【半導体】エルピーダ、次世代メモリーPRAMの開発中止　用途・コストに壁［09/12/17］

エルピーダメモリは１６日、次世代メモリーとして有力視される相変化メモリー（ＰＲＡＭ）の
開発を打ち切る方針を明らかにした。
１２８メガビット品までサンプル出荷したが、用途拡大が難しく、コストも下がらないと判断した。
ＤＲＡＭは回路線幅３０ナノメートル（ナノは１０億分の１）世代で技術的に微細化の限界が
訪れるとされ、エルピーダは代替としてＰＲＡＭに焦点を当てていた。
今後は高度なチップ積層技術に開発資源を移す。
ＰＲＡＭは「フラッシュメモリーより安価にすることが難しい」（坂本幸雄社長）ため、
開発打ち切りを決めた。
同社は年内に線幅４０ナノメートルＤＲＡＭの量産を始め、次の線幅３０ナノメートル世代まで
技術開発にもめどを付けている。
その後はサンドイッチ状に積み重ねた複数のチップを電気的に接続する３次元パッケージ技術を
本命に位置づける。

ソースは
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0320091217aaac.html
エルピーダメモリ　http://www.elpida.com/ja/
株価　http://company.nikkei.co.jp/index.aspx?scode=6665
関連スレは
【頑張れ国産】エルピーダ、ルネサス、東芝等国内半導体産業総合スレッドPart35［09/11/24］
http://anchorage.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1259068327/l50

うーん。。。。

ここもずっと死に体ですのう

こっちに負けたのか？
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20091208/178415/
http://www.numonyx.com/JP/MEMORYPRODUCTS/PCM/Pages/PCM.aspx

これも事業仕分けか

サムスン　じゃー　ウリも止める

書き換え制限があるならFlashより安く作れないと競争力がない
DRAMの代わりなら高速で書き換え制限のないMRAMかRRAM

韓国に技術を売れば良いだろ

PRAMの時代が始まる、Numonyx社の1Gビット品量産はいつか
2009/10/05
Peter Clarke：EE Times Europe、編集　EE Times Japan

http://eetimes.jp/news/3365

ユニバーサル・メモリーの座を賭けた争い、第2ラウンド
http://www.eetimes.jp/content/3543

富士通のバブルメモリー最強

「世界一目指さないと2位にもなれない！」　ノーベル学者６人

ＰＲＡＭは欠点が多いからこの決断は正解だよ。性質上多値化はほぼ不可能だし
溶かしたり冷やしたりして記録するので温度の変化にも弱くある程度温度が上がると情報が消えてしまう。
だから自動車とかには使えないし、温度の高いパソコンへの利用も微妙。

携帯機器での利用が最適だとは言えるけどFlashに比べると用途が随分限定されている感は否めない。

>>11
開発者が自殺したアレか。。。

税金返せよ

DRAMは何GBで打ち止めになるのさ？

国営企業が市場競争で勝つのは稀だろ。

太鼓の次は梅か

ま儲からないと判断したら辞めるしかない。もちろんその判断が間違ってる可能性も
あるわけだけど。

【MemCon 2009レポート】
「相変化メモリはNANDフラッシュに勝てない」、Numonyxが断言
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20090625_296549.html

次世代メモリの最有力候補、「相変化メモリ」の量産が始まる
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20091014_321297.html

メモリチップ使いまくりの5インチRAMディスク出してくれよ。

以後モスピーダ禁止

モスピーダ

次世代メモリの本命はMRAMだと思う

これも事業仕分けの結果だな。京速計算機といい
GXロケットといい、日本の比類なき超先端科学技術と
未来をどんどん奪う民主党は、マジで売国党だな。

確かにPRAMは中途半端なんだよな
NOR型フラッシュの代替くらいか？

その代わりR-RAMが急速に立ち上がりつつある事実

>>24
京速が出来る頃にはアメリカではその二倍の性能のスパコン出来てるから
京速なんてＮＥＣが抜けた段階で中止すべきだった。

PRAMはDRAMとほぼ同じプロセスで不揮発メモリを作れるのが利点だったのに
DRAMメーカーがそれを諦めていいのか？

PRAMはDRAMの代わりにはならないしFlashのように安くも作れない

最近の日本人はすぐ諦めたがる…　できないからこそ挑戦し世界を驚かしてきた、今までの日本人は。　

日本の成長戦略は、不可能を可能にする日本人の知恵をどう生かすか、育てるか？にあると思う。

NANDフラッシュも20年以上前からハードディスクを置き換える
と東芝にいた舛岡博士は言い続けていたが、当時は
ハァ？って感じだったからな。
(NANDの大容量化よりハードディスクの大容量化・低価格化のほうが
ペース速かったので)。

シャープの町田社長が 1998年当時、2005年までに国内のカラーテレビを
ブラウン管から液晶に置き換えると宣言したのも負け組が大口叩いている
様にしか見えなかった。

難しいのか

もったいない

［PRAM］といい ［cell］といい そんなもん軍事転用される以外
使用用途がないモンなんて 量産／外販したって しやーないやんけー！？？

因に 現状での世界最強最高のスパコンは 事実［Sonyの最新版PS3］なんですけどーーっｗ

MRAMはまだか

サムソンが..................( ＾ω＾)

PRAMとかMRAMとかは、新しい技術ではないよ。
技術の筋が悪くて、捨て置かれた残り物。

草食系日本に成長は無し…

http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20091224_339245.html

エルピーダの得意とする携帯電話市場に投入されると結構な利益を脅かされそうな気がする。

NOR→DRAM+NAND→PRAMという流れ。

DRAMを置き換えるのは当分先でしょ。

当分先も何もPRAMなんて高温でのデータ化けで使い物にならない
DRAMみたいにリフレッシュでもするかｗ

高温でデータが化けるのはDRAMも変わらんじゃんか

>>42
> DRAMみたいにリフレッシュでもするかｗ

冗談ではなく、真面目にそういう提案が出ている。

http://www.eetimes.jp/news/3563
不揮発メモリー大手のスイスNumonyx社は、PRAM（Phase Change Random Access Memory：相変化メモリー）に
リフレッシュ機能を追加することで、高温の環境でも安定動作を可能にするアイデアを披露した。

>>43
高温でデータが「化ける」程度の話じゃない。

http://www.eetimes.jp/news/3563
一般的なPRAMは高温の環境に長時間置かれると、データが消失してしまうという問題がある。
この問題に気づくまで、Cappelletti氏は、「PRAMは、85℃の環境下でも、10年間データを保持すると保証できる」と述べていた。

しかし、後になってPRAMを85℃の環境に置くと、データを保持できなくなることが判明した。
125℃の環境ではおよそ10時間でデータが消失する。165℃の環境では10秒、225℃の環境ではわずか10μsでデータが消えてしまう。

　　　　γ⌒´　　 　　 ＼
　　　.／／ ""´ ⌒＼　　）
　　　.i / ⌒ 　　 ⌒　 ｉ　）
　　　i　/･ ＼｀ ´/ ･＼i,/
　　　ｌ 　￣（__人_）￣ |　
　　　＼ 　　＼ 　| 　ノ　＜政権交代で夢と希望をプレゼントしましたが、
　　　／　　　　｀-'　＼　　 さらなる期待を持って頂けるような夢を与えます。
　　　|　|.　　　　　　|　|

>>45
DRAMに対しての優位性は揺るいで無くね？

どうせリフレッシュが必要で周辺回路がいるならDRAMでエエヤンw

リフレッシュが必要な時点で、不揮発でなくなるわなｗ

>>45
http://d.hatena.ne.jp/affiliate_with/20091223/1261642958
エレクトロニクス業界誌EETimes Japanのオンライン版記事「PRAMに思わぬ落とし穴、
高温下でデータを保持するには」に重大な誤訳があることが発覚しました。

問題となっているのは下記の部分です。

「この問題に気づくまで、Cappelletti氏は、「PRAMは、85℃の環境下でも、10年間
データを保持すると保証できる」と述べていた。しかし、後になってPRAMを85℃の
環境に置くと、データを保持できなくなることが判明した。」

>>50
その記事だと、PC用途なら行けるかもしれない、と擁護してるみたいだけど、
どのみち、DRAMに記録密度？で追いつくにはさらに技術開発しないと行けないだろう死なぁ。

記録密度なら研究室レベルではもうDRAMを上回っとる
DRAMみたいなでっかいキャパシタが要らんからな
安定して生産できるかどうかだけじゃねあとは

>>50

>もっと言ってしまうと。85℃でのデータ保存特性を問題にするのは産業用および自動車用です。
>半導体デバイスの使用温度範囲は普通、0〜70℃なんですよ。データシート見ればすぐに分かります。

上記のように記事では言っているけど、そういう問題ではないよね。
85℃を境にデータの保持特性が劣化するわけではない。温度を上げるにつれて急激にデータ抜けが発生する。
PRAMは原理上熱に弱いことは避けられないことであり、メーカーが解決法としてリフレッシュを
提案しているならば、フラッシュメモリの完全な置き換えに関しては諦めると言っていることになるね。

>>53
フラッシュメモリは同じ環境でどの程度持つん

>>54
フラッシュメモリの場合は、書き込み消去を何回やったかで変わる。
さらの状態であれば、85℃でも十分持つよ。

そうなん

最近寿命が短いの多い