【IT】強誘電体NANDフラッシュメモリーで書き換え回数従来比１万倍を実証　−書き換え回数1億回以上、書き込み電圧６V以下

独立行政法人 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門フロンティアデバイス
グループ 酒井 滋樹 研究グループ長らは、国立大学法人 東京大学大学院 工学系
研究科 竹内 健 准教授と共同で、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を
メモリーセルとして用いるとNANDフラッシュメモリーの性能が著しく向上することを実証した。

セルレベルで、従来型のNANDフラッシュメモリーのメモリーセルの書き換え回数が1万回、
書き込み電圧が20Vなのに対して今回作製したメモリーセルの書き換え回数は1億回以上、
書き込み電圧は6V以下である。

従来のNANDフラッシュメモリーの微細化の限界は 30nm程度といわれているが、今回
作製したメモリーセルの技術を強誘電体NANDフラッシュメモリーに応用することにより、
将来の20nm、10nm技術世代にも対応できるため、次世代高密度大容量不揮発メモリーと
して期待される。

なお、この成果は、2008年5月18日 - 22日にフランスで開催の第23回不揮発性半導体
メモリーワークショップ（23rd IEEE NVSMW / 3rd ICMTD‘08）で発表される。

（略）
FeFETをNANDフラッシュメモリーセルに用いた強誘電体NAND(Fe-NAND)フラッシュメモリーが
実現すると、現在のNANDフラッシュメモリーと比べて書き換え可能回数の飛躍的に多い
メモリーになるだけでなく、浮遊ゲートが存在しないために隣接メモリーセル間の容量結合
ノイズが生じない等の理由により30nm技術世代以降の20nm、10nm技術世代の高密度
大容量不揮発メモリーに適していると期待される。

（略）
NANDフラッシュメモリーセルとして最適なしきい値をもつようにチャネル領域への不純物
注入条件を調整したp型Si半導体基板上にパルスレーザー蒸着法によって高誘電体Hf-
Al-O薄膜を約10nm、強誘電体SrBi2Ta2O9薄膜を約400nm製膜した後、金属Ptを約200nm
製膜し、フォトリソグラフィー技術によりゲートおよびソース、ドレイン、基板の各電極を
形成して金属-強誘電体-絶縁体-半導体(MFIS)ゲート積層構造をもつnチャネル型FeFETを作製した。


（ソースが長い為一部抜粋しました。詳細はソースでご覧下さい）
ソース：http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2008/pr20080519/pr20080519.html
画像：http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2008/pr20080519/photo.jpg
産業技術総合研究所　2008年5月19日

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　　　　　　　　　,i':r"　　　　　 `ﾐ;;,
　　　　　　　　　彡　　　　　　　 ﾐ;;;i
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　　　　　　　 　 ,ゞi"￣ ﾌ‐!￣~~|-ゞ, 　
　　　　　　　 　ヾi `ー‐'､ ,ゝ--､' 〉;r' 　
　　　　　　　　　`,|　 / "ii" ヽ　　|ﾉ　　ふーん、そんなことより
　　　　　　　　　　't　ト‐＝‐ｧ　 /　　おまえら、もうすぐパンダくるぞ
　 　 　 　 ,＿＿__/ヽ｀ニニ´／　　　よかったなあ。パンダくるぞパンダ
　　　　 r'"ヽ　　 t､　　　　　/　　　　　　
　　　　/ ､､i　　　 ヽ＿＿,,/
　　　 /　ヽﾉ　　j　,　　　j　|ヽ　　
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　　　　ゝ-,,,＿＿＿＿_）--､j
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　　 　|　 　　 　"'ｰ‐‐--

んで、ファイナルフラッシュとどっちが強いの？

東芝脂肪。
株はすぐに売ったほうがよさげ。

ナンドいうことだ

HDD ＼(^o^)／

ハンディカムも脱HDDだな。それとノートのHDDも無くなる。

書き換え一万回程度じゃ実用化なんて話にならんかったが
一億回ベースだとグっと現実味を帯びてきたな

製品にする時は
他の部分が壊れやすくなってんだろ？

とんでもない発明ですね！

これさえあれば、日本の電子立国としての地位が不動のものになるかも。

一刻も早い実用化を、お願いします！！

<｀∀´>

早く国内で製品化しろ
売国奴に技術持って行かれるぞ

これでnandでも書き込めるな

ってか、信頼性はどうなぅた

ﾜｵ！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

すげー
ダイアモンドメモリに人生丸ごと記憶できる時代になるんですね！

おまいら重大ニュースですよ　無線LANや携帯で接続している奴必見

無線ＬＡＮや携帯の健康面での危険性について
EUが勧告を出しましたよ
http://www.google.com/search?source=ig&hl=ja&rlz=1G1GGLQ_JAJP275&q=%E7%84%A1%E7%B7%9ALAN%E3%80%80%E9%9B%BB%E7%A3%81%E6%B3%A2%E3%80%80%E3%82%B3%E3%83%BC%E3%83%89%E3%83%AC%E3%82%B9%E3%80%80%E3%82%B6%E3%83%AB%E3%83%84%E3%83%96%E3%83%AB%E3%82%B0&meta=

「子どもは絶対に携帯電話を使うな」と医師会が忠告
http://society6.2ch.net/test/read.cgi/hosp/1202295745/226

やっと実用化の目処が立ったか。
次世代メモリの期待の星とか言われつつなかなか実用化されてなかったもんな。

以下駄洒落禁止な。nandも言わせるなよ

NANDでもNANDでもNANDでも立ち上がり呼ぶよ〜♪

by Dreams Come True

早く実用化してほしい。
いまのフラッシュメモリって、一年でパァだもの。

これはいいブレイクスルー

＞金属Ptを約200nm製膜し
まだ実験レベルだろ。それにコストの問題もある。
まあ、危ないのはＨＤＤ用モータを主力商品にしている会社かな。

これが実用化されれば童貞卒業で宝くじ当たりまくりですね。

サムソンのセックス接待チーム、撮影チーム、在日鮮人暴力団員脅迫チームが活動開始

これの書き込み・読み出し速度ってどうなの?
HDDより速く、DRAMより遅い？

でも、レアメタルの確保は大丈夫？

早くて５年ぐらいか？

月周回衛星「かぐや（SELENE）」の
地形カメラによるアポロ15号の噴射跡の確認について
http://www.jaxa.jp/press/2008/05/20080520_kaguya_j.html

光通信部品はHataken
ハタ研削はファイバアレイ・光メモリーへ・・・・・・　

研削・超精密加工・光通信部品のご用命は！

株式会社ハタ研削

http://www.v-hataken.co.jp/welcome1.html

何だプラチナ使うのかよ
使えねー

理化学研究所とか産業技術総合研究所とか
いつもこの手の花火は上がるんだけど
なぜかいつまでたっても製品化したり普及したりしないんだよな
もう飽きたよ・・・

東芝の株は売らないほうがいいよ、微細化の次は多層化でこちらは東芝が優位だから。
これが実用化されたらいよいよSSDの時代だ、日立の株は早めに売った方がいいよ。
強誘電体ならビット単位の書換えもできるはずだからDRAMの代わりにもなるかも
知れないからエルビーダは売りだ。

兆速計算機にこれをさいようせよ。

昔の００７の映画は超小型カメラで、設計図を撮影して丸ごと証拠保全する場面とかある。
昔の人は、それをみて、「そんな小さいカメラあるわけないだろ」とか、
「そんなフィルムに全部保存できるわけないじゃんか」とか、思いながら見てたんだろうなあ。

サムスンにはライセンスするなよと

こーゆーところにぜいきんをつぎこめ

これは革命的だ

泥棒朝鮮人に注意な。

これはいい。

SSDの未来はあかるいな

数万とか１億回ってプログラムで何か計算する時の途中経過保存用に使ったら
１回で壊れちゃうってレベルだよね

>>41
違うと思う

>>30
>産総研は2002年にPt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/Siというゲート構造を
>用いてデータ保持時間を長くすることに成功し
これか？放射性も含まれているな
Pt=プラチナ
Sr=ストロンチウム
Bi=ビスマス（１ポンド11.25ドル前後）
Ta=タンタル（1グラム10円程度）
Hf=ハフニウム（これはプラチナより桁違いに高そう）

>>41
その容量を使うπ計算ならほぼその通り。（※RAMに収納できない量）
部分的に処理できず全桁計算するわけだからな。
問題は書き換え回数より、書き込みデータの保持時間だろう。
書き換え回数が増えれば、保持時間が極度に減ると困るからな（S/N比の問題)

キター
ＨＤＤの終わりキター

>>43
含まれていないでしょ。Pu と間違えてない?

>>43
ハフニウムは高いけど、これからのプロセスじゃ結局は主流になりそうだし
http://www.intel.co.jp/jp/technology/45nm/index.htm
ハフニウムベースの 45nm プロセス技術
ハフニウムベースの回路をはじめ革新的な材料を採用した新しいインテルの 45nm Hi-k メタル・ゲート・シリコン技術は、
プロセッサーの電力効率とパフォーマンスを劇的に高め、かつてないコンピューティング体験をもたらします。
インテルは、この画期的なトランジスター技術を利用して、絶大な利点を備えたハフニウムベースの 45nm Hi-k チップを製造しています。
この革新的なプロセッサーがあれば、仕事から家庭、趣味に至るまで、ゲーム、マルチメディア、マルチタスクでのコンピューティング体験が大きく広がります。

フラッシュメモリーの弱点はこれで完全に克服されたわけだ

>>43
http://www.tohoku.meti.go.jp/kankyo/recycle/date/38.pdf
ちょっと古いがHfはPtより桁違いに安かった
2003年 226ドル/kg
2004年 269ドル/kg
2005年 238ドル/kg
ただ用途が増えれば高騰するかもね

つまり今のうちにHf買っとけと

ついにＨＤが終焉か・・・今までご苦労様でした。

ここでコピペ

2005年6月 500GBの3.5インチHDD登場
2006年4月 750GBの3.5インチHDD登場
2007年3月 1000GBの3.5インチHDD登場

HDDの増加率は １３０〜１５０％ と予測される
今後の予測は
2008 1500GB
2009 2250GB
2010 3375GB
2011 5062GB
2012 7593GB
-------------------------------
SSDは1年で2倍の容量になる。
2007年時点で512GBのSSD ディスク出てるから
↓↓
STECから3.5インチ 512GB SSD
http://japanese.engadget.com/2007/04/19/stec-3-5-512gb-ssd/

ここから毎年２００％の増加率とすると

2008 1024GB <<HDDの2007年レベルに到達
2009 2048GB
2010 4096GB <<HDD超えた！
2011 8192GB <<もう勝負にならない。
2012 16384GB <<この年 HDDは7593GBが最大ｗ

たった3年後の2010年で追いつき、2011年でもうHDDは勝負にならない。

>従来型のNANDフラッシュメモリーのメモリーセルの書き換え回数が1万回
マジそんなもんだったの？

N、NANDだってーΩ

フラッシュの寿命が延びてコストが下がるなら、組み込みようやモバイル用から
どんどん置き換えが進んでくるな。

デスクトップPCにくるのは何年後かな？

早くしてほしいよ・・・・。
いつになったら出るんだよ。
モーター五月蠅くてかなわん。

ムーアの法則ってレベルかこれ！？

>>53
メモリー乗せてる板のほうにスゲー工夫がしてあったのさ。
専門じゃないから詳しくはわからんが、

>>52のコピペもまさかぁｗとはおもうが、マジでそうなるんだろうな、ただその伸び率だと
BLがなぜ生まれたのかわからなくなる、ゲイツがBLには乗り換えないって言った意味がわかるぜ

2050年はきっと１００ＴＢくらいいきそうだお（＾ω＾）

DRAMの代えの不揮発性メモリはどうなるんだろうね。
この前記事で見たMRAMは期待できそうなのかな。

>>44
容量を食うといっても、例えば 100 GBを片っ端から1万回以上書き換えまくる、
というわけじゃないんでしょ。（というか、そういう用途にSSDを使うなよ）

>>58 BLってボーイズラブのこと？

100GBの中に99GBまでファイルを詰め込んで動かさず
その状態でwindows等を毎日使うと、残りの1GBの領域が激しく書き換えられるわけだな

>>62
yes

>>46
> 含まれていないでしょ。Pu と間違えてない?
おまｗｗｗｗｗ
いいかげんにしろよww Puじゃプルトニウムだろ。放射線が恐すぎるｗ
壮大な釣り？
Ptと記事にあることは、間違えとかそういう問題じゃないよな。

Pu=”プ”
吹いた、からかいの表現かよ

>>65
>>43と>>46を10回読み直して涙目

ハフニウムについて。

>ジルコニウム鉱物の２％に存在する
>単体の鉱物としては産出されない
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ジルコニウムの副産物で余っていると思われ。
>まとまった取引の統計データはほとんどない
>主な用途は原子炉の制御棒の用途
>地殻中から得られる量は３ｐｐｍ

まあ今回の用途で使う量が表現されていないが、そんなに微量ともおもえん。

次世代で必須ならば激しく高騰する可能性は高いねぇ。
従来は使う用途がないから安値だったとおもわれ、
ジルコニウムの２％てことはジルコニウムの５０倍ぐらい潜在コストは
はあるんだろう。グラムあたり１００円から２００円の間？

>>66
ビスマスは放射性元素。>>43の発言の元素内にちゃんと放射性元素はある。
つまりお前が涙目ｗ、、日本語だいじょうぶ？
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%93%E3%82%B9%E3%83%9E%E3%82%B9
>1.9×1019 年
半減期なｗ

なんで素直に「Ptを白金でなく、プルトニウムと思ってました」と非を認めないかねぇ…。
必死さが露わになって却って面白いけどねｗ

>>>69
おま、それはお前の思い込みだろ、どこをどう読めばそんな臆測が
生まれるんだ？まさか病院通いじゃないだろうな。
非以前に釣りの極地じゃん。ID毎回変えて溺れそうな奴で惨めだよな。
男らしくしろよｗｗ

>>69
はっきりいってPtをプルトニウムだと発想するのはお前ぐらい
化学って０点じゃない？

>>46=66=69でFA
>含まれていないでしょ。Pu と間違えてない?
これを発言したのはお前に間違いだろ？プルトニウムだと
最初のﾈﾀをだしたのはお前本人ｗｗｗ
だれが関係の無いネタに深夜から朝にかけてｗｗｗｗ
論理的にいっても俺が>>43発言でPtをプラチナと発言している。
どんな日本語であろうが俺は最初にプルトニウムだと表現している>43
全部の相場しらべるの面倒だったから適当に発言しているけどな。
釣りのお前に反応している俺もDQNかもｗｗｗｗ

>>59
いやいや……もっといくよ！

>>>1.9×1019 年
>半減期なｗ
お前なら。これも突っ込みそうだな1.9x10^19。
理論上はありえない半減期だから半減期などないとかなｗ
おまえなら屁にもならん理屈を並べるだろう。
そもそも科学板なのに科学以外の煽りクンがいる時点でorzだよな

>>どんな日本語であろうが俺は最初にプルトニウムだと表現している>43
自爆した。おれじゃねーｗｗ
また突っ込むんだろうか？
ビスマスが放射性物質なぐらい習わなかったようだなｗｗｗ

>高誘電体Hf-Al-O薄膜を約10nm、強誘電体SrBi2Ta2O9薄膜を約400nm製膜した後、
>金属Ptを約200nm
ここ気にしていなかったが。
Ptの薄膜が割合にして結構厚いね。これって価格にかなり響くだろうな。
故に高集積＆高い容量まで達して、量産の立ち上がりは激しく遅く感じる。
５年程度じゃ無理で１０年、１５年以上先な予感。
燃料電池でもPtを大量消費するのにPt相場やばすぎ

某スレでは、東芝も南朝鮮の企業も
FeFETはコスト高杉でコンシューマ用には使えないと判断したって書いてあったな。
Ptの代替素材が見つからないとHDDを置き換える素材とはならないだろうね。

>>76
今回作ったのは「ゲート長3μm、ゲート幅50μm」って何十年前のサイズって代物だから
こんなの作れましたってレベルで価格なんて気にしてないでしょう。

もっとも、ゲートであるPtが一番代替の選択肢が有りそうな部分ではある
他は定番素材過ぎて代替しようがなさそう
それこそCNTゲートなどの方が高性能になりそうだがなあ

>>78
思うに。。。
[>>77]の発言を見てから発言したのか不明だけど、、
海外でも同じような評価をしているのは事実なんでは？
今後大容量のものが大量生産されれば最初はいいだろうけど
徐々にPtが枯渇すればPt値段は値上がるというレベルではなく
指数的に高騰するだろうし。
自動車メーカーの燃料電池でも実用に近い価格のものを作っても
量産にはまだまだ遠いと判断しているのはPtの高騰を恐がっている
からでしょう、市場にあるPtが有限で全て掘り尽くしたら終わりの
ような状況も近い将来くるだろうし。
価格が高いのが問題ではなく、地球上の

総資源量が少ないという点だと思われ。
~~~~~~~~~~~~~~~~
それだけの需要がある市場の大きさという
見込みがあるという話もある。
最近はレアメタルの高騰がヤバイぐらいだしｗｗｗｗ
普通の金属さえｗ銅もアルミもここ数年の相場しっていますか？

中村NAND

>>54はもっと評価されていい。

必死にサルベージしても、つまらんもんはつまらんから。

資源が足りないなら
月に行って取ってこよう。

これから貴金属が暴騰する時代に入っていくので安価なHDDが無くなる事はありません。

微量元素は海にある。
ニッポン勝った。

ようやく回転しないメディアが主流になってきそうだなー。

非接触端子のメディアが席巻するのはいつの事になるのか

つーか、SATTAの転送速度なんであんな極端に遅いんだ
シリコンディスク出てきてるんだからそろそろ転送速度上げてくれよ

量子スピンで保存するとかいう話はどうなった

海からPtはとれるのか？ウランじゃないよw

日本って世界に存在する精製済みPtのうち20％を保有してるんだよね。

コスト
また花火だな

>>74
放射能がヤバイって話だったはずなのに、
半減期が天文学的にも莫大でごく最近まで発見できなかったってことは

実は放射線なんて無視できるほど小さいって話だろう？
確かにツッコミはいるわな。

よくわからないけど、微細化したら影響が出るんじゃないの？

>>94
放射性物質が含まれているなって話だったかと。
自分も>>43読んでどれが放射性物質だっけと思ってWikipedia見に行ったけど、
誰もヤバイかどうかにまでは言及してなかったから特に突っ込むところでもないと放置しといた。

>>94
>放射能がヤバイって話だったはずなのに
放射線がヤバイって話に、捏造するのは止めておこう。
つまり君がその痛いクンだろ？
君の脳内では言葉を確認せず、妄想という臆測が先行するのか？
誰もヤバイという言葉を発言していない。
それは君が作った言葉。
何故本人かわかるか、それはその話にいまさら反感を持つのは君だけだから。
基本的人間の心理すらわかっていればｗ
人間は感情の生き物なんだよ、

>半減期が天文学的にも莫大でごく最近まで発見できなかったってことは
ごく最近だというソースは？これも脳内だろ。
思い込みも臆測でどんどん生まれるんだろうな、何か断言したいとか
他人を煽るならソースを確認してから発言するべき。ここは科学ニュース板だ
言葉通じていますか？

>>87
電子のスピンとか使ったやつがまた出てくるとか。
あ、磁気メディア以外でね。

>>97
つまり、レスに示されてるウィキペディアのページすらろくに見てないのね。
>209Biは最重安定同位体とされてきたが、近年、ごくわずかにα崩壊することが判明し、その地位を鉛 (208Pb) に譲ることとなった。2003年に測定された半減期は(1.9±0.2)×1019年であり、現在の宇宙年齢の9桁以上も長い[2]。

まあ、｢近年｣を｢ごく最近｣に翻訳するなというのはアリかもしれないけど
気付かずにソースソースと騒ぐ時点でネタの摘み食い（後付けの検索に必死で最後まで読まなかったか？）
があからさまに。

産業レベルではまずあり得ないような209Biの放射性元素扱いと合わせ技で
PuとPt間違えたんだろという推定が提出した人の中で確信にレベルアップしてる頃合かな。

>放射線がヤバイって話に、捏造するのは止めておこう。

とすると、なんのために
>これか？放射性も含まれているな
なんて言い出したんだろう？日記コピペは止めてください、というのが
文脈を断絶したレスへのコメントの定番でしたっけ。

(´・ω・`)2000年くらいの半減期ですか？

むかしはトリウムを民製品や医薬品などにも使っていたが、今ではほとんど
使われない。それはトリウムが弱いながらも放射性物質だから。

NANDも言うよ 君は確かに 僕を愛してる




生まれて初めて買ったCDがこれだったな。

>>101
Th は毒だからじゃないの?
Bi が不安定核(と、一応いうのかな)とは知らなかった。
しかし、10^19 年オーダーの半減期なんてよく見つけたな。1mol 集めても
年間 1 万個のオーダーでしか壊変しないのに。

>>103
純度を高くして、核崩壊したあとの物質を調べればいいだけじゃん。
別に放射線を調べる必要はない。また核崩壊してなりえるパターンは
予め予測できるわけだから、その元素だけ分離が難しくなければ（ｒｙ

>>99
どうみてもお前が当事者だろ？その反応が人間的に問題があるな

>>104
いいだけじゃんてあーた、えらい簡単そうに言うやん。

>>106
普通に実験していますが。

>>106
在日ですか？日本語が上手ですね。

【SDカード暴落↓】1GB で500円以下、16GBのSDHCが7000以下…SDメモリカードの価格が暴落中
http://mamono.2ch.net/test/read.cgi/newsplus/1212299275/l50

旧電総研は現産総研の中で唯一といっていうほどのマトモな施設。
まあがんばれ。

>>52
まあ、増大に伴って価格が下がれば良いのだがw
実際にSSDがHDDに価格で追いつくのは2010ぐらいかもな。

しかし、いずれカリカリ言う音が聞けなくなるってのも寂しい限りだ・・・

>>111
激しく安くなったのはＭＬＣの登場であって、ＳＬＣはそんなに安くなっていない。
つまり素子数での単価コストはほとんど下がっていない。
同じ素子数に沢山記録できるように調整したという話でしかないね。
問題は記録保持時間が多ビット数になるほどＳＮ比が悪くなって
エラー補正しても消えてゆく時間がかなりメーカー側で問題にしている
事実も（ｒｙ
記録回数ではなく、記録保持時間がＳＮ比に依存するのは明白だし
技術での飛躍で進行する性能向上の線形予測は時に停滞することを
忘れずに、多値記録はそろそろ停滞で飽和する。
またフラッシュの絶縁構造の限界も近づいているのでこれを解決しない
ことにはＨＤＤを追い抜かすのは永久に無理かもしれない。

>>1の技術が実用化するのを祈るだけですな。

>>108
脈絡なくそういうふうに在日とか書くのやめない? まあ、強制は出来ないけれど。
化学屋ではないけれど、精製するにしても分離するにしても20桁の精度を達成
するのはそう簡単だとは思えなかったから書いてみただけで、20桁ぐらい今時
キーエンスの装置でも達成できるというなら自分が世間知らずだったと反省
しとくよ。

>>112
フラッシュメモリのデータ保持時間は密度の上昇に伴って短くなっててここ数年
以内に3年ぐらいしか保証できなくなるのではないかとメーカの人が言ってた。
DRAMみたいにリフレッシュが必要になるね。ところで、これってFRAMよりも有望な
技術なんだろうか。違いがよく分からないけれど。

>>114
ノイズと信号の壁は更に強力なエラー補正で解決できると説明があるけど
ビットが飛ぶぐらいなら補正できてもブロックごとぶっ飛ぶような量で
損失すれば修復不可能でしょうね。
リフレッシュしたら書き込み回数で寿命が問題化するんじゃ？
強誘電体NANDはプラチナを使わない方法が重要なんだろうけど、
プラチナじゃない素材だと書き換え回数が激しく減るという話も考えられる
なぜならプラチナがそういう変化しない素材だから。
1億回は必要なくても、10万回の100倍程度で十分実用になると思うから
この技術も未来があるんじゃないかな。

つまりプラチナの問題が解決すれば、フラッシュメモリ市場終わった
でＦＡ？

プラチナはこれから先どんどこ値段上がるしかないから、使わなくていいなら
使いたくないのがメーカーの本音。

FRAMは強誘電体をドレイン側につないでいて破壊読出しになる、
読取に必要な電流を流すにはFRAMの強誘電体の面積を増やす必要があり
DRAMと比較して4倍くらいの面積を使っている、
FeFETはゲートの絶縁膜に強誘電体を使っているので何度でも読めるが
その代わりゲートオフレベルの書込みは元々電流が流れない状態だから
書込みが遅い、書込みが早くなればFeRAMとして使えるからその内に出て
くるだろうと勝手に予想している、もしそれが可能ならMRAMより構造は
単純だからDRAMの代換としては最強だろう。DRAMの代換はできなくても
Flashのゲートを強誘電体に替えただけの構造だからFlashメーカは
今直ぐにでも移行できそうだ。

プラチナ使わないと言えば、脳

このスレは３つおき位の頻度でディープな長文の書込みがあるな
はっきりいってスレ違いだろ
ここはＶＩＰスレだよｗｗｗｗｗ

結局プラチナしか、ありえない

日本の技術力は世界一ィイイイイイイ！

>>118
あーそっかそっか。FRAM は破壊読み出しだったな。リード/ライトの回数が
10^10 回とか書いてあって、ライトはともかくなんでリード/ライトの回数
制限なんだと思ったことが昔あったような。

まあどうせ商業化できないんだろうけどな。
日本の研究で金になったの見たことない。

普通のフラッシュメモリーだって民生用なら書き換え回数不足になる前に容量面で陳腐化しちゃうから
コストが同程度じゃないとメリットって実感できないよね