【物性】電子の移動速度を損なうことなく電流を遮断できるグラフェン「Barristor」を活用した新しいトランジスタ構造を開発−サムスン

サムスン　夢の素材・グラフェンで画期的な技術開発

【ソウル聯合ニュース】サムスン電子が「夢の新素材」と呼ばれる炭素素材グラフェンを活用した新しい
トランジスタ構造を開発した。グラフィンを活用したトランジスタが完成すれば、従来の１００倍以上のデータ
処理能力が可能になるとされる。

　サムスン電子は１８日、従来のシリコンの限界を克服し、未来トランジスタの開発可能性を高める同社
総合技術院の論文が１７日付のサイエンス誌（電子版）に掲載されたと明らかにした。

　半導体にはシリコン素材のトランジスタが数十億個含まれているが、半導体の性能を高めるためには
トランジスタを小さくすることで移動距離を縮めたり、電子の移動速度を高められる素材が必要だ。

　優れた移動速度を持つグラフェンはシリコンにとってかわる物質として脚光を浴びているが、電流を遮断
できないという問題点がある。

　トランジスタでは電流の流れと遮断によってデジタル信号「０」と「１」が発生するため、グラフェンをシリコンの
代わりに商用化するためには半導体化のプロセスを変える必要がある。この過程でグラフェンの移動速度が
急落するため、トランジスタとして使うことには否定的な意見が多かった。

　今回、サムスン電子は新たな動作原理を適用し、グラフェンの長所を損なうことなく電流を遮断することの
できる素材を開発した。

　グラフェンとシリコンを接合し、ショットキー障壁(ショットキーバリア）というエネルギーの壁をつくる。また壁の
高さを調節することで電流を発生させたり、消したりできる。

　バリア（Ｂａｒｒｉｅｒ）を自在に調節することから、サムスン電子は新素材を「Ｂａｒｒｉｓｔｏｒ（バリスタ）」と命名した。

　今回の論文はグラフェン素材研究の最大の難点を解決し、今後の研究における新しい方向性を示すと
される。まあ、関連分野をリードする基盤を構築したとも評価されている。

　現在、サムスン電子はグラフェンを用いたトランジスタの動作方式に関する中核技術を九つ確保している。

　サムスン電子総合技術院のパク・ソンジュン専門研究員は「グラフェン素材についての研究はようやく方向性が
見えた。シリコン技術の拡張に寄与することはもちろん、半導体素材として使えるよう研究を続ける」と話した。

聯合ニュース/中央日報　2012年05月18日19時29分
http://japanese.joins.com/article/354/152354.html

Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier
Heejun Yang, Jinseong Heo, Seongjun Park, Hyun Jae Song, David H. Seo, Kyung-Eun Byun,
Philip Kim, InKyeong Yoo, Hyun-Jong Chung, Kinam Kim
Science DOI: 10.1126/science.1220527 Published Online May 17 2012
http://www.sciencemag.org/content/early/2012/05/16/science.1220527
http://www.sciencemag.org/content/early/2012/05/16/science.1220527/F1.large.jpg
Fig. 1 Graphene Barristor. (A) A schematic diagram to show the concept of a GB. (B) False colored scanning
electron microscopy image of the GB before the top gate fabrication process. (C) Current versus bias voltage
characteristic of a GB at a fixed gate voltage Vgate = 0 V, showing a Schottky diode characteristic. The inset
shows a transmission electron microscope image of graphene/silicon junction. No native oxide or defect is
seen in the image. (D) A photograph of ~2000 GB arrays implemented on a 6 inch wafer.

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http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1319847552/-100
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http://toki.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1318487980/-100

名称に既視感がある

それはグラファイトではないのか

＞夢の素材・グラフェン
新しい言葉を覚えたんだね。

東アでも見たなこの記事。
あっちでは記事に実用化まで10年かかるって書いてあったが

サムスン？
インチキ臭いね

>>4
世界中で言ってるよ

>>3
最近の流れだと層の数がきちんと数えられるぐらいならグラフェンって呼んでるな。

>>2
それはVとBの区別をつけない日本語の問題

>>5
そりゃこれに限らず新構造の素子が数年で実用化できるわけ無いだろ

グラファイトは移動度が高い状態ではバンドギャップが開かないからスイッチングが出来ないんだよな。
バンドギャップを開こうとするとドーピングするんだがそうすると移動度は低下する。
動作原理を変えたと言ってるが構造的にはグラファイト基板にシリコンで電極つけたというふうにしか読めんな。
ＪＦＥＴの一種だと思うんだが。ＭＥＳＦＥＴ？金属じゃないからＣＡＳＦＥＴか。
ＳはセミコンダクタじゃなくてシリコンのＳな。
いずれにしてもカーボンはたんなる電線の役目しかないからバリアハイトを制御する速度がスイッチング速度になるだろう。
速いかどうかは知らんし回路が組めるかどうかも知らんが。たぶん回路ぐらいは組めるだろうな。
ただし接合型は微細化に向かないと思うが。バイポーラが微細化できなかったのと同じ。

えらい時代遅れな話をしているんだな。サムスンって。
笑ってしまった。

炭素半導体じゃないじゃんｗ

実用化は１０年後ぐらい乞うご期待ってやつだっけ？

>>10
どこが？
グラフェンを半導体に使うための研究は世界中で進行中だと思うが

株価対策か、製品化されたら呼んでくれ。

グラフェンの工業的な製法が確立してないからな。

触媒を使って成長させる方法とかも検討されているけど、触媒みたいな不純物が
混入してしまうと純粋なグラフェンの特性にならなくて、かといってシリコン
のように後から帯域溶融みたいな方法で精製するわけにもいかないってのが
ネック。

もしかしてアップルがメモリの供給元変えたのって相当ヤバかったんじゃない？？？
株価対策に手一杯でオロオロしてるように見えてならない

で、パクリ元はどこ?

まずはグラフェンでメモリーを作って見せてくれや
お祭りはそれからだ

>>17
論文にノーベル賞もらいそこねた韓国人が入ってるよ

バリスタって電圧によって抵抗が変わる素子のことだろ。
勝手に名前パクってるんか？

>>8
この板で嫌韓ネタはあまり言いたくないが、あの国の10年は他の国の100年に相当することがあるから。

>>20
ｂとｖの違い

パクリ能力に続いて開発力まで育ってきてるのか

まるで戦後必死にアメリカを追いかけ続けた日本をみてるようだ

>>23
そりゃ、あれだけ欧米の有名研究室に人送り込みまくってればね。
この点は日本も真似るべきだな。

現在の論理回路の仕組みは　同期式と言われ
特定の周波数の信号と同期して処理が行われる
だからＣＰＵは周波数が高いほど処理速度が早い

現在のままの同期式回路をそのまま用いるならば１００倍にするということは
この周波数を１００倍にするということであり
現在のＣＰＵの２ＧＨｚを２００ＧＨｚにするということである

ＣＰＵの電力はおよそ周波数に比例すると考えられており
このままでは現在１３０ＷのＣＰＵの消費電力は１３ＫＷと
もはやデータセンタでは原子力発電所１基でも足りない電力使用となってしまう

では消費電力の２乗に比例する電圧を半分にしたらどうなるのか？
１／１電圧＝１．３０∨　→　１／１の１３００Ｗ
１／２電圧＝０．６５∨　→　１／４の　３２５Ｗ
１／３電圧＝０．４３∨　→　１／９の　１４４Ｗ

道程は長そうである

>>10
もっと現実を見ましょう

まだOFF電流大きすぎだろ

でもパクリなんでしょ？

鉛筆で書いた線はグラフェン
これマメチな

有機半導体って移動度は高いけど、キャリヤがすくないんだっけ？

>2　>7
バリスタ 　varistor：　非直線性抵抗素子、variable resistor
バリスター　barrister：　法廷弁護士（事務弁護士：ソリシター solicitor）

シリコン使ってるからだめだな
炭素酸化膜トランジスタとかじゃないと

スレタイ覗いて、グラフェンが電流を遮断？
イミフって思った。
複合素材を用いて、グラフェンの特徴を阻害しないことが可能になったってことね。

＞この過程でグラフェンの移動速度が急落するため、
ここは誤記か

韓国の研究にしては嫌韓レスなさそうな記事だな
伸びもしないだろうけど・・・

まったく関係ないスレの話題を強引に結びつけてこそ嫌韓厨

完全に株価対策だな
サムスンは盗みが特技なんだから、まとも技術開発なんてやらないよ

グラフェン半導体は既にIBMが2010年に100GHzのものを発表してる、
そこにYu？Ming Linなる研究者が関与してたようだ。
しかし、その研究は米国防省のDRAPAの委託を受けたものだ、
だから国防秘密の漏洩かスパイ事件として問題になる可能性が高い。

>Received for publication 14 February 2012
>Published Online May 17 2012

タイムラグ3ヶ月の株価対策

グラフェンのシートなら作れるそれも半島企業が装置を売出している、
日本の電機業界は壊滅状態だ半島の研究が先行するのが普通になる。

グラフェンの場合にはOff状態を作るのが難しい、その辺に突破口が
あれば数年で利用されるようになる、もしグラフェンで数百ｍｖで
動作する素子が作れれば画期的、Si-CMOSは電源電圧を下げるのが難
しく消費電力を下げられない。

要するに発表は二年以上遅れ、実現は「半島の10年後」(＝いつまで経っても10年後)ということか。いつもの首爾進行だな。

あと、一般用新素材としてのグラフェン・シートではなく
半導体ウェハー用のグラフェン製造装置に関してはドイツが頑張ってるみたいね。
http://www.aixtron.com/index.php?id=312&L=5&tx_ttnews[tt_news]=1989&tx_ttnews[backPid]=756&cHash=13cf7ec322fd05f7f7a93bff75550fcb

>1
富士通が既に学会発表している技術をまんまパクリしたものだね

ttp://pr.fujitsu.com/jp/news/2009/11/27.html

「ウリも苦労してパクってることを認めて欲しいニダ」的なものを感じてしまう

○×みたいな記号を文字として使ってるから、
よその国の情報はなかなか伝達できないんだろうなあ。

ぼくも早くこの国に帰りたいなあ。じゅんを。

>42
>1　のポイントはオン電流、オフ電流の比が10^5 というところだよ

いまさら感てんこ盛り

他はもっと早く作り終えているよ

>>46
え？

株価やばくてウォンも死にそう
だれかこの飛ばしに騙されて
我が会社の株買うニダ
まで読んだ

Graphene
Featured Graphene Report
Patenting flatland: Graphene University impact, December 2011

A surge in graphene patent filings around the world, with a spike in graphene patent activity from around 2007

Largest graphene patent corporate portfolios are held by Samsung and Sandisk, reflecting industrial interest
in semiconductor and memory-related applications of graphene

A relatively high contribution from Universities and Research Institutes to the graphene patent landscape,
consistent with other early-stage and research-intensive technology spaces.

Top Universities with graphene patents include Sungkunkwan University, Seoul National University and Rice University

Many Universities have been successful in licensing out their graphene patents to industry

http://www.cambridgeip.com/knowledge-centre/nanotechnology/graphene.html

サイエンスにでるとは、よくやってるじゃないか
実用化は難しいが、主任研究員は大学教授になれる

ん？
「バリスタ」って普通のバリスタとちゃうの？

トンネル効果の出番を待っている。

と思ったらスペルちゃうやん

グラフェンにバンドギャップ作る方法はいくつも報告されている
どれが主流になるのかねぇ

科学と名の付く板だから、成された事それ自体以外の事からバイアスを
受けない人間が多くなって欲しいが、今のところは全然ダメだな

嫌いなやつ（韓国でもいいし他の集団でもいい）が何かを成した。
その成された事の価値を見極めようとする時に、嫌いだからという理由で
目が曇るような人間は、科学から遠いところにいる

いや、まあ抽象論や印象操作でチョンすげぇやってるのが居たんでちょっと遊んじゃったけどｗ
具体的な話はちゃんと読んでるよ。

ひどい言い訳だな

そんな話をする板でもないがな

嫌いだからと理由ではなく
es細胞の例を見るように
国家ぐるみで世界に対して嘘をつく
その経歴と実績を考慮すれば

まず疑うのは理にかなった科学的疑問符

ちょっと調べれば分かることなので
まさか嘘を付いていないだろうと
いう良心的科学者を騙した実績が
信頼の失墜を招いた

信頼のある国が発表すれば
マジで？ヤバくね？
ちょっと試してみるわ！
っていうのが世界の反応だが

この国だと
マジで？また嘘？
みんなちゃんと検証しろよ！
あいつらすぐ嘘つくからなぁ
っていう反応になる

つまり
このレスはスレチだが
この国に限って
成されたことを疑うのは
当然のプロセス

アマチュア未満が疑ったところで出来るのは検証じゃなくて不信だけ
そんなレス誰も要らないってことに気付け

板に合わせて意見の取捨も出来ない手前のコミュ不全を正当化してる暇があったら類似研究の一つでも調べたらどうだ

自分では具体的な話を一切しない単発IDが他を批判するのっていつもの馬鹿パターンだな

>>1
さすがにお得意に「世界初」は付いてないなｗ
株価対策ってのが見え見え。

>63
Science、Natureもだが、まともな学術論文誌は原則として
何らかの世界初要素が含まれている論文しか載らない

結局のところ科学的な話にはまるでならず
韓国がどうこうしか話題にならないのがここ
他に話せることなんてないしな

グラフェンの素材としての可能性は
非常に有望だけどいまだにシリコンがチャネル材料として
現役で数年後でようやくゲルマニウムや
化合物半導体に移行するかどうかというところ
その後は微細化の停滞でTSVやインターポーザを使った
2.5次元や3次元構造のパッケージが流行ると考えられている
業界全体としてはまずはこちらの技術に力が注がれるだろう

IntelもグラフェンFETを有望な技術として考えてるけど
ナノワイヤFETやトンネルFETのような
他の技術が先に実現する可能性もある

課題山積のグラフェンの出番は早くても10年後ぐらい
半導体製造技術で突っ走ってるIntelでもそんなもんだろう
もしもサムスンがIntelより早く実用化できたなら
それは本当の快挙なので素直に賞賛するしかない

旧来のバリスタって原理が未解明らしい。

この技術を元にノーベル賞１０個はまちがいないね。

富士通が開発した技術を今更発表とか

よっぼど株や経営状態が悪化してるんだなぁ

最初にid変え忘れてその後id変えても
同一人物ってバレバレなんだが

>>69
ID変えてるやつなんていないだろ。

>>67
グラフェンのノーベル賞は2010年にもう出た。早すぎたと思うけどね。

カーボンナノチューブはなかった事にしたいのかもね

バリュースターをなかったことにしたいんじゃないかと

>>72
ほっとくと化学賞で取られちゃうから、ネタに困った物理賞側が先取りしたって感じ

最近の韓国すげーな。
この１年半でガンガン画期的な開発・発明をしている。
数年前に学問不毛の烙印を押されてから、水面下でかなりの努力をしてきたと思われる。
今後、ＩＴハード技術を引っ張るのは間違いなく韓国だと思う。

日本は上の人間がリスクにビビりすぎたのと、高齢化で、斬新な発想が生まれなくなってきた。
これは非常に危惧すべき状況。
とにかく何はともあれ、世代交代をしないと。

>>75
もっと前から画期的な発明を発表してたよ。
商品として投入できるメドがたつ前からガンガン情報出す会社だからね。
まあ後発だから信頼得るために必要な事をやってるだけだろうけど。

なにこの半島速報

韓国称揚はいつもイメージだけで具体例がないか乏しい

そしていつも日本下げとセット販売

>>78
>>1を踏まえて、もっと具体的に書け

発表するメーカー次第でかなりイメージが変わるニュースだな

日本もしょっちゅう似たレベルの予算目当ての発表しまくってるけどね

>>68
「グラフェン使ったトランジスタ」ってだけで
富士通のパクリ呼ばわりかよ。

それが成り立つなら、
富士通はIBMのパクリってことになるじゃん。

そういうバイアスかかった素人の印象論はどうでもいいから。書き込むな。

シリコンなら酸化皮膜SiO2が強固で質の良い絶縁体だが、
炭素の場合は酸化皮膜は望めないから。

>>9
>いずれにしてもカーボンはたんなる電線の役目しかないからバリアハイトを制御する速度がスイッチング速度になるだろう。 

http://www.sciencemag.org/content/suppl/2012/05/16/science.1220527.DC1/Yang.SM.pdf

の図S2みたら、電子の移動度が1300cm2/Vsとシリコンと同程度だってんだから、そうみたいだね

HEMTの圧勝

動作電圧の方はシリコンなどと比べてどうだろうか？

で、盗んだ動機は？

>>84
ここは科学ニュース+だから
科学を議論する板ではなく
ニュースに対して一喜一憂したり
詳しい人の話を聞いたりする板

素人は黙ってろって言ってる時点で韓国人っぽい
素人から認められての科学者なのに
韓国にありがちな自称科学者を彷彿させる

つまりお前はスレチ以前にイタチ

はやく２００ＧＨｚで動く８ビットマイコン作ってくれ。
電波のノイズで誤動作するかもしれないからＣＰＵを
シールドしないと行けないかもしれないが。

>>89
自称愛国者乙

ＬＳＩ製造技術を駆使した超小型真空管を用いた集積回路にも期待している。
何しろ電子の移動速度が半導体中と比べると真空中ではとても早いので、
遮断周波数がとても高い増幅器ができる＝クロック周波数の非常に高い
回路が作れる。数百ＧＨｚは夢じゃ無い。

独自技術を持たないサムスンには無理
何もできませーん

>>93
何もできないサムスンにフルボッコされてる日本って・・・