【半導体】エルピーダ、立体構造の新型DRAMを開発 容量1ギガビットは世界初[11/02/10]
1 :
やるっきゃ騎士φ ★:
2 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:49:00 ID:G/6wyMzs
価格は30%アップですとかだったら笑う
ついに出来たか
出来る出来る詐欺の寒寸はどうした?w
4 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:52:00 ID:wi4CVVp2
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※スタックじゃないのは既に4Gbitのを量産してます
6 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:55:43 ID:pMI/pR6n
> 同社は、今回の技術を応用し2011年度中にも回路線幅40ナノの
> 新型DRAMを開発し、13〜14年度の実用化を目指す。
3年後か、まだ先だな
7 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:57:15 ID:LvwmxWXo
琥珀色のーおとこーのゆめぇ↑
8 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 14:58:09 ID:G/6wyMzs
3年後は22nmで4GBのD-RAMだろうから意味がないかも
立体技術を盗まれないようにな。
10 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:06:03 ID:NybN5SUf
直に真似されるだろうな
1Gじゃね・・・
おそらく半導体の技術革新としてはすごいだろうけど、消費者にとってのメリットがね
今後に期待ということでお茶を濁しますか
12 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:08:01 ID:p2U1b4qK
>>10 そういうののための特許。
だけど、立体構造とか相当サブマリン仕込まれてそうだな。
13 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:10:19 ID:LEsU2GEY
14 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:10:29 ID:G/6wyMzs
>>12 1年後には研究が発表されるし装置メーカーが装置を開発するから、直ぐに何処の国でも生産できる様になるよ
だって装置が有れば簡単な時代
>>12 あそこの民族は特許無視してクロスライセンスしてまで強引にパクるよ
人間の常識が効かない連中
16 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:35:18 ID:11M1oVef
ギガバイトとギガビット勘違いしてるやつがおるなw
17 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:39:41 ID:h60y74V8
メモリモジュールに8枚くらいチップを乗っけるわけだし
18 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 15:41:48 ID:/O/3tIuD
ビットとフォースとバイド帝国だな
そろそろDDR4じゃないの?
たったの200MBか…2Gbぐらい出来そうなものだが
1枚に32GBのメモリとか出てほしいな
>>20 「Win]128」が出て、最低必要メモリが32Gになるだけ。
立体構造ReRAMとか想像するだけで先っぽヌルヌルしてくる
>>19 DDR4はまだ標準化の規格ができあがっていない、今年の夏ごろ決定予定。
DDR4はDDR3のようにバッファ(中継)無しで複数モージュール(複数ソケット)
を実装できないためにその分だけ基盤が複雑化(高価格)するから
サーバー用途向け仕様である。
中継がある分だけ帯域は上がってもDDR3よりかなりレイテンシー(遅延)が
増える(遅く)のが厳しい。
25 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 17:14:41 ID:3L5Sn8+O
決算前のいつもの株価対策
26 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 19:41:36 ID:qDCvD4Dk
確か1Gとかのチップを重ねて4Gぐらいにするんじゃなかった?
立体だと発熱とか放熱特性はどうなのか気になる
65nmとか何年前のラインだよ
こういう3次元構造の半導体素子はどうやって回路形成するんだ?
4F2ってのは、Fを配線幅としたときに、2F(配線2本分)×2F(配線2本分)=4F2
の面積で1ビット記憶できますよと言うこと。
これまでは6F2が主流。
だから、面積が一気に3分の2に出来る。
だから、65nmでも、4F2構造だと45nmの6F2構造と同じくらいの面積になる。
ただ、現時点では絶望的に歩留まりが悪いだろうから、当分は6F2の方が低コストで作れるだろうね。
実用化する=量産に耐える歩留まりになる のが2013年とすると、
他のメーカーも追いつくだろうしな。
もちろん、先行している分だけ多くの知見が手に入るし、
特許もがっちり押さえられるから、いい話には違いないわな。
31 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 21:14:47 ID:03owDikm
>>11 薄型・省電力はタブレットPCとかスマホで使われてるLPDDRにとって重要だよ。
あの手の機器は512MBくらいのが、今のところ主流。
DDR3よりもLPDDRの方が技術的難度が高いけど、取っ掛かりは出来たから、年内になんとかするだろ。
32 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 21:18:35 ID:P6f1aVcd
つまり、インビットがHBTってやつか
34 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 22:38:02 ID:03owDikm
サムスン以外のスマートフォン買えば、ざっくり5割の確率で搭載されてる。
35 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/10(木) 23:25:04 ID:3L5Sn8+O
サムスンが日本の工場を建てて日本人を雇用したら複雑な話になるんだろうな。
エルピーダは微細化を進めるよりも
スタッキング技術を進めるほうが
技術的なアドバンテージが握りやすい
と考えているようだな。
まあ、スタッキングは装置導入すれば
できるというものではないから日の丸
メモリが復活する可能性もあるな。
37 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 09:18:45 ID:BX6tKji1
>>36 半導体装置産業は、ますますサムスンと密になっていくという話だな。
38 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 11:28:51 ID:w2M0pIu1
ということで、また次回〜。
サムスンがアップしてるな
エルピーダの株だいぶ持ち直したな。
41 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 20:44:07 ID:GGMEYPva
この技術はエルピーダとドイツのキマンダが一緒に開発してた技術だから
ドイツと日本と台湾の汗と涙の結晶
42 :
名刺は切らしておりまして:2011/02/11(金) 20:44:38 ID:MW+o1HhP
むしろいまさらですかって感じ・・・なんでこんなに時間かかったかな
>>42 難しいからでしょ。簡単なら先に他がやってる。
縦型化とシュリンクを同時に進めてくって相当苦労するんだろうな・・・。
「20nm以降のDRAMに欠かせない有力な基礎技術」ってのは、
20nm以降、シュリンクペース落ちるのかな・・・。
45 :
名刺は切らしておりまして:
物理限界は何nmだっけ?