【技術】産総研、銅の100倍まで電流を流せるカーボンナノチューブ銅複合材料を開発したと発表
59 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 09:47:08.98 ID:WhWWWB/2
>>55 20nmで面積あたりのコストが行き詰まっちゃうらしいし
そういうのに活かせるなら技術としては凄い重要だな
60 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 10:17:58.69 ID:d7HjpALd
>>55 問題は、ICの微細な配線にこの材料をどうピッタリ埋め込むかだけどな
アルミなら蒸着すりゃいいんだけどね
61 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 10:20:27.43 ID:c+TMfkp7
UFOが実現するぞ。
62 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 10:53:42.07 ID:U2Iay3wM
モーターに使えるほど曲げられるか?
ICに埋め込んだり 多積層プリント基板に使えるほど
薄く固着させ、ひび割れせず、エッチングできるのか?
そこら辺を解決できれば、素晴らしいね
再エネも 原子力も「エネルギーは電気の時代」なんだが
銅資源の残量が、中国・インドのバカ食いで、そろそろヤバイ
アルミは銅より伝導度に劣るけど、軽くできるから
送電線とか、トロリー架線とか、大型家電のプリント基板は
アルミで代替できそうだが
クルマや船のモーターも、携帯やデジカメやPC/タブレットのプリント基板は
アルミでは電線が太くなったり、厚い基盤になって困るんだよな
モーターは、高温超電導が有望だけど
まだ、ビスマス系の高温超電導は 曲げにくいからなあ
※ビスマスは 鉛冷却原子炉から、じゃぶじゃぶ出てきそう
63 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 10:56:30.70 ID:U2Iay3wM
64 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 11:08:38.65 ID:olYTGtXN
金の代用になる?
65 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 13:00:28.11 ID:4Kwll4P5
俺の股間のカーボンチューブは電気刺激に弱いが
66 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 13:01:15.78 ID:aHjUl3hu
67 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 15:25:27.20 ID:pRwASmUc
送電線には使えないかね
68 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 15:35:37.22 ID:6mdwlgq8
送電線は冷凍機使った比較的高温の超電導が有力
69 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 17:15:32.07 ID:0D0Rp+0e
70 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 17:17:33.01 ID:Jez/VmbM
71 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 17:35:20.50 ID:wcHr1+F4
損失1万倍だぞ
72 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 18:04:37.61 ID:HDt/IBM6
AV機器オタクがアップをはじめました
73 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 18:04:39.73 ID:bP4yQ3s9
74 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 18:13:05.87 ID:4c2/wMsA
>>46 >>27の意味が分からないんだけど
何で抵抗が1/100って話が出てくるの?
配線の破断のしにくさが抵抗だけで決まると思ってるの?
75 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 19:27:27.48 ID:DwIfm5Kd
技術の集積で地味に性能良くなってくんだろうな>デバイス
76 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 22:04:59.25 ID:U2Iay3wM
>>55>>35 IGBTとかは最近2万Vの奴ができ初めているんだけど
もっと高圧大電流にもできるのかな?
直流超高圧送電の社会的需要が増加しているし
電車・船・再エネのインバーターも高圧大電流が必要
直流高圧送電は現在は70万Vだけど、
確か分圧して大量の半導体素子を使っているんじゃなかったっけ?
これで素子数を減らせるのかな
77 :
名無しのひみつ:2013/07/24(水) 23:29:36.73 ID:XnUl+/pV
78 :
名無しのひみつ:2013/07/25(木) 01:14:11.37 ID:Vqgi+606
79 :
名無しのひみつ:2013/07/25(木) 09:58:42.52 ID:KJac3MnV
>>78 SiCのパワーFET
信じられん値段なんだが
80 :
名無しのひみつ:2013/07/26(金) 02:08:13.82 ID:FwI+Zk2W
電線細くすると数W程度の電流でも熱の影響が大きくて
電流を沢山流せなるけど、これなら大丈夫って事?
熱にも強いなら従来と同サイズ、重量のモーターに
より多く電気流して高出力化や同出力なら小型・軽量化ができるな
81 :
名無しのひみつ:2013/07/26(金) 07:47:04.12 ID:vUm80NWZ
82 :
名無しのひみつ:2013/07/26(金) 12:57:20.31 ID:GDWIEbAx
つまりこれでCPUを作るとクロックアップ耐性爆上げってこと?
83 :
名無しのひみつ:2013/07/26(金) 13:10:18.64 ID:hKmB4NMK
オーディオメーカーとオーディオ評論家が目をつけそう。
メーカー担当者「ケーブルにカーボンナノチューブ銅複合材料を使いました」
評論家「う〜ん。音のレベルが2つくらい上がったね」
というような記事が落ち目のオーディオ雑誌に載るに100円!
84 :
名無しのひみつ:2013/07/26(金) 13:24:29.94 ID:r1RdanLx
<丶`∀´>共同開発してやるニダ
85 :
名無しのひみつ:2013/07/26(金) 17:53:49.59 ID:QUt8fYf8
マルチウザ
86 :
名無しのひみつ:2013/07/27(土) 06:40:24.58 ID:rqARbYuc
大電流MOSFETのボンディングワイヤーに使うとか?
87 :
名無しのひみつ:2013/07/27(土) 12:21:25.92 ID:y8Zbuqf7
軌道エレベーターはまだですか?
88 :
名無しのひみつ:2013/07/27(土) 13:09:24.77 ID:xa7ZRnC2
89 :
名無しのひみつ:2013/07/27(土) 13:10:30.81 ID:xa7ZRnC2
90 :
名無しのひみつ:2013/07/27(土) 19:31:51.97 ID:TDrxDFZ7
91 :
名無しのひみつ:2013/07/27(土) 23:38:36.31 ID:VhQn7WTa
問題は接合部じゃね?
カーボンチューブが接合部なしで作れるなら話が違うだろうけど
銅の100倍もあれば接合部で流せる電流が著しく問題になるのは目に見えている。
92 :
名無しのひみつ:2013/07/28(日) 05:57:48.94 ID:QUb4Efna
>>45 電圧を100倍すれば、電流100倍
高校物理のレベルでは間違ってないと思うんだが、何が違うんだ?
93 :
名無しのひみつ:2013/07/28(日) 08:07:55.16 ID:C9bdpyIj
電流100倍、電力1万倍まで耐えるけど、抵抗値同程度なので、発熱がすごいわけで、
絶縁用ビニールとか被せたら、みんな熱で溶けちゃうね。
絶縁用もカーボンナノチューブで開発?
94 :
名無しのひみつ:2013/07/28(日) 08:17:41.75 ID:7nZraohw
>>93 CPUやメモリチップなどの中の極細配線に使うためのなので、絶縁はセラミックパッケージとか酸化ケイ素とかだよ
95 :
名無しのひみつ:2013/07/28(日) 08:48:40.71 ID:+arXDC6e
導電率が変わらないが容量が増えるっていうのは腑に落ちない感じがするが、
導電率が変わらないてことは抵抗率は変わらないってわけで、
結局熱による変化が少ないという話なだけで、
送電線が云々という話ではない。
そもそも、送電線アルミだしな
96 :
名無しのひみつ:2013/07/28(日) 09:24:29.70 ID:lj4/uHp5
銅と同程度の電導度って、どういうこと?
97 :
名無しのひみつ:2013/07/28(日) 09:33:08.28 ID:ws30C2qu
銅と同じ程度に発熱すると言うこと。
同じ電圧ならば同じ電流しか流れないということ。
98 :
名無しのひみつ:2013/08/04(日) 09:02:24.16 ID:F4QIsjd/
スーパーグロース法のカーボンナノチューブは性能がいいと産総研は自賛しているが
実際はバス型超音波を当てるだけで壊れるほど脆く、過酸化水素水で容易に酸化される。
欠陥が多く電気伝導性も悪いため、1本や薄膜のFETは性能が凄く悪い。
伝導性が高いと謳っているのはバルクの場合であって、その由来も不純物として含まれている
細かいグラファイトが固体中で配線されているから。
もはやカーボンナノチューブなのかどうなのかもわからない素材である。
こんな研究に数十億の税金が使われているのである。
99 :
名無しのひみつ:2013/08/04(日) 09:36:49.45 ID:8pGsYl7A
まだ先端の開拓だからしょうがないだろ。
それより、ほぼ常識な話を科学的にちょっと裏打ちしました
みたいな研究しかしないくせに国からもらう予算の大半持ってく
どこぞの大学のほうが問題だろ。
しかも権威を傘にきて捏造ばかりだという。
100 :
名無しのひみつ:2013/08/04(日) 10:06:45.69 ID:s8nRoeK1
>>99 発見から20年以上経っているのに先端の開発は無いでしょ?
カーボンナノチューブに関しては
>>98が書いているようにパイオニアが
権威を傘に予算だけがっぽり取って来て発展性の無い研究ばかりしているんだから。
101 :
名無しのひみつ:2013/08/04(日) 17:28:50.67 ID:8ffzgaQJ
◎構造(CNTかカップスタックとか)
@太さ(単層か多層か) A長さ Bカイラリティ CG/D比 D純度
E単体か複合体か F製品形態(繊維かシートかバルクか) G量産可能か(コストとか)
H求める物性(電磁気特性か力学特性か熱物性か) I製品の安全性
のどれか1つでも良い点が出ればすごい、という発表ばかりで、そちらに大きな予算が流れる。
一般企業の開発部門が、GとかIの問題で苦労してるのを国とかがわかってない。
102 :
名無しのひみつ:2013/08/05(月) 11:28:29.22 ID:FCyOD2eE
Hも問題の1つでしょ。
どの研究室も再現性がある物性を出していない。
スペシャルデータだけを強調している。
残念な事にその傾向は日本に特に多い。
103 :
名無しのひみつ:2013/08/12(月) 14:52:31.02 ID:E45dqVIN
104 :
名無しのひみつ:2013/08/13(火) 09:32:41.86 ID:B/8lQIIq
100GhzのGPUまだですか
105 :
名無しのひみつ:2013/08/13(火) 12:15:24.07 ID:UtmwzLnq
>>45は勘違い工学科なのw
中学生以下なんだけど
106 :
名無しのひみつ:2013/08/13(火) 12:34:01.36 ID:04sivWXL
NECにいた研究者どうしてんのかな
107 :
名無しのひみつ:2013/08/13(火) 12:39:25.28 ID:4ZLo2Wti
ルネサスの半導体研究者は50人ほどがGFにいって
200人以上がサムチョンとLGに行ったと少し前にeetimesが記事にしていたね
優秀な人材は引く手あまたてことなんだろう
108 :
名無しのひみつ:
サムチョンやLGで何してるかが問題だけどね。
サムチョンとかは韓国人同士でも熾烈な競争が有る会社だから、日本から行った人間が幸せな仕事に付けてるかは疑問。
日本のベンダーイジメ担当なんじゃないの?