サムスンがプロセスルールの限界を突破するVertical型3次元NANDフラッシュの量産開始!
1 :
男色ドライバー(家):
これアカンやつや…
3 :
チェーン攻撃(芋):2013/08/06(火) 19:53:25.67 ID:oC4Hx/bh0
ネトウヨ死亡www
4 :
エルボーバット(アメリカ合衆国):2013/08/06(火) 20:08:50.43 ID:8VDI1WEJ0!
設計開発は日本人とかアメ公、ヨーロッパ人なんだよなぁ〜
チョンには無理やし
5 :
ジャンピングパワーボム(茸):2013/08/06(火) 20:26:52.89 ID:iHL+J6X4P
GByteで語れよ
6 :
セントーン(関東・甲信越):2013/08/06(火) 20:30:03.66 ID:D671kTH0O
静電気と熱の問題はクリアできてるの?
なら楽しみだが
7 :
ビッグブーツ(群馬県):2013/08/06(火) 20:33:57.51 ID:8g4Euvt30
8 :
ミドルキック(神奈川県):2013/08/06(火) 20:39:13.12 ID:KbYcRG8j0
> 3次元立体構造を採用したVertical型3次元NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。
いいんだけどさ
なんで何年何月何日という大事な情報が無いの?
まさか決まってないの?
>>8 もうガチャンコガチャンコ作っている最中なんだよ。
サムチョン限界突破!
なんかかっこいいなw
>>8 開始と言っているんだから作ってる最中だろ
日本語読めないの
インテルとかも相当前から研究してなかったっけ?
寿命と発熱はどうなん?
121 名前:Socket774[sage] 投稿日:2013/08/06(火) 15:52:53.82 ID:kps2DUQV
今までTCAT(T-A-N-O-S)と呼ばれてた物みたいだな
浮遊ゲート方式でなく、Charge-Trap方式を採用したのが大きいか
従来みたいに全体で電荷をチャージでなく、場所を分けて記録する
雑に言えばSLCみたいな物だからな
15 :
ヒップアタック(新潟県):2013/08/06(火) 23:59:24.05 ID:ZFjNRrb+0
また飛ばしか
16 :
ジャーマンスープレックス(愛知県):2013/08/07(水) 00:09:45.01 ID:5xbLoon00
ネトウヨはまた敗北したの?
一体いつになったら勝てるの?
自分ホルホルしていいっすか
18 :
トラースキック(アラビア):2013/08/07(水) 00:37:48.12 ID:HuhoLTP10!
10nmって2年前の半分のサイズだけど
ここまでやるなら普通のSLC量産してほしいわ
19 :
張り手(空):2013/08/07(水) 00:43:40.67 ID:gFLJeqf0i
10nmの時点でもIntel超えてるのに
どこまでいくんや
20 :
ハーフネルソンスープレックス(兵庫県):2013/08/07(水) 00:43:55.36 ID:DZl5RpdH0
歩留まりの問題が大きそう。製造原価は下がらない。
発熱の問題は、動作速度を落とすしか対応方法がない。
省スペースの用途にはいいかもしれないが、それ以外の用途は、ちょっと無理。
3D integration はホントに大変だからサムスンが出来たら凄いと思う
歩留まりはどれぐらいなんだろう?
ええもん、オレ、量子効果で∞倍の容量入れれるメモリ開発したるから。
要は量子コンピューターと一緒ってこと。
マカロニやってた東芝は結局先超されたんか
24 :
リキラリアット(茸):2013/08/07(水) 01:13:33.02 ID:eJdic2Hr0
TLC並みの耐久性なんだろ
>>24 今回の奴は3D化とチャージ・トラップ方式を組み合わせた
NAND-FlashMemory延命用の物、コスト云々より次世代メモリまでの繋ぎだな
富士通&Spansion、Micron(ELPIDA)もSTT-MRAMの技術開発をしているし
SamsungもSTT-MRAMの450mmウェハーを調達しているみたいだし
来年は次世代不揮発メモリの黎明期になるかもね
どこかで微細化から3次元化に舵を切ったほうがコストが安くなって正解なんだが
いまがそのタイミングかどうかはSamsung自身を含めてまだ誰も知らない
28 :
頭突き(芋):2013/08/07(水) 01:34:12.81 ID:aZLm7sCh0
これでどのくらい
普及帯CPUへの 8GB 2ch メモリ 内蔵が近づく?
30 :
キチンシンク(神奈川県):2013/08/07(水) 01:38:45.05 ID:vChcFmbR0
東芝糸冬了www
31 :
キチンシンク(神奈川県):2013/08/07(水) 01:41:55.18 ID:vChcFmbR0
>>26 半導体なんて「◯◯の時代はおわりだ、これからは△△だ」なんていわれても、
結局その△△のほうがものにならず◯◯を延命ってのをずっと続けてるのがたくさんあるけどね
エルピーダはポストフラッシュの技術を追い求めてそれが失敗して、結局Flash生産まであきらめたのが
あとあと倒産に繋がった
東芝はエルピーダの失敗を繰り返すのか?
32 :
リキラリアット(茸):2013/08/07(水) 01:47:55.00 ID:eJdic2Hr0
>>31 半導体事業は博打だねー。
伸るか反るか。
経営者に技術の目利きが凄い求められる。
これから先、ウォッチとかグラスとか体につける機器に移行するのに
韓国製とか中国製とか発熱発火したらそれで終了だろ。
スマホと違って逃げられないよ。次世代の機器は。
まあうんこでも盛ってるんだろう
高い信頼性を確保している。←ここ重要
>>31 微細化しようとすると電荷が保持できなくなると言う問題は
DRAMやNANDフラッシュメモリでは実際深刻になってるから
次世代メモリや3次元に手を出すのは仕方ないこと
36 :
ラ ケブラーダ(福岡県):2013/08/07(水) 06:16:49.79 ID:QizK4H7A0
>>4 その日本人におまえみたいな無能は含まれないから心配するなよww
それより日本の足引っ張ってる事自覚して出て行ってくれwww
37 :
クロスヒールホールド(福島県):2013/08/07(水) 06:51:23.97 ID:3pDf2z8S0
多値化みたいなデメリットがなければいいんだけど。
38 :
急所攻撃(catv?):2013/08/07(水) 08:03:37.79 ID:EIJ2cMD30
東芝も潰されるのか。
これはサムスンがこの分野で突出というニュースで理解していいのか?
日本のメーカーは何やっている?
これSLCを親ガメ子ガメって認識で良いの?
積層される毎にMLC-3bit,4bit,,,,8bitとか増えるんだろうか。
41 :
急所攻撃(catv?):2013/08/07(水) 08:10:51.63 ID:EIJ2cMD30
>エルピーダはポストフラッシュの技術を
エルピーダのハッタリ。資金集めの為。
42 :
栓抜き攻撃(岩手県):2013/08/07(水) 08:22:28.62 ID:KlOijS1s0
>>39 というより、サムソンはサムソンで頑張ってますねというニュース。
サムソンは大型有機ELパネルの時も量産開始とか言ってなかったか?
ありゃ予定だっけか?
44 :
ミラノ作 どどんスズスロウン(芋):2013/08/07(水) 10:32:14.44 ID:VKcF8WBM0
>>24 不揮発性メモリはDRAMの次世代的な位置だろ
ストレージまるごと置き換える可能性も無きにしもあらずだが
かなり先の話になる
一方アメリカは、量子コンピュータD-Wave Oneを発売した。
36 2013/08/07(水) 00:01:29.77 ID:3J6CAZpy
下がった株価吊り上げるとばしだろ?
まっ今の韓国とサムスンの状況じゃドーピングにはならんだろうがな
54 2013/08/07(水) 02:15:55.19 ID:0OK47V+v
株価操作だろうな
嘘だとばれた時の暴落が凄いが
56 2013/08/07(水) 02:19:44.48 ID:qZehikbD
>>54 サムスンとかってこういうの出す場合に、普通、試作が成功した事と量産化はいつから
って出ると思うんだけど、あったかな?w
もう作ってます、特許も出願中です ってなんかまとめてきてないw?
57 2013/08/07(水) 02:29:31.36 ID:0OK47V+v
>>56 急に出てきたよなw
62 2013/08/07(水) 02:57:41.37 ID:oXw//agD
>>56 「実は全て願望だったニダ…
韓国に対する愛はないニカ〜?火病!」
ってなところかな?
>>40 積層でbit数でなく、セル自体をエリア毎に分割して、1bit毎書き込むような構造
実際、しきい値の電荷の量は分割されてる分減るが、絶縁膜へのダメージは
従来のタイプのNANDより抑えられる分、寿命も延びる算段
>>43 現状割とセミコンダクタ部門のリリースは正しい、他部門は専門外で知らんのだけどね
51〜32/27/21/19nm世代と、全て直ぐに製品が出てきてる
記事をよく読むと(半島側のも)、いつから出荷とか、製品を目にするのがいつ頃かも
書いて無いんだよねぇ。
有機ELの時に書いて失敗した教訓かい?w
>>48 いちいちネトウヨが首突っ込むニュースじゃねーだろw
勝ち負けとかねーから
世代交代が控えてるということか。
今買うな。時期が悪い。
東芝のMRAMは韓国SK hynixとの共同開発だけどなw
54 :
TEKKAMAKI(神奈川県):2013/08/07(水) 13:46:14.38 ID:CQXc0M4F0
>>51 現時点のMRAMは、コスト的にも容量的にもFlash対抗は不可
いつかはFlashを追い抜くのか、それとも長期間フラッシュに追いつけないのかはわからん
三次元NAND→次世代不揮発性メモリ
の流れは業界共通だろう
東芝だって三次元NANDは研究してるし研究発表も一番早かった気がする(BiCSとか)
けど量産一番はサムスンなのが残念だな
次世代不揮発性メモリは色々あるけど
ReRAM - NAND置き換え
STT-MRAM - DRAM置き換え
が今は本命じゃなかろうか
東芝やるじゃん
スゲぇライバル意識丸出しだなw
日本企業はこういうのが足りない
直球でいい感じだ
60 :
垂直落下式DDT(catv?):2013/08/08(木) 00:35:58.61 ID:vrCkYGzf0
>>56 東芝のやせ我慢。
3dの半年以上の遅れは致命的。
61 :
垂直落下式DDT(catv?):
Tlc も遅れているし、3Dも遅れているしダメだなこりゃ
1xnmの微細加工は東芝の技術というより、半導体製造装置の技術だから、同じ機械使えばサムスンも生産できるんだよ