【新技術】富士通研究所、超高速・高密度デバイス向け材料開発―集積度を3桁向上可能

　富士通研究所は3月28日，超高速・超高密度デバイスを実現できる分子エレクトロニクス材料
の合成に成功したと発表した。分子スケールで回路を三次元的に集積化でき，デバイスの動作
速度やメモリ集積度を「3けた」向上できる可能性があるという。

　分子エレクトロニクスは，有機分子の特徴である電子の局在化を利用する概念。0.5ナノメートル
程度の有機分子1個に1ビットを割り当てることで高い集積度を持つデバイスを実現する。だが
分子それぞれに蓄積されたデータへのアクセス手段や，分子の安定性に問題があり，実用化
は進んでいない。

　富士通研の新材料は，有機分子と遷移金属を組み合わせた「有機-無機ハイブリッド物質」
を合成。有機分子の自己構造制御特性と，遷移金属原子の高い導電性や磁性，非線型光学
機能を兼ね備えた。分子の安定性が高く，分子へのデータアクセスも容易という。また3次元的
に分子を集積できるため，超高密度メモリや超高速光スイッチなどへの応用が可能としている。

　今後，新材料を使って3次元回路集積化の検討を進め，スイッチングデバイスなどの原理素子
の実現を目指す。

ソース: http://www.zdnet.co.jp/news/bursts/0203/28/07.html
リクエスト: http://news.2ch.net/test/read.cgi/newsplus/1016551417/558
富士通研究所のプレスリリース: http://pr.fujitsu.com/jp/news/2002/03/27.html

富士通研究所のプレスリリースに詳しい図があります。

ｊｊｊｊ

100

出歯椅子

チョンには絶対不可能（以下略

ほほう

わぁ、どんな物質つかったか書いてないや。
概念特許申請済みのアナウンスでしょう？　これ。

>>7
MYCOM PC Webのソースより抜粋です。

富士通、10年後のメモリ、CPUを目指した分子エレクトロニクス材料を開発

今回、同研究所が開発したのは、有機分子と遷移金属(ニッケル、コバルトなど)を組み合わせた
ハイブリッドな物質で、2つのドーナッツが側面で結合したような形の有機分子の中に、遷移金属
の原子が2つ固定されている。この分子1つでメモリなら1ビット、スイッチングデバイスなら1素子
を構成できるため、実現すればまさしく従来とは桁違いの集積度となる。

実用化の時期に関してだが、さすがに数年といったレベルではなく、「早まる可能性はあるが、
やはり10年後くらいではないか」ということだ。まだかなり先の話ではあるが、この素子を使った
コンピュータがどのような性能を発揮するのか、非常に楽しみなところだ。

ソース: http://pcweb.mycom.co.jp/news/2002/03/28/21.html

あげ

na-ru!

そんな立派なことより富士通にはうちの会社のＰＣをまともに動けるように
してくれるのが先決だと思う。

すげえじゃん

これ凄すぎてよくわかんないんだけど・・
これが実用化したとすると、ちょい前に話題になってたチタマシムレータとか
手の平サイズになっちゃったりするんかの？

３桁ってすごいね。今のプロセッサーなら見えなくなるって事か？
研究分野で、IBMを追い越してほすぃ。

僕の肛門も３桁向上しそうです。