【半導体】スピン軌道相互作用利用の超省エネ電子デバイスの実現へ新技術/北陸先端大
1 ：一般人φ ★：
【金沢】北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンターの山田省二教授、赤堀誠志助教ら
の研究グループは５日、スピン軌道相互作用を利用する超省エネルギー電子デバイスの実現につながる技術を
開発したと発表した。スピンのそろった電子の注入効率を３倍に高める技術と、スピン軌道相互作用を持つ積層構造。
従来は技術的課題が多く、近い将来の実現は難しいとされていた。
注入効率は、２種類のスピン軌道相互作用の大きさをほぼ等しくするようスピン軌道相互作用を精密に調整して
実現した。同技術を用いることにより、スピンを活用したトランジスタの実現につながる可能性がある。 またスピンを
活用したデバイス製造に応用できる半導体も作製した。インジウム、ガリウム、ヒ素をベースにした半導体と
インジウム、アルミニウム、ヒ素をベースにした半導体を積層して一体化した。
いずれの技術も科学技術振興機構（ＪＳＴ）の先進的低炭素技術研究開発プログラムの一環として研究した。
▽記事引用元 朝日新聞(2012年12月6日5時1分)
http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201212060019.html
▽北陸先端科学技術大学院大学プレスリリース
http://www.jaist.ac.jp/news/press/2012/2-4.html
の研究グループは５日、スピン軌道相互作用を利用する超省エネルギー電子デバイスの実現につながる技術を
開発したと発表した。スピンのそろった電子の注入効率を３倍に高める技術と、スピン軌道相互作用を持つ積層構造。
従来は技術的課題が多く、近い将来の実現は難しいとされていた。
注入効率は、２種類のスピン軌道相互作用の大きさをほぼ等しくするようスピン軌道相互作用を精密に調整して
実現した。同技術を用いることにより、スピンを活用したトランジスタの実現につながる可能性がある。 またスピンを
活用したデバイス製造に応用できる半導体も作製した。インジウム、ガリウム、ヒ素をベースにした半導体と
インジウム、アルミニウム、ヒ素をベースにした半導体を積層して一体化した。
いずれの技術も科学技術振興機構（ＪＳＴ）の先進的低炭素技術研究開発プログラムの一環として研究した。
▽記事引用元 朝日新聞(2012年12月6日5時1分)
http://www.asahi.com/digital/nikkanko/NKK201212060019.html
▽北陸先端科学技術大学院大学プレスリリース
http://www.jaist.ac.jp/news/press/2012/2-4.html
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2 ：名無しのひみつ：2012/12/06(木) 23:36:24.42 ID:cWco9EXm
電子スピンは不変じゃなかとよ！他粒子との相互力学で変わるとよ！
3 ：名無しのひみつ：2012/12/06(木) 23:51:03.34 ID:24bCFWyH
よくわからんがGJといっておく。
研究は大学名より成果だ
研究は大学名より成果だ
4 ： 【関電 74.0 %】 忍法帖【Lv=40,xxxPT】(1+0：8) ：2012/12/06(木) 23:51:10.44 ID:HNfas8Km
磁石を近づけてみたくなった
知恵の木にぶら下がっている蛇はグルグルしてるし
生命の木を守っているケルビムの炎の劔もグルグルし
てるからこの世界はとりあえず息詰まったら
ピザみたいに回しときゃとりあえず上手く行く
生命の木を守っているケルビムの炎の劔もグルグルし
てるからこの世界はとりあえず息詰まったら
ピザみたいに回しときゃとりあえず上手く行く
7 ：名無しのひみつ：2012/12/07(金) 01:03:32.17 ID:mwwIN9ir
従来より３倍早いトランジスタか、３倍のビット数をもったデバイス、
が出来るな。
が出来るな。
8 ：名無しのひみつ：2012/12/07(金) 03:24:05.43 ID:nj+aCNVU
Stuart Parkinが興味を持ったようです
,.,.,.,.,.,.,.,.,__
,,;f::::::::::::::::::::::ヽ
i::::::::/'"￣￣ヾi
|:::::::| ,,,,,_ ,,,,,,|
|r-==（ ｡);（ ｡)
( ヽ :::__)..:: }
,＿＿__／ヽ ー== ; ほほう それでそれで？
r'"ヽ t､ ＼＿＿_ !
/ ､､i ヽ＿＿,,/
/ ヽﾉ j , j |ヽ
|⌒`'､__ / / /r |
{ ￣''ｰ-､,,_,ﾍ＾ |
ゝ-,,,＿＿＿＿_）--､j
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9 ：名無しのひみつ：2012/12/07(金) 03:43:53.84 ID:sedqVnIA
>インジウム、ガリウム、ヒ素をベースにした半導体と
>インジウム、アルミニウム、ヒ素をベースにした半導体を積層して一体化した。
そんなレアメタルをじゃんじゃん使った複合素材じゃ
価格上昇が期待できそう。
>インジウム、アルミニウム、ヒ素をベースにした半導体を積層して一体化した。
そんなレアメタルをじゃんじゃん使った複合素材じゃ
価格上昇が期待できそう。
10 ：名無しのひみつ：2012/12/07(金) 05:01:14.37 ID:oN/96YFF
…超電子スピン？
11 ：名無しのひみつ：2012/12/07(金) 05:31:54.46 ID:bG9sWiWh
また、スピントロニクス詐欺か
電流が流れなきゃジュール熱は出ないけど、ヒシテリシス損は出るっての
そもそも、磁場が変動するんだから、電流も流れるしな
電流が流れなきゃジュール熱は出ないけど、ヒシテリシス損は出るっての
そもそも、磁場が変動するんだから、電流も流れるしな
この程度の成果でスレ立てんなよ
ジュール熱よりもましになるという見込みがあるから
研究しているのではないのか。
実動作で実証できた例はまだ少ないのかもしれないが
http://news.mynavi.jp/photo/news/2012/12/10/051/images/002l.jpg
研究しているのではないのか。
実動作で実証できた例はまだ少ないのかもしれないが
http://news.mynavi.jp/photo/news/2012/12/10/051/images/002l.jpg
東芝、キャッシュ向けの低電力STT-MRAMを開発
リーク電流が常にゼロになるノーマリオフ回路構造を実現
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20121210_577992.html
>30nm以下に素子の微細化を行なった新方式を採用
>特に省電力面では、動作時の電力消費量を従来の10分の1程度に低減。
>さらにリーク電流のパスがない回路を新たに設計し、動作時/待機時ともにリーク電流がゼロになる「ノーマリオフ回路構造」を実現した。
なんかすごい勢いで進化してる気がするぞ
リーク電流が常にゼロになるノーマリオフ回路構造を実現
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20121210_577992.html
>30nm以下に素子の微細化を行なった新方式を採用
>特に省電力面では、動作時の電力消費量を従来の10分の1程度に低減。
>さらにリーク電流のパスがない回路を新たに設計し、動作時/待機時ともにリーク電流がゼロになる「ノーマリオフ回路構造」を実現した。
なんかすごい勢いで進化してる気がするぞ
スピン相互作用を使ったデバイスがいつの間にかすぐそこまで来てた
>>13-14
STTだって電流は流すから、ジュール熱も発生するぞ
>>さらにリーク電流のパスがない回路を新たに設計し、動作時/待機時ともにリーク電流がゼロになる「ノーマリオフ回路構造」を実現した。
>なんかすごい勢いで進化してる気がするぞ
進化というか、コアメモリの復権
>>15
誇大宣伝さえしなきゃあ、悪い技術じゃあないんだけどな
STTだって電流は流すから、ジュール熱も発生するぞ
>>さらにリーク電流のパスがない回路を新たに設計し、動作時/待機時ともにリーク電流がゼロになる「ノーマリオフ回路構造」を実現した。
>なんかすごい勢いで進化してる気がするぞ
進化というか、コアメモリの復権
>>15
誇大宣伝さえしなきゃあ、悪い技術じゃあないんだけどな
17 ：名無しのひみつ：2012/12/12(水) 18:20:41.08 ID:qtMlDjl9
パウリの排他律には抵触しないのか？
科学が人類の手に余るほど強力になってきてないか？