【半導体】次世代NANDで日韓2強が火花、3D対応に違いも[13/08/26

［東京　２６日　ロイター］ - 記憶用半導体のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーをめぐり、
韓国サムスン電子(005930.KS: 株価, 企業情報, レポート)と東芝(6502.T: 株価, ニュース, レポート)の２強による競争が激化する気配だ。
両社はこれまで微細化技術によるコスト低減と大容量化を追求してきたが、
サムスンが８月から３次元（３Ｄ）という新技術で量産に乗り出した。
東芝は当面、最先端の微細化で対抗し、１５年の３Ｄによる量産準備を同時に進める。

堅調なスマートフォン（多機能携帯電話）やタブレット（多機能携帯端末）向けの需要取り込みを目指し、
戦略に違いが出始めた両社。多額の設備投資をかける次世代メモリー競争でつまずけば、ともに経営の屋台骨を揺るがしかねない。
競争の行方は両社の経営の命運を握ることになりそうだ。

＜東芝は微細化でもまだ「十分戦える」＞

「（工場を）しっかり立ち上げ、業界ナンバーワンを目指す」。
東芝は２３日、ＮＡＮＤの主力拠点である四日市工場（三重県四日市市）の拡張工事を始めた。
成毛康雄上席常務は同日の起工式で、シェア首位を走るサムスンの追撃に意欲を見せた。

約３００億円投じて建設する新棟は来夏に竣工し、最先端の微細化技術を使った量産を始める。
現在量産している回路線幅１９ナノ（ナノは１０億分の１）メートルは髪の毛１本の直径に約５０００本の線が引ける細さ。
新棟ではこれをさらに狭めた技術で量産する。この結果、同じ大きさのチップでの大容量化が可能になる。

３Ｄのメモリーも１３年度中のサンプル出荷を目指しており、新棟で１５年には量産できるようにする。
ただ、設備や製造ラインの継続性などの点からもコスト力や品質の「確度が非常に高い」（成毛氏）として、
当面は微細化による生産が主になる。

田中久雄社長は７日の経営方針説明会後、前日６日に３Ｄによる量産開始を発表したサムスンに対し、
微細化で「（東芝が）常に先行してきており、十分に戦える」とけん制。
サムスンに「遅れているという捉え方をぜひしないでいただきたい」と報道陣に釘を刺した。

一方、サムスンは８月から華城（ファソン）事業所（京畿道華城市）で３Ｄメモリーの量産を始めた。
各社が３Ｄメモリーの開発には取り組んでいるが、量産化にこぎつけたのはサムスンが初めてだ。

１チップ当たりの記憶容量は微細化による製品の最大と同じ１２８ギガビット。
記憶素子を２４段積み重ねており、段を積み重ねればさらに大容量化でき、
５年以内には１テラ（テラは１兆）ビットの製品も可能だという。
ノートパソコンにスーパーコンピューターに入るメモリーを搭載できる見込みだとしている。

サムスンによれば、３Ｄメモリーは微細化による２０ナノ台の製造プロセスを使った既存製品に比べて２倍以上の記録密度を実現。
さらに１０ナノ台の製品と比べ、書き換え回数などの信頼性が２―１０倍に高まり、書き込み速度が２倍に向上するという。

微細化による製品に比べて３Ｄは、生産プロセスが増えるとしてコストの上昇を懸念する業界関係者の声も多い。
だが、サムスンは製造設備を小幅改良するだけで済んだため、生産コストも抑制できたと説明している。
サムスンのチェ・ジョンヒョク専務は６日の量産発表で「より高密度で高機能な３Ｄメモリーを投入し続ける」と意気込みを示した。

続きます>>2-3
http://jp.reuters.com/article/topNews/idJPTYE97P01J20130826

>>1より
米調査会社ＩＨＳグローバルによる１２年のＮＡＮＤシェアは、サムスンが３６．９％で首位、
東芝は３０．８％で２位。１３年４―６月期には、サムスンが３４．２％となり、東芝が３２．５％にまで迫った。

両社は常に先端技術開発でしのぎを削ってきたが、微細化は１０ナノ台に入ると技術的に難しく物理的な限界を迎えるとされ、
メモリー容量を増やすには３Ｄ化が時間の問題といわれてきた。ここへきてサムスンが３Ｄの量産で先陣を切った格好だ。

＜技術優位性、シェア争い・収益向上に生かせるか＞

もっとも技術で勝ってもビジネスで負けては意味がない。ＩＨＳグローバルの南川明主席アナリストによると、
少なくとも過去３年ほどはサムスンのほうが東芝に比べてＮＡＮＤ事業の利益率は平均で１０ポイントくらい高かった。
だが、南川氏は「その差は急速に縮まってきており、
東芝は微細化技術によって４―６月期くらいから少しリードしつつある」と述べている。
東芝の４―６月期の利益率は「２０％台半ば」（久保誠副社長）だった。

新技術だけに「歩留まりの向上も課題」（半導体メーカー関係者）とされる３Ｄメモリー。
サムスンのコスト力がどの程度かは不明だが、ある外資系証券アナリストは「３Ｄメモリー投入は予想以上に早かった。
よほど自信があるのだろう。サムスンのコスト力の象徴になる」と期待する。

東芝も競争心を隠さない。サムスンは記憶素子を２４段積み重ねたが、
東芝は「もう少し積んで十分なコストダウンを実現する」（成毛氏）といい、
田中社長も「他社の追随を許さない断トツに小さいチップサイズを実現する」と優位性を強調する。

だが、サムスンは自社のＮＡＮＤを搭載できる、世界で競争力のあるスマホやタブレットを持っているのが大きな強み。
一方、サムスンと米アップル(AAPL.O: 株価, 企業情報, レポート)のスマホ２強の成長が鈍化している中、東芝は２強のみならず、
「着実に力をつけている」（東芝の久保誠副社長）中国メーカーからの注文にも期待を寄せているが、まだ未知数だ。

サムスンは来年には現在建設中の中国・西安の新工場でも３Ｄメモリーの量産を始める計画で、
さらなる低コスト化を実現する可能性がある。一方の東芝はテレビやパソコンの生産は海外に移管したが、
メモリーは国内での開発と生産を続けている。
国内の拠点なら「技術者が多くて集結させやすく、最先端技術を短期間で開発できる」（成毛氏）ためで、量産にもすぐ入りやすい。
今なら為替の円安効果も追い風だ。

金額は明らかにしていないが、東芝は１５年度までの設備投資額１兆４４００億円のうち、
ＮＡＮＤなどのストレージ（記憶装置）分野向け投資が、主要３分野の中で最大の割合を占める。
１３年度の半導体事業の設備投資額は１７００億円だ。

続きます

>>2より

一方のサムスンは１３年の設備投資額が昨年より１兆ウォン多い２４兆ウォン（約２兆１２００億円）。
市場環境に応じてさらに上積みする可能性もあるという。
このうち最大の投資規模となるのが半導体事業の１３兆ウォン（約１兆１５００億円）で、
主に中国・西安の新工場などでの生産増強に振り向ける。

ＮＡＮＤはスマホやタブレットなどの記憶装置として広く使われており、データセンターのサーバー向けなどでも成長が見込まれている。
ＩＨＳグローバルの予測では、２０１７年の世界市場は１２年に比べて約４６％増の３２５億ドル（約３兆２１００億円）になる見通しだ。
どちらの戦略が旺盛な需要を取り込めるか、その帰すうは両社の経営の未来を大きく左右しそうだ。

(白木　真紀、Kim Miyoung　編集；田巻　一彦)
以上です。

白いほうが負けるわ

寒損って　ビッグ・マウスだけ
技術は　アリババばっか　自分では何も生み出せない

アリババ拠点は　京浜鶴見にある　ネ？

3Dより微細化にカジを切った東芝のNANDは寿命を犠牲にしてるんだよね？

円安加速で価格的に有利になりそうだから、東芝が勝ちそうだな

いつものように発表はしても製品は出てこない

元祖がパクリに負けてばかりいるこの御時世にフラッシュメモリの元祖東芝が
パクリサムスンをぶちのめす事には非常な意義が有る。

サムチョンの設備投資って買収費用？
もう端末売れませんぜ？

東芝：回路線幅１９ナノ
ﾁｮｿ：回路線幅２０ナノ「台」

明日も頑張るぞー!!

後だしジャンケンなのに
また負けるとかしたなら完全に東芝はオワコンw

3Dって寿命問題あったはずだし、微細化も寿命問題が発生するんだよね。
NAND自体が限界だと思うけど。

日本人は、もうサムスン嫌いになったからな。
docomoのニュースで一気に避けられるようになったからね。

シェアはともかく、利益追求なら日本市場は1番重要。
韓国系はどうやって日本市場でイメージ良くするかだな。

昔かなり差があったよね、東芝がすごい盛り返してきたな。

東芝＝任天堂
グリー＝サムスン

パクる相手が居る限り成り立つ方式
でも生み出す能力が有るかと言うのは違う

サムソンはスマホ向けのMPUで、省電力に失敗してるし
DDR3でも大損してるんだよなあ。
サムスンが経営が優れてるなんて大嘘だね
国家がバックアップしてくれるから、失敗しても投資が続けられるし
通貨安でダンピングもできる。

サムスンは猛烈に嗅ぎつけ、猛烈に後追いする。
財閥オーナー経営だから、開発者を猛烈にこき使っても、
オーナーの猛烈なお小遣いが出そう。

>>18
アホかお前ｗ
そりゃ経営じゃなくて開発・製造だろ

1986年、東芝半導体事業本部長の川西剛（後の代表取締役副社長）は、東芝の国際担当専務の仲介でサムスン電子からの訪韓の誘いを受け、
李秉�負�長や幹部総出のVIP歓迎を受けた。同業他社の歓待を受けるということの意味を理解していたか否かは定かではないが、
川西はサムスンの建設途中の半導体工場を見せられた見返りに、最新鋭の東芝の大分工場を見せなければいけない結果となった。

1986年、その前年に当時世界最大容量の1M（メガバイト）DRAMを開発していた東芝の半導体部長がサムスンを訪問し、
その後サムスン側が東芝の当時最新鋭の工場であった大分工場を訪問した[6]。 すると同1986年にサムスン電子も1MDRAMの開発に成功し、
その後、東芝の大分工場の生産ラインを統括する製造部長がサムスンにスカウトされ、
大分工場と同じ設備を持つ製造工場がサムスンに建設されることになった。

こうした中、東芝は1992年にサムスン電子との間でフラッシュメモリの共同開発と技術仕様・製品情報の供与契約を締結した。
翌1993年に、サムスン電子は韓国初の6Mフラッシュメモリを開発、
1995年には、バブル崩壊の余波で資金難に陥った東芝はやむなくサムスン電子と64Mフラッシュメモリ技術の共同開発で提携をした

日銀はもう１段の金緩和して
早く１ドル１１０円にしてやれや。
そうすれば、東芝がサムスンを圧倒できる。

これサムスンの勝ちだろ。
技術で勝って勝負に負けるいつものパターンだな。中国産だと価格で敵わない

出す出す詐欺のサムチョンは市場に出てからじゃないと評価できないから。

>>6
それは次世代機器使ってメモリ回路焼けばいいんじゃね？
現行技術でも時間をかければ10nm切るとかいうから
工場の広さとか、経済はバランスというから

フラッシュメモリー開発した人はノーベル賞貰ってもいいんじゃない？学問的にはそんな画期的な物でもなかったのかな。

>>20

低学歴で馬鹿なんだね　DDR3で失敗したのは製造じゃなくて需要の読み違えだから
（パソコンの需要の低迷が読めなかった）　経営の範疇。
あと、成功しない開発に投資するのも経営の範疇。馬鹿なんだから黙ってろよ

>>26

ノーベル賞は発見に与えられるのであって、開発に与えられるのではない。
江崎玲於奈は、　トンネル効果を発見したからノーベル賞をもらったけど
その効果を使ったトンネルダイオードは、余り使い道もなくさほど利用された製品ではなかった。

サムスンは網羅的に開発する。
どれが将来性があるかわからない幾通りかの方式があるばい全部やる。
サムスンって結局日のめをみない開発って膨大にあるだろ。

理論に過ぎなかったトンネル効果を実際のダイオードで実証した功績は大きいな。
ノーベル賞の受賞は発見、発明、改良が必要だ。因みに改良が授賞理由になるのは
ノーベル化学賞だけだ。福井先生のフロンティア電子論も改良。鈴木先生のカップ
リングも改良が授賞理由になっている。

サムスン

ダンボ耳→開発者監禁→網羅的開発→猛烈営業広報→ダンボ耳

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　↑
　　　　　　　　　　　　　　　　政府ウォン安爆弾投下

サムスンが微細化に失敗したから3Dで博打に出たのか
東芝が既存技術に固執しすぎなのかどっちでしょうな。

NANDを入れる納戸がないとな
その点ではスマフォで圧倒しているsamsungが強い

toshibaはNANDで勝ちたいならスマフォもガンバレ

>>33

それは違うと思う。東芝が復調してるのって、むしろサムソンがアップルとスマホで喧嘩して
アップルが調達先からサムソン排除してることが大きいわけだし。

三星の3次元は東芝のBiCSの反対の構造で、東芝が当初開発していたが歩留りが悪く量産化には向かないので捨てたやつです。ウエハーから数個しか取れない物を公開して実際に売るチップの中身は普通のトランジスタ型でしょうね。

又役員は韓国で女を抱くのか

売国もいい加減にしないと

子供や孫は韓国の奴隷になる

日本の不思議なとこは、研究者、技術者の中にも技術流出を悪だと思ってる人がいるところ
技術なんてどんどん流出させて金に換えればいいんだよ
技術流出させてこの糞国家にとどめ刺しちまおうぜ
研究者、技術者が個々人の出来る範囲で積極的に技術流出させれば不可能ではない
（かつて、週末ごとに韓国に技術指導に行って日給１００万稼いでいた技術者のように）

そして、いずれは国籍なんて無視して理系及び理系の重要性を認めて理系側についた
人間（ニュータイプ）だけで独立国家のジオン公国つくって、自分のやってる仕事が
社会に迷惑かけてるだけという現実を受け入れる器が無く、何も生み出さずに規制に
守られて、金や資源を右から左に動かして中間搾取してるだけのモラルの無いドキュ
ン文系男（オールドタイプ）国家に戦争しかけるのが人類の最終形態だろう、２００
年先になるか３００年先になるかはわからんが

経済では割とその場のシェアより、増加率、減少率が重要になってくるから

半導体を開発した量産したと毎年発表しながら、ここ5年でシェアを減少し続けてるサムスンと
ここ数年、シェアが伸び続けている東芝


普通にいけば、あと数年で勝負がつくよね、ここは東芝の勝ちだ

毎度のことだけど、サムスンのプロセスは今回も「２０ナノ『台』」って
曖昧にするのは何故なんだろう？


>>5
本命は新横浜じゃねーの？

>>38
それよりも深刻なのは莫大な社債とそれによる自転車操業。

有機ELは歩留まりが改善されないまま縮小傾向、液晶は数年内に中国勢に追い抜かれ
スマホやタブレットも頭打ち。

サムスンが微細化を諦めて3Dに行ったのは
もう先々の負けがみえちゃってるよねぇ。

微細化で負けてる分を3Dスタック数で挽回
するのはしんどいぞ。

日本で半導体の先端企業は東芝だけになったから頑張ってほしい。
3D化は避けて通れない道だけど、有機ELの例があるから本当に量産されないとどーなるかわからんわな

>>37
3点。残念。

>>1
OEMで卸すにさても
その商品がどのメーカー、工場で作られているのか明記して欲しい
でないと買い支えたい人が
買い支えできない
パソコン備品みんなそう

>>42
そうなんだよね・・・
有機ELが出た当時は液晶はあっという間に追い越され淘汰されていくと予想されていたけど
歩留まりとそれに伴うコストの違いで勝ってしまったんだよね
デフレや世界不況でなかったらまた違っていたのかもしれないけど

サムスンは日本が超円高を放置しない政治体制になってしまったから
国際市場競争ではかなり厳しいと思う
内需育てればいいのに・・・

>>25
お前はNANDのセル構造くらい理解してからレスしろや。
言ってることが無茶苦茶だぞ

3Dはいつかやらなければいけないのは事実だけど業界的には極力先延ばししようとしてるのが現状。

問題は技術じゃなくコスト。
だからサムスンが低コストの3D技術を開発したのなら評価できる。
しかし単純に作っただけなら大した意味は無い。

東芝のコメントを見ると後者って気がするな。

まぁ、実際の製品が出てから判断しようじゃないか。
出てきたらだけどww

歴史を捏造する韓国に未来はない！

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韓国は、朝日新聞と共謀して従軍慰安婦問題を捏造するな！

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>>32
微細化ではずっと東芝に負けてて、
さらに微細化には技術的限界が見えたからには
3Dに走るのはサムスン的には当たり前の選択だろう。
ブラウン管が駄目だったシャープが液晶一本槍でソニーに勝つようなもんだ。
ただ、3Dでも技術開発が先行してたのは東芝だからな。
だいたいなんでシェアが上のサムスンが中国で生産しなきゃいけないんだか。

東芝が四日市の増産投資発表した後すぐサムスンが3D発表してる。
これは東芝の増産計画を掣肘する目的もあるんだろ。
微細化で驀進してサムスンを突き放しに入ろうとしてるが、
ほっときゃやられてしまう、
そこでうちは実は3Dだ、もう量産できると発表すりゃあ、
東芝は疑心暗鬼で増産をためらう、でもほんとかもしれない以上は3Dにも手を広げなきゃいけない。
そう迷わせただけで目的は達成されてる。
ここでサムスンの3D量産技術はどこまでのもんかは分かってない。
でも中国西安工場作ってる点からして微細化で勝てないから生産コスト下げに海外生産なはず。
3D発表時には、西安でもやると言ってたが疑わしい。

【年末/IT】半導体メモリ、この1年　迫る微細化限界を前に新メモリの開発が加速　3次元化　Si貫通ビア　STT-MRAM
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1325307088/
立体半導体で相次ぎ成果 日立など、積層で限界打破
http://www.nikkei.com/article/DGKDZO42472660R10C12A6TJM000/
【技術】日立が3次元PRAMを開発、3次元NANDフラッシュ以下のビット・コスト目指す　1Tビットでの動作も可能
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1340377933/
TELとIBM、次世代3次元実装技術の実現に向けた共同開発プログラムを開始
http://news.mynavi.jp/news/2012/07/06/052/
米ＩＢＭと東京エレクトロン子会社、次世代半導体の量産技術を開発
http://www.nikkei.com/article/DGXNASDD0609W_W2A700C1TJ1000/
東芝がNANDフラッシュ・メモリの「Fab5」を稼働、ポストNANDメモリの中核工場に
http://www.nikkeibp.co.jp/article/news/20110713/277447/
東芝がポストNANDを量産へ、3次元メモリを2013年から次代の旗艦工場「Fab5」を稼働、シェアは首位目前
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/HONSHI/20110721/193524/
【半導体】ソニー、「積層型」のCMOSイメージセンサーを開発［12/01/23］
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1327298255/


ついに限界に達するNANDフラッシュの微細化と大容量化
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20121023_567749.html
東芝、次世代半導体メモリー「ＭＲＡＭ」を来年サンプル出荷
http://www.asahi.com/tech_science/nikkanko/NKK201307180015.html
第22回　ついにNANDフラッシュメモリーは3次元の世界に突入
〜東芝は独自の立体構造を採用、世界に先駆け四日市で量産移行〜　2012/12/28
http://www.sangyo-times.jp/article.aspx?ID=526
焦点：次世代ＮＡＮＤで日韓2強が火花、３Ｄ対応に違いも
http://jp.reuters.com/article/topNews/idJPTYE97P01J20130826

積層タイプってそんなにすごい技術なの
スタックチップって、10年以上前からあるような

2012/09/13
サムスン電子、次世代半導体を中国・西安で生産
http://japanese.joins.com/article/433/159433.html
　この日サムスンは西安市中心部から南に２０キロメートル離れた西安ハイテク工業区で起工式を行った。
工場の敷地は１４０万平方メートルで、今後２年間に２３億ドルを投資し、その後段階的に総投資規模を７０億ドル
まで増やす予定だ。中国の海外企業投資誘致で過去最大規模だ。２０１４年から１０ナノ級次世代ＮＡＮＤフラッシュ
メモリー半導体を生産することになる。１０ナノ級ＮＡＮＤフラッシュは韓国でも年末ごろに量産に入る先端製品だ。
サムスンが海外に大規模半導体工場を設立するのは米テキサス州オースチン工場に続き２番目だ。
　この日起工式が開かれた中国西安工場の１０ナノ級ＮＡＮＤフラッシュ年間最大生産量は３００ミリウェハー基準で
１０万枚だが、来年の市場状況により稼動率を決める予定だ。サムスン電子の権五鉉（クォン・オヒョン）副会長は、
「最初の工場をしっかりと作り生産後に市況が良くなればさらに投資する計画だ」と話した。


2013/02/20 15:43
【ISSCC】SanDiskと東芝が32Gビットの2層クロスポイント型ReRAMを発表
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/EVENT/20130220/266915/
2013/7/3 8:18
米サンディスク、記憶装置「ＳＳＤ」開発会社を買収
http://www.nikkei.com/article/DGXNASGN0300S_T00C13A7000000/

【半導体】東芝、フラッシュメモリー増産へ　300億円かけ四日市工場を増設 [13/07/02]
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1373091311/

2013/8/6 2:00
東芝が半導体新工場 米サンディスクと共同で
4000億円投資
http://www.nikkei.com/article/DGXNASDD020OI_V00C13A8MM8000/
2013/8/6 2:00
東芝、単独路線で存在感　メモリー新工場
http://www.nikkei.com/article/DGXNZO58162080W3A800C1TJ0000/


【電気機器】東芝が三重県の半導体工場拡大　スマホ追い風、ソニーと二人勝ち[13/08/23]
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1378126498/

2012年6月28日
AMAT、3次元NANDフラッシュメモリ向けの絶縁膜エッチング装置発表。80：1の高アスペクト比を実現
http://sustainablejapan.net/?p=1826

2013/8/6 19:57
サムスン電子、３次元ＮＡＮＤを量産化　世界初
http://www.nikkei.com/article/DGXNASDD060NP_W3A800C1TJ1000/

SAMSUNG、プロセスルールの限界を突破するVertical型3次元NANDフラッシュの量産開始
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/2013/0806/39876
http://www.gdm.or.jp/wp/wp-content/uploads/2013/08/V-NAND_1024x768-300x225.jpg
サムスン　３Ｄ垂直構造ＮＡＮＤ型フラッシュを量産
http://japanese.yonhapnews.co.kr/economy/2013/08/06/0500000000AJP20130806002200882.HTML
サムスン、3D垂直構造NANDフラッシュメモリの量産開始を発表
http://japan.cnet.com/news/service/35035651/
３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー、サムスン世界初めての量産
http://japanese.joins.com/article/759/174759.html
サムスン電子、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー量産の意味と展望（１）
http://japanese.joins.com/article/768/174768.html
サムスン電子、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー量産の意味と展望（２）
http://japanese.joins.com/article/769/174769.html


2013/08/06 21:36
Samsungが業界初の3次元NANDフラッシュ・メモリの量産を開始
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20130806/296480/

2013/08/07 00:00
半導体ストレージ2014
3次元NANDフラッシュ・メモリ、2015年に本格量産へ
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/SCR/20130725/294303/

2013/08/07 18:09
東芝が3次元NANDを2014年上期に量産、「Samsungには圧倒的に勝てる」と田中社長
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20130807/296700/
2013/8/8 0:55
東芝、３Ｄ半導体を13年度にサンプル出荷
http://www.nikkei.com/article/DGXNZO58246880Y3A800C1TJ1000/

2013/8/23 20:47
東芝、三重で高機能メモリー新工場着工 サムスンと首位争い
http://www.nikkei.com/article/DGXNASDD230HL_T20C13A8TJ1000/
東芝が次世代ＮＡＮＤ生産へ向け起工式、「業界１位目指す」
http://jp.reuters.com/article/jp_electronics/idJPTYE97M05O20130823

有機ELTV詐欺以来、韓国のメーカーの開発能力も
誇張されすぎという事が判明したからなぁ

>>45
韓国の内需なんてたかがしれてる
人口比率考えれば
それだけでやっていけないとわかっているから
最初から国外輸出しか頭にない
だから韓国っていう国自体が
情報メディア使って余所の国を浸食する手を使うんだよ

どなたかガンダムで例えていただけないでしょうか？

東芝の３Ｄ半導体サンプル出荷にぶつけるかたちで、
サムスンは広報した思われる。そういうのを必死でやるのがサムスン。

サムスン3D出しても、歩留まりとか一切無視して
採算度外視でやるってことだろ有機ELみたいに。
他から利益つけかえて国の支援を得てね。

Hynixの半導体工場で爆発事故、メモリー生産がストップ
http: //engawa.2ch.net/test/read.cgi/poverty/1378350900/

いまNANDフラッシュに求められてるのは技術の先進性能ではなく、とにかくコストらしいから東芝の選択が正しいんじゃない

>１チップ当たりの記憶容量は微細化による製品の最大と同じ１２８ギガビット。
>記憶素子を２４段積み重ねており、

って、24段も積んでなんで128ギガビットにしかならんの？

貼り合わせの精度が出ないのかな？

東芝の３D多層構造フラッシュの記事も散々読んだような気がするから、研究はやってるが、
まだ技術的には時期尚早ってのが東芝の判断かね？

逆に技術が伴わない段階でサムスンが３Dに突入したら、
それはそれでおもしろいことになりそうだ。

>>30
>理論に過ぎなかったトンネル効果を実際のダイオードで実証した功績は大きいな。

それは、1934年にツェナーがやってるし、ツェナーダイオードは今でも普通に利用されてる

江崎玲於奈の受賞理由はよくわからん

SKハイニックス中国工場火災で生産に支障の懸念
2013-09-05 14:07

SKハイニックスの中国の無錫半導体工場の火災で、少なくとも
数日から長くて一ヶ月以上の生産に支障をきたすことがあるという
憂慮が提起されました。

中国江蘇省無錫市にあるSKハイニックスDRAM半導体工場で
昨日（4日）午後3時50分ごろ、機器の設置工事をしていた
2棟の工場から火が出て1時間半後に消火されました。

火災発生当時、大きな爆発音と一緒に鼻を突くにおいが広がり、
黒煙が上昇しました。

SKハイニックスは世界DRAM半導体市場の30％程度を占めている企業で
無錫工場の稼動が全面中断された場合、世界DRAMの供給量の15％まで
影響を与えるなど、大きな波紋が予想されます。

SKハイニックス無錫工場では、労働者1500人が勤務しています。
（終わり）

http://news.naver.com/main/read.nhn?oid=422&aid=0000026039

2013/9/6 23:30
米ＨＰのＣＴＯ「パソコンの技術革新に終わりない」
http://www.nikkei.com/article/DGXNASDD060B1_W3A900C1TJ2000/
　米ヒューレット・パッカード（ＨＰ）のＣＴＯ（最高技術責任者）を務めるマーティン・フィンク上席副社長は６日、
日本経済新聞のインタビューに応じ最新の技術開発動向について明らかにした。高速かつ低消費電力で
データのやりとりや保存ができる新しいタイプの電子部品を2016年に実用化する。
「パソコンのイノベーション（技術革新）は終わっていない」と強調した。
　フィンクＣＴＯは核となる技術として２つを挙げた。１つは「メモリスター」と呼ばれる電子部品だ。
メモリーの一種で、コンピューターの一時記憶に使われるDRAMより安価で省電力。記憶装置に使われ始めた
フラッシュメモリーより高速で大容量化しやすい。DRAMのようなメモリーと、ハードディスク駆動装置（HDD）
のような記憶装置をメモリスターに置き換えられ、大容量のデータを高速に出し入れｄけいるようになる。
もう一つの核は光ファイバーでCPUとメモリスターなどのメモリーとの間でデータをやりとりする技術だ。
銅線などで回路をつなぐ従来の方法に比べ、1秒間に遅れるデータの量は6千倍以上。1ビットあたりのデータ
を処理するのに必要な電力は1千分の1だという。
　HPはこれら2つの技術を組み合わせ、16年後半から17年前半にかけて一部を実用化し、20年までに完全な
形で商品化を目指す。大容量データを高速に安価に処理できるようになり、これまで大規模なサーバーや
ストレージ（外部記憶装置）が必要だったビッグデータ分析がパソコンのような小規模な端末でできるように
なる可能性もある。…