【半導体】富士通研、抵抗値のばらつきを抑制した高速低消費電力ReRAMを開発[07/12/19]

このエントリーをはてなブックマークに追加
1やるっきゃ騎士φ ★
富士通研究所は、次世代の不揮発性メモリーとして期待されている、ReRAMの
低消費電力化と抵抗値のばらつきを低減させることに成功したと発表した。
同社は今回、ReRAM素子の構造をTiを添加したNiOに変更し、トランジスタによる
電流制限をかけることにより、メモリー消去時に必要な電流を100μA以下に低減。
また、5ナノ秒という高速の消去動作において、抵抗値のばらつきを約1/10に低減した。

現在、システムLSIでは、フラッシュメモリーのような不揮発メモリーを混載することで
ソフトウェアを後から書き換えられるものが主流となってきている。
しかし、フラッシュメモリーは、近い将来に微細化の限界に達すると予想され、
代替となる各種メモリーの研究が行われている。ReRAMは、電圧を加えることで
抵抗の値が変化する材料を素子として用いたメモリーで、微細化に適し、
製造コストが低いことから、フラッシュメモリー後継の技術として注目されている。
ただ、ReRAMは高速で書き込みや消去を繰り返し行った際に抵抗値ばらつきが生じ、
品質に影響を及ぼす課題があった。

従来のReRAMデバイスではNiO膜が用いられていたが。今回、富士通研究所では
NiO膜にTiを添加したTi:NiO膜によるデバイス構造を開発し、トランジスタと
組み合わせて性能評価を行った。その結果、メモリー消去時の電圧を高くすることが
可能になり、従来の約1万倍の5nsに高速化させることに成功。
同時に、抵抗値のばらつきを約1/10に低減。また、トランジスタにかける電圧を
最適化することにより、メモリー消去時に必要となる電流を100μA以下に低減した。
同社では今後、フラッシュメモリーの代替として高速、低消費電力、低コストの
混載メモリーを目指す。

なお、今回の技術は、米国ワシントンD.C.で12月10日から開催されたIEDM 2007にて
発表された。

ソースは
http://www.sijapan.com/content/l_news/2007/u3eqp3000001ybgl.html
“富士通研が開発したReRAM素子(左)とトランジスタを組み合わせた構造(右)”という画像は
http://www.sijapan.com/content/l_news/2007/u3eqp3000001ybgl-img/u3eqp3000001ybid.jpg
関連スレは
【半導体】NEC、データ保持に電力消費しない「MRAM」 250MHz駆動に成功…世界初 [07/11/30]
http://news24.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1196432816/l50
依頼を受けてたてました。
2名刺は切らしておりまして:2007/12/19(水) 16:09:27 ID:JrVRcwYo
>従来の約1万倍の5nsに高速化させることに成功。
書き込み性能も同じぐらいなのか?
3名刺は切らしておりまして:2007/12/19(水) 18:11:51 ID:NKaLFxqj
富士通は最近元気がないからがんばってほしい。株主より。
4名刺は切らしておりまして:2007/12/19(水) 19:05:53 ID:bikxtG/Z
本気でやってもいいんじゃないかな。
当て馬にもなるし、技術も身につく
ただ完成しても輸出は出来ないからなー
5名刺は切らしておりまして:2007/12/19(水) 21:37:07 ID:bikxtG/Z
一両の変換作業に一分かかります…
6名刺は切らしておりまして:2007/12/19(水) 21:54:30 ID:+5LEPEI4
消去? 書き込みじゃないのか?
消去と書き込みで違う手順が必要?
7名刺は切らしておりまして:2007/12/20(木) 00:08:59 ID:nC/ZsBgO
動く歩道の事は知らんが、笹島の109シネマズとかラバーモ行く人は、
名駅から歩いているよ。名駅通りの人の流れを見れば分かるだろ

駐車場なんて最小限で十分。
そこらの田んぼの中にあるようなドデカい商業施設とは違うんだよw
8名刺は切らしておりまして:2007/12/20(木) 22:43:03 ID:EFy1tP/A
>>123
十年後の破滅より目の前の大金を取りたい経営者ばかりだからだじないか?
日本式成果主義は短期的にみると経営者にとって美味しすぎる…
9名刺は切らしておりまして:2007/12/22(土) 04:59:29 ID:CgMRAuMq
(-〇-)<さよなら
10名刺は切らしておりまして:2007/12/22(土) 19:02:33 ID:QCBb20nz
>「偽造がすべて耐震性不足につながったわけではない」

なんでこんな不信感を増すようなことを言うのかねえ。
11名刺は切らしておりまして:2007/12/22(土) 22:20:42 ID:YKg3miMb
不動産業者の物件が港区に増えそう…。
12名刺は切らしておりまして:2007/12/23(日) 01:06:58 ID:q4zTQqhw
トヨタ自動車と日本郵政公社からアクセスが(笑)

http://ameblo.jp/minilux/entry-10057404674.html



真性包茎チンポマークのトヨタ(笑)

トヨタ(笑) (゚U゚) チンポー の漬物は、
塩漬けの漬け込み時間が長いからね。

     ∧_∧ ミ ギャーッハッハッハッ!!!
 o/⌒(. ;´∀`)つ  
  と_)__つノ  ☆ バンバン
13名刺は切らしておりまして:2007/12/23(日) 05:03:20 ID:q4zTQqhw
まーた、どっかの板のどっかのスレ住人を
大量ダーンさせるようなネタwwww
14名刺は切らしておりまして:2007/12/23(日) 12:48:10 ID:zw6dINMj
一万倍って凄くね?
15名刺は切らしておりまして:2007/12/23(日) 13:37:40 ID:650P3b/G
ニッケル化合物って発がん性ない?
16名刺は切らしておりまして:2007/12/23(日) 13:56:06 ID:hghObc1H
書き込みも消去も モード変更をやらない限り無理だから フラッシュも同じく ページがブロック単位で変更する
だから時間がかかる
又書き込みと消去には時間が違うから 書き込みの方が長いのが普通なんだよ



発ガン性なんて言ってたら半導体なんか作れないぜ

全部 ヒ素やボロン等大量に入っているぜ
17名刺は切らしておりまして:2007/12/23(日) 14:38:11 ID:650P3b/G
微量添加物でしょ?それ
18名刺は切らしておりまして:2007/12/23(日) 18:30:17 ID:prxsBFKJ
携帯電話にヒ素化合物使われてるけど、問題ないでしょ。
半導体って結構危険な元素使ってるのよ。
19名刺は切らしておりまして:2007/12/23(日) 19:11:37 ID:hDvG5ezB
ReRAMはPRAMの一種だろう、DRAMやSRAMはMRAMで置き換えるのが確定だし
NAND-Flashを置き換えるのは無理だから中途半端な存在だ。
20名刺は切らしておりまして:2007/12/23(日) 22:27:13 ID:az0UH/ea
しかし FLASHの構造上そろそろ微細化には限界が来る
あれだけデカイアスペクト比の素子なんか限界だろ
21名刺は切らしておりまして
http://bbs.enjoykorea.jp/tbbs/read.php?board_id=tinternet&nid=189386&st=writer_id&sw=doutei

おやおや?キモオタどもが平日の真昼間から2chのコピペを
そのままプラカードやTシャツにして騒いでますよ?
こんな醜い姿、行為を実社会にまで晒して恥ずかしくないのかな?

【嫌韓厨】とは?

韓国が嫌いな厨房。
韓国憎さのあまりに時と場所をわきまえずに2ch中のあちこちのスレに
嫌韓コピペや嫌韓カキコをして普通の住民に迷惑をかけている。
(2ch管理人のひろゆきは 厨房とは別に組織的な「職業右翼」の存在も指摘している。)
韓国が嫌いというより韓国をネタに日々のストレスを発散したり、
寂しさを紛らわすために(韓国ネタだとレスが異常に多くつく) ネタ的に書き込みをしている厨房も多い

基礎的な教育を放棄した事により、社会的地位や精神的基盤を有さなくなり、
脆弱なアイデンティティを満たす帰属意識を「国家」という枠組みにまで希薄化する。
その帰属意識の拠所である「国家」という枠組みを揺るがしかねない事象に対して、
極度の恐怖感を抱き、過剰なまでの敵愾心を見せる。
これが嫌韓厨と呼ばれる者の実体である。

嫌韓厨は基礎的な教育を放棄した事から、
何ら現行法や現行制度を無視したありえない主張をする。
ex. 「核を落とせ!」 「在日に人権派無い」etc...