【科学】京大、炭化ケイ素ＢＪＴの電流増幅率を２５０倍に向上させる技術を開発
☆京大、炭化ケイ素ＢＪＴの電流増幅率を２５０倍に向上させる技術を開発☆
[2011年05月18日]
京都大学の須田淳准教授、三宅裕樹研究員、木本恒暢教授は炭化ケイ素のバイポー
ラトランジスタ（ＢＪＴ）の電流増幅率を向上させる技術を開発した。電流増幅率は従来、
最大でも１３４倍だったが、今回２５０倍以上を実現。電気自動車（ＥＶ）や鉄道車両など
での実用化を見据え、炭化ケイ素を使ったＢＪＴの研究開発が進むきっかけとなりそうだ。
２３日から米サンディエゴで始まる米国電気電子学会（ＩＥＥＥ）のパワー半導体デバイス
国際シンポジウムで発表する。
ＢＪＴはｎ型半導体とｐ型半導体を積層した構造のトランジスタ。理論的に金属酸化膜半導
体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）より電力損失を低減できる可能性があり、特に高い
電圧を扱うＥＶや鉄道車両などの省エネルギーに役立つと期待されている。
今回、炭化ケイ素のＢＪＴの作製プロセスに複数の工程を加えた。
▽ソース：日刊工業新聞
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720110518eaam.html
[2011年05月18日]
京都大学の須田淳准教授、三宅裕樹研究員、木本恒暢教授は炭化ケイ素のバイポー
ラトランジスタ（ＢＪＴ）の電流増幅率を向上させる技術を開発した。電流増幅率は従来、
最大でも１３４倍だったが、今回２５０倍以上を実現。電気自動車（ＥＶ）や鉄道車両など
での実用化を見据え、炭化ケイ素を使ったＢＪＴの研究開発が進むきっかけとなりそうだ。
２３日から米サンディエゴで始まる米国電気電子学会（ＩＥＥＥ）のパワー半導体デバイス
国際シンポジウムで発表する。
ＢＪＴはｎ型半導体とｐ型半導体を積層した構造のトランジスタ。理論的に金属酸化膜半導
体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）より電力損失を低減できる可能性があり、特に高い
電圧を扱うＥＶや鉄道車両などの省エネルギーに役立つと期待されている。
今回、炭化ケイ素のＢＪＴの作製プロセスに複数の工程を加えた。
▽ソース：日刊工業新聞
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720110518eaam.html
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2 ：名前をあたえないでください：2011/05/19(木) 22:18:58.15 ID:ZgTw3qD/
は？
3 ：名前をあたえないでください：2011/05/19(木) 22:27:56.95 ID:Vtn5VMns
ひ
4 ：名前をあたえないでください：2011/05/19(木) 22:40:38.08 ID:zAqDtCCQ
つまり、便利になるということですな。
5 ：名前をあたえないでください：2011/05/19(木) 22:43:10.42 ID:ESwjuhpb
なにが【科学】だよ 二軍のくせして
6 ：名前をあたえないでください：2011/05/19(木) 22:48:42.99 ID:JEZF1alz
２倍になっただけだね
7 ：名前をあたえないでください：
FETの高性能化もよろ