【半導体】高誘電率ゲート絶縁膜を採用したＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴを開発/阪大など

　【京都】大阪大学と京都大学、ローム、東京エレクトロンの研究グループは、高誘電率ゲート絶縁膜を採用した
炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を開発した。ゲート絶縁膜を従来の
シリコン酸化膜からアルミニウム酸窒化物に換え、漏れ電流を９割低減し、絶縁耐圧を１・５倍に高めた。
電力変換時の損失を抑えるパワー半導体で性能向上につながる技術として実用化を目指す。

　ＳｉＣ製ＭＯＳＦＥＴは誘電率が低いシリコン酸化膜を採用するため、結晶欠陥など信頼性に課題があった。
阪大が研究を進めてきたアルミニウム酸窒化物は電気特性、耐熱性に優れ、これを適用できれば性能や
信頼性が高まるとされてきた。

　今回、東京エレクトロンの化学気相成長（ＣＶＤ）装置を使い、均一な成膜技術を完成。高効率化で
次世代ＭＯＳＦＥＴとして期待されるトレンチ構造にも対応。京大とロームがトレンチ型ＭＯＳＦＥＴを試作し、
その性能を実証した。　高耐圧化、薄型化などＳｉＣ製ＭＯＳＦＥＴの特性を引き出すことができる。同技術を
使ったデバイスは、２０１４年度にも量産できる見通し。

▽記事引用元 朝日新聞(2012年12月12日5時1分)
http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201212120019.html


▽大阪大学プレスリリース
http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201212120019.html

なるほどわからんが
おめでとう！関係者の努力に敬意を払おう。

阪大、東北大は次々と成果を出すが東大からは全くでてこない
成果が全くないなら補助金打ち切れ

>>1
なにしてんの。阪大のプレスリリースはこれだろ
http://www.osaka-u.ac.jp/ja/news/ResearchRelease/2012/12/20121211_1

>>3
にはそのどの大学も関係無いけどなw
むしろ>>3の保護費打ち切れ

これは凄い
1年後には量産か
楽しみだ

一般にバイポーラTrに比べてゲインは低い
けどノイズが出にくく 歪みも少なく 温度
特性も良く設計がし易いという理由で必要
もないのに 初段やらバッファにFETを選ぶ

そんな俺だけど愛してくれる？

インバータ革命か？

>>7
うちは自作パワーアンプの最終段のバイポーラTrを
ＭＯＳ-ＦＥＴに交換して使ってるで

バイポーラTrの時と比べると透明感があり引き締った音になった。

このＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴをAMPに使ったらどんな音になるのだろう
そのへん気にならないかな

>>9
これですか？
http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-06315/

>>9
無線と実験の一月号にSiC MOSFETアンプの記事があるよ。
http://www.seibundo-shinkosha.net/products/detail.php?product_id=3639

へー製品化されてるんだ
いい値段しますね

今使ってるのは
2SK405/2SJ115
初段はオペアンプでJRCの2114

>>11
それ買おうかな
自分が作ったやつのもと回路はこれ
http://www.geocities.jp/cheepchicaudio/op3/index.html#%89%F1%98H

Top Ten Suppliers of Power Semiconductor Discretes and Modules Worldwide in 2011:
http://imsresearch.com/news-events/press-template.php?pr_id=2906

1. Infineon
2. Mitsubishi Electric
3. Toshiba
4. STMicroelectronics
5. International Rectifier
6. Fuji Electric
7. Fairchild
8. Vishay
9. Renesas
10. Semikron

＞誘電率が低いシリコン酸化膜を採用するため、結晶欠陥など信頼性に課題があった。

どういうことや？

>>14
蛇口が緩みやすいという欠陥が起こりやすかったということだよ。

>>12
SiC MOS-FETは今のところ、N-chだけ。コンプリは無い。
準コンプリメンタリ(セミコンプリメンタリ)にするか、
MJ 2012/10〜2013/1のように同極性プッシュプル回路にすることになる。

銘柄にこだわらなければ、CREEの製品がdigikey他にある。
電源の整流に使えるSiCのショットキバリアダイオードもある。

具体的な数字が見つからない。

＞漏れ電流を９割低減し、絶縁耐圧を１・５倍
けちをつけることもないけど、もともとMOSだし。
ドレイン−ソース耐圧はどのくらいなんだろう。

＞トレンチ構造
Gmは大きそう。電流も取れそう。ゲート容量もでかそう。

これ一つで、どれだけの数のＬＥＤをピカピカできるんだ？
ＬＥＤイルミネーションに使ってみたいな。

なるほど、よく頑張ったね

＞同技術を使ったデバイスは、２０１４年度にも量産できる見通し。

はえーなおい

漏れ電流を9割削減とかすごそうだけど
なにがすごいのか判らないから
何がどうなるのか3行で頼む。

・性能が上がる
・歩留まりが上がる
・寿命が延びる

パワー半導体、電力損失50分の1 人工ダイヤで開発
http://www.nikkei.com/article/DGXNASGG28018_Z20C12A8MM0000/
http://blog.goo.ne.jp/fukuchan2010/e/f2f9ae2ed7241f2547f3f5d86ad09b42

【半導体】炭化ケイ素を用いた世界最高、耐圧２万ボルトのトランジスタを開発　京大
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1351002240/

>>15
誘電率が低いと蛇口が緩みやすい理由は何や？

>>16
作るとしたら同極性プッシュプル回路かな
無線と実験、見てみます。