【IT】強誘電体NANDフラッシュメモリーで書き換え回数従来比１万倍を実証　−書き換え回数1億回以上、書き込み電圧６V以下

>高誘電体Hf-Al-O薄膜を約10nm、強誘電体SrBi2Ta2O9薄膜を約400nm製膜した後、
>金属Ptを約200nm
ここ気にしていなかったが。
Ptの薄膜が割合にして結構厚いね。これって価格にかなり響くだろうな。
故に高集積＆高い容量まで達して、量産の立ち上がりは激しく遅く感じる。
５年程度じゃ無理で１０年、１５年以上先な予感。
燃料電池でもPtを大量消費するのにPt相場やばすぎ

某スレでは、東芝も南朝鮮の企業も
FeFETはコスト高杉でコンシューマ用には使えないと判断したって書いてあったな。
Ptの代替素材が見つからないとHDDを置き換える素材とはならないだろうね。

>>76
今回作ったのは「ゲート長3μm、ゲート幅50μm」って何十年前のサイズって代物だから
こんなの作れましたってレベルで価格なんて気にしてないでしょう。

もっとも、ゲートであるPtが一番代替の選択肢が有りそうな部分ではある
他は定番素材過ぎて代替しようがなさそう
それこそCNTゲートなどの方が高性能になりそうだがなあ

>>78
思うに。。。
[>>77]の発言を見てから発言したのか不明だけど、、
海外でも同じような評価をしているのは事実なんでは？
今後大容量のものが大量生産されれば最初はいいだろうけど
徐々にPtが枯渇すればPt値段は値上がるというレベルではなく
指数的に高騰するだろうし。
自動車メーカーの燃料電池でも実用に近い価格のものを作っても
量産にはまだまだ遠いと判断しているのはPtの高騰を恐がっている
からでしょう、市場にあるPtが有限で全て掘り尽くしたら終わりの
ような状況も近い将来くるだろうし。
価格が高いのが問題ではなく、地球上の

総資源量が少ないという点だと思われ。
~~~~~~~~~~~~~~~~
それだけの需要がある市場の大きさという
見込みがあるという話もある。
最近はレアメタルの高騰がヤバイぐらいだしｗｗｗｗ
普通の金属さえｗ銅もアルミもここ数年の相場しっていますか？

中村NAND

>>54はもっと評価されていい。

必死にサルベージしても、つまらんもんはつまらんから。

資源が足りないなら
月に行って取ってこよう。

これから貴金属が暴騰する時代に入っていくので安価なHDDが無くなる事はありません。

微量元素は海にある。
ニッポン勝った。

ようやく回転しないメディアが主流になってきそうだなー。

非接触端子のメディアが席巻するのはいつの事になるのか

つーか、SATTAの転送速度なんであんな極端に遅いんだ
シリコンディスク出てきてるんだからそろそろ転送速度上げてくれよ

量子スピンで保存するとかいう話はどうなった

海からPtはとれるのか？ウランじゃないよw

日本って世界に存在する精製済みPtのうち20％を保有してるんだよね。

コスト
また花火だな

>>74
放射能がヤバイって話だったはずなのに、
半減期が天文学的にも莫大でごく最近まで発見できなかったってことは

実は放射線なんて無視できるほど小さいって話だろう？
確かにツッコミはいるわな。

よくわからないけど、微細化したら影響が出るんじゃないの？

>>94
放射性物質が含まれているなって話だったかと。
自分も>>43読んでどれが放射性物質だっけと思ってWikipedia見に行ったけど、
誰もヤバイかどうかにまでは言及してなかったから特に突っ込むところでもないと放置しといた。

>>94
>放射能がヤバイって話だったはずなのに
放射線がヤバイって話に、捏造するのは止めておこう。
つまり君がその痛いクンだろ？
君の脳内では言葉を確認せず、妄想という臆測が先行するのか？
誰もヤバイという言葉を発言していない。
それは君が作った言葉。
何故本人かわかるか、それはその話にいまさら反感を持つのは君だけだから。
基本的人間の心理すらわかっていればｗ
人間は感情の生き物なんだよ、

>半減期が天文学的にも莫大でごく最近まで発見できなかったってことは
ごく最近だというソースは？これも脳内だろ。
思い込みも臆測でどんどん生まれるんだろうな、何か断言したいとか
他人を煽るならソースを確認してから発言するべき。ここは科学ニュース板だ
言葉通じていますか？

>>87
電子のスピンとか使ったやつがまた出てくるとか。
あ、磁気メディア以外でね。

>>97
つまり、レスに示されてるウィキペディアのページすらろくに見てないのね。
>209Biは最重安定同位体とされてきたが、近年、ごくわずかにα崩壊することが判明し、その地位を鉛 (208Pb) に譲ることとなった。2003年に測定された半減期は(1.9±0.2)×1019年であり、現在の宇宙年齢の9桁以上も長い[2]。

まあ、｢近年｣を｢ごく最近｣に翻訳するなというのはアリかもしれないけど
気付かずにソースソースと騒ぐ時点でネタの摘み食い（後付けの検索に必死で最後まで読まなかったか？）
があからさまに。

産業レベルではまずあり得ないような209Biの放射性元素扱いと合わせ技で
PuとPt間違えたんだろという推定が提出した人の中で確信にレベルアップしてる頃合かな。

>放射線がヤバイって話に、捏造するのは止めておこう。

とすると、なんのために
>これか？放射性も含まれているな
なんて言い出したんだろう？日記コピペは止めてください、というのが
文脈を断絶したレスへのコメントの定番でしたっけ。

(´・ω・`)2000年くらいの半減期ですか？

むかしはトリウムを民製品や医薬品などにも使っていたが、今ではほとんど
使われない。それはトリウムが弱いながらも放射性物質だから。

NANDも言うよ 君は確かに 僕を愛してる




生まれて初めて買ったCDがこれだったな。

>>101
Th は毒だからじゃないの?
Bi が不安定核(と、一応いうのかな)とは知らなかった。
しかし、10^19 年オーダーの半減期なんてよく見つけたな。1mol 集めても
年間 1 万個のオーダーでしか壊変しないのに。

>>103
純度を高くして、核崩壊したあとの物質を調べればいいだけじゃん。
別に放射線を調べる必要はない。また核崩壊してなりえるパターンは
予め予測できるわけだから、その元素だけ分離が難しくなければ（ｒｙ

>>99
どうみてもお前が当事者だろ？その反応が人間的に問題があるな

>>104
いいだけじゃんてあーた、えらい簡単そうに言うやん。

>>106
普通に実験していますが。

>>106
在日ですか？日本語が上手ですね。

【SDカード暴落↓】1GB で500円以下、16GBのSDHCが7000以下…SDメモリカードの価格が暴落中
http://mamono.2ch.net/test/read.cgi/newsplus/1212299275/l50

旧電総研は現産総研の中で唯一といっていうほどのマトモな施設。
まあがんばれ。

>>52
まあ、増大に伴って価格が下がれば良いのだがw
実際にSSDがHDDに価格で追いつくのは2010ぐらいかもな。

しかし、いずれカリカリ言う音が聞けなくなるってのも寂しい限りだ・・・

>>111
激しく安くなったのはＭＬＣの登場であって、ＳＬＣはそんなに安くなっていない。
つまり素子数での単価コストはほとんど下がっていない。
同じ素子数に沢山記録できるように調整したという話でしかないね。
問題は記録保持時間が多ビット数になるほどＳＮ比が悪くなって
エラー補正しても消えてゆく時間がかなりメーカー側で問題にしている
事実も（ｒｙ
記録回数ではなく、記録保持時間がＳＮ比に依存するのは明白だし
技術での飛躍で進行する性能向上の線形予測は時に停滞することを
忘れずに、多値記録はそろそろ停滞で飽和する。
またフラッシュの絶縁構造の限界も近づいているのでこれを解決しない
ことにはＨＤＤを追い抜かすのは永久に無理かもしれない。

>>1の技術が実用化するのを祈るだけですな。

>>108
脈絡なくそういうふうに在日とか書くのやめない? まあ、強制は出来ないけれど。
化学屋ではないけれど、精製するにしても分離するにしても20桁の精度を達成
するのはそう簡単だとは思えなかったから書いてみただけで、20桁ぐらい今時
キーエンスの装置でも達成できるというなら自分が世間知らずだったと反省
しとくよ。

>>112
フラッシュメモリのデータ保持時間は密度の上昇に伴って短くなっててここ数年
以内に3年ぐらいしか保証できなくなるのではないかとメーカの人が言ってた。
DRAMみたいにリフレッシュが必要になるね。ところで、これってFRAMよりも有望な
技術なんだろうか。違いがよく分からないけれど。

>>114
ノイズと信号の壁は更に強力なエラー補正で解決できると説明があるけど
ビットが飛ぶぐらいなら補正できてもブロックごとぶっ飛ぶような量で
損失すれば修復不可能でしょうね。
リフレッシュしたら書き込み回数で寿命が問題化するんじゃ？
強誘電体NANDはプラチナを使わない方法が重要なんだろうけど、
プラチナじゃない素材だと書き換え回数が激しく減るという話も考えられる
なぜならプラチナがそういう変化しない素材だから。
1億回は必要なくても、10万回の100倍程度で十分実用になると思うから
この技術も未来があるんじゃないかな。

つまりプラチナの問題が解決すれば、フラッシュメモリ市場終わった
でＦＡ？

プラチナはこれから先どんどこ値段上がるしかないから、使わなくていいなら
使いたくないのがメーカーの本音。

FRAMは強誘電体をドレイン側につないでいて破壊読出しになる、
読取に必要な電流を流すにはFRAMの強誘電体の面積を増やす必要があり
DRAMと比較して4倍くらいの面積を使っている、
FeFETはゲートの絶縁膜に強誘電体を使っているので何度でも読めるが
その代わりゲートオフレベルの書込みは元々電流が流れない状態だから
書込みが遅い、書込みが早くなればFeRAMとして使えるからその内に出て
くるだろうと勝手に予想している、もしそれが可能ならMRAMより構造は
単純だからDRAMの代換としては最強だろう。DRAMの代換はできなくても
Flashのゲートを強誘電体に替えただけの構造だからFlashメーカは
今直ぐにでも移行できそうだ。

プラチナ使わないと言えば、脳

このスレは３つおき位の頻度でディープな長文の書込みがあるな
はっきりいってスレ違いだろ
ここはＶＩＰスレだよｗｗｗｗｗ

結局プラチナしか、ありえない

日本の技術力は世界一ィイイイイイイ！

>>118
あーそっかそっか。FRAM は破壊読み出しだったな。リード/ライトの回数が
10^10 回とか書いてあって、ライトはともかくなんでリード/ライトの回数
制限なんだと思ったことが昔あったような。

まあどうせ商業化できないんだろうけどな。
日本の研究で金になったの見たことない。

普通のフラッシュメモリーだって民生用なら書き換え回数不足になる前に容量面で陳腐化しちゃうから
コストが同程度じゃないとメリットって実感できないよね