【半導体】エルピーダ、立体構造の新型DRAMを開発 容量1ギガビットは世界初[11/02/10]

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1やるっきゃ騎士φ ★
パソコンなどに搭載される半導体メモリーであるDRAMの世界最大手、
エルピーダメモリは10日、同社子会社の瑞晶電子(レックスチップ、台湾)の
研究開発センターで、メモリー搭載機器を小型・省エネ化できる新型DRAMを
開発したと発表した。

新型DRAMは、配線や電荷を蓄える部分を、縦型に積み重ねて配置する
立体構造が特徴。
これによりDRAMの中核部分の「メモリーセル」の面積を従来に比べ
約30%小型化できるという。
回路線幅は65ナノ(ナノは10億分の1)で、メモリー容量が1ギガ
(ギガは10億)ビットの製品の試作に成功した。
1ギガビットの大容量で立体構造DRAMを開発したのは世界で初めて。

新型DRAMは構造上、電流の漏れが少なくなるため、
搭載機器の消費電力もこれまでより低減できるという。

同社は、今回の技術を応用し2011年度中にも回路線幅40ナノの
新型DRAMを開発し、13〜14年度の実用化を目指す。

ソースは
http://www.sankeibiz.jp/business/news/110210/bsb1102101351005-n1.htm
■エルピーダメモリ http://www.elpida.com/ja/
 2011年2月10日 レックスチップR&Dセンターで4F2メモリセルを用いた1GビットDDR3 SDRAMの試作に成功
 http://www.elpida.com/ja/news/2011/02-10.html
 株価 http://company.nikkei.co.jp/index.aspx?scode=6665
関連スレは
【頑張れ国産】エルピーダ、ルネサス、東芝等半導体メーカースレッドPart47[11/02/03]
http://toki.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1296731559/l50
【決算】エルピーダメモリ、10-12月期は最終赤字 DRAM価格下落響く[11/02/02]
http://toki.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1296635189/l50
【半導体】エルピーダが台湾・力晶への生産委託拡大、工場部分取得も検討[11/01/31]
http://toki.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1296438791/l50
2名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:49:00 ID:G/6wyMzs
価格は30%アップですとかだったら笑う
3名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:51:24 ID:ZuBfSBwF
ついに出来たか

出来る出来る詐欺の寒寸はどうした?w
4名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:52:00 ID:wi4CVVp2
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5名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:53:44 ID:u2O8G4xm
※スタックじゃないのは既に4Gbitのを量産してます
6名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:55:43 ID:pMI/pR6n
> 同社は、今回の技術を応用し2011年度中にも回路線幅40ナノの
> 新型DRAMを開発し、13〜14年度の実用化を目指す。

3年後か、まだ先だな
7名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:57:15 ID:LvwmxWXo
琥珀色のーおとこーのゆめぇ↑
8名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:58:09 ID:G/6wyMzs
3年後は22nmで4GBのD-RAMだろうから意味がないかも
9名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:05:42 ID:lx37V08Z
立体技術を盗まれないようにな。
10名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:06:03 ID:NybN5SUf
直に真似されるだろうな
11名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:07:22 ID:24NMJitd
1Gじゃね・・・
おそらく半導体の技術革新としてはすごいだろうけど、消費者にとってのメリットがね
今後に期待ということでお茶を濁しますか
12名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:08:01 ID:p2U1b4qK
>>10
そういうののための特許。
だけど、立体構造とか相当サブマリン仕込まれてそうだな。
13名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:10:19 ID:LEsU2GEY


大島貴乃さん(24歳) (INP チュチュ 所属)
http://www.inp-tutu.com/talent/takano.html
高橋としみさん(26歳) (スタイルコーポレーション 所属)
http://www.stylecorporation.com/models_prof/toshimi_takahashi/
http://ameblo.jp/toshimi1002/
成島桃香さん(25歳) (スタイルコーポレーション 所属)
http://www.stylecorporation.com/models_prof/momoka_narushima/
http://ameblo.jp/narushimamomoka/
真野淳子さん(26歳) (スタイルコーポレーション 所属)
http://www.stylecorporation.com/models_prof/junko_maya/
http://ameblo.jp/myjn28/

後藤奈美さん(27歳) (所属不明)
関連スレは
【国債】個人向け国債、販売てこ入れへ:償還期限3年、毎月募集 [10/05/22]
http://anchorage.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1274497747/l50
平成22年6月2日 財務省 報道発表 個人向け国債の発行条件等
http://www.mof.go.jp/jouhou/kokusai/kojinmuke/houdouhappyou/p220602.htm


http://market-uploader.com/neo/src/1276067681669.jpg




14名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:10:29 ID:G/6wyMzs
>>12
1年後には研究が発表されるし装置メーカーが装置を開発するから、直ぐに何処の国でも生産できる様になるよ
だって装置が有れば簡単な時代
15名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:13:47 ID:ZuBfSBwF
>>12
あそこの民族は特許無視してクロスライセンスしてまで強引にパクるよ
人間の常識が効かない連中
16名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:35:18 ID:11M1oVef
ギガバイトとギガビット勘違いしてるやつがおるなw
17名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:39:41 ID:h60y74V8
メモリモジュールに8枚くらいチップを乗っけるわけだし
18名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:41:48 ID:/O/3tIuD
ビットとフォースとバイド帝国だな
19名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:58:50 ID:n/Hzs5rq
そろそろDDR4じゃないの?
20名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 16:01:37 ID:dahUW6kV
たったの200MBか…2Gbぐらい出来そうなものだが
1枚に32GBのメモリとか出てほしいな
21名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 16:07:24 ID:zHPwHasd
>>20
「Win]128」が出て、最低必要メモリが32Gになるだけ。
22名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 16:08:34 ID:3GTdw1Po
立体構造ReRAMとか想像するだけで先っぽヌルヌルしてくる
23名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 16:12:19 ID:CT4fo6/L
24名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 17:12:13 ID:2l75kvV+
>>19
DDR4はまだ標準化の規格ができあがっていない、今年の夏ごろ決定予定。
DDR4はDDR3のようにバッファ(中継)無しで複数モージュール(複数ソケット)
を実装できないためにその分だけ基盤が複雑化(高価格)するから
サーバー用途向け仕様である。
中継がある分だけ帯域は上がってもDDR3よりかなりレイテンシー(遅延)が
増える(遅く)のが厳しい。
25名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 17:14:41 ID:3L5Sn8+O
決算前のいつもの株価対策
26名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 19:41:36 ID:qDCvD4Dk
確か1Gとかのチップを重ねて4Gぐらいにするんじゃなかった?
27名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 19:50:23 ID:CAhO6oZg
立体だと発熱とか放熱特性はどうなのか気になる
28名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 20:04:57 ID:7U6ui1Ak
65nmとか何年前のラインだよ
29名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 20:16:07 ID:Qk3t4brR
こういう3次元構造の半導体素子はどうやって回路形成するんだ?
30名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 20:40:48 ID:g/vNJa6n
4F2ってのは、Fを配線幅としたときに、2F(配線2本分)×2F(配線2本分)=4F2
の面積で1ビット記憶できますよと言うこと。

これまでは6F2が主流。
だから、面積が一気に3分の2に出来る。

だから、65nmでも、4F2構造だと45nmの6F2構造と同じくらいの面積になる。

ただ、現時点では絶望的に歩留まりが悪いだろうから、当分は6F2の方が低コストで作れるだろうね。
実用化する=量産に耐える歩留まりになる のが2013年とすると、
他のメーカーも追いつくだろうしな。

もちろん、先行している分だけ多くの知見が手に入るし、
特許もがっちり押さえられるから、いい話には違いないわな。
31名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 21:14:47 ID:03owDikm
>>11
薄型・省電力はタブレットPCとかスマホで使われてるLPDDRにとって重要だよ。
あの手の機器は512MBくらいのが、今のところ主流。
DDR3よりもLPDDRの方が技術的難度が高いけど、取っ掛かりは出来たから、年内になんとかするだろ。
32名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 21:18:35 ID:P6f1aVcd
つまり、インビットがHBTってやつか
33名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 21:47:40 ID:fqvQ6+Wj
34名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 22:38:02 ID:03owDikm
サムスン以外のスマートフォン買えば、ざっくり5割の確率で搭載されてる。
35名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 23:25:04 ID:3L5Sn8+O
サムスンが日本の工場を建てて日本人を雇用したら複雑な話になるんだろうな。
36名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 02:21:16 ID:1WiyKlN2
エルピーダは微細化を進めるよりも
スタッキング技術を進めるほうが
技術的なアドバンテージが握りやすい
と考えているようだな。

まあ、スタッキングは装置導入すれば
できるというものではないから日の丸
メモリが復活する可能性もあるな。
37名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 09:18:45 ID:BX6tKji1
>>36
半導体装置産業は、ますますサムスンと密になっていくという話だな。
38名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 11:28:51 ID:w2M0pIu1
ということで、また次回〜。
39名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 11:30:13 ID:pBqaCVd8
サムスンがアップしてるな
40名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 16:29:46 ID:JVHL3AZM
エルピーダの株だいぶ持ち直したな。
41名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 20:44:07 ID:GGMEYPva
この技術はエルピーダとドイツのキマンダが一緒に開発してた技術だから
ドイツと日本と台湾の汗と涙の結晶
42名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 20:44:38 ID:MW+o1HhP
むしろいまさらですかって感じ・・・なんでこんなに時間かかったかな
43名刺は切らしておりまして:2011/02/12(土) 00:23:03 ID:LXm89OAI
>>42
難しいからでしょ。簡単なら先に他がやってる。
44名刺は切らしておりまして:2011/02/12(土) 19:26:16 ID:P6bo+/RA
縦型化とシュリンクを同時に進めてくって相当苦労するんだろうな・・・。
「20nm以降のDRAMに欠かせない有力な基礎技術」ってのは、
20nm以降、シュリンクペース落ちるのかな・・・。
45名刺は切らしておりまして
物理限界は何nmだっけ?