人は親切すぎる・・・

>>141
また基礎問題だなあ。
伝導帯のキャリアが温度により増加するため。
google検索しただけでわかるはずだぞ。

>>144
ありがとうございます。
ググったけどしっくりくるのが見つからなかったもんで…

>>144
ICに内蔵の半導体抵抗は温度が上がると抵抗値が高くなる。
なぜかを述べよ。

機械・工学板から流れてきました。

LC回路でVmcosωtの交流電圧源の場合、定常状態に達した
後の電流i(t)はどのようになるか？
ってどう考えていけばよいのですか？教えてください。

>>147
ttp://home.c06.itscom.net/miya/series4/densi0311.html
こりと
お持ちの教科書を見合わせて自分で考えよう。

それでも判らないところを質問しよう。

「GTOサイリスタの拡散容量が一番大きくなるジャンクションはどこか？また
　その理由も答えよ」って課題が出されて、参考書読んでも全くのってなくて困ってます。
　どなたか救いの手をお願いします。

>>148
式で表すと、キルヒホッフの法則より

Ldi/dt + C∫idt = Vmcosωt
Ldi＾2/dt＾2 + Ci = -ωVmsinωt

ですよね？
ここから、定常状態で電流iは流れなくなるということを
表すにはどうするんですか？

a -C---C---C--- c
| | |
R R R
| | |
b -------------- d
RCを3段用いた以下のような回路で、a-b端子から入力電圧を加えて、
c-d端子から出力電圧を取り出す時のゲインが、

v1/v2= 1 / { 1 - (5 / ω^2C^2R^2) + j(1/ωCR)(1/(ω^2C^2R^2) -6) }
となるのを導出しろという問題なのですが、どうやったら良いのでしょうか？
よろしくお願いします。

ずれました・・・訂正

a -C---C---C--- c
...............|............|...........|
..............R.........R.........R
...............|............|...........|
b -------------- d

>>151
　　　　A○ーーCーー●ーーCーー●ーーCーー●ーー○C
　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　　　　　＞　　　　　　　＞　　　　　　＞
　　　　　　　　　　　　　　＞　　　　　　　＞　　　　　　＞
　　　　　　　　　　　　　　＞　　　　　　　＞　　　　　　＞
　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　B○ーーーーー●ーーーーー●ーーーー●ーー○D

　　　　A○ーーZーー●ーーZーー●ーーZーー●ーー○C
　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　　　　　＞　　　　　　　＞　　　　　　＞
　　Vi　　　　　　　　　　 ＞　R　　　　　＞　R　　R　＞　　　　　Vo
　　　　　　　　　　　　　　＞　　　　　　　＞　　　　　　＞
　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　　　　 ｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　B○ーーーーー●ーーーーー●ーーーー●ーー○D

Z=-(j/wc)ーーー（１）
ACに加える電圧Vi、CDに出てくる電圧Vo
ZをRと同じように考えれば、Voは出てくる。
これが出せないなら、落第してもう一度履修してください。
Vo/Viを計算した後（計算する前でもいいが）に（1）式を代入すればいい。

うわ、すまん。
>>153訂正
>Z=-(j/wc)ーーー（１）
→｜Z｜=1/wc---（１）
あとZをすべて｜Z｜に置き換え。
電圧の大きさだけ考えるのだから、これでいい。

>>151
＞v1/v2= 1 / { 1 - (5 / ω^2C^2R^2) + j(1/ωCR)(1/(ω^2C^2R^2) -6) }
なるか？

>>151、>>155
電圧、ゲインと来たからてっきり大きさの比較だけかとオモタ・・・・。
良く見たら、虚数成分ちゃんと勘定してたのね・・・・
で、>>154はなしの方向でひとつ・・・・・おながいします。
それからただいま計算中・・・（ということにしてw）

>>151
入出力の比はそれで合っていると思われます。
計算しましたよ。
ただ、入力V1出力V2なら、
V2/V1が正解と思われます。

>>151
仕事終ったし、このまま計算結果を捨てるのは忍びないので晒す。
ただし、最良の手とは限らない。
いくつかあるが、思いついたのと、実際に計算した2つの方法を晒す。
変数は筆記と違って間違えやすいので、入力側Vi、出力側Voとする。
Z=(-j/wc)　　　（０）

　A○ーーZーー●ーーZーー●ーーZーー●ーー○C
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　→　　　 ＞　　　→　　 ＞　　→　　 ＞
　　Vi　　Ia　　　 ＞　　　Ib　　　＞　　Ic　　　＞　　　　　Vo
　　　　　　　　　　＞　　　　　　　＞　　　　　　＞
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜ 　
　B○ーーーー●ーーーーー●ーーーー●ーー○D

方法1（思いつき）：入力側にViの電源を繋ぐと考える。
そうすると、回路図にループが3個出来る。
それぞれのループに流れる電流を左からIa、Ib、Icとする。
向きは右回りとすると、左のループから順に、（さて何の公式でしょう？）
Vi=ZIa+R(Ia-Ib)　　　　　　　（１）
0=R(Ib-Ia)+ZIb+R(Ib-Ic)　　（２）
0=R(Ic-Ib)+(Z+R)Ic　　　　　（３）
また、Vo=RIc　　　　　　　　（４）
（１）（２）（３）からIcを求める。（５）
（５）→（４）でVo=
Vo/Vi=　　　　　　　　　　　　　　（６）
（０）→（６）でおしまい。
続く

>>158の続き
方法2（これで計算したが、スマートじゃないなあ）

　　　　　　　　　　Va　　　　　　　Vb
　A○ーーZーー●ーーZーー●ーーZーー●ーー○C
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　 　　＞　　　　　　 ＞　　　　 　 　＞
　　Vi　　　　　 　 ＞　　　　　　　＞　　　　　 ＞　　　　　Vo
　　　　　　　　　　＞　　　　　　　＞　　　　　　 ＞
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　 ｜ 　
　B○ーーーー●ーーーーー●ーーーー●ーー○D

Vo=Vb{R/(R+Z)} 　　　（１）

　　　　　　　　　　Va　　　　　　　Vb
　A○ーーZーー●ーーZーー●
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　＞　　　　　　　｜
　　Vi　　　　　 　 ＞　　　　　　　Zb
　　　　　　　　　　＞　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜
　　　　　　　　　　｜　　　　　　　｜
　B○ーーーー●ーーーーー●

Zb=R(R+Z)/{R+(R+Z)}　　　　　　（２）
Vb=Zb/(Z+Zb)　　　　　　　　　　　（３）
以下同様に回路を変形して、
Za=R(Z+Zb)/{R+(Z+Zb)}　　　　　（４）
Va=ViZa/(Z+Za)　　　　　　　　　（５）
（１）〜（５）より、Vo=
Vo/Vi=　　　　　　　　　　　　　　（６）
（０）→（６）でOKと

がんばれよ。

>>153さん
どうもありがとうございました。キルヒホッフで解くものなんですね・・・
頑張ってみます。

問：半径50[cm]、巻数600回の円形コイルが、磁束密度B=0.1[T]の一様な磁界中で、
　　磁束に垂直な軸のまわりに毎分1500回転の速度で回転するとき、
　　コイルに発生する起電力を求めよ。

巻末に載ってた答えは5230[V]なんですが、それに至るまでのプロセスが
どう検討しても，答えの値になりません。
どなたか解説お願いします。

大学の講義の範囲なんですが、
「半径aの球の内部に中心に対して対象に一様に分布している。
その時の球の内部、外部の電界の強さと電位を求めよ」っていう問題ありますよね。
これが
「球の内部に分布」ではなく「球の表面に分布」だと式や答えはどうなるんですか？

自分的には外部の電界と電位は変わらなく、内部の電界と電位は0。
かとおもったんですけど…

>162
内部の電位は0ではなくて表面と同じ

なぜですか？
内部の電荷はガウスの定理より0でいいんですよね。
電位が表面と同じということは、Q/(4πεa)でしょうか？

>>164
それで合ってるＹＯ
球の内部に電荷がゼロなら、ガウスの法則で電界もゼロ
電界がゼロの場所は、どこでも電位差ゼロ
だから球の表面との電位差ゼロで、内部の電位は表面と同じとなる

>>153さん
何とか解くことが出来ました！本当に有難うございました m(__)m

LCRを直列、並列につないだ時に回路内に流れる電気振動の
固有振動数と減衰定数を求めよ。
手元にある電磁気の本に固有振動数も減衰定数も書いてないんですけど、
どうやって解く問題なんでしょうか？

>>167
＞固有振動数と減衰定数を求めよ
うーん、この用語はどちらかと言うと、ビルや橋梁を設計する土建屋さんが
好きな言い方かな。
普通の電気屋さん向けだったら、「共振周波数とQを求めよ」で良いのでは？

>>168
どうもどうも。それなら、載ってます。

>>167
過渡現象の教科書嫁

論理回路の製作で
非安定マルチバイブレータを製作したのですが、
考察で点滅の周期を変えるにはどうしたらよいか。
と聞かれ、ここでつまずいております。
解る方いましたら教えていただけないでしょうか。
よろしくお願いします。

2個のトランジスタで作ったのかICゲートで作ったのかは知らないが、
交互に切り替わる、時定数τ＝CRを決めている　RとCが回路上ある
だろう。
TRタイプなら2組、C-Mos　Gate　OSCタイプなら一組。
2個トランジスタタイプだとRの値を動かすとバイアスも変る回路も
あるから、Cの値だけを可変して時定数を変更汁！

>>172
トランジスタを2個用いたタイプです。
まだこの世界に入って浅いのでちょっと解らないです。。
もう少し簡単な説明お願いできないでしょうか。
よろしくお願いします。

>>173
ググリ方も知らないとは困った香具師だな（ｗ
↓此処のサイト見るべし。
http://www.cypress.ne.jp/f-morita/sch/ff.html
時定数をTRのベースに繋がってるバイアスの抵抗で変えろと書いてるが、
漏れは初心者には襷がけになっているケミコンの値を変えろと言いたい。

質問なんですが　中空の球の一部を接地して中に電荷を入れたときの電荷の分布ってどうなるのでしょうか？　
あと球の外から接地された中空の球に電荷を近づけたときの分布はどうなるのですか？
くだらない質問ですいませんが　ちからをください

ダイオード２個以下。スイッチング素子２個以下。リアクトル１個で
入出力が絶縁できる昇圧チョッパーを作れって問題有るのだけど、
トランス無くても絶縁できる回路ってできるの？

>>161
一度鎖交磁束の時間変化をグラフにしてみなさい。

>>176
コンデンサーで電気を汲み取る。

>>178
題意にある部品のみ使用で、
コンデンサは使っていけないのでは？
　書いてない部品を使っていいのなら、素子でない
機械的なスイッチやらリレーやら沢山使って
実現したりもできるが、、それじゃやっぱり反則やろ。

　コンデンサの電荷のポンプ（チャージポンプ）の双対
のコイルのXX（おそらく電流）ポンプを考えているけど
条件に合わせるのが、、、まだ考え中です。
　スイッチが５つならなんとか絶縁は確保できそうなんですが、、
２こでどうやるの？釣りかの？

---Ro---|---|---|
| C---L---R
| | | |
es---------------

esは電圧源でes=sinωt、Ro、Rは抵抗、Cはコンデンサー、Lはインダクタンス
です。また、(1/C)((1/R)+(1/Ro))=(1/(LC)^(1/2))=ω、初期条件は全てゼロ
です。

これを電圧についてラプラス変換をして答えを求めるのですが、留数定理を
使って出てきた式が長くて複雑な上にRo＝４で無限大になってしまうので
合っているか疑問が残ります。

例として留数定理を使って出る四個の式の一つなのですが
Res（V(s)e^st,(-ω+(1-4/Ro)^(1/2)))
＝((-ω+(1-4/Ro)^(1/2)))e^(-ω+(1-4/Ro)^(1/2)))t)/((1-4/Ro)(
(5ω^2-2ω(1-4/Ro)+(1-4/Ro))/4)
と複雑な上、Ro＝４でどうなるのか分かりません。

どなたか、これが合っているかどうか、またRo＝４の時はどうなるか
だけでもお願いします。

---Ro---|---|---|
|.......C...L...R
|.......|...|...|
es---------------
すいません、間違えました。...の部分は空白で、−と｜が導線です。

---Ro---|---|---|
|.....................C.....L.....R
|.....................|........|........|
es---------------

です。

>>180　書き直してやったぞy｡


　　　　　　　　Ro
　 ┌───'VVV──●────●────┐
　 │ 　 　 　 　 　 　 　 |　　　　　　　|　　　　　　　|
┏┷┓es　　　　　 　 __|__C　 　　　 )　L 　 　 　.＞ Ｒ
┃〜┃ = sinωt 　 　 ┬ 　 　 　 　 )　　　　　　 ＞
┗┯┛ 　 　 　 　 　 　 |　　 　 　 　 )　　　　　　 ＞
　 │ 　 　 　 　 　 　 　 |　　　　　　　|　　　　 　 　|
　 └───────●────●────┘

>>183
ありがとうございます。

>>184
ん？何を求めるの？R0の流れる過渡電流？？？

>>184
説明不足でした。C、L、Rの部分の電圧（過渡応答）です。

>>186
i=i1+i2+i3って置いて、各素子の電流出したら良いんじゃないの？
電源をw/(s^2+w^2)って置いて、

例えば、抵抗Rの電流i1は
たぶん、{s/(s^2+ws+s)}{w/(s^+w^2)}*係数
とかになるんじゃ？これを分解して逆ラプラス変換…

いや、違うかな。

色々とやり方はあるかもしれないですが、
C、L、Rの部分の電圧をv(t)とおいて回路微分方程式を立て、
それをラプラス変換するやり方でお願いします。
そしてラプラス変換で出てきたV(S）を留数定理を使って逆
変換してv(t)を求めるのですが、合っているかどうか分から
ない状況です。

問題に訂正があった。コンデンサは１個使用していいみたい。
それなら入力にIGBT等２個上下使って同時ONでLに充電し、
二次側にDを２個上下に逆に入れてCに充電すれば良いのだから。
でも二次側は入力とは極性が逆になってしまう。
皆さんご迷惑をおかけしました。

>>189
それで絶縁が確保されるかというのは疑問ですなぁ。
出力側の電位は、
入力側の＋端子と−端子のそれぞれの電位の
間に制限されます。
この制限に当てはまらない場合は充電中の絶縁が確保できません。
（どちらかのDiが導通する）、、
出題者がそうした条件を出してない場合は突っ込んでみるのも
一興ですね。

>>161
600*0.1*(0.5^2*π)*(2*π*(1500/60))/√2 = 5234.1493.

>>180
どうも考え方を根本的に間違えている気がする。
(1/C)((1/R)+(1/Ro))=(1/(LC)^(1/2))=ω　という条件は
最後まで使わないんだ。計算はあくまでも L や C のまま
進める。上の条件式は ωC = 1/R + 1/Ro という減衰定数
（Q）に関するものと、1/ω√LC = 1 すなわち共振(角)周波数
が 1 rad/sec になる、というもので、答を整理するときに
使えばよい。

どうもアンタのものは微分方程式そのものを間違えていそうだ。

>>188
> C、L、Rの部分の電圧をv(t)とおいて回路微分方程式を立て、
そういう方法もあるが、それじゃラプラス変換の良いところは
1/10も使っていない。最後まで時間領域の微分方程式のまま
解いてしまったほうが早いくらいだ。s と tの形式的対応の
練習にはなるがね。

電気屋なら（そうじゃないかもしれないが）回路の L は
sL というインピーダンス素子、C は1/sC というインピーダンス
素子、信号源はω/(s^2+ω^2) として、最初から s領域で
回路を解いちゃう。それをtに変換して答え。t→s→t
ではなくて、s→tしかやらない。伝達関数という考えかた
（信号源を 1 すなわちインパルス関数と仮定したもの）
を使って解いて、信号は最後にかけあわせるのでよい。
s→tも留数定理など使うより（こんなの使うのは、よほど
特殊な問題のときだよ）部分分数に分解して対応表で
戻しちゃったほうがよほど早い。

まあ初学者は練習のためいろいろやるので良いが。

>>192
事故訂正
（誤）1/ω√LC = 1 すなわち共振(角)周波数が 1 rad/sec
（正）1/ω√LC = 1 すなわち共振周波数が 1 Hz

>>192
またまた事故訂正
（誤）1/ω√LC = 1 すなわち共振周波数が 1 Hz
（正）1/√LC = ω すなわち回路は信号源の周波数に同調している

オレも焼きがまわった。しかしこれなら計算しなくても暗算で
答えが出るなあ。定常状態では LCはないものとして考えてよい。
過渡状態ではRoを通じてLCRに es/Roなる電流源から充電電流が
流れると考えればよい。

すみませんが、レポートの宿題がまったくわかりません。よろしかったら教えてください。
�@オペアンプののアクティブ･ローパスフィルターにおける出力/入力比 k(複素数)を導出せよ。但し、仮想接地とゼロ入力電流を仮定すること。
�ATTLにおけるNAND回路を図示し、その動作を説明せよ。
助けてください。

>>196
1.は回路図なければ何もできない。
2.は適当な本を見ればいくらでも出ている。ついでに1.の
答も出ているだろう。さしあたり、図書館にでも行って
自力で調べるこった。

>>mXCbNVNMさん
ありがとうございました。確かに、微分方程式が間違っていました。
もう一度最初から考え直してみます。

平行導体の電流が逆方向の場合に働く力と大きさと向きを求めなさい。
なんですが、
２パイｒＨ＝Ｉ1
→Ｈ＝Ｉ1／２パイｒ
ジソク密度Ｂは
Ｂ＝ｕ。Ｈ＝ｕ。Ｉ1／２パイｒ
F＝-I2 B＝-u｡I1I2/2パイrになって
u｡=4パイ×10の-7乗(H/m)なので
F＝(-I1I2/r)×2×10の-7乗になって提出したんですが、
なぜ反発力なのか吸引力なのか、とか左手の法則使って求めろ、と言われました。
けいたいからなので雑ですいません。切実なのでよかったら教えてください。

だ・・・誰か・・・たすｋ

ちなみにu。Iの2乗／2 の反発力らしいんですが、
これのやりかただけでいいんで教えてほしいです(つд｀)
今日の16時まで提出。無理だったら来年またまた漏れだけ受けなければならない(´･ω･｀)頼みます

>>196 　2ちゃんねらならAAで回路図ぐらい掻いて質問汁｡

OPアンプ使用のアクティブフ･ローパスフィルターといっても色んなタイプがあるからね。
回路図うｐしないと>>197さんが言うように難しい？
一番ポピュラーな Gain=0ｄBの2次のLPFなら下記のような物だがね。
-----------------------------------------------------------------------
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 Vout
Vin＝ ************　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　k = ───　＝
　 　 　 　 　 　　　　┌───────| |──────┐　　　　　Vin
　 　 　 　 　　　　　　|　　　　　　　　　　C1　　　　　　　 　　|
　 　 　 　 R1　 　 　 | 　 　 　 R2　 　 　 　 　 　 |＼　　 　 .|
　○──'VVV──●──'VVV──●───|＋＼ 　　.|
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　|　　　　　|　　　>─●───○
　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　__|__ . ┌─|−／　　　|　　　Vout＝**********
　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　C2　┬　..│　 |／　　　　 |
　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　|....　└─────┘　　 .┌○
　○─┐　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　　|　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 |
　 　 　┷　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 ┷　　　　　　　　　　 　 　　..┷

>>199
君の書いた式じゃ大きさしか分からないよ。
多分、どうしてその向きに力が働くかという理由もほしいのだと思うから、
ベクトルで計算すれば大きさと向きが求まるよ。

>>203
レスありがとうごさいます!
大きさは…どう求めるめればいいでしょうか？ベクトルでの計算の仕方わかりません。
質問厨、甘え､ﾄﾞｷｭｿでほんとにすいませんm(_ _)m　時間がなくパニクってます

>>199
異なる方向の電流は互いに反発するでつ。形式的には
一本の電流の作る磁力線の方向を右ねじの法則で求めて、
もう一本の線の受ける力をフレミング左手の法則で
考えれば反発方向だとわかりまつ。

もっと深遠な理由は、２本の導体の間に磁力線Bによる
エネルギーが蓄積されていて、それが空間的に拡散したがる
ゆえに電線を押し広げるでつ。

ありがとです
右ねじの法則で一本をじかいの向きを考え、もういぽんをフレミで考えれば、反発力だとわかるいうことですね。。。
あぁああああああー。。。やべー。。わかるのかわからないのか時間が。。

>203様>205様
無事なんとかオケーもらいました。本当ありがとうございました｡ﾟ(ﾟ´Д｀ﾟ)ﾟ｡ ｳﾚｼｰ

>>194
>GTOサイリスタの拡散容量が一番大きくなるジャンクションはどこか？（ｒｙ
と言われても、拡散容量が何を指しているのやら。
接合部静電容量とか不純物拡散とかあるでの．．．

別に宿題ではないんですが質問があります。
トランジスタのゲインって荒っぽく言うと結局出力インピーダンスと負荷抵抗の並列抵抗の値に
比例するみたいなんですが、これはなぜ？持ってる本にはゲインと出力インピーダンスの関係なんて載ってないもので・・・
なんとなくはわかるんです。でもしっくりこないんです。
お願いします。

>>209
本当か？
まあ電圧増幅率は負荷＆出力インピーダンスが高い程
高く見えるのはわかる罠。
ステップアップトランスと同じで。

>>209
トランジスタは電流増幅素子だからじゃない？

>>209
どの教科書使ってるの？その式書いてみて。

信号入力部に終端抵抗を入れる事により、反射波の発生を抑える事が出来る。ところで、反射波って何？また、終端抵抗を入れると何故に反射波を防げるの？インピーダンスミスマッチと関係があるの？教えて下さいませ。

>>213
インピーダンスマッチングしたら、反射波なし。
反射と透過とか、分布定数回路あたりを勉強してみてください。

>>213
そりゃー概念的に答えるのが難しい問題ですね。とりあえず説明してみます。
抵抗が小さい導線を通ってきた電波の速度はとても早いため、抵抗が小さい導線に切り替わると電波の一部が勢い余って跳ね返ってしまうんですよ。これが反射波。
こういった問題を解決するために、切り替わり前の導線の抵抗を上げてあげます。これが、終端抵抗です。また、切り替わり前の導線と切り替わり後の導線の抵抗を等しくすることが理想的な状態ですが、これをインピーダンスマッチングと言うんですよ。

>>213「定在波」「定在波比」「伝送線路 SWR」でググってみそ。

>>213
10mくらいのロープを地面に伸ばしておいて、一端をもって
えいっとゆすってごらん。ゆれ（波）が他端までいって、
また逆にもどってくるから。これを反射波という。他端が
揺れなければいいのだろうと、何かに縛りつけて同じ
実験をしても、やはり波は戻ってくる（実験してごらん）。

このように、端があると必ず波は戻ってきてしまう。端を
巧妙に細工して、波をだまして、いかにもロープが無限に
続いているようにみせかけると、反射は消える。これを
インピーダンスマッチングといって、電気のケーブルの
場合は適当な抵抗（終端抵抗）を入れる操作に相当する。

>>213
あえて意地悪質問。「導体の抵抗ってなんですか、
いわゆる電気抵抗ですか？」

まあ、質問スレでやる議論じゃないですね。

導体の抵抗は電気抵抗ではないのですか？
もしかして違うのです？

レスどうも

ibはベース電流、などと表記します。（どの本でも同じと思いますが）

例えばエミッタ接地では等価回路は RE とバイパスコンデンサの並列部分が短絡されていて
コレクタ側が電流源（ic = βib）で簡易化されてるものを考えていて、 ｖ１ を電源電圧ではなくベースと GND 間の電圧、
ｖ２　を負荷抵抗にかかる出力電圧として
ｖ２＝RL・βib 　　　　（RLは負荷抵抗）
ｖ１＝ib・ Zie （Zieは入力インピーダンスで Zie＝　ｒｂ＋（１＋β）re）

電圧利得A＝ｖ２/v1＝RL・β / Zie

んで出力インピーダンス Zoe は ｖ１＝０ ならばベース側には電流が流れず、従ってβib1 ＝　ic　＝０だから

Zoe ＝　v2 / ic ＝無限大となっています。

どうでしょう？

電圧利得はそれでいいんだけど、出力インピーダンスは違う。
トランジスタ素子そのもののインピーダンスは近似的に
無限大だが、回路としては RLが出力インピーダンスだから
それで扱わなければいけない。電力利得はあなたの記号を
使うなら RL β^2 / Zieとなるはず。要するに電圧利得に、
電流利得βをかけたものだ。

フィードバック制御を行っている系が自動制御系として良好に運転されているとき
の系の状態に関する記述として、誤っているのは次のうちどれか。
(１)安定であること。
(２)定常偏差が小さいこと。
(３)過渡特性が良好であること。
(４)振動が減衰しにくいこと。
(５)外乱の影響を受けにくいこと。

(４）が誤っていますが、解説してください。

トランスで接続された回路の一次側の電圧と電流の位相差は二次側の回路での
電圧と電流の位相差と等しい？
等しいとすると、家庭で力率アップのためにコンデンサを取り付けることには
意味がない？

>>222
入力が変動したり設定値を変更したりして系出力が新しい
値に移行する場合、じわっと進んで目的値に軟着陸する
ように設計してもよいし、さっと変わるように設計しても
よいのですが、応答速度を問題とする場合は後者の立場
をとります。それも単に早いだけではなく、一度目的値
を通りこして、逆側から値に近づくくらいにした方が
総合的な速度も早く誤差も小さい。このような性質を
決めるのが2次応答の減衰定数というパラメーターですが、
「多少振動的にするのがよい」というわけです。しかし
それを間違えて振動的にしすぎると、行き過ぎて、また
逆方向に行き過ぎてと、ながく出力が振動します。これ
は明らかに具合わるくて、（４）の誤りはそれです。

>>223
> トランスで接続された回路の一次側の電圧と電流の位相差は二次側の回路での
> 電圧と電流の位相差と等しい？

等しいです（現実のトランスにおける付随的性質は省略）。

> 等しいとすると、家庭で力率アップのためにコンデンサを取り付けることには
> 意味がない？

これが、よくわからない。力率アップのためのコンデンサって
何です？

>>225
言い方が変な気がするが進相コンデンサーのことと思われ。

>>226
その通りです。言葉が足りず（知識が足りず）に申し訳ないっす。
進相コンデンサーのことです。これを家庭で使えば省エネになると
聞いたもので。で、役に立たないんですかね？

なるほどなるほど。しかし、家庭における力率（高調波）
問題は、誘導負荷というより、コンデンサインプット型の
非線形負荷が増えて電源波形の頭がつぶれてしまうこと
のような（だからコンデンサはあまり関係ないような）。

>>228
レスありがとうございます。
すみませんが、再び基本的なところを質問しますが、トランスで繋がれた二つの回路の
一次側には抵抗だけで構成されていて、二次側の回路は抵抗とコンデンサから構成されて
いた場合は、一次側も二次側も電流の位相が電圧より９０度進むということで良かったですか？

>>229
コンデンサだけに注目すれば90度進むけど、抵抗とコンデンサ
で構成された一般的なインピーダンス回路だとそうはいかない
よ。このような回路はトランスを除去して考えるとよい。一次
側に統合するなら、トランスの巻き数比を 1:n として、二次側
の抵抗は 1/n^2倍に、コンデンサは n^2倍にして1次回路に
入れてしまえばよい。

変圧器（トランス）のことですが、
１次側に例えばコンセントよりAC１００Vつないだとします。
コイルとは所詮１本続きのエナメル線などですから、
２極をつないだとたんに短絡（ショート）する筈なんです。
でも短絡しない。トランスもコイルもあまり熱くもならない。
試しに２次側を交流テスターで計測してみるときちんと変圧がされている。
なぜでしょう？

ちなみにこのとき実験では２次側は何も繋いでません。

その次にコンセントの２つの穴に１本の細い銅線をUの字に挿したところ、
一瞬で火花が出てバチッという音とともにすぐに線が焼き切れました。
同じコード配線上にあった蛍光灯まで消えてまたつきました。

>231
直線状の導線なら交流に対しての抵抗は0に近いけれども、
コイル状に何度も巻くとそれはインダクタンスになり、交流に対し抵抗になる。

電池の両端を導線でつなぐとショートするけど、
抵抗(たとえば豆電球)をつないでもショートしたとは言わない。

自動制御系の制御偏差に関する次の記述のうち、誤っているのはどれか。
(１)制御偏差とは、目標値と制御量の差をいう。
(２)過度応答において、じゅうぶん時間が経過して制御偏差が一定値に落ち着いたとき
の値を定常偏差という。
(３)ステップ入力の場合の定常偏差を定常位置偏差又はオフセットという。
(４)ランプ入力の場合の定常偏差を定常速度偏差という。
(５)良い制御系では、定常偏差をなるべく小さくすることが望ましいが、そのためには、
一巡伝達関数のゲインをなるべく小さくする必要がある。

(５)が誤っていますが、解説してください。

>>231

誘導性リアクタンス　XL=2ΠfL を思い出せ。

自動制御系（OPアンプもそうですが）は系の出力と設定目標
値の差（誤差）をたえず観測し、その差をゼロに近づけるよう
に制御します。しかし実際にはゼロにはならず、差が残ると、
その差を偏差という、というわけです。偏差を少なくするため
には、誤差を強調するように増幅し、強力にフィードバックす
ればよい、これすなわち誤差増幅器やアクチュエーターのゲイン
を大きくとればよいというわけで、(5)は誤りです。しかし
実際にはこうすると発振しやすくなるので、ほどほどに。

>235

サンクス

変圧器の損失に関する次の記述のうち、誤っているのはどれか。
(１)銅損は、負荷の増加とともに急速に増大する。
(２)無負荷時の損失は、主として鉄損である。
(３)ヒステリス損は、負荷が増加してもほとんど変わらない。
(４)鉄心中の過電流損は、負荷が増大してもほとんど変らない。
(５)漂遊流損は、負荷が増加してもほとんど変わらない。

(５)が誤っていますが解説してください。

http://eneken.ieej.or.jp/data/pdf/467.pdf
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%A4%89%E5%9C%A7%E5%99%A8

>>237
(4) は過電流じゃなくて渦（うず）電流でしょう。

トランスというのは電圧に突っ張るしかけで、一次コイルに
電源をつないでも、磁力線を発生して突っ張るものだから、
電流もながれず、そのままになっています。そこにもう一つ
コイルを巻けば、一次コイルと同じ条件になるから、巻き数の
比に見合った電圧が発生します。形式的にはそれだけのこと。

問題は2次側に負荷をつないで、そちらに電流を流した場合です
が、一次コイルの磁束は仕事をしたくないものだから、なんとか
サボれないかと画策します。磁束は全体にはループになっていな
いといけません。普通なら２次コイルをも回るようなループを形成
するのですが、1次コイルと2次コイルのわずかな隙間に活路を
見出し、そこを通ろうとします。うまく通れれば、仕事なし！
（兵役拒否みたいなものです。）サボり成功。

磁束にこのような勝手な経路を通させないために、鉄心（磁束の
ガイド）を入れます。

しかし負荷をふやす（戦争が激化する）と勝手な経路を通る
磁束（脱走兵）が増えてきます。それが（５）の誤りです。

>>239
過×
渦○
です。

スマソ

ありがとう

>>239
その説明　神

>>241
はげどう

ＡＶＲで電圧と電流を調整できる機能がありますが、どうやって調整してるのです？
電圧はトランスの変圧比を調整すれば問題ないと思うけど、同時に電流を調整するのは
どうするんですか？もしかして、可変抵抗を調整するとか（それでは負荷の電圧が下がってしまうと思うし）？

243はAVRというものを何か誤解している予感

前者の電圧可変はトランスの変圧比でやってるわけではありません。
（考え方は間違ってませんが）
現実のＡＶＲの中身はもう少し複雑です。一種の制御回路になってます。
順を追って説明したいので、まず前提あわせとして、

現実的なＡＶＲはおいておいて、理想的な定電圧源と定電流源はどういうものかわかりますか？

>>244
>理想的な定電圧源と定電流源はどういうものかわかりますか？
調べてみましたが
定電圧→電源の内部抵抗が０
定電流→電源の内部抵抗が無限大
が理想的な状態なんですよね。しかし、この段階でトンチンカンになってます。
どうやって上記のことを実現するのか？どうやって希望した値に調節するのか？が
分からないです。。。

>>245
で、その意味はわかりますか。
定電圧源は電流が２倍になっても電圧が変わらないですね。

つまり電源につないだ負荷抵抗を可変したとき、

電圧の変化分/電流の変化分＝内部抵抗だから、

前者は内部抵抗０、後者は内部抵抗無限大になります。

実際のＡＶＲでは、定電圧をどうやって実現しているかですが、これはフィードバック制御でやってます。
説明を簡単にするために、一番単純なＡＶＲの基本回路で説明します。市販のＡＶＲはもっと複雑です。

出力には電源と直列にトランジスタのＣ−Ｅが入ってると思ってください。
定電圧の場合は電圧が上がれば電圧を下げるように、トランジスタのＢ−Ｅ間電圧を下げます。
電圧が下がれば電圧が上がるようにトランジスタのＢ−Ｅ間電圧を上げます。

で基準がないと電圧の調べようがありません。これはツェナーダイオードというものを使っています。
フィードバック制御の理屈そのものはエミッタフォロワーという回路の仕組みと同等のものです。

>>246
以下のところが良く分かりません。
>出力には電源と直列にトランジスタのＣ−Ｅが入ってると思ってください。
>定電圧の場合は電圧が上がれば電圧を下げるように、トランジスタのＢ−Ｅ間電圧を下げます。
電圧が下がれば電圧が上がるようにトランジスタのＢ−Ｅ間電圧を上げます。
トランジスタのＢ−Ｅ間にかかる電圧を上げたり下げたりすることでＣ−Ｅ間の電圧が変化するのですか？
それと、電流を調節するためには電源電圧の変化で行い、電源電圧の負荷に対する電圧はトランジスタで
調節するということですか？

>>246
ちょっと早まらないで。

定電流の説明はまだしてないです。
定電流もＡＶＲの場合は電流制限、といったほうがいいでしょう。
これもやっぱり一種のフィードバックでやってます。
(実際には電流制限のかかり方にはいくつかのパターンがあり、よくあるのはフの字特性というものです
ただし文脈上は定電流型だとおもうのでこれについて言及します）
ttp://www.cqpub.co.jp/term/overcurrentprotection.htm

回路に直列に小さな抵抗を入れれば電流に比例してわずかな電圧が発生します。
(電流系の分流器と同じです）
この電圧をやはりフィードバック制御にかけます。

あと、電圧と電流値が同時に設定できるＡＶＲの場合の動作ですが、
制限電流に達するまでは定電圧回路、
制限電流に達した後は定電流回路として動作することになります。
負荷抵抗と電流の関係を表すグラフ
負荷抵抗と電圧の関係を表すグラフを思い描いてください。

>>248
ありがとうございました。
頭がパンクしそうです。じっくりと考えてみます。
（もしかしてこの質問は私には早すぎたのかも）

センサの問題なんですが、まわりの誰に聞いてもわからないので
質問させてください。
フォトダイオードとオペアンプ（反転増幅器の基本型）の組み合わせ（フォトダイオード出力検出回路）で、
抵抗部分に抵抗ＲｆとキャパシタンスＣｆの並列回路をつないだ時の、
Ｖoutを求めなさい。（ただし、Ｉ＝Ｉsinwt）
Iが一定のときはできたのですが、振動したら混乱してしまって。
書き足りないことがあったらいってください。
よろしくお願いします。

まず題意も理解できないレベルなのがまるわかりだな。
授業出てたか？

それでは、お菓子を作るときの、
小麦粉と水の量を求めなさいといっているのに等しい。

必要な情報の殆どが欠落している。

すません。
受電端電圧３０００Ｖ、遅れ力率０．８の５２０ｋＷの負荷が接続されてる配電線に、
さらに同一力率で８０ｋＷの負荷を増加したい場合、受電端電圧および線路電流を
不変に保つには、最低何ｋＶAのコンデンサを並列に接続すればいいですかねぇ？

すいません、授業ほとんど理解してなくて・・・
やっぱり図が必要ですか？
申し訳ありませんが、書き足りないことがあったらいってください。
まじめに困っているので・・・

>>250
フォトダイオードの電流(I)は、抵抗(R)ないし抵抗とコンデンサの
並列素子(z = 1/(1/Rf + ωCf) )のインピーダンスと乗算されて、
電流に変換されます。要するに並列インピーダンスを求めておいて
掛け算すればよい(ただ、符号には注意)。

Vout = -　I sinωt /(1/Rf + ωCf) = -IRf sinωt / (ω Cf Rf + 1).

分母が Cf により新しくつけ加わった部分ですが、要するに
f = 1/2πCfRf 以上の周波数には反応しにくくなる、低域通過フィルター
の性質をもちます。

>>252
強電は素人ですが、コンデンサをそこに流れる電流 kVAで表示すれ
ばいいのなら、回路電圧 3000Vという条件は使いそうにないのですが。
変だなあ。コンデンサに流す無効電流は 200kVAになりました。違ってる？

>>243
AVRにも発電所の発電機用からはじまって、受電設備用、無停電電源用、
装置内の安定化電源用など、各種の方式や容量のものがあります。
質問者のいう AVRとは、何なんだろう？

>>254
電圧に変換されるのでは？

あと、これはお版プのいｎと、ＧんＤの間にＣＲが入ったと仮定
しているようですが、質問では、
抵抗とコンデンサーが回路のどこに入るのかが判らないですよ。

>>254
×　インピーダンスと乗算されて、電流に変換されます
○　インピーダンスと乗算されて、電圧に変換されます

変圧器について、周波数及び負荷抵抗が一定で電圧が低下した場合の記述として
正しいのは次のうちどれか。
(１)鉄損、銅損ともに変わらない。
(２)鉄損は変らないが、鉄損は電圧の２乗に比例して減少する。
(３)鉄損はほぼ電圧は比例して減少し、銅損は、電圧の２乗に比例して減少する。
(４)鉄損はほぼ電圧に比例して減少し、銅損は電圧に比例して減少する。
(５)鉄損はほぼ電圧の２乗に比例して減少し、銅損は電圧の２乗に比例して減少する。

(５)が正しいですが、解説してください。

>>259

P=I^2*R

鉄損の場合のIは渦電流
銅損の場合のIは巻き線に流れる電流
どちらも電圧に比例して減少

回答ありがとうございます。
情報が欠落していてすいません。
回路についてなんですが、オペアンプと並列に？抵抗とＣがあるもので。
フォトダイオードからたどっていくと、二手に分かれて一方はオペアンプの−に、
もう一方は抵抗とコンデンサーの並列回路につながる形なんです。
幼稚な説明なんですが、おしえてください。

>>257
電流と電圧を間違えたり、無効電力とすべきところに無効電流と
書いたり、今日はスランプです。びしびしご指摘ください。

質問者の回路は、フォトダイオードの定電流出力を電圧に変換
する、いわゆるIV変換回路ではないでしょうか。これは帰還抵抗
が一本だけで、コンデンサはそれに並列に入れているのだろう
と思います。

>>250 >>261 うわおー！まだ間違えてる。全文書き直します。

フォトダイオードの電流(I)は、抵抗(R)ないし抵抗とコンデンサの
並列素子(z = 1/(1/Rf + jωCf) )のインピーダンスと乗算されて、
電圧に変換されます。要するにRf と　Cfの並列インピーダンスを
求めておいて、ダイオード出力電流と掛け算すればよい(ただ、
符号には注意)。

Vout = -　I sinωt /(1/Rf + jωCf) = -IRf sinωt / (jω Cf Rf + 1).

分母が Cf により新しくつけ加わった部分ですが、要するに
f = 1/2πCfRf 以上の周波数には反応しにくくなる、
低域通過フィルター の性質をもちます。

ありがとうございます。
今、わかりやすい図を発見しました。
この左上の図のＲの部分にＣｆとＲｆを並列にしたもので、
Ｉ＝Ｉsinwtのとき、Ｖ0はいくつになるかという問題です。
ttp://www.nahitech.com/nahitafu/mame/mame3/iv.html
もしかしたら質問が伝わっていなかったかと思って・・・
しつこくてすいません

抵抗の使い方をそれぞれを一言で言うと
いくつ上げられます？

>>265
分圧用、電流計の分流器、ダミーﾛｰﾄﾞ、ベース電流制限抵抗、
帰還抵抗、アッテネータ...etc
っていうか実際のラジオとかに回路に使われている抵抗を
あげてゆけばすぐに５つや６つは上がるとおもうんだけどな。

ヒーターとかあり？

負荷が抵抗だけの交流回路で、電圧が一定のまま、電源の周波数を変化させると、
電流も電圧と同じように変化するんですよね？

e=v=Vm*sin(ωt)

i=v/R=(Vm/R)*sin(ωt)
だとおもうので。

>>268
はい、そうです。抵抗だけで作った回路を抵抗回路といいます。
コンデンサとコイルだけで作った回路をリアクタンス回路といい
ます。すべてを組み合わせた回路をインピーダンス回路といいま
す。

これらすべての特色として、回路にある周波数の正弦波を加え
た場合、各部の電流や電圧には定常状態ではその周波数の
正弦波以外は出てきません。ただ、正弦波の波の高さ
（絶対値）と位相が周波数につれて変化します。

特に抵抗回路では位相の変化はなく、絶対値が変わるだけです。
周波数による変化はありません。

先日はすません。あってました。
一導体の対地静電容量が０．４[マイクロＦ/km]の電力ケーブル２．５ｋｍが
接続されている６６００ｖ、５０Ｈｚ三相３線式配電線の一線地絡電流[A]はいくらですか？
ただし、上記以外の定数は無視。

>>270
テブナンの定理にて解く
地絡点からみた対地静電容量Ｃ[F]は
Ｃ=0.4*10^-6*2.5*3=3*10^-6[F]
ＣによるリアクタンスXcは
Xc=｛1/(2･π･ｆ・c)｝
　=~530[Ω]
よって、一線地絡電流(完全地絡時)Ｉsは
Is=(V/√3)/Xc
　=~7.18[A]

>>271の訂正
あっ、なんか計算間違いしてる。
Xc=｛1/(2･π･ｆ・c)｝
　=~1061[Ω]
Is==(V/√3)/Xc
　=~3.59[A]
だな。。多分

>>272
ありがとございますた。　理解できますた。

電気の掲示板だけあって複素数やらサインやらの計算がじゃんじゃん出てくるんだけど
実務でそういった計算を頻繁に使うことって極一部の設計屋ぐらいなんだよね。

>>274
スレタイが読めませんか？
それと確かにこの手の基礎は役に立つかもしれないし、役に立たないかもしれないし。
でも、やってないといざ必要なときに手が出ないのよ。（成績が特別良かったかどうかは余り関係ないな）
若い時は詰めれば詰めた分だけ無理なく詰め込む事が出来ますので、やれる事はやっておいたほうがいいでしょうね。

（知識を）捨てる事はいつでもできる。

問題　コレクタ遮断電流が生じる原因は大きく分けて2つの現象がからんでいる。
それは、どのようなげんしょうであるか？？
誰か説明してください。

ベース接地特性で、ベースーコレクタ間電圧を大きくしてもコレクタ電流は変化せずに特性は水平であること、ベースコレクタ間電圧が0でもコレクタ電流が流れること。
エミッタ電流を大きくするとコレクタ電流も増加すること。
等の理由を、トランジスタ内の電子の動きと関連付けて説明せよ。

トランジスタ（NPN型です。）をエミッタ接地で使用するときは、
ベース電流の変化を入力信号とするから、
ベース電流が小さいと電流増幅率βが大きくなって好ましい。
エミッタ・ベース間には順方向バイアスがかかっているのにベース電流は小さい、
つまりベース電極に流れる電流が小さい理由はなにか？
そして、ベース電流を小さくするにはどんな工夫をすればよいか説明してください。

導体内部では電解E=0になるらしいのですが、帯電体・誘電体の内部ではどうなっているのでしょうか？

帯電導体で+Qに帯電している場合の内部電荷等いまいちイメージできません。

どなたか教えていただけないでしょうか・・orz

GPIBの通信速度が遅い理由を述べよ。
この問いに対して以下の回答で良いですかね。
テキストデータとして送受信を行っているためであり
通常のバイナリデータとしての送受信と比較すれば遅くなる。なお、GPIBは
通信速度が遅いこと加え、相手側がテキストデータを展開するのに時間が掛かる
ため反応速度が遅いことが特徴である。

>>276
１個目
C-E間の浮遊容量のことか？npnTrエミ接地の場合、Trが通でCがB電位近辺に落ちる。
この時、C→B間に充電していた少量キャリアの放電が起こる。→B電圧低下。これミラー効果でしょ。
ミラー効果の量はC、Bの少量キャリアのドーピング量に大きくかかわってくる。
２個目
コレクタ遮断電流の定義どうり、C-E間に逆方向バイアスを加えたときに流れる電流だろう。
npnTrなら、Cの多数キャリアのドーピング量に関係してくるんじゃないかな。
あと、この値はトラブルシュートに使えて、この値が大きいときには、トランジスターは不良。

>>277
例えば
　　　　　　　　　Eo　　
　　　　　　　　　｜
Eiーーー　　　　ーーーーRーGND
　　　　＼|＿／
　　　　￣.｜
　　　　　.｜
　　　　　GND
でIe=Ic+Ib
Ie=Ic+(1/hFE)Ic=((1+hFE)/hFE)Ic
（1+hFE)/hFE≒1だから
「ベース接地特性で、ベースーコレクタ間電圧を大きくしてもコレクタ電流は変化せずに特性は水平であること」
が成り立ってるね。
図のpnpTrのE−B間は順方向バイアス掛かってるから図でC電位GNDでも流れ続けるね。
式から明らかにIe≒Icだね。Ieが増加すりゃ、Icも増える。
ついでに余談だけど電圧について見てみると
Eo=icR
ところで、hFE=Ic/Ib,hIE=Vbe/ib=Ei/ibだから
Eo=R・Ei・hFE/hIE
hFE/hIE＝数百倍だから電圧増幅はする。
コレクタ接地と逆だね。コレクタ接地は電流増幅するけど電圧増幅しない(出力電位はVeだからVb-Ve=0.7一定)。
インピーダンスに関しても
コレクタ接地：入力Z高、出力Z低。
ベース接地：入力Z低、出力Z高。
と逆になってる。

↑ちょいと足らないな。
＞Ie=((1+hFE)/hFE)Ic
＞（1+hFE)/hFE≒1だから
＞「ベース接地特性で、ベースーコレクタ間電圧を大きくしてもコレクタ電流は変化せずに特性は水平であること」
で、Ic=ｈFEIbでIbはVbe=Viで決まる。Ie=Icだからコレクタ電位IcRはVbeで決まる。別にB-C間電位は関係ない。

>>280
だめ。GPIBでバイナリも送るし。
ハードの動作を考えたら？
もともとマイコン以前の計測器やプリンタの接続用だし。
ところでHPHP-IB（High　Performance　HP-IB）というのがあって、
HPの初期ワークステーションのハードディスク(40MB級）の接続に使っていた。

コンピュータ通信プロトコルについて何ですが、以下のところで分からない個所がありご教示頂けませんか？

ハードウェア
　適用回線　電話回線やADSLってこと？
　通信方式　全二重か半二重かですよね。
　通信速度　19200bpsとかですよね。
　同期方式　調歩同期と非同期とかですよね。
　電気的条件　電圧やコネクタやケーブルですよね。RS-232C等のメジャーなものなら電圧や電流は決まってますよね。
ソフトウェア
　伝送コード　ASCIIコードとかですよね。
　データの構成　ストップビットが何ビットでデータが何ビットである、とかですよね。
　接続制御　？
　誤り制御　パリティチェックとCRCですよね。

>>285
題意がつかみにくい問題ですが、
ここで聞かれているのはおそらく、相手先に最初に繋げるための、
アドレスの扱いの取り決めみたいなもの。
ethernet address(macアドレス)はこれにあたる。
接続制御っていうのは電話交換機みたいにハードウエアでやる場合
もあるとおもうんだけど、電話番号自体はソフトウエアだからいい
のかな？
SCSI-IDはハードウエアかもしれないなあ。

もっと狭い意味で捕らえればＯＳＩモデルのうちのデータリンク層
のことを聞いているような気もしないでもないし。

>>280
GPIBはパラレルだからめっちゃ高速に出来ないため
遅い。
今速いインタフェースは軒並みシリアルになってます。
なぜシリアルが速いのか？パラレルでは複数のデータ
線のデータが確定するタイミングを調整する必要があり
速度が速くなればなるほど、それが困難になるから。
１BITをシリアルで垂れ流すほうが、調整いらずで速い訳。
詳しくは、「クロックスキュー」あたりのキーワードでぐぐって暮れ

　TMDS、LVDS等の高速シリアル信号は転送能力向上のためシリアル信号を
数本束にしているよ。　その部分を見れば実質パラレルなのですが。

>>288
んー、よく知りませんがそれっていわゆる空間多重じゃないですか？
パラレルとはイメージ違う気が……

　LVDS用の石のDSです。

ttp://www.thine.co.jp/products/LVDS/103_104/pdf/THC63LVD104.pdf

　単純にシリアル信号を束にしてるだけです。（ｗ

三相回路に用いる単相変圧器の次の結線のうち、一般に使用されないものはどれか
(１)△-△
(２)Ｙ-△
(３)Ｖ-Ｖ
(４)△-Ｙ
(５)Ｙ-Ｙ
答えは(5)ですが解説してください。

>>291
Ｙ−Ｙは高調波成分(第3調波及びその倍数調波)が外部(変圧器一次側)に流出するので一般に使用されない。

>>292に追加補足させてもらうと、
△は高調波電流が三角の中をぐるぐる回ってくれて線路上に出ないのだよ。
Ｙは逃げ場がない。Vは単相三線式で必要な結線。

>>287
GPIBにクロックスキューとか言うなよ。ぜんぜん知らないな。
クロックないし。

　三線式のハンドシェイクなんて今時知ってる方が少数派でしょ。（w

すいません。学校のレポート（電子回路）を解いているのですが、
はたしてこれであっているのか自信がありません。
お手数ですが、電子に詳しい方、当たっているか外れているか
だけでも確認していただけないでしょうか？

問題
http://micchy1982.hp.infoseek.co.jp/mondai.htm
私の解答
http://micchy1982.hp.infoseek.co.jp/kaitou1.htm
http://micchy1982.hp.infoseek.co.jp/kaitou2.htm

解答順番バラバラですいません。２、３番は現在せこせこと
解いております。

>>295
でも>>280はそれが宿題なんだから(w

一辺が１ｃｍの正三角形の頂点を垂直に貫く３本の長い平行導線のうち、１本に１００[A]、他の２本に２００[A]の電流をすべて同方向に流した。
（１）１００[A]の銅線１ｍあたりに働く力の大きさを求めよ。
（２）２００[A]の銅線１ｍあたりに働く力の大きさを求めよ。

明後日再試なんです。わかる方、計算方法を教えてください。
答えは（１）が０．３５（２）が１．３９です。

>>298
詳しい計算ははしょるが、
1本の電線に働く力は他の２線との間にそれぞれ働く力のベクトル合成だ。
他の２線それぞれから受ける力を求める公式は、教科書ひっくり返せよ。
ベクトル合成できなかったら、留年しろ。

>>296
はどうでしょう？

女性が「泥棒！」…無実？の６８歳男性“ショック死”

　三重県警四日市南署は、同県四日市市内のスーパーで、今月１７日に「泥棒」と叫び声を挙げた、
子連れの女性を捜している。「泥棒」呼ばわりされた男性（６８）は、買い物客に取り押さえられた後に
死亡したが、防犯ビデオの分析などから、何ら犯罪行為をしていない可能性が強いという。

詳しくは、
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20040221-00000303-yom-soci
(2004/2/21/11:17　読売新聞　)

■こういう糞女には、ちゃんと責任取らせないとだめです。
　被害者の男性は、犯罪者の汚名を着せられたまま亡くなったのですよ。その無念を想像してください。

三重県警察本部059-222-0110 四日市南警察署0593-55-0110

https://www.police.pref.mie.jp/SITE1PUB/servlet/enquete.EnqueteForm/5
三重県警ご意見BOX
http://www.npa.go.jp/goiken/index.htm
警察庁ご意見箱

お前たちさぁ4相PSKと8相PSKの違いってわかる？

４と８でしょ。

>>>303
それ以上に表現のしようが無いわな。
８００Ｈｚと１６００Ｈｚの違いわかると聞いているのとたいしてかわらないね。

三相結線された単相変圧器に対する内鉄形三相変圧器の長所と短所に関する次
の記述のうち、誤っているのはどれか。
(１)総重量が少ない
(２)効率が高い
(３)ブッシング数が少ない。
(４)Ｙ-Ｙ結線では大きな第三調波磁束が発生する。
(５)１相の巻線が故障すると、全体が使用できなくなる。

(４)が誤っているが解説してください。

Ｙ-Ｙ結線では大きな第三調波磁束が発生しないから。


って回答でいいのか？

対称波形なら奇数調波は発生するけど、第３調波だけじゃないでしょ。

マルチになってしまいますがお願いします。もの凄いスレでこっちに移動と言われたので来ました。
基本的に、学科が違ってしまい。問題がわからないです。
どうかご教授ください。

Ｑ１
商用電源（交流１００Ｖ）の電圧vを測定したら、時間t＝0および0.001秒のときに、v＝0および43.7vであった。
１）t=0.014秒における電圧を少数点以下１桁で表しなさい。
２）この電圧を２進数で表しなさい。ただし、２の表記は補数法による。
３）この電源にノイズが含まれている場合、1kHz以上のノイズを除去するためには、どのような方法が考えられるか。各々の処理手順を含めて説明しなさい。
Ｑ２
システムの特性H(k)を知るためには、インパルス信号δ(n)をあたえて、その出力信号ｈ(n)を観察すればよいことを具体的な例をあげて説明しなさい。
Ｑ３
データがX0=０ X1＝１　X2＝２であるとき、離散フーリエ変換よりフーリエ係数Xkをもとめなさい。
Ｑ４
次の関数の複素フーリエ係数をもとめ、振幅スペクトルおよび位相スペクトルを表示しなさい。
　　　　X(t)=3sin(Ω0t)+2cos(3Ω0t)+1

>>308
学科が違うのにこんな問題を解かなきゃならないなんて学生も大変です。

何卒お願いします。

帰還発振回路において、増幅回路の電圧利得が34dB。発振条件に必要な帰還率βはいくらか。ここで、ループ利得の位相角は0である。

答えは　β≧0.02　となるらしいのですがどうも答えがあいません。。

http://www.vector.co.jp/download/file/win95/game/ff317344.html

>>310
電圧利得34dBってのは40dB-6dB＝100倍÷0.5倍＝５０倍　だよね
ループが正帰還で減衰しないで成長する条件なら、
減衰×利得＞１だよね.　　＝１の時定常発振状態
よって　βが減衰（帰還率？）なら　β≧0.02　以上で良いのでは？

>>312 事故レス
×電圧利得34dBってのは40dB-6dB＝100倍÷0.5倍＝５０倍　だよね
○電圧利得34dBってのは40dB-6dB＝20dB+20dB-6dB＝10倍×10倍÷2倍＝５０倍　だよね

10Ωの抵抗と8Ωの誘導リアクタンスが直列に接続されたときの
インピーダンスは何Ωであるかを教えてください･･･。

人にアンプをどのように説明すればいいですか？

>>314
えさとしては「夫婦喧嘩」クラスだな。
犬も食わない。

>>314
直角をはさむ２辺の長さが 10 と 8 である直角三角形を考えて、
その斜辺の長さを求めるといいよ。

出力端子と内部に直流電源を含む回路について、
出力端に抵抗２００Ωを接続すると、端子間電圧は１２．４V、
２５０Ωを接続すると１３．０Vになった。
３００Ωを接続したとき出力端電圧を求めよ。

わかる方いたら、教えてください。

連立方程式だな。
V-(12.4/200)*R=12.4
V-(13/250)*R=13

で、
V*(300/(300+R))

━─━─━─━─━─━─━─━─━─━─━─━─━─━─

　･　速読
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４００円持って税込み８０円のセメント抵抗を２つ買いました。
さて、お釣りはいくらでしょう。

うんこ

>>321
答えは、40円だ！！！

もっと小銭持ってたら、0円だ。氏ね

>>321
釣れたのは３人（漏れも入れて）

これ以上釣られる香具師が出ると不正解になるから
この話はこれでおしまい....な。

>>319
ありがとうございました。いま再試の勉強中で・・・

パソコンと外部機器を繋ぐＲＳ−２３２Ｃの活線挿抜は絶対に大丈夫ですよね。
突入電流やノイズなんて心配ないですよね。間違っても機器が壊れることはないですよね？
さらにカレントループが使用されていたら何があっても問題ないですよね？

>>326
>間違っても機器が壊れることはない・・・
そこまでいうなら、まずいと答えておこうか。

┌─（コイル）─┬───┐
│　　L=2[H]　　│　 　　　│
〇e(t)　　　　　（抵抗）　　（コンデンサ）
│　　　　　　　R=2[Ω]　　C=1/3[F]
│　　　　　　　　 .│　 　　　│
└──────┴───┘

１、図の回路に対してＣの電化q(t)を変数とする回路方程式（２階の微分方程式）を導け
　
２、１の回路においてe(t)=10sin2t　[V]とする。このときフェーザの考えで、１の定常解を求めよ

この問題分かる方いたら教えてください　お願いします

>>327
なぜですか？やっぱりサージが発生するんですかね。

>>326
互いに同じコンセントからアースとってれば大丈夫。

それ以外は静電気が怖いよと一応言っておこうか。

>>328
回路方程式くらいたてれば？
それすらやらないのは怠慢。

被変調波の式が
e=15{1+0.7cos(2π3000)t+0.2cos(2π500)t}sin(2π10^6)t [V]
のとき、側帯波の振幅と周波数を求めよ。

分かる方お願いします。

>>331
それがわかりません

>>330
静電気の数１０００Ｖの高電圧であってもほんの数μｓ(もっと長いか？)程度の時間なら電子回路は壊れないような
気がするんですが。そんなにダイオードやトランジスタってもろかったでした？

単純に１ＭＨｚの搬送波に５００Ｈｚと３０００Ｈｚの変調をかけただけだね。
頭の中にはスペクトルが浮かぶけど、書くとけっこうマンドくさい。
ちなみに３０００Ｈｚと５００Ｈｚが互いに掛け算だともっとマンドくさくなる。

単純に和積の公式で逝ける
15{1+0.7cos(2π3000)t+0.2cos(2π500)t}sin(2π10^6)t =
15{ sin(2π10^6)t + 0.35sin(2π10^6-3000)t + 0.35sin(2π10^6+3000)t + 0.1sin(2π10^6-500)t +
0.1sin(2π10^6+500)t }

0.997MHz) 5.25
1.003MHz) 5.25
1.0005MHz) 1.5
0.9995MHz) 1.5

>>332

電源の電圧値は不変で、周波数のみが低下したときの三相誘導電動機
の特性を、周波数の低下しない前の特性と比較した次の記述のうち、
正しいのはどれか。

（１）最大トルク、始動電流とも変化しない。
（２）最大トルクは大きくなり、始動電流も増加する。
（３）最大トルクは大きくなるが、始動電流は減少する。
（４）最大トルクは小さいなり、始動電量も減少する。
（５）最大トルクは小さくなるが、始動電量は増加する。

（２）が正しいですが、なぜですか。

>>335-336
どうもありがとうございます。

>>337
おまいよく質問するなｗ

>>328
１、
L，Ｒ，Ｃの電流をそれぞれi(t)，ｉｒ(t)，ic(t)、Ｒ及びＣの両端電圧をv(t)とすると、
L・di(t)/dt+R・ir(t)=e(t)　・・・・�@
v(t)=R･ｉｒ(t)=q(t)/C　・・・・・�A
i(t)=ir(t)+ic(t)　・・・・・・�B
ic(t)=dq(t)/dt　・・・・・�C
ここから変数をq(t)のみに統一する。
式�Aより、ir=q(t)/(R･C)　・・・・�D
式�Bに式�C，�Dを代入し
i(t)=q(t)/(R･C)+dq(t)/dt　・・・�E
式�@に式�D，�Eを代入し、
L･d/dt｛q(t)/(R･C)+dq(t)/dt｝+R･q(t)/(R･C)=e(t)
L･d^2q(t)/dt^2+L/(R･C)･dq(t)/dt+q(t)/C=e(t)
あとは、L,C,Rに各数値を代入すると回路方程式ができる。

式�@を、L・di(t)/dt+q(t)/C=e(t)
としてもできる。というよりその方が簡単。。
その場合も、同様にi(t)を求め、�@に代入すればいい。

>>328
２、
e(t)=10sin2t　[V]より、角周波数ω=２，電圧実行値Ｅ=10/√2[V]
ＬのリアクタンスXL=ωL=2*2=4[Ω]
CのリアクタンスXc=1/(ωC)=1/(2*1/3)=3/2[Ω]
コンデンサ両端電圧Ｖ[V]は、電源電圧Eを基準にして、
V=1/(1/R-1/jXc)/｛jXL+1/(1/R-1/jXc)｝･Ｅ
　=｛-R･ｊXc/(R-ｊXc)｝/｛jXL-R･ｊXc/(R-ｊXc)｝・E
　=-jR・Xc/｛jXL･R+XL･Xc-ｊR･Xc｝･E
　=R・Xc/｛R(Xc-XL)+jXL・Xc｝・E
　=R/｛R-XL/Xc+ｊXL｝・E
　=2/｛2-4/(3/2)+ｊ4｝*10/√2
　=30/｛√2*(-5+ｊ6)｝
　=30/[√2*√｛(-5)^2+6^2｝](-5-j6)
　=-30/(√2*√61)(5+j6)
　=-30/√2*ε^(ｊφ)、、、ここでφ=arctan(6/5)
コンデンサの電荷のQ[C]は、
Q=C・V=1/3･V
　=-10/√2*ε^(ｊφ)
よってコンデンサの電荷Qの定常解qs(t)は
qs(t)=√2･Q･sin(ω･t+φ)
　　　=-10･sin(2t+φ)、、、ここでφ=arctan(6/5)

尚、Ｖの計算でここではXL,Xcに変換して計算したが、
jωL,1/(jωC)でそのまま計算しても同じ。

計算間違いしてたらｽﾏﾝ

>>337
周波数が低下すると、1次リアクタンスX1及び2次リアクタンスX2が小さくなり(ωLのωが小さくなるから)、
1次及び2次抵抗は変わらないので、合成インピーダンスも減少し、始動電流が大きくなる。

トルクについては、
トルクをτ[Nm]、出力P[kW]、回転角速度ω[rad/s]とすると、
Ｐ＝ω・τの関係がある。よってここからトルクτは、
τ=Ｐ/ω
周波数が低下するとωは低下し、またリアクタンス減少により二次電流が増加し
Ｐは増加するので、τも増加。よって最大トルクτも増加する。

>>340-341
ありがとうございます
よくわかりました
　=30/｛√2*(-5+ｊ6)｝
　=30/[√2*√｛(-5)^2+6^2｝](-5-j6)
ここの部分は
=30/{√2*61}(-5-j6)
になって最終的に
qs(t)=-10/√61　sin(2t+φ)
でいいですよね？
明日再試があるのでホント助かりました

>>343
おっと、ｽﾏﾝ間違えてた。
＞=30/[√2*√｛(-5)^2+6^2｝](-5-j6)
の分母の「√{(-5)^2・・・」の√はいらないな。
IEで書込み欄に直接書くと間違える。
＞ここの部分は
＞=30/{√2*61}(-5-j6)
＞になって最終的に
＞qs(t)=-10/√61　sin(2t+φ)
＞でいいですよね？
いいと思います。

>>342
どうもありがとうございます。

5[kc]の正弦波信号で100[Mc]の搬送波を周波数変調を行う場合、
最大周波数変移±75[kc]における変調指数および所要帯域幅を求めよ。

分かる方いたらお願いします。

>>単位が kc とか Mcとか、これは 40年前の問題表記だね。
変調指数 m = 75/5 = 15.
FMの伝送に必要な「所要帯域幅」は理論上は無限大だ。実用上、
再生時にどの程度のひずみを許容するかで帯域幅を制限するが、
質問者の教科書の立場が不明なので、答えられない。

ＲＣ微分回路においてｅ（ｔ）として振幅Ｅ0、幅Ｔの方形パルスを加えた場合の応答を考える。パルスのラプラス変換を求めなさい。 超初心者の質問ですが誰かよろしくお願いします。

>>346
べせーる関数勉強してね。

50Hzの信号を1000Hzの搬送波に乗せるとして、ＡＭの場合、変調後の周波数は１０００Ｈｚです？

>>350意味不明。
キャリアは1000Hz
950Hzと1050Hzに変調波が出ます。
ビート（干渉）ですね。

>>351
ＳＳＢ方式ならば、１０５０Ｈｚの変調波だけをオシレータで作り出したとして、受信側は復調して５０Ｈｚを取りだせますか？

>>348
かけざんとわりざんとぎゃくらぷらすへんかんだけでできるお。
０＜ｔ＜Ｔでｅ（ｔ）＝Ｅ０、Ｔ＜ｔでｅ（ｔ）＝０が
しょきじょおけん。
びぶんのらぷらすへんかんしらべてね。

>>352
横レス。
1000Hzのキャリアがある程度ないと無理。
1050Hzだけだと、基準になるキャリアがないため、どのような周波数も（発生できれば）発生する。
人間様の声がSSBで実用になるのは、人間様の耳が音声成分を判断できるため。

>>352
50Hz 固定なら乗せられますけど無意味っぽい、実験してみれば。

>>346
FM変調の場合、上で書かれている様に理論的には帯域巾は無限に広がる事に
なる訳ですが、実用上占有帯域巾（OBW=オキュペーション　バンド　ワイズ）
と言う値を規定し、普通は放射エネルギーの99%が占める周波数の帯域巾で規
定します（99.9％を使う場合もありますが）。
実際にはスペクトラムアナライザーでOBWモードにすると画面上の波形うを勝
手に演算してマーカーでその幅とOBW値を勝手に出してくれます。
Kcの単位を使われている問題なので、CPU内蔵のまともなスペアナなど無い時
代には、正弦波で変調の場合にはFMの帯域巾は下記の様に規定しておりました。
帯域巾＝２×［変調度（ｋC)＋変調周波数（Kc)]
よって問題の場合には　２×（７５＋５）＝１６０ｋHzと成ります。
この式での値はかなり９９％占有帯域巾と一致しています。
受信機のIF段のフィルターを設計する場合には、この式をもってIF帯域巾の
目安とします。
FM商業放送の場合：
モノラルなら　最大変調度＝75ｋc　最大変調周波数＝15kc　よって180ｋc
「それなら、モノラルには10.7MHzのセラフィルは帯域巾230kHzクラスの物を
使おう。」とか
　　　

>>352 下記の説明から考えて下さい。
1ｋHzの搬送波に５０HzA３
変調を掛けたスペクトラム。

　 　 　 　 ┃　　　　　　＊通常の振幅変調の場合は搬送波の
　 　 　 　 ┃　　　　　　　両側に変調周波数離れた両側波帯が発生。
　 　 　 　 ┃　　　　　　　デムパの周波数は搬送周波数で表す。
　 　 ┃　 ┃　 ┃　　　　出力は搬送波の出力で表す（無変調に同じ）。
　 　 ┃　 ┃　 ┃　　　　100%変調が掛っていれば、両側波帯分が加わり
　 　 ┃　 ┃　 ┃　　　　デムパ出力は1.5倍となる.
　 　 ┃　 ┃　 ┃
──┸─┸─┸─→ ｆ
　　950　 1K　 1.05K
---------------------------------------------
同SSB単側波帯(USB)
の場合のスペクトラム｡
　　　　　　　　　　　　　
　 　 　 　　i　　　　　　　＊SSBのデムパの周波数は本来の搬送波が有った
　 　 　 　　i ←−−−− 所の周波数（復調時のキャリア注入周波数）で表す｡
　 　 　 　　i　 　　　　　　　出力は側波の最大時の出力で表す（無変調なら
　 　　i　.　.i　 . ┃←−− 理想的には 0 W）
　 　　i　.　.i　 . ┃
　 　　i　.　.i　 . ┃ 　　　　単一連続 tone での変調を受けたSSB波は外目には
　 　　i　.　.i　 . ┃　　　　 無変調キャリア（この場合1050ｋHz）と何等変り無し。
──┸─┸─┸─→ ｆ
　　950　 1K　 1.05K

>>103
Σ(ﾟдﾟ)ｵｲｵｲ･･･清成忠雄の大学のY教授にチクルぞ(#ﾟДﾟ)ｺﾞﾙｧ!!
その紙知ってるぞ。試験の成績が悪かった香具師に救済で配られたやつだろ。
お互いに進級できたら来年も同じ学年だからヨロシクな。
もうこのスレ見てないだろうがな。

周波数1KHｚの下記正弦波電流波形の平均電流を計測したい場合に1次ローパス
フィルタを使用するとします。フィルタのカットオフ周波数はいくつに設定し
ますか？
また計測器のサンプリング周期はいくつに設定しますか？

[A]l_ _ _ _
7l l ／ ＼ ／ ＼ ／ ＼ ／
l l l l l l l l l
5l l l l l l l l l
l ＼_／ ＼_／ ＼_／ ＼_／
3l
l
l_______________________________

どうかお願いします・・・

図がずれまくってますね　出直します

図ができました；　　 .は空白です。　

[A]l_..............._....................._...................._.............
....7l.l..........／.＼..........／.＼..........／.＼..........／
.......l.l..........l..........l..........l..........l........l..........l..........l.
....5l..l..........l..........l..........l..........l........l..........l..........l.
.......l..＼_／.........＼_／.........＼_／.........＼_／.
....3l...............................
.......l...............................
.......l_______________________________

三相交流回路の問題でつ。
負荷の力率を求める問題で
とりあえず二通りの解き方で解いてみたんですけど
どちらが正しいでしょうか。

解法１　http://www.geocities.co.jp/SiliconValley-SantaClara/1819/kairo1.bmp
解法２ http://www.geocities.co.jp/SiliconValley-SantaClara/1819/kairo2.bmp

両方とも正しいような気がするんですけども、、、う〜ん

すみません
ＢＭＰ→ＪＰＧに変更します。

解法１　http://www.geocities.co.jp/SiliconValley-SantaClara/1819/kairo1.jpg
解法２　http://www.geocities.co.jp/SiliconValley-SantaClara/1819/kairo2.jpg
　

>>362
これ、教科書に例題が載っているようなレベルではないか？

>>362
解法１があってる。
解法２はインピーダンスの実数部・虚数部を計算する際、
共役複素数を分子分母にかけたあとの分母の√がいらない。

>>365
あっ！簡単な計算ミスだったのか・・・　（鬱
どうもありがとうございます！

シリアルコミュニケーションボードってＲＳ−２３２ＣとかのＩ/Ｆ基板のこと？シリアル伝送された情報をいったんバッファしてＣＰＵが取り出したいときに取り出せるようにするための基板のこと？

内部抵抗ってなんぞ？
豆電球を電池に繋いだ場合、電池の内部抵抗と豆電球の抵抗が等しい時に電力は最大となる。この電池の内部抵抗って何？どうやって測定するの？
ついでに、オシレータをオシロスコープで観察したとき、オシレータの内部抵抗と測定線とオシロスコープを合わせた抵抗が等しいときに最大の波形が得られるの？このとき、オシレータの内部抵抗はどこの抵抗を指すの？

>>368
電池の内部抵抗(r)は、無負荷時の電圧（E0)と、ある抵抗値（R)
を接続したときの電圧(E)を測定するとr=E×(E0-E)÷R で求まる。
詳しくは教科書かググって調べてみましょう。
抵抗が等しいとき最大になるのは、負荷（豆電球）で発生した
電力。豆電球を2個、3個と並列接続で増やしていくと1個あたり
の明るさは暗くなる（電球の掛かる電圧が低くなる）が個数の分
トータルの電力は増えていく。が、沢山増やしすぎて電圧が無負荷
時の電圧の1/2を割るとトータルの電力は減っていく。
オシロで観測するオシレータの波形は、オシレータからの信号の
電圧の大きさ（の時間的変化）を表す。（電力でないことに注意）
オシロの入力抵抗が高いほどオシレータの信号がそのまま観測できる
ので波形の振幅は大きくなる。オシレータの内部抵抗は、オシレータの
内部にある。（スペックの出力インピーダンスで示される）

>>369
>オシロの入力抵抗が高いほどオシレータの信号がそのまま観測できる
ので波形の振幅は大きくなる。オシレータの内部抵抗は、オシレータの
内部にある。（スペックの出力インピーダンスで示される）

むずいっす。入力抵抗が高いほどオシレータの信号のレベルが下がらないのでっか？
オシレータの出力インピーダンスとはどこを指すのでっか？

>>370

>>319の式は理解できるか？
Rが信号源の出力インピーダンスに相当する。
負荷抵抗の200や250がオシロの入力抵抗に
相当する。がんがれ。

>>371
２００や２５０はオシロの入力端子間の抵抗で、Ｒは直流電源の内部抵抗を含めた出力端子間の抵抗で良いの？
だとすると、オシロの出力端子と測定線の接触個所に抵抗を入れた場合、この抵抗は入力インピーダンスか出力インピーダンスのどっちに入れても良いの？

>>372
最初の質問については、そのとおり。
次のは、オシレータの側から見れば、負荷抵抗に見える。
オシロの側から見れば、信号源の出力インピに見える。
どちらになるかは、見方（考え方）によって変わる。

質問れす。
変圧器の分野で出てくる電圧変動率、効率のあたり
の話しれす。（電験３種の機械の勉強してまつ）

電圧変動率のところなんですが、変圧器の運転を「定格時」と「無負荷時」
に分けて議論するところで次のように考えまつた。
http://www.geocities.co.jp/SiliconValley-SantaClara/1819/kikai_01.jpg
http://www.geocities.co.jp/SiliconValley-SantaClara/1819/kikai_02.jpg
http://www.geocities.co.jp/SiliconValley-SantaClara/1819/kikai_03.jpg
http://www.geocities.co.jp/SiliconValley-SantaClara/1819/kikai_04.jpg
たぶんここまでの考え方は合っていると思うのれす。

でも変圧器の効率のところで、新たに「1/n負荷」とか出てきて
わからないなりに考えてみたところ次のようになりまつた。
http://www.geocities.co.jp/SiliconValley-SantaClara/1819/kikai_05.jpg
このページのところがうまく理解できないれす。

1/ｎ負荷時、電流は1/n倍になるのは間違いないと思う。
抵抗がｎ倍されるかどうかはあやしいような、、、
（２次側の端子電圧 V_2n が大きくならないといけないと思うし）

どう考えたら良いでしょうか。よろしくおながいします。

>>367
バッファが一杯になって受信側のＣＰＵの処理が追いつかなくなるとデータを取り損ねてしまう。バッファの容量はＨＤやＭＯだと数ＭＢ程度。

>>374
なぜ負荷が１／ｎになった場合のは変圧器の内部インピーダンスによる電圧降下を考慮してないの？

パソコンについているＲＳ−２３２Ｃのポートは何故にＣＯＭポートというのでしょうか？どこが共有（ＣＯＭ）なの？

下の問題なんですが、
ttp://61.194.9.54/u/sample1/0_8277
どのように解けばいいのでしょうか？
テブナンの定理を用いるような気がするのですがどなたか
計算過程を教えてください!!

>>377
COMmunication

>>379
がーん。そういうことでしたか。さんくす。

>>380
ＣＯＭポートの役割はＦＩＦＯメモリでのデータバッファですよね。確認のため。

>>378
テブナンの定理まで判っているのに・・・ry

教科書見れば直ぐ解けるのに。。。
教科書ないならググれよ。
これを人に聞くようじゃ冗談抜きでおしまいだ。

ヒント：テブナンの定理＋キルヒホッフの法則

>>382
両方の抵抗求めてからキルヒホッフですか?
電流が0.6666....
となったのですがダメ？

>>383
当ったりー！

>>381
ポートの役割は通信すること。通信するのにバッファが無ければ
処理の遅いほうにあわせてやらないとデータを取りこぼしてしまう。
そうなると速い方は、かなり迷惑。

>>384
ﾔﾀｰ!!なんとなく分かるんですけど、問題数を全然こなしてなくて
自分の答えに自信がもてないんですよね..解答がないと

>>383
それは問題が悪すぎ。オームの法則だけで終わってしまう。
a-b間は50Vと(50/2.5)オームの直列、a'-b'間は30Vと(30/3)
オームの直列。電流は(50-30)/((50/2.5)+(30/3))で、0.66..

>>385
>ポートの役割は通信すること。
つまりは、ポートとはＣＰＵに対して中継用のトランジスタのこと？

>>388
ポート＝port＝港
データという名前の船が出入りする。

CPU　->　ノース・ブリッジ -> サウス・ブリッジ
-> スーパーIO -> ドライバ／レシーバ

ex.
ドライバ　：　SN75188
レシーバ　：　SN75189
ドライバ／レシーバ　：　MAX232

>>389
スーパーＩＯはデータが送信するものか受信するものかを判別しＣＰＵ側（サウスチップ）に渡すかドライバへ渡すかを行う（つまりタイミング調整をおこなう）。
ドライバは相手側に送る際に導線に加える電圧や電流を調整する。レシーバは導線から伝わった電圧や電流をＴＴＬに直す。
でしょうか？

>>390
最終的に何を知りたいのかわからんが、タイミング調整がスーパーIOの
バッファのことを言っているのならそのとおり。ただし送受信の判別は
しない。ポートの信号線が送信と受信で分かれている事からわかるはず。

ドライバとレシーバがレベルの変換をしているというのも、そのとおり。
232は電流では無く、電圧伝送。規格を読むか、ドライバ、レシーバの
データシートからわかるはず。

あとは、復旧したPC板で聞くのが吉とおもわれ。

>>391
Ｓ−２３２Ｃやイーサ、ＵＳＢの伝送方法（プロトコルのようなソフト的なものを含め）や３９１のようなことを学ぶための教材（本）があったらご教示ください。
（これからＰＣ関連はＰＣ板で聞くようにします。）

>>392
232とイーサネットについては、専門書を扱う本屋に、
いっぱいあるはず。読んだことは無いが（ｗ
USBについては、"USB complete"の邦訳がアキバの
LaOXにあった。買っては来たが、まだ読んでいない。
あとは”USBハード&ソフト開発のすべて”CQ出版社。

>>393
ＵＳＢやＲＳ−２３２Ｃのどれか一つを絞った専門書ではなく、全てを浅く広く網羅したような本があれば良いのですが。（ないですか）

>>394
浅い知識ではハードは組めないし、ソフトも書けないと思われ。
何をしたいのかわからんが、自分で探してみたのか？

>>395
探しました。何がやりたいかというと勉強です。

どんな勉強をしたいのか良くわからないけど、規格から頭に入れたいのなら
こんなんはどうだろ。

http://www.cqpub.co.jp/hanbai/books/32/32551.htm
http://www.cqpub.co.jp/hanbai/books/32/32641.htm

極板の面積Ｓ、間隔ｄ、電気容量Ｃの平板コンデンサに、
ｖ（ｔ）＝V0ｓｉｎωｔの交流電圧を加えた。
極板間に生じる電束電流の密度を求めよ。

私にはよく解りません。どなたか解りますか？

Waveletについて質問です。
信号処理のテストでＷａｖｅｌｅｔ基底を何個か試して
いるところです。正規直交条件を満たさないと逆変換
出来ないそうですが、ガボールやメキシカンハットも
そうなのでしょうか？

あと、基本的なことですが、畳込みとの違いはなんで
しょうか？数式を見ると、Ｗａｖｅｌｅｔも畳み込みの
ようにみえます。

基本的な質問で恐縮なんですが、ある2端子対回路（トランジスタ基本増幅回路など）を考えたとき、
入力インピーダンスがZ１、出力インピーダンスがZ２ならば、下の回路と等価と考えてよろしいのですか？
ABは入力、CDは出力側です。
　　　　　　　　　　
　A○ーー●ーーーーー●ーー○C
　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　
　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　
　　　　　 　　＞　　　　　　 ＞　　　　 　 　
　　　　　 Z１＞　　　　　Z2＞　　　　　
　　　　　　　＞　　　　　　　＞　　　　　　
　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　
　　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　
　B○ーー●ーーーーー●ーー○D

http://www.domo2.net/bbs/image/1055242478.jpg
この画像の感想をメールで送ってね
メアドは[email protected]
[email protected]

仮想の回路をUP１ボードで実行するとき、処理時間をどんな測定方法で計測するのか
というものです。
お願いします。

問１６三相誘導電動機の2次抵抗を増加したとき特性に関する次の記述のうち
　　　正しいのはどれか。

（１）最大トルクが減少し、始動トルクが増加する。
（２）最大トルクが減少し、全負荷時の速度が減少する。
（３）始動電流が増加し、全負荷時の速度が減少する。
（４）始動電流が増加し、始動トルクが増加する。
（５）全負荷時の速度が減少し、始動トルクが増加する。

（５）が正しいですが、なぜですか。

まだこんなので喜んでいる香具師が居るとは。↑
蓮です。

↑401です、スマソ

>>400
いいや、こうなる。

A○ーー●　　　　　　　　●ーー○C
　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　
　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　
　　　　 　　＞　　　　　　 ＞　　　　 　 　
　　　　 Z１＞　　　　　Z2＞　　　　　
　　　　　　＞　　　　　　　＞　　　　　　
　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　
　　　　　　｜　　　　　　　｜　　　　　　
B○ーー●ーーーーー●ーー○D

ただし、
>トランジスタ基本増幅回路など
なのだからZ2には当然入力電圧や電流の関数による電流源（もしくは電圧源）がぶら下がることになる。
ただしこれは等価回路として本当に原理的なことしか表していない。
このままではまったく実用にはならん。

質問なのですが、hFEが100のトランジスタがあるとして、
IEに10mA流れたとすると、　ICは9.9mA流れて、IBは0.1mAであっているでしょうか？

大学の友人からの質問で、どなたか教えていただけますか？
「電流量と音量と音質について、
アンプには音量を調節するつまみがありますが、
音を大きくするということは、
電流を多く流しているということで良いのですか？
また抵抗値の大きいスピーカーを入れると
電流は流れにくくなりますが、
音量をあげれば音はでるわけですよね？
でも音質は悪くなるということでしょうか？」

>>407
いいえ

>>408

　あまり素朴過ぎてなかなか答えづらい質問ですので、
　たとえ話で。
　以下のような質問と同じようなことだと思って下さい。

> 音を大きくするということは、
> 電流を多く流しているということで良いのですか？

　絵（水彩画）を描く紙を大きくするということは絵の具をそれだけ
　たくさん使うと言うことで良いのですか。

> また抵抗値の大きいスピーカーを入れると
> 電流は流れにくくなりますが、
> 音量をあげれば音はでるわけですよね？
> でも音質は悪くなるということでしょうか？」

　絵の具の染みこみにくい紙を使うと、絵の具の消費量は少なくなり
　ますが、濃く塗れば色はつくわけですよね。
　でも絵は下手くそになるということでしょうか。

　つまり前者の質問は、Ｙｅｓ、後者はそうとも言えない。
　で、両方の質問とも、質問自体があまり意味のあるものと思えま
　せん。

>410
すみません、わかりづらくて。
確かにおっしゃる通り、
何を聞きたいのが曖昧すぎてますね。
申し訳ありませんでした。
丁寧に教えていただきありがとうございました。

初心者スレより誘導されました
課題で詰まってしまったのですが

(-)Vs(+) 4Ω抵抗　(+)2Ｆ(-)キャパシター（Vc）
（Vs-R-C-と繋いでVs(-)に戻る）の回路上で

time=0の時 Vc=5V
Vs(t)=-5e^(-t/8)
で、キャパシターの電圧をtで表せ(Vc(t)=?)との問いなんですが
コレを解こうとすると
微分方程式
(d/dt)Vc+Vc/RC=(5e^(-t/8))/RC　RC=(2*4)=8
　　　Vc=Vn+Vf, として、Vn=Ae^(-t/RC) Ａは定数、又Vfは式＝Be^-t/8、Ｂは定数で表し
　　　　　　　　　　　(d/dt)Vf+Vf/RC=(Vs(t)/RC)
Ｂを求めるために↑の微分方程式に代入すると
-B+B=5となってしまい、B自体求める事が出来ません。
Vcをtで表すにはどうすれば良いのでしょうか？

的はずれかもしれませんが、
Vc = Vs-(I*R)で、I=Qtで 出ませんかね。
無理かな。よくわかりません。

ここは答える人がいなくなったのですか？

１辺aの正方形の単純コイルに電流Iを流す時、コイル面内の磁束密度を求めよ。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（空間は真空）
が、問いなんですが、
正方形の中心を原点として座標軸を取り、ビオサバールの公式を使うと思うのですが
それ以降の公式への代入のあたりがわかりません。
わかる方、お願いします。

伝送線路を終端開放しパルス信号をでんそうしたときの送端、
終端の波形。
伝送線路を終端短絡した時の送端、終端の波形を教えて下さい！

>>414
現役過ぎてウン十年だから期待するなよ。
ヒントになるだろうけど、正解かどうかはわからん。
お前さんの式が正しいかどうかも判断がつかんw

積分を表す正式な方法知らないから、例えばiを0からtまで定積分するというのを
∫[0→ｔ]idtと書く。
誰か正式な書き方を知っていたら訂正よろしく。

電流i=is+itを定義して、（定常解is、過渡解it=Ae^(-mt))

Vｓ=Ri+(1/c)∫[0→t]idt+Vc(0)
Vc(t)=(1/c)∫[0→t]idt+Vc(0)
Vs=-5e^(-t/8)
Vc(0)=5

を解けば出るやも知れん。（多分出るはずw）

>>415
ビオサバールの法則のθでは使いにくい。ヒントだけ・・・・
ttp://upld.komugi.net/img/up212.jpg
ここからどう解くかは忘れたw

どっかいいうpロダ教えてくれればあげ直すよ。ここは短い。

どなたかこの問題に詳しい解説してください。
>>403

伝送線論の問題です。
半径rの電線2本が距離D離て設置されている場合、単位長さ辺りのLとCとZが
L=u0/4pi+u0/4pi ln (d/r)
C=pi*e0/ln(d/r)
Z=sqrt(L/C)
で与えられています。これから、特性インピーダンス
Z=120cosh^1(d/2r)
を導出したいのですが、どうやったらいいのでしょう。

特に、sqrtの中にlnが入っている式から、
どうすればcosh^1の式になるのかが分かりません。

この部分の公式が記載されているホームページでもいいので、
教えてください。
ひょっとしてマクローリン展開でも使うのでしょうか。

間隔ｄ、面積Sの平行版空気コンデンサーの中へ
厚さｔで電極版と同一の面積をもつ比誘電率εｒの誘電体板を挿入したときの
静電容量Cを求める問題がわかりません。教えてください。

いったんターンオンした後のサイリスタの電流電圧特性はダイオード一個と同じような特性曲線になる・・・とある人にきたんですが、このことの理由わかる方いますか？
どなたか教えてください。

421さんへ
確か、誘電体を入れた方と入れていない方を、それぞれ分けて、並列接続されたコンデンサとして計算すればOKと思います。

421さんへ。
早とちりでした。
両端の電極板上の電荷密度を＋/-σとすれば、極板導体面での電束密度D=σとなりますが、電荷のない誘電体の境界では電束密度の法線成分は不変なので、電束密度は同じようにDとなります。
空気部分と誘電体部分の電解をE0、E1とすれば、
σ = D = ε0εrE1 = ε0E0
よって、
E0 = σ/ε0, E1 = σ/ε0εr
よって、電位差Vは
V = E0(d - t) + E1t = σ(d - t)/ε0 + σt/ε0εr
容量Cは
C = σS/V = S/((d - t)/ε0 + t/ε0εr)

>>424
回答ありがとうございます。理解しました。

>>422

　Ａ　　　 ○
　(ｱﾉｰﾄﾞ)│
　　　　┌┴┐
　　　　│,P,│
　　　　├─┤
　　　　│.N.│
　　　　├─┤
Ｇ○─┤.P.│
(ｹﾞｰﾄ).├─┤
　　　　│.N,│
　　　　└┬┘
　　　　　 │
　Ｋ　　　 ○
　(ｶｿｰﾄﾞ)

上記はサイリスタのＰＮＰＮ構造のモデル図ですが、
これは、以下のＱ１とＱ２からなる回路であらわせます。

　 Ａ○
　　 │
.　　　＼､|　Ｑ２
　　.　　~ |─┐
　 　 　／|　 │
　 　 │ 　 　│　　　
　 　 │ 　|／
○─●─|　　Ｑ１
Ｇ...　　 　 |＼､
　 　　　　 　 ~|
　　　　　　 Ｋ○

Ｇ（ｹﾞｰﾄ）からＫ（ｶｿｰﾄﾞ）へ電流が流れると、Ｑ１がオンし、
Ｑ１がオンするとＱ２にベース電流が流れ、Ｑ２がオンする。
Ｑ２がオンすると、Ｇから電流を流さなくてもＱ１にベース電流
が供給され、Ｑ１・Ｑ２とも飽和状態となりＡ（ｱﾉｰﾄﾞ）からＫ
へ電流が流れ続ける。
　これがサイリスタのターンオン状態ですが、この時のＡから
Ｋへの電流の経路は、
・Ｑ２のエミッタ - コレクタ（飽和Tr） → Ｑ１のベース - エミッタ（ﾀﾞｲｵｰﾄﾞ）
・Ｑ２のエミッタ - ベース（ﾀﾞｲｵｰﾄﾞ） → Ｑ１のコレクタ - エミッタ（飽和Tr）
の２とおりである為、ダイオードと同じような電流電圧特性を持っている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ~~~~~
と、自分は理解していますが。。。

はしご型回路、格子状回路の解き方がわかりません。
線対称、点対称といった解き方でいいのでしょうか？

>>421
もう見てねーだろうが、コンデンサーを直列につないであると見たのと等価だ。

図の回路において6オームの抵抗に流れる電流Ｉ[A]は、
いくらになるか正しい値を次から選べ。
ただし電圧源Ｅ＝42Ｖ　電流源Ｊ＝14Ａとする。

────１２Ω──────
　　　　　　 │　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
│　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
　　　　　　 │　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
　　　─────５Ω──Ｊ───────
　　│　　　│　　　　　　　　　　　　│　　　　　│
　　｜　　　│　　　　　　　　　　　　│
　６Ω　　３Ω　　　　　　　　　　Ｅ──　　　　７Ω
　　│　　　│　　　　　　　　　　　　─　　　　　│
　　│　　　│　　　　　　　　　　　　│　　　　　│
　　────────────│────

模範解答では重ね合わせの定理で解いてますが、電圧源のみのときの電流Ｉ’は
電流源回路を開放して考えた場合
I’={42/12+(3×6)/3+6}×3/3+6＝1Ａ

電流源のみのときの電流Ｉ’’は
電圧源回路を短絡して考えた場合
Ｉ’’＝14×｛（1/6）/（1/6）＋（1/3）＋（1/12）｝＝4Ａ

と答えになってますが、Ｉ’を計算する際に、7Ω分入れなくて良いのと、
I''を計算する際に、12Ω分を入れなくて良い理由がわかりません。
なぜでしょうか？

図の回路において6オームの抵抗に流れる電流Ｉ[A]は、
いくらになるか正しい値を次から選べ。
ただし電圧源Ｅ＝42Ｖ　電流源Ｊ＝14Ａとする。


────１２Ω──────　　　　　
　　　　　　 │　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
│　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
　　　　　　 │　　　　　　　　　　　　　　　　　　│
　　　─────５Ω──Ｊ───────
　　│　　　│　　　　　　　　　　　　│　　　　　│
　　｜　　　│　　　　　　　　　　　　│
　６Ω　　３Ω　　　　　　　　　　Ｅ──　　　　７Ω
　　│　　　│　　　　　　　　　　　　─　　　　　│
　　│　　　│　　　　　　　　　　　　│　　　　　│
　　────────────│────


ずれました。

a────────────────
│
│
────
│　　　　│
── │　　　　│ ──
│　　　Ｒ1 R2　　　│
│　 │　　　　│　　 │
　　　　　　　　　　　　　　　　 R3　　 │　　　　│ R4
│ R5 R6　　│
│ │　　　│　　 │
　　　　　　　　　　　　　　　　　│　　　　│　　　│　　 │
　　　　　　　　　　　　　　　　　│　　　　　─── │
　　　　　　　　　　　　　　　　　│　　　　　　│　　　　　│
　　　　　　　　　　　　　　　　　│　　　　　　R7　　　　 │
─────────
│
b────────────────


ab間の合成抵抗を教えてください。

ずれまくりですね。すいません。どうやったら、ずれないでかけるのでしょうか？

７Ωの抵抗と２４Ωの誘導リアクタンスを直列にして、これに25Ωの
抵抗Ｒ１を並列に接続した回路がある。この回路の力率は？

>>433
力率=cosφ=実効電力/皮相電力
皮相電力はすぐ出るわな。
実効電力：7Ωと25Ωで消費される電力の合計。
これで十分なヒントだと思うが、どうだ？

>>432
全部全角で書くだけでもずれは少なくなるぞ世。

>>432
http://science2.2ch.net/test/read.cgi/denki/1072100443/l50

>>432
Ascii Art Editorなんか使っては如何でしょう？
【ダウンロード】 http://aaesp.at.infoseek.co.jp/

>>434

スマソ。分かりません。まじで

図の回路において6オームの抵抗に流れる電流Ｉ[A]は、
いくらになるか正しい値を次から選べ。
ただし電圧源Ｅ＝42Ｖ　電流源Ｊ＝14Ａとする。

　　　　　　　　　──12Ω──
　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　───────5Ω─Ｊ─────
│　　　　　　　│　　　　　　　│　　　　　│
│　　　　　　　│　　　　　　　│　　　　　│
6Ω　　　　　　3Ω　　　　　　　Ｖ　　　　　7Ω
│　　　　　　　│　　　　　　　│　　　　　│
│　　　　　　　│　　　　　　　│　　　　　│
　───────────────

模範解答では重ね合わせの定理で解いてますが、電圧源のみのときの電流Ｉ’は
電流源回路を開放して考えた場合
I’={42/12+(3×6)/3+6}×3/3+6＝1Ａ

電流源のみのときの電流Ｉ’’は
電圧源回路を短絡して考えた場合
Ｉ’’＝14×｛（1/6）/（1/6）＋（1/3）＋（1/12）｝＝4Ａ

と答えになってますが、Ｉ’を計算する際に、7Ω分入れなくて良いのと、
I''を計算する際に、12Ω分を入れなくて良い理由がわかりません。
なぜでしょうか？

>>437さんツールサンクスばっちり書けました。

>>439
実際に回路を書き直してみれば理由が一発で分かると思うが・・・
特に7オームの方はすぐ分かる。
これが分からないようでは・・・・ry

　　　　　　　　　──12Ω──
　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　　　　　　　│　　　　　　　　│
　　　　　　　　　　　　　　　　　　────
　 　　　　　　　│　　　　　　　│　　　　　│
　　　　　　　│　　　　　　　│　　　　　│
　　　　　　2Ω　　　　　　　Ｖ　　　　　7Ω
　　　　　　　│　　　　　　　│　　　　　│
　　　　　　　│　　　　　　　│　　　　　│
　 ──────────

電流源回路をかいほうしたら、こんな回路になると思うんですが？？？
違うんでしょうか？？

>>439

電流源開放のＩ’は、電圧源に並列に7Ωが入るでしょ。
7Ωにも電流は流れるけど、「電圧源」には「電流の制限」
は全くないから、6Ωの抵抗電流値「だけ」を
求めるには不必要でしょ。（全体の回路計算のときには必要）

電流源のみの場合、電圧源を短絡すると
12ΩはI''の計算のために必ず必要となります。

たぶん5Ωがなくて良い理由をききたいのだと思います。

で、等価回路に書き直すと、電流源に直列に5Ωが入って、
残りの直列要素が3つの抵抗の並列になりますね。

でも、電流源は決まった電流を流す約束なので、キルヒホッフの法則により
電流は5Ωを入れても入れなくても、減ったり増えたりしないですね。
つまり、6Ωに流れる電流値には無関係となりますので、３，６，１２Ω
それぞれの電流値だけを比で求めてやればいい訳です。

等価回路はこんなんじゃない

┌───┬──12Ω───┬──┐
│ 　 　 　│ 　 　 　 　 　 　 　│　 　 │
6Ω　　　　3Ω 　 　 　 　 　 　 V　 　　7Ω　←無関係でしょ。
│ 　 　 　│ 　 　 　 　 　 　 　│　 　 │
└───┴───────┴──┘

　　　　　　電流源開放の場合

┌─┬──┬5Ω─（←）──┐
│ 　│　 　 │ 　 　 　 　 　 　 │
6Ω　12Ω　3Ω 　 　 　 　 　 　│
│ 　│ 　 　│ 　 　 　 　 　 　 │
└─┴──┴──────┘

　　　　　　電流源開放の場合

>>443,444
おおっ！！納得しました。
ありがとうございます。
地道にこれからも勉強がんばります。

>>438
さて、アルコールが入っているから正解かどうか分からんし、
もっとスマートに解けるかも知れんが、学校出てからウン十年・・・w
R1=Ra=25
Zb=7+j24
電圧源U

全体の合成インピーダンスZ
Z=（Ra//Zb)=(RaZb)/(Ra+Zb)=(25/8)/(4+j3)
｜Z｜=(25/8)√(4^2+3^2)=125/8
P(皮)=(U^2)/｜Z｜=(U^2)/(125/8)=8(U^2)/125

Raで消費される実効電力Pa(実）
Pa(実）=(U^2)/Ra=(U^2)/25

｜Zb｜に流れる電流Ib
｜Ib｜=U/｜Zb｜=U/25
Zbの実部Rbで消費される実効電力Pb(実)
Pb(実)=(｜Ib｜^2)Rb={(U/25)^2}*7=7(U^2)/(25^2)

全体の実効電力P(実)
P(実)=Pa(実）+Pb(実)=32(U^2)/(25^2)

力率=P(実)/P(皮)={32(U^2)/(25^2)}/{8(U^2)/125}=4/5=0.8

さて、寝る。(まわってきたぞーw)
誰か検算よろしく。(無責任w)

>>446
参考書によると正解は0.8のようなので、多分あってますが、
解答方法を解読します。
おつかれさまでした。

ほい分かりやすくしたぞ。ｶﾞﾝｶﾞﾚ
　 　 ┌─7Ω─j24Ω──┐
　 　 │ 　 　 　 　 　 　 　 　│
──┤ 　 　 　 　 　 　 　 　├──
　 　 │ 　 　 　 　 　 　 　 　│
　 　 └───25Ω───┘

電力Ｓは
　 　 　 　 　 1　 　 　 　 　1
S=V^2 { ──── + ───}
　 　 　 　　7+j24　 　 　 25
（略）
　 　 　 　 　 32-j24
　=　V^2 ・ ────
　 　 　 　 　 　625

力率はSの絶対値と実数分との比なので

　 　 　 　 　 32
　 　 　 　 ───
　 　 　 　 　 625
cosφ = ──────
　 　 　 　│ 　32-j24 　│
　 　 　 　│ ──── │
　 　 　 　│ 　625　　 　│

　 　 　 　 　 　32　 　 　 　 　32
　　　　= ───── = ──── 　=　0.8
　 　 　 　│32-j24│ 　 　 　40

工事担任者のデジ３を受かるコツを教えてください。

>>449
コツは過去問をひたすらやれだ。
無線従事者・工担はこの方法でまず間違いなく行ける。
デジ３程度なら、リックテレコムの問題集１冊でなんとかなるだろう。

あとは、
ttp://www.asahi-net.or.jp/~jk2m-mrt/index.html
でも見て情報収集せよ。

間違っても問題そのものを暗記しないように・・・。解法を暗記すること

資格板にもあるぞよ。本スレ↓
ttp://school2.2ch.net/test/read.cgi/lic/1075532934/

>>448
サンクス！！
でも今日はもう寝ます。
ありがとうございました。理解できました。

Lower limitter回路またはupper limitter回路の動作の温度変化を、ｐｎ接合ダイオードの温度特性から説明せよ。


うう〜ん。。。助けてください（願

>>453
回路名称が抽象的過ぎる。
具体的にどんな回路じゃ？

見当はつくが、違ったら無駄になる・・・・

アクティブフィルターを通過した周波数の特性てなんですか？？
教えて！！

内径、外径がそれぞれａ、ｂの同軸導体円筒の間に、
内円筒から外円筒まで誘電率がε１からε２まで連続的に変化するように誘電体が詰められており、
外円筒は接地されている。
このとき、単位長さ当たりの静電容量を求めよ。

この問題が分かりません。よろしくお願いします。

>>455
マルチ

図のような等価回路で表されるコンデンサ（静電容量Ｃ「Ｆ］、損失抵抗
ｒ「Ω」に角周波数Ｗ「rad/s」の正弦波交流電圧を加えたとき、誘電損角
θ「rad」を表す式は？ただしθは極めて小さいものとする。

　　　 Ｃ　　　　　Ｒ
──┤|───VVV───


で、抵抗とコンデンサが直列につながってるから、ベクトルは

　　　　　　　　　　　　　　 ／│
　　　　　　　　　　　　　／　 │
　　　　　　　　　　　 ／　　　│　1/ＪｗＣ
　　　　　　　　　　／　　　　 │
　　　　　　　　 ／　　　　　　│
　　　　　　　　──────
　　　　　　　　　　　　Ｒ

となるから、tanθ＝WC/R
と思ったのですが？この考え方の何がまずいのか教えてください。
よろしくお願いします。

図の回路において、Ｒとｒを流れる電流の大きさは等しく、
端子abにおける力率は0.8であるという。Ｘ[Ω]はいくらか
正しい値を答えよ。ただし、Ｒ＝100Ωとする。

　　　 　　　　　　　　　Ｒ
　　　　　　　───VVV─────
　　　　　　│　　　　　　　　　　　　　│
　　a──│　　　　　　　　　　　　　│───b
　　　　　　│　　　　　　　　　　　　　│
　　　　　　│　　　　　　　　　　　　　│
　　　　　　　─VVV──VVV───
　　　　　　　　 　r　　　　　X

答96
模範解答見てもわかりませんので、よろしくお願いします。

ある回路Xに対して、入力信号の周波数を変化させながら、入力電圧と出力電圧を測定したところ、下表のようなデータが得られたものとする。

周波数 [Hz] 入力電圧 [V] 出力電圧 [V]
10 1.000 1.000
20 1.000 0.999
50 1.000 0.995
100 1.000 0.979
200 1.000 0.924
500 1.000 0.694
1000 1.000 0.434
2000 1.000 0.234
5000 1.000 0.096
10000 1.000 0.048
問:周波数特性からこの回路Xの遮断周波数を求めよ。遮断周波数について不明であればネット等で調べよ。

遮断周波数とは何か、求め方等の公式はあるのでしょうか（;´Д｀）

>>460
なあ、遮断周波数くらいすぐネットで調べられるだろう？
「遮断周波数　定義　フィルタ」で一番上にあったぞ。
ttp://home.c06.itscom.net/miya/series2/noise021.html

後はフィルターと遮断周波数の関係を教科書で見れ。

>>459
その模範解答を書いて味噌。
でどこまで判ってどこから判らないのかも書いて味噌。
そうでないとその模範解答並みの回答書かれたらやっぱり判らないということになるぞw

めんどくさくていいなら、カキコしちゃる。
>>448サソ、解き方の一部を頂戴するw
ab間にU（V)の電圧源をつないだとする。
また多分X→+ｊXだろうと思う。(X>=0、R>=0、r>=0）　　イ

Rに流れる電流をI（A)とすると
I=｜I｜=U/R　　　　　　　　　　　　　　　　ロ
また題意より
｜I｜=U/｜r+ｊX｜=U/√(r＾2+X^2)　　ハ
ロ、ハより
U/R=U/√(r＾2+X^2)
r＾2+X^2=100＾2　　　　　　　　　　　　　　二

回路全体の皮相電力Pは
P=(U^2)[(1/R)+{1/(r+jX)}]
中略
二を代入して
中略
P=(1/100^2)(100+r-jX)
力率はPの絶対値と実数分との比である　>>448ありがトン
｜P｜=(1/100^2)√｛(100+r)^2+X^2}
力率cosθ=0.8=(100+r)/√｛(100+r)^2+X^2}
中略
r=(4X-300)/3　　　　ホ
ホ→二
{(4X-300)/3}^2+X^2=100^2
中略
イより
X=96

>>462間違えた・・
>　　(X>=0、R>=0、r>=0）　　イ
→　（X≠0、R>=0、r>=0）　　イ

>>462
また間違えた、スマソ。
酔っ払って書くもんじゃねーナ。
>　　(X>=0、R>=0、r>=0）　　イ
→　（X≠0、R=100、r>=0）　　イ
で、>>463はスルーしてくれ。

(1)平均値指示型
(2)ピーク値指示型
(3)実行値指示型
(4)(実行値)＾2指示型
以上四つの代表例をあげ、動作原理について説明せよ。

ググってもよく分からないものが出てくる。
(1)は整流形(3)は可動鉄片形ではないかと思います。
他の二つはなんでしょうか？
よろしくお願いします。

>>462
鬱陶しいとか言わないでくれ、またミスった。
>回路全体の皮相電力Pは
→回路全体のPは
>力率はPの絶対値と実数分との比である
絶対値が皮相電力、実数分が実効電力に相当する。

この部分は書き方がおかしいかもしれない。
電力を表すのに虚数記号を使えるかどうか忘れた。

>>465
平均値指示：可動コイル形計器
ピーク指示：電子電圧計（ピーク電圧計・C入力形ピーク電圧計など）
実効値指示：熱電対形、可動鉄片形
実効値２乗形：静電形

こんなところじゃないかな？

>>467
ｻﾝｸｽ。
何とお礼を言ったらいいのか。

>>458
あんまり自信がないけど・・・

　 　 　 　 　R　 　 　　R
tanδ = ─── = ─── = ωCR
　 　 　 　 　Xc　 　 　 1
　 　 　 　 　 　 　 　───
　 　 　 　 　 　　　 　 ωC

ではないでしょうか？
基準ベクトルがIcになるのかな

↑
│Ic=1/ωC
│
│
│
│
│
┼─→
　 Ir=R

θを求めろという式になってるので、θ=arctan(ωCR)
だから、あとは級数展開でもすればいいと思う。

>>403　遅ﾚｽですが、
＞三相誘導電動機の2次抵抗を増加したとき､全負荷時の速度が減少し､始動トルクが増加する。
誘導電動機の回転速度Ｎは、N=120f(1-s)/p　ここで、ｆ：電源周波数、s：滑り、ｐ：極数
で表されます。
fとpが固定の場合、滑りsによって速度は変わります。
s=1：停止=~始動時
s=0：同期速度で運転中
全負荷時とは最大出力時のことなので、2次抵抗を増加すると滑りが大きくなり速度が減少します。
始動トルクはs=~1の時で、始動トルクは一般に2次抵抗に比例します。
が、極端に大きくしすぎると逆に始動トルクは低下します。
各式はこれ↓を参照
http://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_6
数式だけじゃ感覚的にわかりつらいので、二次抵抗可変したときの特性グラフ↓みて。
http://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_8
http://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_9
http://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_10
http://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_11

はじめまして、大学の課題で質問です。
「デジタル回路における遅延時間の定義」を調べて
いたのですが、いまいち分かりません。
宜しくお願いします。

すみませんもう1つ質問です。
MOSが入力によってON→OFF、ＯＦＦ→ＯＮに成るときに
少し時間がかかるそうですが、そのときコンデンサのような
挙動をするのでしょうか？どんな本を調べればいいですか？

面積Ｓ、厚さｄ、誘電率εの誘電体の両側に
同じ面積の導体版を接した構造の平行コンデンサーがある。極版を垂直に引き離すのに必要のな力を、
電圧が一定の場合と、電荷が一定の場合について、それぞれ求めよ。

この問題がわかりません。よろしくお願いします。

>>473
コンデンサーの極板間に働く力は、出せるだろうな。
これと同値以上の力で引っ張ればいいわけだ。

電圧一定：電源つなぎっぱなし。
いくら離してもコンデンサーの電圧は同じ。
容量は減っていくから・・・・Qも減る。
電荷一定：充電された状態で電源から切り離されている。
離せば容量は減る。
Qは変わらないから・・・電圧上がる。

それぞれの力は、元々の極板の位置からの移動距離の関数となる。
つまり極板の移動距離で力が変わる。（変わらんかも）

>>471
TpHL , TpLH, Tf, Tr で検索しなさい。もしくはディジタル回路の
索引を見てみなさいな。

>>472 しょうもない宿題だな。
ゲートに容量ついてますからね。スイッチとしてONするときは
電源は 飽和領域のCgs=2/3 Cox LWを充電せなあきまへん。

そんでONになってからは線形領域の Cgd を放電しているんですよ。


というようなことは この辺に書いてありますが英語ですよ。
http://www.amazon.co.jp/exec/obidos/ASIN/0780334167

線形領域の Cgd=1/2 Cox LW です。

電流計・電圧計による未知抵抗を求める実験で、抵抗のグラフを書くときに内部抵抗の分をひいて抵抗のグラフをかかなければいけないのですが、
そのときに必要な補正式がわからないので教えてください

>>478
測定回路としては
電圧源→電流計I→電圧計Vと求める抵抗（Raとする）のパラ接続と
電圧源→パラで電圧計→電流計と求める抵抗の直列接続の2種類あるぞな。（どっちだ？それにより補正式は変わる）
電流計は内部抵抗0で直列に内部抵抗rがつながっていると考える。
電圧計は内部抵抗無限大で並列に内部抵抗Rがつながっていると考える。
後はオームの法則に当てはめて代数計算してRa=をだせばいい。

正解をカキコするのは簡単だが、この程度の基礎が判らないようでは・・・・ry

私の計算がまずいんでしょうか？
462さんの計算の中略を計算すると、

力率cosθ=0.8=(100+r)/√｛(100+r)^2+X^2}
中略
cosθ=0.8=(100+r)/√｛(100^2+200ｒ+ｒ＾2+X^2}
=(100+r)/√｛(100^2+200ｒ+100^2}
80+1.25r=√｛(100^2+200ｒ+100^2}
これのルートを消すと
6400+1.5625ｒ=20000+200r
でrがマイナスになってしまいます。？？

あと、469さんありがとう
よってxが出ないんですけど？どうしたらよいのでしょうか？

基本的な質問ですが、
ＲとＣの並列回路のインピーダンスを求める問題で、

　　　　　R
Z=─────　(1-jWCR)
　　1+W^2C^2R^2

と出ました。絶対値Zを求める場合


　　　　　　　　R
│Z│=─────　√（1+W^2C^2R^2）
　　　　　1+W^2C^2R^2

　　　　　　　　　　R
│Z│=────────　
　　　　　√（1+W^2C^2R^2）

と出てきましたが、最初の式の√はどっから出てきたのでしょうか？
素人の質問ですみません。

直角三角形の斜辺の長さをイメージしてよ。
-jwCR は位相が90°遅れた成分でしょ。
直角三角形の2辺 aとb が垂直だったら残りの斜辺の長さは

a^2 + b^2 = c^2

だからc=√(a^2 + b^2)
それと同じで 位相遅れの電流の 絶対値を計算して
|V|/|I| がインピーダンスの絶対値になるわけです。

たびたびお世話になってます。ご指導よろしくお願いします。

図のような回路で電流Ｉは電圧Ｅよりπ/4進んでいるという。
L[H]はいくらか。正しい値を次のうちから選べ。ただし、R=1KΩ、C=5μF
各周波数W=10^3rad/sとする。


　───────
│　　　　　　　　　│
│　　　　　　　　　│
│　　　　　　──────
〜Ｅ　　　　│　　　│　　　│
│　　　　　＜　　　＜　　　─
│　　　　Ｒ＜　　Ｌ＜　　Ｃ─
│　　　　　│　　　│　　　│
│　　　　　　──────
│　　　　　　　　　│
　───────

（解答）
電流π/4進んでるので、Ir=Ic-Ix（←この部分がわかりません）
ベクトル書くと、縦軸と横軸が等しければ45度の進みの電流が得られ
ますが、Ir=Ix-Icでもよいのではないでしょうか？

>>482さんサンクス
複素数の性質でC=a+jbでしめされる複素数cの絶対値│c│は
│c│=√（a^2+b^2)であらわされるので、
今コンデンサ-jwCR は位相が90°遅れた成分なんで、
√が出てくるわけですね。

ありがとうございました。

Ic, Ir, Ixってどういう定義。
Ic=C に流れる電流、Ir=Rに流れる電流、Ix= Lに流れる電流ですか?
以下の式の通り

I = ( 1/R + j (wC - 1/wL)) E = Ir + j( Ic - Ix )

ということでしょうか?
位相で言いますと、Cの電流はEに対し 90°進んでいますので
そういうことを表現したかったのではないですか。

　─────────
│　　　　　　　│　　　　│
│　　　　　　　│　　　　│
│　　　　　　　│　　　　│
〜Ｅ　　　　　Ｒ＜　　　Ｃ─　
│　　　　　　　＜　　　　─　　
│　　　　　　　│　　　　│
│　　　　　　Ｌ＜　　　　│
│　　　　　　　＜　　　　│
│　　　　　　　│　　　　│
　─────────

このような回路で、電力500Ｗ　Ｒ5ΩＬ12ΩＣ26Ωの場合
抵抗5Ωに流れる電流を求める場合、P=RI^2が適用されるのでしょうか？
Rと直列に接続されているLは考えなくてもよいのですか？

>>485さんありがとうございます。
よくそういう意味あいだったんですね。
理解できました。

>>480
> cosθ=0.8=(100+r)/√｛(100^2+200ｒ+ｒ＾2+X^2}
> =(100+r)/√｛(100^2+200ｒ+100^2}
> 80+1.25r=√｛(100^2+200ｒ+100^2}
> これのルートを消すと
> 6400+1.5625ｒ=20000+200r
二重にまちがっとる。
(100+r)/0.8=√｛(100^2+200ｒ+100^2}
125+1.25r=√｛(100^2+200ｒ+100^2}
(125+1.25r)^2=(100^2+200ｒ+100^2)

こういうときは式をすぐ展開しない方が計算しやすい。
また少数は分数にするか、代入した後両辺を十倍するなどして小数をなくすこと。

Xはコイルだと思うからX>0だな　　　　　イー２（ここは厳密にいうと間違えた）
0.8=4/5=(100+r)/√｛(100+r)^2+X^2}
たすき掛けして
5(100+r)=4√｛(100+r)^2+X^2}
二乗して（ルートの中>=0）
25(100+r)^2=16｛(100+r)^2+X^2}
(25-16)(100+r)^2=16X^2
9(100+r)^2=16X^2
3(100+r)=4X　　　　　(X>0)
r=(4X-300)/3　　　　　　　　　　　　　ホ
ホ→二
{(4X-300)/3}^2+X^2=100^2
(4X-300)^2/9+X^2=100^2
(4X-300)^2+9X^2=9*100^2
16X^2-2400X+9*100^2+9X^2=9*100^2
25X^2-2400X=0
25X(X-96)=0
X=0,96
X=0は条件に合わない（イー２）
よってX=96

これで判らないなら、俺には教えられない。

>>488
長文ご苦労さまです。理解できました。なるべく式をすぐに展開しないように
いたします。ありがとうございました。

>>486
そのとおり。
その回路で500W消費するということは、その抵抗が500W消費するということ。
この場合、L+Rに流れる電流I（ベクトル表記）の絶対値｜I｜が求める電流値となる。

C と L は 機械に例えれば

C=摩擦抵抗、空気漏れの無い理想的シリンダー
L=金属疲労や機械抵抗のない理想的なバネ

これらはエネルギーを貯めては放出をくりかえし、エネルギー消費しません。
自然界には理想的なものはないけど、計算上はそう考えます。

pn接合を作製するときに、イオン注入法と熱拡散法があるらしいんですが、
熱拡散法について詳しく知っている方いらっしゃいましたら教えてださい！
おねがいします

>>456
同軸からの距離ｘ(a<x<b)における誘電率の値εは、
ε=1/(b-a){(ε2-ε1)x+(ε1･b-ε2・a)}
内導体に単位長あたりqを与えたとき、
軸中心からx[m]における電界の強さ(電位の傾き)Eは、
E=q/(2･π･ε･x)
　=(b-a)･q/[2･π･x{(ε2-ε1)x+(ε1･b-ε2・a)}]
x点において半径方向に微小距離dxをとったとき、そのdxの電位差dVは、
dV=E･dx
であるので、a-b間の電位差Vは、Eをこの間(a-b)で積分し、
V=∫(ａ，ｂ)E･dx
これを解くと、
V=(b-a)･q/{2･π･(ε1･b-ε2･a)}･{ln(b/a)+(ε1-ε2)･ln(ε2/ε1)}
となる。
よって静電容量Ｃは、q=C･Vより、
C=q/V
　=2･π･(ε1･b-ε2･a)/[(b-a){ln(b/a)+(ε1-ε2)･ln(ε2/ε1)}]

になったが、計算間違ってたらｽﾏｿ

>>492 詳しくは無いですが一応半導体業界にいますので、お答えします。
どのようなことが知りたいのでしょうか。今はほとんどイオンインプラント
なので実は私も詳しくないのですが。

熱拡散法というばあい、ドナー、アクセプタになる元素を真空中で蒸着
で堆積し、その後 電熱炉で基板中に拡散させる方法だと思います。

まあ電熱炉に入れて拡散するのはだいたい共通なんですが
で蒸着の他には

シリコンの場合 またドナー、アクセプタになる元素を高濃度
で含む 多結晶シリコンを気相合成で堆積する場合もあったような。

あと、ドナー、アクセプタになる元素を含む有機系の塗布液を
スピンコートし、あとの熱工程で有機物が蒸発させるとか。。

いろいろあったような気がするけど、詳しくは知りません。

電流帰還のオペアンプ一つで差動アンプを構成できますか？そのときの注意
点教えてください。

電気回路の問題なのですが入力P1=2Wであり
伝送路ABCを通って出力されます
Aでは5dB減衰しBでは12dBの利得がありCでは30dBの減衰があります
Aを通った所をP2,Bを通ったところをP3,Cを通ったところをP4
とするとP2 P3 P4での電力をdB表示したいのですが
教えていただけないでしょうか？

>>496
dBW、ｄBm？単位はどれだ？
ただの減衰利得なら-5dB +12dB -30dB　だがこれではないだろう。
１Wを基準にしたdBWなら
（P1:3.0103dBW）
P2:3.0103-5=-1.9897dBW
P3:-1.9897+12=10.0103dBW
P4:10.0103-30=-19.9897dBW

釣られたかな？
伝送路なのに+12dB・・・・・

>>459
電源電圧をE，Rの電流をI1，r-xの電流をI2，合成電流をIとしてベクトルを描いてみるといい。
Eを基準ベクトルとして、I1は同相，I2はαだけ遅れているとし､Iはθだけ遅れいている。
とすると、I1=I2なので、I1とI2は頂点角度αの二等辺三角形となる。
力率角はθであるから、α=2*θである。
よってcosαは三角関数の倍角の公式より
cosα=cosθ^2-sinθ^2
　　　=0.8^2-0.6^2
　　　=0.28
となる。これは、rとxの力率でありrに加わる電圧割合でインピーダンスの実数部の割合である。
また、I1=I2ということは、R側とr-x側のインピーダンスの大きさは等しいので、
R=√(r^2+x^2)=100であり、cosα=r/√(r^2+x^2)だから、
r=√(r^2+x^2)*cosα=100*0.28=28[Ω]
また、
sinα=√(1-cosα^2)=√(1-0.28^2)=0.96
x=100*0.96=96[Ω]

ってとき方もあるよ。

>>475,476
亀レスですが、有難うございました。
おかげで宿題は何とかなりそうです。
英語は必死で読んで見てます＾＾；

7セグメントデコーダーの論理式を０〜９まで教えてください！

赤色発行LED、緑色発行LED、青色発行LEDはどのような構造の違いがあるかを調べよ。

自分で調べたところ、
・各色のダイオードは波長が違う
・波長の短いエネルギーは適切な材料がなかなか見つからず組成が分かって居ても作成するのは困難。
赤、青、緑色発行LEDでは青＞緑＞赤の順に波長が短い。
・各色のダイオード、波長の長さを構成する構造が違う。

という事を調べレポートを提出しました。
後で気が付いたのですが、赤色発行LEDではどのような材料（シリコンやゲルマニウム）
が使われているかまで調べていませんでした。
調べが弱いと言われ再提出になると思い、
図書室に行って調べたのでていたのですが、
適切な本が見つからなくて困っています。

赤、緑、青色発行LEDで使われている材料を教えてください。
又、「自分だったらこの問に対してこう答える！」という意見がございましたら参考に教えてください。
みなさんのご意見お願いします

>>501
マルチ死ね

>>501
自分で真理値表作って、ブール代数使って整理しろ。

まあ、このくらいのことも出来ないからマルチするのか・・・・

>>451 マルチポストはつつしもう。
ttp://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/servlet/websearch_ja/pip2a9.ws.cSearchResult-loadPartDetails?partKey=TC74HC4511AP

少し質問があります。。
本を参考にトランジスタの回路を作りました。
電圧は6Vでコレクタを1kを通してVccに繋いで、エミッタは4.6kでGNDに繋いでます。
後ベースはVccに繋いでます。
本この回路はIcは殆どIeと同じと書いてあるのですが、実際にはIcは1.4mAで、
Ieは0.6mAでした。これは誤差でしょうか？

>>506
？通常ベースコレクタ間は逆バイアスで使うんだが。
この回路だと順バイアス・・・・

まず、回路図が現物どおりに出来ているかどうかチェック。
そして、測り方がまずくないかどうかチェック。
違ったものを測ってないか。
この回路なら、デジタルテスタで抵抗の両端の電圧を測って電流に換算すれば良いだろ。
この回路が正常だとしても、回路図から考えるとそのような電流値は成り立たない。
何なら電源からどれくらい流れているか考えてみよう。
Ieは電源の負側に流れ込む電流でもあるから、その分だけしか電源の正側から電流は流れ出さない。
なのにIe<Icはどっかおかしい。

>>507あはは・・・・・
>回路図が現物どおりに出来ているかどうかチェック。
→現物が回路図の通りに出来ているかどうかチェック。
TRの足間違えてないか、抵抗値間違えてないか。

http://fetish-onsen.com/cgi/upload/source3/No_1846.jpg
上の回路は定常状態で、t=0でスイッチSを開いた。
ｔ＞0における電流 i(t)　を求めよ。　ただし、２R=√（L/C)とする。

http://fetish-onsen.com/cgi/upload/source3/No_1847.jpg
図に示す、格子形２端子対回路のインピーダンス行列を求めよ。




スイマセン・・・・・上の二つを教えてください・・・・・・

テスタの交流回路での理論値と測定値の
誤差の理由を教えてください

>>508
いきなり答えを出さずに、ﾋﾝﾄ。

・ダイオードはオームの法則に従うか。
・テスターが示すのは最大値か平均値か、実効値か、それともそのどちらでもないか。
・交流なら、どんな周波数でも測定結果は同じなのか。
　理想的には周波数には依存しない筈だけど。

>>511
マカエレがレスとりこぼして、レス番狂ってた・・・511は510へのレス。

回路画像が死んでマスタ
http://v.isp.2ch.net/up/6a792be30832.JPG　過渡現象
http://v.isp.2ch.net/up/647278246457.JPG　インピーダンス行列

もう一度UPしときますた。　よろしくお願いします・・・・・・・

しまった・・・・・・アドの先端削るの忘れてた・・・・・・・スマソ

明日レポ提出なんですけど分からないとこがあるのでお願いします！
ダイオードの極性を反転させると半波整流された変調波の波形も半波整流された搬送波が平滑化された波の波形も変調信号出力の波形も正負が逆になった（とりあえずオシロスコープの波形がすべて正負逆になった）んですけど、
この理由を書けって問題なんですがどなたか分かりませぬか？
簡単でいいのでお願いします。

>>515
国語力の問題かな？
整流作用がどのようなものか判っていれば
（これが判らないならアウト！留年でも何でもしてください。そのほうが冗談抜きであなたのためです。）
それをそのまま書けば良いだけだが・・・・




釣りでしょうか？（マジで聞く）

506です。
みなさんレス有り難うございます。
御指摘の通り抵抗値を測りなおしたりしたのですが、間違いないようです…。
取り合えず参考にした本に書いてあったことを要約して図を作ってみました。
ttp://radio.s56.xrea.com/radioup/circuit/radio_0023.gif
これで正しいでしょうか？

>>517
やっぱりおかしいぞ。
コレクタに1.4mA流れ込んでエミッタから0.6mA流れ出してるとすれば、
ベースから1.4-0.6=0.8mA「流れ出していることになる」
誤配線か、別なものを測ってないか？

Re:4.6kΩ　Rc:1kΩ
Ic:1.4mA　Ie:0.8mA

ベース電位は6Vで、エミッタ電位は4.6*10^3*0.6*10^(-3)=2.76V
ベースエミッタ間電圧は通常約0.7Vになるし、そうなるような回路じゃないとTrが壊れる。
また、コレクタ電位は6-1*10^3*1.4*10^(-3)=4.6V
これもまずい。通常コレクタよりベース電位が低い状態で使う。

この回路はVcc-ベース間に抵抗を入れるべき。
例えばIc（ほぼ=Ie）を0.5mA、hfe=100、として計算すると、（判らなきゃスルーしてもいい）
Ib=Ic/hfe=5μA
エミッタ電位：4.6kΩ*0.5mA=2.3V：Ve
コレクタ電位：6-1kΩ*0.5mA=5.5V：Vc
コレクタエミッタ間電圧Vc-Ve=3.2V
6=Ib*Rb+0.7+Ve
Rb=600kΩ

あ〜、。
506はIeが1.4mAで、 Icは0.6mAでした。
すいません…。

>>517 = >>506 さん トランジスタの型番は?

あとトランジスタを静電気で破壊してしまった可能性とか いろいろ
疑わしいことはあるのですがトランジスタを交換しても現象は同じですか?

>>519
ベースをＶＣＣに接続してるからダメなのだろう。
ＶＢＢ＝３Ｖくらいにしてみたら？

>>518 >これもまずい。通常コレクタよりベース電位が低い状態で使う。

いやいや 飽和領域に入らなければベース電位はコレクタより高くても
良い、Vcb= -0.4から -0.5V はありえます。

いま気づきましたがIc=0.6mA, Rc=1kΩ なので Vcb=-0.6V です。
トランジスタが飽和領域に入ってしまったのです。

コレクターエミッタ間電圧 Vceを測定してみて下さい。
0.1Vくらいしか無いはずです。Vceは 0.2 から 0.3V ないとNPN
トランジスタは教科書的な動作はしません。

トランジスタの特性カーブを教科書で確認して下さい。
Vceが小さい部分に注目してください。電流がVceに比例して
大きくなる領域があることに気づくでしょう。
ここを飽和領域と呼びます。

( ベースのコレクタ端で電子密度が飽和していることに起因し
拡散電流がVceに比例して増加する)

以上、分からない部分があれば、質問下さい。

>>520
1815使ってます…
何個か取り替えて見たのですが結果は同じでした。
>>521
いまちょっと手元にないので確かめられませんすいません…。

>>523
回路シミュレータでも確認できるよ。
ttp://www.micronet.co.jp/cv/

そのシュミレーター使っているのですが、
残念ながら電流が測れないです…(´･ω･`)

>>525
同じソフト？
もし配線に赤い丸のところがあったら、はんだごてでつなげて
緑色にしないと接続されないよ。

SiとかAlは原子番号一つしか違わないのになんで抵抗率がずいぶん
違うんですか？なんで物質によって抵抗率が違うのか教えて下さい。

>>527
原子と原子の結合の仕方が違うから。
結合の仕方によってその物質内に自由に動ける電子（自由電子）等の電荷が存在すれば電気が流れる。
金属結合なら自由電子とか、電解液（イオン結合）なら正や負のイオンとか・・・
電荷が存在しても数が少ないとか、金属格子等に邪魔される率が高いとか他電荷の移動が妨げられるほど抵抗が高くなる。
物質の温度によってもこれらの条件が変わるので抵抗率は変わったりする。


結合の種類は高校の物理や化学で詳しくやるはずだ。

>>527 高校生に分かるように説明が難しいです。まあ周期表では隣ですね。
http://www.ceres.dti.ne.jp/~itocha/elements/

Alは金属結合、すなわち「固体全体」で最外殻電子を共有する
ことで結合しています。最外殻電子は固体内をわりと自由に
(まあ原子核には邪魔されますが)運動できます。

一方Siは共有結合すなわち最外殻電子を「隣の原子」と共有
することで結合しています。電子はこの結合が切れた場合に
伝導できます。温度などを高くした場合には結晶格子が振動
しますので結合が切れる確率が高くなり、抵抗率は下がりますが
金属ほどではありません。

>>529
ご親切に有難うございます！

なぜ三相誘導電動機において出力の大きいモータの方が効率がよくなるのでしょうか？

それと英文で
purified iron and silicon-iron(d.c. electromagnets pole shoes)のshoesは
何と訳せばいいのでしょうか？

去年の京大工学研究科電気系入学資格試験問題の電磁気の問題
の解答教えてください。
研究室の先輩に聞いたけどわからないって・・・

>>531 強電は知りませんが英語は知ってます。pole shoeは「磁極片」です。

>>533
磁極片だったんですか。
どうもありがとうございました。

図の回路においてab間の電位差はいくらか？また、abいずれの電位が高いか
答えよ電源電圧は45Ｖとする。


　　　　　　　　　 5mH　　　　　　4mH
　　　　　　──∧∧∧───∧∧∧──
　　　　　│　　　　　　　　│　　　　　　　　　│
　　　　　│　　　　　　　　│a　　　　　　　　│
　───　　　　　　　　　　　　　　　　　　　│────
　　　　　│　　　　　　　　│b　　　　　　　　│
　　　　　│　　　　　　　　│　　　　　　　　　│
　　　　　　──││────││───
　　　　　　　　　2μF　　　　　　3μF

（模範解答）
Va=(wL2/wl1+wL2)×V=20Ｖ　　　
Vb=(C1/C1+C2)×Ｖ=18V
よって、a点の電位が2Ｖ高い。

（質問事項）
Vaを求める際、（5/5+4）×45と、Ｖｂを求める際（3/2+3）×45で求めると
なぜダメなんでようか？
そもそも上の式は何なんでしょうか？お手数ですがよろしくお願いします

単相3KV、500KVA、力率0.707の負荷に単相3ＫＶ、400ＫＷの抵抗負荷を
並列に接続した。合成負荷の線電流Ａはいくらか？

（模範解答）
よくわかりません。
答えは277.3Ａ

>>535 もともと交流を仮定している問題ですか? そう仮定して答えますよ。あと右が電源で左がGNDが接続?


直列なのでZ2に分圧される電圧は
Z2
--------- V
Z1 + Z2

Vbの方は交流でも直流でも、厳密に同じ解だからと思われます。


Vb(交流)=

1/jwC2
--------------- V =
1/jwC1 + 1/jwC2

C1
-------- V
C2 + C1


Vb(直流)=

1/C2
------------- V =
1/C1 + 1/C2

C1
-------- V
C1 + C2

インダクタの場合は理想的には直流インピーダンス＝0であり、
また実際のインダクタの直流の分圧電圧は寄生抵抗の分圧比
になるので「厳密に交流の場合のみです」ってのを式で
表したかったのではないですか? 周波数によらず
インピーダンス比だけで分圧されるのでは無いということ
を主張していると思われます。

最終的に導出される式の結果はおっしゃる通りだと思いますが。

Va(交流)=


jwL2
--------------- V =
jwL1 + jwL2

L2
-------- V
L1 + L2

>>537
理解できました。ありがとうございます。
電圧は交流で右側がＧＮＤです。

Ｃは交流でも直流でも式を展開することができますが、Ｌは交流じゃないと
展開できないということでよろしいでしょうか？

RL並列回路において、インピーダンスＺの絶対値を求めることができません。


　　　ｒ(jx)　　　jrx(r-jx)　　　　rx^2+jr^2x
Z=───＝─────＝──────
　　ｒ＋jx　　　(r+jx)(r-jx)　　　r^2+x^2

　　　　　　　　rx
│Z│＝─────
　　　　　√(r^2+x^2)

Ｚの絶対値がなぜこのような式に展開されるのかがよくわかりません。
よろしくお願いします。

ラプラス変換の概要だけでいいから
私に理解させて下さい

この２つの論理回路の真理値表を教えてください。
できれば、この論理回路の真理値表が載ってるサイトあれば教えてください。
ググっても出ませんでした。


　　　　─────
.──│　S　　　Ｏ│─────
　　　│　　　　　　　│
　　　│　─　　　　　│
──│　Ｒ　　　　　│
　　　│　　　　　　　│
　　　　─────


1───
　　　　　│　　　─────
───│──│Ｓ　　　　Ｏ│───3
│　　　│　　　│─　　　　　│
│　　　│　　　│　　　　　　│
│　　　│　　│　　　　　　│
│　　　　──│Ｒ　　　　│
│　　　　　　　│　　　　　│
│　　　　　　　　────
│
│───────────2

見にくい図ですみませんが、1はＲに行ってて、2はＳから来ている。
3はＯから来ている。

>>539
Zの実部は　 {rX/(r^2+X^2)}X　→AXと置く　A=rX/(r^2+X^2)
　　　　　rX　　　
A=−−−−ーー　　この方がいいか・・・　(A>=0)
　　　r^2+X^2
Zの虚部は　ｊ{rX/(r^2+X^2)}ｒ　→ｊArと置く

複素数平面上にて
　虚部　jAr　大きさはAr
　　|＼
　　|　＼
　　|　　＼
　　|　　　＼
　　|　　　　＼
　　|　　　　　＼
　　|　　　　　　＼
　　|　　　　　　　＼
　　|　　　　　　　　＼
　　|　　　　　　　　　＼　　　　
　　|　　　　　　　　　　＼
　　−−−−−−−−実部AX
　０
絶対値はこの直角三角形の斜辺の大きさ。

したがって|Z|^2=(AX)^2+(Ar)^2　　　　（ピタゴラスの定理くらいは知っているな）
|Z|=√{(AX)^2+(Ar)^2}=A√(X^2+r^2)　
（ルートの中の共通項A^2をルートの外に出す：Aになる:またAを含めルートの中身は0以上）
　　　　rX　　　　*　√(X^2+r^2)
|Z|=−−−−ーーーーーーー
　　　r^2+X^2
分数の上下を√(X^2+r^2)で割ると
　　　　rX　　　　
|Z|=−−−−ー
　　　√（r^2+X^2）
これでどうだ！！！だいぶ噛み砕いてカキコしたが・・・・
これでも計算過程が判らないなら、中学校からやり直してチョ。

>>542まだ噛み砕けるな：訂正
>　したがって|Z|^2=(AX)^2+(Ar)^2　　　　（ピタゴラスの定理くらいは知っているな）
>　|Z|=√{(AX)^2+(Ar)^2}=A√(X^2+r^2)　
|Z|^2=(AX)^2+(Ar)^2=(A^2)(X^2+r^2)
|Z|=A√(X^2+r^2)
当たり前に計算しているが、絶対値には負の値が存在しないし、またルートの中身やAも負にはならないからできること。

>>541
をいをい、SRラッチの真理値表がわかればすぐだろう？
（さすがにこれは判るだろ、教科書かググれ）
上図はRの条件をひっくり返せばいいだけだ。
例えばRが　L→Hなら、H→Lに直せばいい。

下は図がよく判らんが・・・・・

あのー交流回路の最初のときに出てくる
平均値ってやつなんですが、
なんでπ分の２なんですか？
ちょっとそのあたいがどうしてでるか・・・

発電機の極性を変える方法にはどのようなものがあるのか教えてください！

>>536
まず500kW負荷の電流を有効分Iaと無効分Ibにわけて計算する。
Ia=500/3*0.707=~117.833[A]
Ib=500/3*√(1-0.707^2)=~117.87[A]
400kW負荷は抵抗負荷なので有効分のみでその電流Icは、
Ｉc=400/3=~133.33[A]
よって合成負荷電流の有効分Idは、
Id=Ia+Ic=117.833+133.33=~251.163[A]
無効分はそのままIb、
よって合成電流Ｉ[A]は、
I=√(Id^2+Ib^2)=√(251.163^2+117.833^2)=~277.4[A]

>>545
交流電圧又は電流の半周期の平均をとったもの。
普通、積分して半周期分の面積を出し半周期で割ってやる。
例えば、正弦波交流電圧の場合、
瞬時値はe=Em･sinωt
Em：最大値、ω：角周波数、t：時間
ここで、ωtをθとおいて、半周期はπであるから、eをθについて0→πまで積分しπで割ればいい。
よって、その平均値Eaは
Ea=1/π･∫(0,π)e･dθ=1/π･∫(0,π)Em･sinθ･dθ
　=1/π･[-cosθ](0,π)=1/π･{1-(-1)}=2/π
となる。

なぜ半周期の平均かというと、1周期分平均とると+-0になってしまう。

>>542
おつかれさまです。理解できました。
ありがとうございます。
参考書じゃあ、いきなり飛んでたので、さっぱりわかりませんでしたが
謎がとけました。
フリップフロップの真理値表はっけんしました。
通常のＳＲフリップフロップでは

SR→Oは
00→保持
01→0
10→1
11→禁止事項
となってますが、上図の場合Ｒの条件をひっくり返せばいいわけだから、

SR→Ｏは
00→0
01→保持
10→禁止事項
11→1
でよいということですね。ありがとうございます。

宿題の答え教えれ。
OPアンプで積分回路作るとするわな。
でだ、入力電圧　Vin(t）とすると、
出力電圧は　Vout(t)=1/RC ∫Vin(t)dt で表されるわな。
でだ、Vin(t)=Vで一定とするわな。
するとVout(t)=-Vt/RCとなるわけだ。
でずっと電圧かけてて、tがどんどん増えていっても、
出力電圧は下がり続けるのか？という問題。
それとも入力電圧と出力電圧の絶対値が等しくなった
瞬間から変化しなくなるのか？
大学の宿題なんだが、高校以来電子とかやってないからあんま
理解できん。てことでよろしく。

お前な、大学生にもなって敬語の使い方も分からんのか？

すいません。馬鹿でした。
本当に分からないので、教えてください。
お願いします。

別にどんどん減るような気がしてきました。
なぜなら　出力電圧＜入力電圧　という関係は導ける
ものの　|出力電圧|<|入力電圧| 　| |は絶対値
という関係は導け出せないから。。。。
いいのかなぁ・・・不安。

ｐ形半導体とｎ形半導体はどのような不純物をを加えて作られるのか？あと製法や原理について教えていただけないでしょうか？
よろしくご指導お願い致します。

>>554
ttp://www.google.co.jp/
を開いて、入力欄に
ｐ型半導体 ｎ型半導体 不純物 製法 原理
と入力して〔Google検索〕ボタンを押すと、
解説しているページが見つかるよ。

形→型　に修正しています。

>>550 簡単、出力電圧がオペアンプの最小出力電圧(およそVSS + 0.2V 前後)
で止まるに決まってる。

この問題がどうしてもわかりません。お願いします。

時刻t=0において、大きな誘電体の電荷分布はp(r,0)である。
その後時刻tにおけるp(r,t)を求め、平衡状態に近づく速さを表す時定数
に対する式を示せ。ただし、誘電体の導電率をσ、誘電率をεとし、
これらは空間的に一様であるとする。

どうぞよろしくお願いします。

以下を訂正します

×大きな誘電体
○大きな誘電体内

よろしくお願いします　

>>557
これ問題そのまんま写したの？図とかついてない？

>>556
よく意味がわからないです。
例えば、入力電圧V0で一定としたら、
積分だから出力電圧は、マイナス方向に傾き -1/RC で
時間tに比例して減っていって、グラフ的には結局どうなるんですか？
下がっていって、時間t後の出力電圧が、-V0t/RCですよね。
である時間Tのとき、 -V0*T/RC の大きさがそのときの入力電圧
V0の大きさに等しくなったら、（つまり V0*T/RC=V0)になったら
とまるということですか？　　

○インダクタの設計
使用できる被覆銅線は、直径1.6mm（銅線直径1mm）×長さ3.0m
・コイルの中心が空気であるインダクタであること
・インダクタンスができるだけ大きくなるように設計する
・心材はアクリルパイプ（外径20,30,40mmの3種）

ってのなんですけど、図書館で調べようと思ったら今日閉館で・・・
検索してもいいページも見つからなかったもんで、よろしくご指導をお願いします。
インダクタの構造とインダクタンスの大きさの関係すらわかってないような俺ですが
よろしくお願いします

>>561
コアは空芯でそれだけ制約があるのか？
もはや変えられる要素は巻数と巻き径だけだ。
パズルだと思って楽しめばよい。

>>562
ちなみにこの問題はアイデア力、途中のプロセスを重視する
問題と思われまつ。

インダクタの構造が載ってるようなページないですかね？
何によってインダクタの大きさが変わるとか書いてあるような。
ぐぐったりしたけど、全く理解してないので絞り込めなくて・・・

>>561
マルチなのか、同じ課題を出された奴が複数なのかわからんが．．．
　↓
http://science2.2ch.net/test/read.cgi/denki/1078299511/859

Ｈ 長岡係数 コイル インダクタンス　で、ググって味噌。
きっとインダクタンスの計算式がみつかる筈。　あとは、どうすれば
計算結果（インダクタンス）が増えるか考えるだけ。

>>559
図はついてないです。
色々問題集をあたってみましたが
何をしていいのかすらわかりません

>>562
お礼忘れてました。すみません。返答どうもです。

>>565
それも俺です。どっちに書き込めばいいかわからなかったもので。
ID見ればわかると思います。
早速ググってみました。なんとかなりそうです。どうもでした。

>>566
例えば面積Ｓ厚さｄの平板の両面に電荷が一様に分布してるとか
勝手に決めて計算してみると時定数がＳにもｄにもよらずσとε
だけで決まることがわかります。そこから答えが推測できますが、
一般的にはどう導くんでしょうかね。

トランジスタＣＲ結合増幅器で周波数特性が生ずる原因は何でしょうか？
また、特性を改善するにはどうしたら良いでしょうか？
ご存じの方いたら教えてください

>>568
そうですね、コンデンサなどではないようですね
ただ大きな誘電体内とだけあるので苦しんでいます。
こりゃ困ったなぁ

>>570
伝熱方程式と同じ形（時間変化、空間分布）になると思われるので、
伝熱方程式を探して、そのアナロジーで考えたらどうでしょう？
（マックスウェルの方程式から誘導するのが正しいのでしょうけど）

>>570
えーと、568で言いたかったのは、要は
　誘電体の形状や初期の電荷分布によらず時定数＝ε/ρで平衡に向かう
だろうということです。
マックスウェル方程式から出るかどうかはチェックしてませんが。

式たてたら簡単に出ますね。電荷の連続の式と
電界と電流密度の関係の式、電束密度の発散の式から
出てきます。「大きな誘電体内」というのは、
「境界は考えなくていいよ」ってことでしょう。

まじですか！！
よかったら解法を教えてもらえませんか？
こんな時間に非常識ですがぜひお願いしたい

>>573
p（r,0）のpとrはなんて解釈した？

ρならわかるけどpじゃぁ・・・・・、あとrってなにさ・・・・

>>574
電荷密度をρとしたら、連続の式は
∂ρ／∂ｔ＝−divＪ
てな具合に方程式を並べて適当に整理すればρだけに関する
微分方程式が得られます。
あ。時定数＝ε／σですね。間違えてました。

>>575
pは電荷分布と書いてあるので電荷密度かなぁと。rは位置（ベクトル）ですかね。

LCR放電回路の過渡現象で減衰振動をさせたときのVc、Vrを２現象シンクロスコープで観測したとき、
なぜVcはｔ＝０のところから波形が下がっていくのかとVrはｔ＝０のところから波形は最初あがり
それからさがるのかについて教えてください
あとLCR放電回路において臨界点とはどんな特徴があるか教えてください

>>576
ありがとうございます。
まだ未熟なものでまた世話になるかもしれませんがよろしくお願いします

無事に卒業できましたよ。
何とか事務職でがんがっていまつ･･･

もうこれで嫌いな電子回路とはおさらばで肩の荷が下りますた

マジでありがとう

ダイオードの静特性の実験で特性曲線の傾きから内部抵抗を出して
内部抵抗について考察せよって問題があるんですが
印加電圧が低いときは内部抵抗が大きく電流は流れないが
印加電圧を大きくすると内部抵抗が小さくなって電流が流れる・・・
ぐらいしか思いつきません。なにをかくべきなんでしょうか？

静的な抵抗と動的な抵抗について書いて欲しいんだと思いますよ。
静的な抵抗：ＩＶ特性の原点から、そのポイントまで引いた直線の傾き
動的な抵抗：そのポイントのＩＶ曲線の傾き（電圧変化÷電流変化）
たとえば、抵抗とダイオードを直列にして定電圧回路を作るとしたとき、
出力電圧の絶対値は、静的な抵抗と直列抵抗の比で表され
電源電圧が変動したときの出力電圧の安定化度は、動的抵抗と直列抵抗の比で表されます。

>>576
> >>574
> 電荷密度をρとしたら、連続の式は
> ∂ρ／∂ｔ＝−divＪ
> てな具合に方程式を並べて適当に整理すればρだけに関する
> 微分方程式が得られます。
> あ。時定数＝ε／σですね。間違えてました。
>

>>５６８

それって小さくね？
なんかやばくね？

真空の誘電率、銅の導電率いれたら（ｒｙ

回路のインピーダンス考えたら
時定数RCじゃん。

まあ、L考えんでもいいっつう条件下でだが

>>576
> >>574
> 電荷密度をρとしたら、連続の式は
> ∂ρ／∂ｔ＝−divＪ
> てな具合に方程式を並べて適当に整理すればρだけに関する
> 微分方程式が得られます。
> あ。時定数＝ε／σですね。間違えてました。
>
> >>575
> pは電荷分布と書いてあるので電荷密度かなぁと。rは位置（ベクトル）ですかね。
>

スマソ、

557よんで問題がわかった。あってまふね

>>564

一般的な形状なら計算すればいい

ところで、そのコイル何につかうんだ？

使用目的で決めたほうがよくない？

>>569

周波数特性って

物性に関するもの？

>>577

回路方程式を解いて
初期条件いれて
計算してみり

>>586
一応回路方程式は解けてるんですが　よくわかりません
すみませんが詳しく教えてください

加算機の論理式で、「c*a+c*b+a*b」をnandのみとnot&norだけの式に分解せよと言う問題で、

not(c*a) * not(c*b) * not(a*b)
(not(c)+not(a)) * (not(c)+not(b)) * (not(a)+not(b)
と言う答えでは不味いですよね

>>587

ほう、ではその解をあげてみ

答えでてるんじゃないかな？

>>589
すいません　パソコンあまり使えないので解を書き込むことができません
Rの２乗＞４L/CとRの２乗＜４L/CとRの２乗＝４L/Cの３つがでるんですよね？
Rの２乗＞４L/Cの解にはcoshとsinhが入っててRの２乗＜４L/Cの解にはsinが
入っててRの２乗＝４L/Cにはとくになにも入っていません
こんな感じでしか説明できなくてすいません

>>580

>ダイオードの静特性の実験で特性曲線の傾きから内部抵抗を出して
>内部抵抗について考察せよって問題があるんですが

ダイオードの電流式はI=Is exp(V/vt), vt=kT/q= 26mV @300K(室温）
です。電流が小さいときは指数関数的に電流増加しますが、電流が大きく
なると
I=(V-0.7)/R
と寄生抵抗に逆比例した電流増加になるはずです。一回ダイオード
特性を片対数（x=電圧=実数/y=電流=対数)でプロットすれば良く分かります。
指数関数なので電流が小さい場合、対数グラフ上では線形増加するが電流が
大きくなるにしたがい理想からずれるでしょう。

>>590

がんばって書いてみ？

話はそれからだ

それがいやだったらここで、他のやさしい人に聞くか
LCR回路でくぐってくらはい

Rの２乗＞４L/Cの場合ｑ＝ｑoeの-αｔ（coshδｔ＋α/δsinhδｔ）
Rの２乗＜４L/Cの場合ｑ＝ｑo２√（L/C)/√（４L/C-Rの2乗）×eの-αｔsin(βｔ＋θ）
Rの２乗＝４L/Cの場合ｑ＝ｑo（１＋αｔ）eの-αｔ
ｑoはCVo（初期条件）
どうですか？見にくいかもしれませんが

>>585
入力電圧を一定にして周波数を変化させていくと、ある値から出力電圧が小さくなって
いきますよね？その原因を書けばよいと思うんですが、ミラー効果が関係するんでしょうか？

↑間違えました、５６９です(^_^;)

>>594
Ｚ＝1／（ｊωC）でインピーダンスが変わるからでいいんじゃないの？

＞＞５９１
ダイオードの電流式はI=Is (exp(V/vt)-1)とテキストにあるんですが
この二項目のー１はどこにいったのですか？
あと片対数グラフから確かに電流が小さい時は直線、
大きくなると曲線になっていました。
I=(V-0.7)/R
と寄生抵抗に逆比例した電流増加になる・・・ってのの理由
をもう少し教えてくれませんか？

I=Is(exp(eV/kT)-1)
IsがE-15ｵｰﾀﾞｰ,
e(電荷素量),k(ボルツマン定数),T(絶対温度)
と僕は習いました。タダの近似かと。
>>588 mattema-su

近似というかe/kT=38+なので1なんてゴミみたいな物と言う事なのでしょうか

なるほど。
じゃこのー１は無視ってことで。
I=Is (exp(V/vt)-1)の導出はテキストに載ってたんですが・・・
電流が大きくなったときI=(V-0.7)/R
と寄生抵抗に逆比例した電流増加になる・・・・ってやつの導出が
さがしてものってないんですよ。どなたか知っている方いませんか？

正確にはおっしゃる通りですが
I=Is(exp(V/vt)-1) ;vt=kT/q=26mV @300K
-1の項は無視できるくらい小さいです。

あと電流が大きいときの振る舞いは半導体工学の本なら似たような、表現
で載ってます。ＰＮ接合の章をじっくり読むべし。

CLANNAD さん
>>593に解を書いてあるので教えてください
しつこくてすいません　休み明けに課題出さないといけないので

連休中の宿題なんですけど、答え合わせお願いします！
http://citynet-web.hp.infoseek.co.jp/cgi-bin/img-box/img20040503223917.jpg
(1)回路内の各点(a〜s)における電位Va〜Vsを求めなさい。
a:1V b:0V c:0V d:-1V e:1V f:0V g:0V h:1V i:1V j:0V
k:0V l:2V m:1V n:0V o:2V p:0V q:-1V r:0V s:-1V
(2)回路内の電位差V1〜V5を求めなさい。
V1:1V　V2:-1V　V3:0V　V4:0V　V5:1V
(3)回路内の電流I1〜I5を求めなさい。
I1:-1A　I2:1A　I3:1A　I4:0A　I5:1A
※図中の電圧源は全て起電力1V、電流源は全て1A、抵抗は全て1Ωであるものとする。

>>603
e,h点は浮いてる(どこにも接続されてない)んだよねー。
ってことは、電流I1,I2は？

あとは合ってる。

>>603
でもあれだな、関係ないのはあげないでくださいって書いてあるuploaderに
あげるなんて流石だよな。

現在製造されているダイオードはほとんどSiでありGeダイオードはほとんどないそうですね
その理由ってなんなんですか？
わかる方教えてください。

>>606
原料が少ないしGe高いからな。

でもGeラジオ作るときとかは使うよ。
はぁ、もう秋葉でも1N60とかなくなってきてるしやばいのかなぁ・・・・

>>607
なるほど。I-V特性とかの性能面からいえる理由ないですか？
GeがSiよりも劣っている理由。

UPSで今は商用電源とバッテリーの切り替えは
サイリスタスイッチですが昔はどんなスイッチが使われていたのですか？
それによって不便なこととかありますか？

ゲルマニウム半導体は、順方向の電圧降下が小さく、少ない電力で動作させることができます。
しかしシリコンに比べて、熱に弱い。
シリコンの材料は、砂で地球上に無限にあるため単価が安い。

>>604
ありがとうございます。あと一問あるんですけど、どなたかお願いします。
問）電線内のある断面を1μs間に100個の電子が通過したとき電流Iの大きさを求めなさい。

電流っていうのは1秒間に通過した電気量のことです.
1)1usの間に何クーロン通過したか
うー、電子一戸の電気量の大きさが思い出せない…6.01*10^…調べてくれ。
100個通過したなら電子一戸の電気量の大きさ*100だね。
2)では1秒間では何クーロンか
1)で出した値を1/1*10^-6倍すればいい。

>>611
Q=I*tで、Qが電子100個分の電荷でtが1μsだから簡単だろ？

GeAsショットキーダイオードというのもあるらしい。

>>612
結婚するか？

見事に重なりましたねw

素朴な疑問です。コイルの誘導起電力がV=-Ld(i)/d(t)の式で表されるのはなぜ？
実験式（ファラデーの法則）？

>>612-613
なるほどそれでいいんですね。
電子１個の電荷量は-1.6*10^-19Cだから、
-1.6^-11Cでいいでしょうか。あれ？マイナスでいいんですか？

大きさなので絶対値でいいよ
電子の移動方向が指定してあれば符号が要るけど
あと電流の単位は[A]

あっ、クーロンになってたｗ
どうもありがとうございました！

>>593>>602
LRC直列回路の放電は、↓この回路で、
http://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_12
(1)非振動的な場合：R^2>4L/C
　・q=C･E･ε^(-α･t){cosh(δ･t)+α/δ･sinh(δ･t)}
　・i=dq/dt=E/(L･δ)･ε^(-α･t)･sinh(δ･t)
　・vr=R･i=E･R/(L･δ)･ε^(-α･t)･sinh(δ･t)
　・vl=L･di/dt=E･ε^(-α･t)･{cosh(δ･t)-α/δ･sinh(δ･t)}
　・vc=C/q=E･ε^(-α･t){cosh(δ･t)+α/δ･sinh(δ･t)}
(2)臨界の場合：R^2=4L/C
　・q=C･E･ε^(-α･t)･(1+α･t)
　・i=dq/dt=E/L･t･ε^(-α･t)
　・vr=R･i=E･R/L･t･ε^(-α･t)
　・vl=L･di/dt=E･ε^(-α･t)･(1-α･t)
　・vc=C/q=E･ε^(-α･t)･(1+α･t)
(3)振動的な場合：R^2<4L/C
　・q=C･E･ε^(-α･t){cos(δ･t)+α/δ･sin(δ･t)}
　・i=dq/dt=E/(L･δ)･ε^(-α･t)･sin(δ･t)
　・vr=R･i=E･R/(L･δ)･ε^(-α･t)･sin(δ･t)
　・vl=L･di/dt=E･ε^(-α･t)･{cos(δ･t)-α/δ･sin(δ･t)}
　・vc=C/q=E･ε^(-α･t){cos(δ･t)+α/δ･sin(δ･t)}
となる。
これに適当に数値を入れ計算しグラフにすると↓こうなる。
http://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_13
http://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_14
http://61.194.9.54/u/kikaidenki/0_15

臨界の状態とは、非振動状態の限界の状態。
ここから4L/Cが少しでも大きくなると振動的な状態になる。
あとは考えて。。
(計算間違えてたらスマソ)

http://matakappa.hp.infoseek.co.jp/cir/cir.bmp

この小信号増幅回路で入力をf=10kHz、振幅0.5ｖの正弦波として
点Aでの出力を時間解析したのですが、実測値と理論値が合わなくて困っています。

hfe = 160
hie = 2000 Ω　はトランジスタの静特性のグラフから計算できたのですが

ib = 0.5sin(wt) * (RB + RA) / (RB * RA) [A]
= 0.0000541 sin(wt)[A]
から
ic = hfe * ib　と求めて
求める出力Vは
V = ic * R
R = (RC * RL) / (RC + RL)　より

V = 25.9sin(wt)

って求まったんですけど実験結果の出力波形みると振幅2vの正弦波になってます。
計算は間違っていないみたいなのでどこの考え方が違うかわかりません。
どなたかご教授よろしくお願いいたします。

【訂正】
実験結果の出力波形→　振幅１．５ｖの正弦波でした。

RC/RE

>>624
REについて考えてみたんですけどまだ理解できません。
もうちょっと具体的に教えていただけないでしょうか

REに現れる電圧計ってみそ
REに現れる電圧とRCに現れる電圧は逆相

誰か無知な漏れに64KBitのSRAMに必要なアドレス線の本数を教えてくらはい…。

>>626
それぞれの電圧計ってグラフにしてみました。
a(x)：入力　b(x)：出力　Rc(x)：コレクタの電圧　Re(x)：エミッタの電圧
http://matakappa.hp.infoseek.co.jp/cir/graph.bmp

>>622での計算値（振幅２５．９）と実測値（振幅１．５）とが合わなくて悩んでます。
どこが計算上おかしいのかがわかりません。

>>621
ありがとうございました　

>>627
品種によって違うんだが．．．
●６５５３６ワード ｘ１ 構成
１６本
●１６３８４ワード ｘ４ 構成
１４本
●８１９２ワード ｘ８ 構成
１３本

>>630
ありが�dございます！
出来ればどうしてそうなるのか教えていただけないでしょうか…

>>631
構成が３種類なのは、市場で流通してるのがそれぐらいしか
ないからとしか．．．
（特殊用途とかＣＰＵ内部キャッシュとか探せばｘ１６とかもっと
あるかも）

アドレス本数は

　16
２　＝　６５５３６
　14
２　＝　１６３８４
　13
２　＝　８１９２

だからとしか．．．

こんな言葉を軽はずみに使ってはいけないかも知れませんが
>>632は神！！本当に色々ありが�dございました。ようやく眠れます…

>>628
交流部の計算にRA,RBは直接関係ない。
交流部のみについていうと、
vi=vb=veなので、
ie=ve/RE=0.5/1=0.5mA=~ic
直流電源は短絡して考え、C-E間インピーダンスは大きいので無視し、RCの交流電圧がvcとなる。
よって、vc=RC*ic=3*0.5=1.5V
なので、vc=RC/RE*vi

２入力NANDｹﾞｰﾄを使って３入力NANDを作るときの
論理式わかる方いますか？

実験ﾚﾎﾟの問題なんですが。

漏れインピーダンスはここのインターネットで私は障害者だろか？

>>635
ある方法
2入力ANDとインバータと2入力ORで３入力NANDを作れば？
手を動かせよ。
でそれを2入力NANDだけで置き換える。（NAND=インバートOR（論理がひっくり返る））
そしてそれをブール代数で表す。

別な方法
カルノー図上で禁止ループ法を使う。

いずれ（もしくは他の方法）にしても単純だからから教科書に書かれた方法で十分。

フリップフロップ回路で10進カウンターを12進カウンターにするにはどうすればいいのでしょうか？

>>638
意味がちょっと・・・・具体的にどういうこと？

>638
10進カウンターを2個直列に接続し、12進になったらクリアを掛ける。
何チョコの考えでは、だめですか？

>>640
7490を2個組み合わせて、それやったことがあるよ。
7490余っていたん別にカウンタ買わないで目的の数でデコードしてリセット。
某本に載ってたんでそのまま回路拝借・・・・w
同期型と非同期型ではデコードする数を変えないと同じ数をカウントしなかったりする。

>>638
フリップフロップで10進ってことは非同期なら4個で16進カウンタを10でリセットかける回路っていう可能性が高いよね。
もしそうだとしたら10をデコードして強制リセットかけてる部分を変えて12をデコードするようにすればいいんじゃない？
12(10)=1100(2)だから、
1100
↑この3ビット目と4ビット目のアンドをとってそれをリセット信号とすればいいよ。
リセット端子が反転入力ならNANDを使えばok.
非同期式の4bitっていう仮定で説明してしまいましたが同期式とかほかの形の回路になると話が変わってくるので注意してください。

×非同期なら4個で16進カウンタを10でリセットかける回路
○非同期式での話なら、フリップフロップ4個で16進カウンタを構成し、10で強制リセットをかける回路

sinhとcoshの微分教えてください

>>644
d(coshX)/dX=sinhX
d(sinhX)/dX=coshX
{e^(x)+e^(-x)}/2とかを微分すればできます。

>>634
ありがとうございます、無事理解できました。
よくみたらエミッタは交流電圧入力に対して短絡ではないんですね。

この回路ってエミッタ接地の小信号増幅回路とはまた別物って事ですよね？

>>645
ありがとうございました
あと音響系の減衰振動の方程式ってありますか？振り子などの方程式は
あるのですが音響系の減衰振動の方程式はわかりません
誰か教えてください

電子回路習いたてなんですが早くもくじけそうです。。。
バイポーラトランジスタに関する問題で
エミッタ接地高周波T形モデルとハイブリットπ型モデルが等価であることを
両者のhパラメータを求めて証明せよ。というレポが出ました。

ハイブリットπ型モデルの回路図はわかるんですが、
エミッタ接地高周波T型モデルは微小信号モデルに何をつけたしたらいいかわかりません。。

あと、とりあえずハイブリットπ型モデルのｈパラメータだけでも求めておこうと思って
ｖ(CE)とi(C)を出そうとしたんですが
v(BE)＝i(B)＋(Ccによる電圧)＋ｖ(CE)の(Cｃによる電圧)がわからないのに加え
i(C)の出し方はサッパリです。。。

どうかアフォな情報学科生にご教授下さい。。。よろしくお願いします。

>>ｖ(CE)とi(C)を出そうとしたんですが
→ｖ(BE)とi(C)を出そうとしたんですが

小信号等価回路にベース・エミッタ間とベース・コレクタ間の寄生容量つけりゃT型になるだろ。
そいつをT-π変換すりゃいいんでないかい？

┌────┐・ M ・┌───┐
│　　　　　　⊃　　　⊂　　　　 ＞
○　　　　　L⊃　　　⊂L　　 　 ＞ r
│　　　　　　⊃　　　⊂　　　　 ＞
└────┘　　　 └───┘

上図で、○は電圧源でe=Em*sinωtで、
M=0.8L、rは可変抵抗です。

この回路でrを変化させたとき、rにおける消費電力が最大となる
条件を求めよという、いわゆる整合の問題ですが、
等価回路を書き、rより左のインピーダンスが、抵抗を複素共役
となるよう考えたんですが、そのインピーダンスが虚部のみに
なって、はぁ？？？って感じなんです…

他に解き方あるのでしょうか？もしくは根本的に間違ってますか？

この場合は等価回路書いて、rから左を見たインピーダンスの絶対値＝ｒ　となれば、供給電力最大になるから・・・・・・


ｒ＝|ｊω（L＾2-M^2)/L|
　＝0.36ω/L

でいいと思うが・・・・・・・・

>>652
あ、そうなんですか…

複素インピーダンスなので、考えが凝り固まってました。
ありがとうございます。

>>651の回路図のLとMの部分が何かの昆虫に見えて仕方ないw

負荷となるICの入力インピーダンスがIC40個で抵抗100kΩ、容量120pFとすると、
実験結果からファンアウト数は幾らと推定されるかを示せ。
ただし、出力波形の最大値最小値が無負荷時波形に達する限り
所定の動作が可能であるとする。
-------------------------------
以上の課題があるんですよ。
手元にはIC1個で行った実験表があります。
120pF　tPHL(0.151μ秒)　tf(0.163μ秒)　tPLH(0.127μ秒)　tr(0.135μ秒)
100kΩ　tPHL(60.0ナノ秒)　tf(34.0ナノ秒)　tPLH(64.0ナノ秒)　tr(34.0ナノ秒)
- - - - - -
以上の資料だけで解けますか？
解けるなら解き方を、解けないならどういったデータが必要なのか教えてください。

bremsstrahlugとはどういう意味なのでしょうか。よろしかったら教えてください。

>>651についてもう少し…

この場合計算すると、消費電力は整合されると、
(1/2)*(E_e^2/r)となり、
普通のインピーダンス整合のときの(1/4)*(E_e^2/r)
と比べて2倍になってますが、
これは理想的とはいえ、内部インピーダンスが純虚数の
ものだからですよね？

問題とは関係ないのですが、マッチングのときにこういうことは
考えられていて、実部を出来るだけなくすようなことがされているのでしょうか？

>>656 スペルが違いますね。正しくは
× bremsstrahlug
◯ bremsstrahlung

意味は www.alc.co.jp でお調べ下さい。でわ。

>>658
ありがとうございました。

皆さんのお力を貸してください。
学校のレポートでどうしても分からない事があります。
私電気の学生ではないので、皆さんからみると情けない質問になってしまうかもしれないです。
本当すみません。
PID制御においてP制御だけでは定常偏差(オフセット）が残ってしまうと思います。
これを数学的に証明してほしいのです。

球電極の間隙を大きくすると電位傾度が小さくなるのはなぜですか？

Δ結線電力回路で、線間電圧が100Ｖ、負荷はそれぞれ20Ωの抵抗だけ、3相で合計３Ｋｗの有効電力分消費がある。
この状態で、電源の一つが焼き切れ、解放状態になった。この時の、焼き切れた電源の両端の電圧（線電圧）はいくらか。（電源の定格は１Ｋｗ）
------------
さっぱり分かりません、よろしくお願いいたします。

>>657
電源内部インピーダンスが純虚数なのと、負荷側にインダクタンスが無いからだと思われ。

マッチングは、反射係数をなくすことが目的だから、実部をなくす事が目的じゃない。
分布定数回路（高周波回路）を勉強すりゃわかると思う。

オペアンプを使った非反転増幅回路なんですけど、入力電圧の周波数をあげていくと
利得がある程度まで下がっていき、また上がってきて一定となりました。
なぜこういう現象がおこるのでしょうか？

訂正
負荷側にインダクタンスが無い＜これは関係ないから削除してクレ
つまり、>657の指摘どーりですな。

>664
それ、発振してるよーな気がするが？
詳しいデータしらんので、なんとも胃炎

npnトランジスタでコレクタとベースを正にエミッタを0に電圧を印加した場合、バンド構造はどのように変化するか？
また、どのような条件でトランジスタの増幅が起きるかを述べよ。

これがわかりません。
どうかお力をお貸してください。

>>663
>>665
ん？結局どういうことですか…？

分布は勉強しました。なるほど反射ですか。
電気回路を初めから復習してるんですが、
いろいろ今までの再整理してます。

なんで今までこんなこと分からなかったんだ…
とか、分かった気になってたが良く考えるとわかんね。
みたいなので結構滞ってますｗ

発電機についてなんですが、

他励と分巻では界磁抵抗を変えたときの
端子電圧の上昇速度に差があるらしいのですが
なぜでしょうか？

よろしくお願いします。

電験一種の参考書を探しているのですが
お薦めのものが在ったら教えてください。

よーは、>657の考えは合ってるってこと

分かる人いませんか？

>>3
球電極って、
同一中心の内導体球(半径：ａ)と誘電体を挟んで外導体球(半径b)があるってこと？
(外球はアース)
この場合、中心から半径ｒ（a<r<b）の電位傾度Ｅは、
E=Q/(4・π･ε・r^2)・・・(1)；電荷：Q、誘電率：ε
内球と外球の電位差Vは、
V=Q/(4・π･ε)・(b-a)/(a･b)
内球と外球間の静電容量Ｃは、
C=Q/V=4・π･ε・a･b/(b-a)
Q=CV=4・π･ε･V・a･b/(b-a)
これをＥは(1)式に代入し
E=V・a･b/{r^2(b-a)}
となる。
ｒによりEは異なるが、
a：一定としてbを大きくするとa･b/(b-a)は小さくなるのでEはどの位置(a-b間の)でも小さくなる。

こんなとこじゃない？

訂正
>>661でした。
マルチしないように。
間違えちゃったよ。

(Y+Z)(Z'+X)=XZ+YZ'
これを証明しる、問う言うことです。

LHS=(Y+Z)(Z'+X)
YZ'+YX+ZZ'+ZX
YZ'+YX+0+ZX
YZ'+YX+ZX

ここまではできました。
ここからはどうやってやればいいですか？
お願いします。

すいませんが、排他的論理和（Ex-or）を否定論理積（EOR）を３or４個使ってあらわせますか？
教えて下さい。

否定論理積（EOR）←×
否定論理積（NAND）←○
すいませんがよろしくお願いします。

>>675
ttp://www50.tok2.com/home/tamuro/guen/SimpleLogic.html
つーか検索もできないのか？
exor　等価回路
でぐぐったら一番上に出てきたぞ
次からはちゃんと自分で調べろ

本を参考に以下の様な固定バイアスの一石アンプを作成したのですが、
http://radio.s56.xrea.com/radioup/circuit/radio_0042.gif
実際に動作させると音の大きい所がわずかに潰れて聞こえるだけで正しい音がでずに
困っております。
自分で抵抗値を計算したので大きな間違いもあると思うので
問題点を教えていただけないでしょうか？よろしくお願いします。

カップリングコンデンサの容量でか過ぎない？

>>678 いろいろツッコミどころはありますね。
音が大きいところしか聞こえないのはあたりまえです。

取り敢えずスピーカーの抵抗値と1815の最大定格 電流値を
教えて下さい。

1000u はケミカルコンデンサですね?

>>678 最初に結論だけお知らせしておくと、これが増幅器として
動作するのは入力電圧が10 mVp-p 以下の場合と思って下さい。
(Vp-p はVolt peak to peak の意味)

オーディオ例えばCDのアナログ 出力なら確か数Vp-p 程度の
出力はありますね。
したがって増幅器に負帰還をかけないといけません。
エミッタ抵抗を入れてみて下さい。

あとコレクタ抵抗は スピーカーとおよそ同じ値にしないと
電力増幅しません。

そういうことを考えて回路を全部書き直して見て下さい。以上。

>>681
674はどうですか？

>>682 意味が良く分かりません。定数の定義を書いて下さい。

Z = X + jY で、 Z'というのは Zの複素共役 ということでしょうか?
数式だけて問われてもさっぱり分かりません。

>>683
ﾌﾞｰﾙ代数を使って証明せよということです。
ごめんなさい。それしか問題に書いてないので、、、。

>>678
固定バイアスはやめた方がよい。
トランジスタをうまく使うのはフィードバックをかける事。
http://radio.s56.xrea.com/radioup/circuit/radio_0043.jpg

>>684 なんか凄くなつかしいけど、ド モルガンの定理とか使えは解けるべ。
俺、解いてもいいが数式が書きにくい LINUXだから字ずれるし。他の人にタッチです。

>>685
勉強しててまず固定バイアスしてバイアス方法
変えていくんじゃないだろうか。

>>664
入力電圧の周波数をあげていくと利得がある程度まで下がっていき、また上がってきて一定

それ、特定の周波数成分除去に使うノッチフィルタと同じ。

こんな事勉強して何になるの？
意味あるの？

>>666
ようは、バイポーラTrは電流制御の可変抵抗なんですよ。
あと説明まんどくさいのでやめます。

>>685
まあまあ、もれのようにECBからブレッドボードの上で勉強しているヤシかも知れないじゃないか。

>>689
ｼｮﾎﾞｰﾝ（´・ω・｀）

>>678
>>680が色々アドバイスしているが、その中でも一番問題になることは、負荷抵抗。

スピーカーを直につないで聞いたなら、この回路では増幅度や出力が取れない。
なぜなら、回路の交流負荷（直流負荷ではない）はコレクタ抵抗とスピーカーのインピーダンスの並列接続の値になるから。
おそらく数オームになる。
通常この手の回路に（手を加えずに）スピーカーをつなぐときは抵抗負荷ではなく、トランス結合でスピーカーをつなぐ。

まずはこれを何とかしないと、他をどう弄っても実用にはならない。
ただし、出力をクリスタルイヤホンで聞くとか、オシロで見るだけとかなら話は別。
それらをつないでもインピーダンスが高く、負荷抵抗にほとんど影響を与えないため。

もう少し基本を本で学んでがんばりませう。

>>691突っ込みそうな人がいるので訂正。
>おそらく数オームになる。 →
おそらく数〜数十オームになる。
周波数によりスピーカーのインピーダンスは変動するので。

Using Boolean Algebra prove (Y+Z)(Z'+X)=XZ+YZ'

LHS=(Y+Z)(Z'+X)
YZ'+YX+ZZ'+ZX
YZ'+YX+0+ZX
YZ'+YX+ZX
YZ'+YX(Z+Z')+XZ
YZ'+XYZ+XYZ'+XZ
YZ'+XYZ'+XYZ+XZ
YZ'(1+X)+XZ(Y+1)
YZ'+XZ

>>686
Thanks for your concern on this question, finally I made it!!

球電極の間隙が大きくなるにしたがい電位傾度の値が小さくなる理由は何ですか？

LR回路の問題なんですけど
L=2[H] R=1[Ω]のLR回路にf(t)=3cos(t),f(t)=2sin(3t)を
入力したときの出力波形をもとめるにはどうすればいいでしょう？

比較器（コンパレーター）について教えてください。
入力電圧を増加させていったときと減少させていったときとでは
基準電圧がちがいますよね？
これの原因ってなんなんんですか？
わかる方どうか教えてください

678です
>>679さん
>>680さん
>>685さん
>>685さん
>>690さん
>>691さん
レスどうもありがとうございます。
やっぱり現実で使うのには無理があるみたいです。
もう少しがんばって勉強してみます。
>>680さん
はい。電解コンデンサです。実は何も分からず試験的に
適当につけていました。
データシートによるとIcは最大150mAまでです。
スピーカーは8Ωです。

>>696 ちょっと文章だけでは説明しにくいのですが、コンパレータは正帰還でヒステリシスをだしてるんです。

サイリスタ（SCR）の応用例をいろいろ教えてもらえませんか？

>>699 本でも読んだらどうですか?
http://www.tdupress.jp/book_da/ISBN4-501-01080-0.html

pn接合とショットキ接合のI-V特性は同じ整流性を示すが、
pn接合とショットキ接合の違いを説明せよ。
（pn接合は半導体と半導体の接合、
　ショットキ接合は、金属と半導体の接合というのは駄目らしいです）

すみません。どなたか660の問題を教えて下さい。

>>702
この辺に載ってないか？
http://irws.eng.niigata-u.ac.jp/~chem/itou/calc/cn01.html
http://irws.eng.niigata-u.ac.jp/~chem/itou/cemath/cemath13.html

>>694を文章で教えてください。

>>694
>>672を無視するとはなかなかやるな、これでわからないなら説明のしようがないな。

>>701
ショットキーは仕事関数の違いによって生じる。
pnは電位障壁によって生じる。

というせつめいで大丈夫だとおもう

>>705
レポートに数行の文で書いてこいと言われています。
数式ではなく文で教えてください。

サーマルリレーの制定値をいくらにしようか悩んでます。
12〜18[A]まであるんですが、教えてください。

回路は下のようにつながってます。

────────
│　　　　　　　　　　│
三相　　　　　　　　ＡＣ
誘導機────200Ｖ電源
│　　　　　　　　　　│
　────────

AC200Ｖ三相交流電源に三相誘導機2.6[KW]がつながってて、
三相誘導機運転中に一線もしくは二線断線した場合、電流は何アンペア
になるか答えてください。それによってサーマルリレーの制定値を決めようと
思います。
あと、モーターの力率は0.6ぐらいで計算したほうがよいのでしょうか？
よろしくおねがいします。


　

リレーシーケンスのラダー回路図の事はここで聞いてもいいですか？

>>706
調子に乗るのもいいかげんにしろよ。
文ぐらい自分で考えられないならレポート出さずに単位落とせクズが。

>>706
折れが、喪前の為に文を教えてやる。

　　　　　　「わかりません」


ほら、これなら数行どころか一行で終わるぞ？
つーことで、単位落としてこいやヴォケ。

レポすら書けないよーじゃ、お先真っ暗だな。

>>708
こちらへ↓
http://science2.2ch.net/test/read.cgi/denki/1084371074/l50

>>706 ここに書き込む前に半導体の教科書熟読して
そのうえでどの点が分からないか具体的に質問をしなさい。

>>712
これって半導体じゃなくて電位等位図書くレポートじゃねぇ？

>>706
この宿題は、多分、電界に関し自分なりのイメージを書く問題だと思う。
なので、人の書いた文章写しても意味がない。
十分教科書読んで、自分なりのイメージを掴み文章にする勉強をしてください。
（そう考えると数式書く方が簡単かな？）

>>672は電極間電位差一定の場合。
ヒントは、電界傾度(電界の強さ)Ｅの単位［Ｖ／ｍ］にある。
別に球電極に限らず、電位差Ｖ[V]一定で電極間距離Ｌ[m]が大きくなれば、傾きＥが小さくなるのは当然。
富士山のような山で、山頂の標高が同じで裾野が広くなれば、山の傾斜は緩やかになるのと似てる。

電極の電荷Ｑ［Ｃ］一定の場合、>>672の式(1)で出ている。
半径ｒが大きくなるほどＥは小さくなる。これは電束密度[Ｃ／ｍ]が小さくなるから。
だから、電極が離れれば電極間平均のＥは小さくなる。

暗電流は光電子増倍管にどのように影響するのでしょうか？
自分で調べてみたんですが、『ノイズによって検出能力や精度が下がる』
みたいなことしかわかりませんでした。ほかにも影響はでますか？
詳しい方いたらよろしくお願いします

教えてｸｿで申し訳ないですが今、変圧器の問題をしていてつまづいたのですが
等価回路定数ってなんでしょうか？
また、どのように導出するのでしょうか？

>>715
よくわからんが↓これ？
http://www.hpk.co.jp/Jpn/products/etd/pmtj/pmtj.htm

>>716
変圧器の等価回路定数って、巻数比ａ＝Ｎ１／Ｎ２のことじゃないの？

>>716
L1,L2 と相互インダクタンスM のことでは？

「コレクタ接地回路において交流出力電圧V0が入力電圧Viより
少しだけ小さくなることをIB-VB静特性の図を利用して説明せよ」
という問題ですがわかりません。
コレクタ接地は電圧増幅がほとんどないんですよね？
その事実は知っているんですがその原理を説明せよと言われ
かなり悩んでいます。助言などをお願いします

>>719 京都大にエミッタフォロワの絵をみつけたので、この絵で説明しましょうか。
http://www-nh.scphys.kyoto-u.ac.jp/~enyo/kougi/elec/node25.html

俺が全部解くとトレーニングにならないので おおまかなヒント
バイポーラの電流式
Ic = Is exp(Vbe/vt); vt= kt/q = 26mV @ 300K(室温)です
Ib = Ic/β

ですね。したがって小信号の相互コンダクタンスgmは
gm= dIc / dVbe = Ic/vt

です。以下小信号の電流を小文字で示すと。
vout = RL (ic + ib) = RL gm (vin - vout) ( 1 + 1/β)

これをvoutについて解けばいいのでは。
まあ詳しくはグレイの本でも読むと良いよ。
http://www.amazon.co.jp/exec/obidos/ASIN/4563067245/

あ失礼 京都大の絵のv1 -> Vin , v2 -> voutに置き換えて
読んでね。

追記

ちなみに小信号解析しましたが、直流的な応答に注目して
Vout = RL ( 1 + 1/β ) Is exp( (Vin - Vout)/vt)

をVoutについて解いても良いかもね。解けるかどうかわかんないけど。

丁寧な解説ありがとうございます
参考にさせて頂きます
力不足のときはまた助言をお願いします

図の回路においてab間の電位差はいくらか？また、abいずれの電位が高いか
答えよ電源電圧は12Ｖとする。


　　　　　　　　　 4Ω　　　　　　　　2Ω
　　　　　　──∧∧∧───∧∧∧──
　　　　　│　　　　　　　　│　　　　　　　　　│
　　　　　│　　　　　　　　│a　　　　　　　　│
　───　　　　　　　　　　　　　　　　　　　│────
　　　　　│　　　　　　　　│b　　　　　　　　│
　　　　　│　　　　　　　　│　　　　　　　　　│
　　　　　　─∧∧∧───∧∧∧───
　　　　　　　　　1Ω　　　　　　　　　2Ω

電流は上は2Ａ下は4Ａです。
模範解答では
Ｖａ＝2×4
Ｖｂ＝2×2
電圧差は8-4＝4Ｖとでてますが、2はどうやって出したんでしょうか？

>>724
単なる出題不良か、掲示版書き込み時の転記ミスと思われますが
どちらですか？

失礼しました。
Ｖａ＝2×2＝4Ｖ
Ｖｂ＝2×4＝8Ｖ
でした。

>>724
>Ｖａ＝2×4
>Ｖｂ＝2×2
多分逆だ。

問題が悪い。
電源をどうつなぎ、どこを基準とするかで答えが変わる。
（電位差は変わらんが電位は変わる）
一応考えられる答えだが・・・・・
両方とも向かって右側の抵抗の値（と思われる）
　　　　　　　　　 4Ω　Rc　　　　　　　2Ω Ra
　　　　　　──∧∧∧───∧∧∧──
　　　　　│　　　　　　　　│　　　　　　　　　│
　　　　　│　　　　　　　　│a　　　　　　　　│
イ───　　　　　　　　　　　　　　　　　　　│──── ロ
　　　　　│　　　　　　　　│b　　　　　　　　│
　　　　　│　　　　　　　　│　　　　　　　　　│
　　　　　　─∧∧∧───∧∧∧───
　　　　　　　　　1Ω　Rd　　　　　　　　2Ω Rb

ロを基準（GND)としてイ（+）ーロ（−）に12Vをつないだと考える。
Va=Ra*Ia=2*2=4（V）
Vb=Rb*Ib=2*4=8（V)

これがイ（-）−ロ（+）、イを基準にすると（GND)
Va=Rc*Ia=4*2=８（V)
Vb=Rd*Ib=1*4=４（V)