Π Π Π スレ立て依頼所 Π Π Π
3 ： チェーン攻撃(芋)：
タイトル
サムスンがプロセスルールの限界を突破するVertical型3次元NANDフラッシュの量産開始！
本文
SAMSUNG、プロセスルールの限界を突破するVertical型3次元NANDフラッシュの量産開始
SAMSUNGは8月5日付けプレスリリースにおいて、3次元立体構造を採用したVertical型3次元NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。
NANDフラッシュは、これまでプロセスルールの微細化により、容量の増加およびビット単価を抑えてきた。
しかし、プロセスルールはすでに10nm世代へと突入。微細化の限界に近づいており、既存の平面構造では大幅な容量増加が難しくなっている。
そこで新たな方法として注目されているのが、メモリセルを多段積層する3次元NANDフラッシュメモリだ。
今回発表されたVertical型3次元NANDフラッシュメモリは、1チップあたり最大128Gbitの大容量を実現。
また独自実装技術を採用することで、10nm世代のNANDフラッシュに比べて、2〜10倍という高い信頼性を確保している。
なおSAMSUNGによれば、今後さらに積層段数を増やし、1チップあたり1TbitのNANDフラッシュも視野に入れているとのこと。
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/2013/0806/39876
http://www.gdm.or.jp/wp/wp-content/uploads/2013/08/V-NAND_1024x768-300x225.jpg
サムスンがプロセスルールの限界を突破するVertical型3次元NANDフラッシュの量産開始！
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SAMSUNG、プロセスルールの限界を突破するVertical型3次元NANDフラッシュの量産開始
SAMSUNGは8月5日付けプレスリリースにおいて、3次元立体構造を採用したVertical型3次元NANDフラッシュメモリの量産開始を発表した。
NANDフラッシュは、これまでプロセスルールの微細化により、容量の増加およびビット単価を抑えてきた。
しかし、プロセスルールはすでに10nm世代へと突入。微細化の限界に近づいており、既存の平面構造では大幅な容量増加が難しくなっている。
そこで新たな方法として注目されているのが、メモリセルを多段積層する3次元NANDフラッシュメモリだ。
今回発表されたVertical型3次元NANDフラッシュメモリは、1チップあたり最大128Gbitの大容量を実現。
また独自実装技術を採用することで、10nm世代のNANDフラッシュに比べて、2〜10倍という高い信頼性を確保している。
なおSAMSUNGによれば、今後さらに積層段数を増やし、1チップあたり1TbitのNANDフラッシュも視野に入れているとのこと。
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/2013/0806/39876
http://www.gdm.or.jp/wp/wp-content/uploads/2013/08/V-NAND_1024x768-300x225.jpg
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