今なおｓｏｃｋｅｔ７（いまさらsocket7　その２）

レスが憑いてたのね。放置スマス。
>>95,101
88で言わんとしていることは、チャネル溶断によるCPUの永久破壊(いわゆる突然死)が
むしろ低電圧駆動で引き起こされやすいという事実を裏付ける理論やデータが存在するということ。
なので、基本的に、半導体の性能劣化とチャネルの溶融は別の領域の話である。
もちろん両者にはある程度相関があるわけで独立してはいないんだけど。

○FETの構成
　　 〜 (;;´Д｀;)　←ﾍﾞｰｽ電圧
-------------------　←絶縁層
　ｸｯｻｰ　　〜〜〜ﾑｩｰﾝ
(ﾟДﾟ)　　〜〜〜　　　←チャネル　　　ベースに電圧をかけると、電界の影響でチャネルが閉じ
ﾄｵﾚﾈｴﾖ　　〜〜〜ﾑｩｰﾝ　　　　　　　　　　　　チャネル電流は遮断される。
-------------------　←絶縁層

溶融ってのはつまり、低速なゲート操作によってチャネル貫通電流が長時間発生し、
そこで局所的に発生した想定外のスポット高熱によって、チャネルのキャリアが中和されてしまい、結局FETの構成が消滅してしまう。
つまり丸々トランジスタ1個が消えてしまうのだ。こうなると劣化以前に正常動作しない。

低電圧動作(論理暴走+チャネル溶融)が何故危険かといわれる理由がそこにある。
過電圧(熱上昇+絶縁破壊)やOC(熱上昇+論理暴走)に比べて、失敗＝即死の可能性が高いからだ。