【技術】FRAM 次世代技術を共同開発 エプソンと富士通

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1れいにゃ(050714)φ ★
 セイコーエプソン(諏訪市)と富士通(東京)は15日、半導体メモリー「FRAM」の
次世代技術を共同開発する、と発表した。FRAMは他のメモリーに比べ情報の
保護性能が高く、既にICカードなどで富士通が実用化。両社の技術を組み合わせ、
高集積化と、耐久性向上を図る。エプソンは携帯端末などへの応用を目指す。

 FRAMは電源を切っても記憶したデータが消えない不揮発性メモリー。
不揮発性で主流のフラッシュメモリーに比べデータの読み書きが速く、
書き換え回数も10億回以上と、フラッシュメモリーの1万倍。消費電力が低いため、
書き込みの際に電波が読み取られにくいのも特長だ。

 富士通は1999年に実用化。量産技術も確立し、市場をほぼ独占している。
一方、エプソンは2003年夏に、書き換えの繰り返しによるデータ劣化を防ぐ
FRAM材料を開発。半導体を小さくパッケージする技術もある。共同開発で
開発期間を短縮し、富士通は市場での立場を強め、エプソンは実用化を加速する。

 具体的には、現在のFRAMの6分の1の大きさに集積化。書き換え回数は
さらに10万倍拡大し、事実上書き換え無制限とする。
来年9月までの開発完了を目指す。

 個人認証のICカードは、建物などの入場ゲートのほか、金融機関の
偽造キャッシュカード対策などで需要が急増。高集積化することで他のチップとの
組み合わせが容易になり、応用分野が拡大する。エプソンは「小型軽量の
モバイル系機器など、さまざまな商品、サービスにFRAMを活用できるようになる」
(広報・ブランド戦略部)としている。

http://www.shinmai.co.jp/news/20050616/KT050615BSI090012000022.htm
2名前をあたえないでください:2005/06/16(木) 23:06:16 ID:AymIYjap
三国人にパクられるなよ。
3名前をあたえないでください:2005/06/16(木) 23:07:37 ID:aUEFDLB4
パクられないか心配。。。。。
4名前をあたえないでください:2005/06/16(木) 23:20:01 ID:AymIYjap
DRAMを追い込め。潰せ。
5名前をあたえないでください:2005/06/16(木) 23:21:26 ID:zncdoL6g
そんな事よりインクカートリッジのICチップ廃止しろよ。
6名前をあたえないでください:2005/06/16(木) 23:22:30 ID:XQ2OvEvQ
FRAMとFeRAMの違いについて
7名前をあたえないでください:2005/06/16(木) 23:24:38 ID:yH9n3bG+
FRAMは、かなり前から注目されている技術だけれど世の中になかなか広まりませんね。
有機ELと同様に日の目を見ない商品かも。
8名前をあたえないでください :2005/06/16(木) 23:48:16 ID:bvE7m3tu
FULHAM
9名前をあたえないでください
サムスンが真っ先にパクるだろうな。