【技術】エルピーダが抵抗変化型64MビットReRAMを開発　不揮発性でNANDフラッシュより高速　2013年に8Gビット品を製品化

エルピーダが64MビットReRAMを開発、2013年に8Gビット品を製品化

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/1.jpg
開発したReRAM。4分割された領域のそれぞれが、64Mビットのメモリ・アレイ。
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/P1320682.JPG
エルピーダメモリは1月24日、今回の技術に関する報道機関向け説明会を開催した。
写真は、同技術について説明する、新メモリ開発担当の安達隆郎氏

　エルピーダメモリは、次世代不揮発性メモリの一種であるReRAM（抵抗変化型
メモリ）を開発した（リリース）。64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、
全ビット動作を確認したという。ReRAMの商用化に向けた取り組みを既に始めており、
第1弾製品として「30nm世代の8Gビット品を2013年に市場投入したい。2014年には
本格的な量産に移れるだろう」（同社 取締役 執行役員の安達隆郎氏）とする。

　同社はReRAMを、スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコンなどの「携帯機器
に向ける」（安達氏）という。当面は、こうした機器において、DRAMとNANDフラッシュ・
メモリの間の性能差を埋めるキャッシュ・メモリとしての用途を見込んでいるという。ゆく
ゆくは「DRAMを侵食するメモリになることを期待している。携帯機器では、（消費電力
の大きい）DRAMを少しでも減らして不揮発化したいという声が強いからだ」（同氏）。
ただし現時点では、SSDの高速化を求める、映像系の据え置き型機器の顧客からの
引き合いが強いとする。

　今回開発したのは、Hf系酸化物ベースの抵抗変化素子を用いた、1T-1R型のRe
RAM。データ読み出し時間は20ns以下、書き換え回数は100万回以上であることを
確認したという。今後、Gビット級への大容量化に向けて、動作メカニズムの完全な
解明や、記憶素子の動作バラつきへの対策を進めていく。さらに、今回の試作品では
6F2セルを用いたが、量産品には4F2セルを導入し、セル面積を縮小するという。
DRAMの製造ラインでの量産が可能といい、量産段階でのビット・コストは「DRAMの
70％（DRAM比で30％低減）を狙う」（安達氏）とした。同社は次世代不揮発性メモリ
の候補をReRAMに絞っており、MRAM（磁気メモリ）やPRAM（相変化メモリ）の製品
開発は行っていないという。

　今回の成果は、2010年に始動したNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）
の委託事業におけるもの。シャープ、産業技術総合研究所、東京大学との共同開発
の成果である（Tech-On!関連記事）。

大下 淳一／日経エレクトロニクス　2012/01/25 10:31
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/

エルピーダメモリ株式会社プレスリリース　2012年1月24日
新メモリ（高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM）の開発に成功
http://www.elpida.com/ja/news/2012/01-24r.html

関連記事
エルピーダ，シャープなどがReRAMを共同開発，DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋める
大石 基之＝日経エレクトロニクス 2010/10/13 10:05
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20101013/186394/

関連ニュース
【物理】サブナノ秒の電圧パルスで磁極の歳差運動を利用した磁石の高速ＮＳ反転に成功　省電力メモリー開発に期待―阪大チーム
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1327250004/
【技術】再び活発になってきた大容量相変化メモリの開発競争―IEDM 2011レポート
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1323402624/
【技術】IBMの最終兵器　磁気ナノワイヤの磁区を電子スピン注入で動かす「レーストラック・メモリ」が登場―IEDM 2011レポート
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1324231773/
【年末/IT】半導体メモリ、この1年　迫る微細化限界を前に新メモリの開発が加速　3次元化　Si貫通ビア　STT-MRAM
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1325307088/

これは熱い！
がんばれエルピーダ！

8GB3000円のこんな世の中じゃ・・・・

進化に追いついていけるかはこれからなんだね

広島工場売っちゃうん？

で、1TBいつ実現できるんだよｗｗｗｗｗｗｗｗｗ

やるやる詐欺じゃ意味ねーぞ

DRAMの70%なら高すぎだな。

在日同胞の安隆郎よ、祖国に帰って来るニダ

フラッシュは1チップ１２８Gbitになろうとしているぞ
大丈夫か？

資金繰りはどーなったん？

生き残るとは思うのだけど増資リスクが高そうで手が出せない
どこと組むのか、資金繰りの仕方が確定してからが無難だろうな

何度でも書き換えられるからNANDフラッシュメモリーな，
notandってのは俗説，これ豆な。

高速DRAMならまだ需要あるけど
NANDの代用なんてよっぽど大容量でもないかぎり無価値

まず売れるものとして、高速SSDが提案されているだけで、
最終的にはDRAM置き換えの不揮発性RAMだろ。
スイッチを切ってもメモリ上のデータが残っているっていうやつ。

>>13
純NANDでも結構消費電力があったような、DRAM置き換えも狙えるってメモリ速度かつ省電力なら
特に携帯・タブレット系の「性能は欲しいけど電力が」なジレンマの解消にうってつけなんじゃね？

50nm世代で64Mb品をようやく作れたのに、30nm世代で8Gb品を量産化とか
大きく出たなｗ
容量１００倍！景気がいいね

資金繰りが苦しいから前宣伝で同意を・・・・

DRAMを置き換えられるほど、書き換え可能回数がない
よって、フラッシュの置き換えとして考えなくてはならない

ソース見たけど全ビット動作とはどこにも書いてないな
現在のReRAM製造技術考えると動いてるのは64Mbit中1bitとかだなこりゃｗ
○芝がやったのと同じ手口

実用化するためにサムソンと共同出資が必要だな
サムソン５１％
エル４９％の比率で作るのが理想

>>20
カスは氏ね

>>21
実力からすれば当然の比率だし
この分野はサムソンがいないと実現できないのは歴史的事実

>>22
現在の実力差を逆転させようという気持ちが　挑戦

まあSDDの容量，アクセスタイム，寿命が延びるってとこ？

>>22
シャープが絡んでるのに、サムソンをかませるなんてありえんと思うが。
天敵じゃねえか。

>>24
そうだね。容量より前に　書き込み速度

記憶デバイスの高速化は歓迎するけど接続バスが限られるな
SSDですら一杯一杯なのにｗ

>>22
歴史が短すぎだろ
そのへんのオッサンより短いじゃん

>>26
2時間のHD動画を5秒でコピーできるなんて胸熱だな
8Gbit じゃ足りないけど。

>>25
シャープ？
実績がないだろ

このSSDを早く売ってくれ！！

>>31
世界のサムソンに期待したいよな

キムチ臭いスレはここですか？

>22
この業界でサムスンはシャープや東芝の技術パクってるだけなのは周知の事実なの知らんのか？

別にサムスン様は
痛くも痒くもないんだろう？

>>34
それはこの業界にかぎらんだろｗ

サムスンは全方位でやってＰＲＡＭは既に商品化してるからな。
決め打ちしてるエルピは業界標準が他のになると厳しいけど。
三星は何が標準になっても大丈夫。

ｴﾙﾋﾟｰﾀﾞがｻﾑﾁｮﾝに抵抗している　に見えた

>>3
ポイズン。

>>37
特許が絡むから、自力開発しないと無理
フラッシュメモリーみたいに東芝から盗み放題なわけにはいかない

このスレにも頭のいい人沢山いるんだな。

なんのこっちゃさっぱりわからん。

なんかPRAMはもう終了だな。
元々相変化物質なんて不安定な物を使うのは無理があったんだ。
DRAM・Flash後継がReRAMでSRAM後継がMRAM、ICカードメモリがFeRAMでしばらくは進んで行きそう。

FRAMはどうした。

>>43
ICカード用メモリとして製品化されてるよ。
唯一次世代不揮発性メモリで市場形成に成功した物なんじゃないか？

なんでチョンがいっぱい湧いてるん？

>>45
察しろｗ

>>43
FeRAM
PRAM
MRAM

どれも相転移を使った素子

強誘電体や強磁性体が
キューリー点で相転移するのはよく知られた話なので
電流を多く流してキューリー点まで温度を上げて
相転移させようなんてことは、みんな考える

BD-RWは結晶の相転移だし
MOは磁性体の相転移
FeRAMは強誘電体の相転移

一方のReRAMって化学変化なんだよね、なのでノーマークだったんだな
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120112/pr20120112.html

>>47
MRAMの磁化反転を相転移と言うのか？

>>12
NOR型はなんの略なんだい？

がんばれえええええええええええええええ
えるぴいいだああああああ

FeRAMでもPCMでもMRAMでもレーストラックメモリでもReRAMでも
なんでもいいから、不揮発で高速な記憶媒体をはやく発売してくれ
いつまで出る出る詐欺するんだよ

スマホのメインメモリに使えるようになればバカ売れじゃないのか？

SDカードが今のSSDよりも速くなるのか
発熱はどうなんだ

フラッシュやDRAMの代替になるとしたら何年も後だろ
>>1にもキャッシュメモリとしての用途を見込むって書いてあるじゃん

不揮発なメインメモリが出来てもメモリリークはなくならないし
万能と考えるのは早計

>>19
＞64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、全ビット動作を確認したという。

と書いてあるのだが？

エルピーダ単独じゃどうせ普及させるのは無理
サムスンと提携した方がいい

いろいろやって結局は寿命を縮めるだけ。
素人はこのニュースで投資しようと考えるんだろうなぁ

>>55
すまん、素人なんで間違ってるかもしれんけど
メモリリークってDRAMが電荷を保持し続けられないから起こるんじゃないの？
ReRAMって電荷で情報を保存しているわけじゃないからメモリリークは起こらないのでは？

なるほどインサイダーで捕まった経産省官僚はこれを知ってたのね？

>>1
> 写真は、同技術について説明する、新メモリ開発担当の安達隆郎氏
危機管理意識の薄そうな、緊張感のなさそうな、
サムチョンに“イイトコ”だけあっという間にかすめ取られそうなお人好し顔だな。
「えっと、まさかそんなところから盗まれるとは全く想定していませんで・・・（苦笑）」みたいな。

サムスン又賠償金ものだなｗ


ＥＵ、サムスン電子を独禁法違反の疑いで調査　スマホ特許でアップル提訴を問題視
http://www.nikkei.com/news/headline/article/g=96958A9C93819696E1E3E298E48DE1E3E2E3E0E2E3E08698E2E2E2E2

>>57
サムスンはエルピ並みの品質のものは作れないから提携できない

>>59
メモリリークはプログラム上の問題で、解放されないメモリ領域が増大していって重くなったり不具合が発生するバグ
定期的に再起動していれば問題はないが起動しっぱなしのサーバーなどでは問題が表面化する事が多い。

>>63
しかし東芝を超えた

>>64
おお、なるほど。
そういう意味だったのね。
定期的にメモリ内一斉掃除していればなんとかならないかな・・・？

>>66

きつい言い方だが自分でソフトウェアの勉強した方がいい。
ちょっと解説した程度でどうにかなるレベルの知識の欠如じゃない。

>>57
韓国の国家予算は約２０兆円、サムスングループの有利子負債は約２１兆円
残念ながらサムスンには30nmプロセスルールの製造ラインを作る技術も予算もない。

>>66
一斉掃除したら綺麗になるけど使ってるデータまで綺麗になるな

使ってるデータを待避する？


では

使用している領域とメモリーリークをどうやって見極めるのだろうか？
プロセスIDの情報を全てのメモリアドレスに紐付ける？

使用終了してる場合は良いけど常駐しているサービスの場合は？
それにそんな管理したらメモリ容量食い過ぎるし監視も増えて重くなる

>>67
いや、自分に全く必要の無い知識だから勉強する気はないけどさ。
つまり、定期的に電源を落としてリセットできるDRAMと違って
ReRAMはいつまでも確保されたままの領域がどんどん蓄積されていって
いずれいっぱいになるっていうことが問題なんじゃないの？
だったらDRAMみたいに全部リセットしてやればいいんじゃない？
もちろん残容量を計算してリセットするスパン長く出来るようにしてさ。

>>70
必要無いと言いつつ
そんな会話する時点で必要な知識になってるだろと

>>71
いや、パソコン自作で持ってた知識と>>64の内容を纏めただけだよ。
少なくとも専門書買って勉強する必要性は私生活上皆無だね。
この会話も必要でもなんでもないし・・・

>>72
興味ないとか必要無いと言いながら相手から
聞き出そうとするのはかなり失礼じゃないか？

回線切って首吊っとけと言って欲しかったのか?

程度に合わせて説明するとメモリリークはソフトウェアの話なので物理メモリが
DRAMだろうかReRAMだろうが未知のhogeRAMでもソフトのバグで関係なく起こる。

DRAM置換えの不揮発メモリーなんて、どこで、どのように使われるかあまり想像できない。PCなら、少しわかるけど、スマホには搭載する意義が少ないだろうし

>>75

DRAMは電気を喰う。バッテリーの節約は重要。

ReRAMって既にサムスンが開発してなかったっけ？

>携帯機器では、（消費電力の大きい）DRAMを少しでも減らして不揮発化したいという声が強いからだ
SRAM使えよ

あ間違えた
不揮発ほどだと確かにあんまり使わないかもな

これって、メモリスタ？

なんでもいいから業績持ち直してね…

>>75
DRAMはコンデンサーの回路への作り込みが既に限界らしい
回路自体は30nmぐらいにまでシュリンク可能なんだけど
コンデンサーの電荷を貯める部分の体積が足りなくて
深さ方向に伸ばすしか無いらしく非常に厳しいのだとか
地下10階まである感じ

>>74
その程度のことは66の時点で理解していたのだが・・・
何で死ねと言われるのかがわかんね。

>>83

理解していたらそんな発言しない。
やっぱり吊っとけ。

>>56
ソース見たけどっつってんだろ阿呆が
日経の二次情報鵜呑みにしてどうすんだよ

>>84
はぁ、いくら話しても平行線だな。
だったらもうその話はいいよ。
とりあえず何で「死ね」と暴言を吐くぐらいブチ切れたのか、それだけ教えてくれ。

garbage collection のことを言ってるのかな？

>>86
発言の内容がかなり失礼だからだろ

インサイダーメモリに社名変更しろやクソ会社が

>>88
そんなことないだろ

>>86
質問の意図を理解しないままいまいち見当はずれな知識をひけらかした挙句
それにダメだしされて切れちゃう変な人に運悪く絡まれちゃっただけ
事故だと思ってあきらめなさい

今のところ100万回程度しか書き換えが出来ないんだなぁ。

>>89
このままだと台湾企業もろともアメリカのマイクロンに飲み込まれるよ。
エルピーダと言う社名は消えるかもしれん。

>>90
ALHeRuOhの主張をまとめると>>73
意図以前に理解してるといった人がこれはないだろ>>66

いつ海外生産にするのですか？

案外サーバー用に需要が有るんじゃないかこれ

>>95
予期しない停電とかに良さそうだね。
あと、ノートPCとか携帯ゲーム機のバッテリー切れによるデータ消失も防げるだろうね。
3DSはPSPみたいにスリープモードに入らずに完全に電源落とすからなぁ・・・
不揮発性だとそういう心配もしなくていいね。

>>83
もう一度語ってくれないか、メモリーリークとは何なのか

>>14
日本語で頼むよ

リーク電流語るなら分かるが、なぜ不揮発性メモリのスレでメモリーリークを語っている人達がいるのか分からない。

関係ない知識ひけらかして悦に入ってるだけ

ひけらかしているのは知識でもないから。

>>49
書き込みがのろま？

>>99
ハード側の監視で解決させないと
ソフト側では難しい問題だからだろう

>>103
また馬鹿が現れた。

>>104
反論ドウゾ

不揮発なメモリができたとしてもメモリリークのバグが存在する限り定期的な再起動が必要になる。
スリープではメモリリークを起こしている領域は解放されない。

OSのアップデートの頻度>>メモリリーク対策での再起動の頻度
もともと、気にする必要性がないと思う。

>>105

1. ここまで読んで理解できない馬鹿だから反論が理解できないだろ

2. Cでmallocぐらい使ってみろ。それが終わったらメモリアロケータ，次にVMの実装でも読め。

3. HDDは不揮発だがどう思う?

好きなの選べ。

>>106

お前も馬鹿だな。

なんだこのスレ
技術系以外の人間はこんなレベルなんだろか？

これってコスト面ではどうなん？

>>109
もちろん、現在ではコストに合わないだろうけど、理論的には良い材料が見つかれば低コストにできる。
現実にはコストが下がる前に今までに無かった市場を形成する方に注力することになると思う。

メモリリークってOSのバグじゃねーの？

>>111
アプリケーションのバグ。
処理系によってはプログラムが終了してもプログラムが利用していた領域を自動で開放しない。

一部の処理系とfree関数で解放するのを忘れたコードが織り成す魔術。

>>107
>>106の言うとおりに
OSのアップデートの頻度>>メモリリーク対策での再起動の頻度
ならOSをアップデートする度にReRAMの中身を全消去して
OSを読み直せばいいだけのような気がするが

アプリ、ライブラリ、OS、いずれにせよメモリリークはソフトウェアの領分で解決すべき問題であって、
ハードウェアの不揮発性メモリのスレで論じるのはズレてるよね。

>>113

また馬鹿登場かよ。

メモリリークがあるソフトを運用するクズさは置いといても
OS再起動で云々はReRAMの特性とは関係がない。

大体メモリリークの意味わかって説明できるんか?
malloc使ってメモリリークの実例が書けないように見えるぞ?

>>114

>>83 のように自称わかっている馬鹿にとってはReRAMとDRAMで違うらしい。

>>116
>>99にもあるようにリーク電流とメモリリークの混同が発端なんだろうけど、
間違いを認められずだらだらと引きずることの何と見苦しいことか。

>>114
ああ、つまり関係ないところでメモリリークの話題を出した>>55が一番の馬鹿ってことね

>>118
そういうこと
あと>>67もな

>>115
なんか互いの問題意識がズレてる気がする。
>>55で「メモリリークがあるからReRAMも万能じゃない」と言ったので、
（恥ずかしながらメモリリークをリーク電流のことかと勘違いしてしまったがそこはおいて置いて）

じゃあ「ReRAMでメモリリークが起きてても問題ないようにするにはどうすればいいか」、と自分は考えたわけだ。

んでその解決策として、ヒントとしたのがDRAM。
サーバー用として長期的に動かし続けでもしない限り、OS再起動とかでメモリ内部の情報が消えるDRAMではメモリリークが起こってても
OS再起動の度に解放されていなかった領域もリセットがかかるから問題ない（この辺は>>64に書いてある）。
ならReRAMもOS再起動の度にメモリ内部をリセットかければいいんじゃね？って解決策なんだが。
メモリリークによって引き起こされる問題ならこれで十分解決できる話だし、メモリリークが起こることを問題としているなら
それこそソフト側のほうで解決すべき問題で「ReRAMは万能じゃない」というのも全く筋違いの指摘に過ぎんよね。

DRAMとReRAMの再起動時の挙動の違いって事？
そもそも、ReRAMも万能じゃないって(DRAMより良いって前提がある)話からは逆の展開だが。

1~100まで　設計から製造機器まで　全部自社で完全ブラックボックスで無い限り

似たような製造機械を同じ会社に発注されて

国家支援の下　大規模製造Fabを作られて　数の勝負で負けてしまう。

自己弁護見苦しい

つかいまだに状態変化の原理すら分かってないのに数年後には製品化だって？
ありえんありえん

>>120

いい加減黙れゴミ屑。
誤魔化してもお前のは問題意識じゃなくて勘違い素人の妄想だ。

いいから黙って一度mallocでメモリリークが起こるサンプルを自分で
書いて動かしてからReRAMだったら何が違うことができるのか考えてみろ。

いやそういうのいらないから

やっぱNANDみたいにECC必須なのかな。
まあ売るときはコントローラ内蔵でe-MMCみたいな感じか？

てか一年後なら発売するまでだまっときゃいいのに
いつもの出る出る詐欺はだいたい5年後だろ？

>>12
現在主流のNAND型のフラッシュメモリーの書き換え寿命は、千数百回程度だぞ。

まあ、容量の半分程度しか使わなければ、見かけ上の寿命は半永久といっていいけどな。

>>13
大容量低価格のSRAMが発売されれば、そちらを買うけどな。
DRAMより高速だし。

半年前にサムスンが開発成功してるではないか。
本当に2014年に量産開始できるなら、サムスンを出し抜けるが。（サムスンは2016年予定）
有機ＥＬみたいに出し抜かれたら、悔しいな。

何処の国の何処の会社だろうと
「開発成功！」
のニュースは話半分に聞いた方が良い。

本当に成功してる場合、
何となく見通しついたから勢いで言ってる場合、
注目集めの詐欺的発表、
と色々ある。

結局、上市された製品を見るしかない

有機ＥＬの開発成功から市場で一般的になるのにどんだけ時間かかったか
歴史を学べ。開発成功したときは数年もかららないと断言していたわけで。

http://www.asahi.com/business/update/0204/TKY201202040124.html
米マイクロンＣＥＯ、墜落死　エルピーダ交渉に影響？

HDDからメモリにちょっとずつデータ汲んでMPUで処理する長い歴史が終わり
不揮発性メモリ→MPU直結になる日はいつの日か来るんだろうか

エラー訂正の性能増強でエラーを隠蔽して容量を増やす技術は
容量を増やす対価としてエラー訂正が薄いそれより寿命を遥かに
減らす。表に出てこなければいいという話もあるが、記録を電荷の蓄積
原理で保持している限り電荷は時間と共に減衰してしまう。
つまり読み書き時のエラーではなく、時間がエラー率上昇そのものになる。
全体を書き換えしリフレッシュすれば対策になるが、それではDRAMと
やっていることは類似している。
フラッシュメモリの技術的壁は電荷と配線の「絶縁抵抗」の性能であり、
これは加工技術や手法の壁ではなく物理現象の壁が数年先に到達
してしまうってこと。（最先端の製造ルールでの話）
半導体製造メーカーはこの理由の為に競ってフラッシュメモリに変わる
何かを生き残り手段として開発中でどれだけ基本特許を握ったかで
市場は偏る。「フラッシュメモリって何？、ああ古い技術ね」という
時代になるのは確実だ。

ＲｅＲＡＭの特性は良いのだが構造はＰＲＡＭの方が単純にできる、
８Ｇｂでは少なすぎる最初から６４Ｇｂを出すべきだ、６４Ｇｂあれば
売れ筋のメモリカードに使える。

PRAMは熱が動作原理だから微細化はReRAMのほうが狙えるといってるところが多い
ただISSCCでサムスンが8GbitのPRAM出してきてるからなあ
ReRAMが製品化はおろか試作チップレベルで8Gいくにはまだまだ時間がかかりそう

エルピーダは１２時間労働だけど実質６時間休憩の６時間労働。給料も良いしすげぇ良い会社だった。また働きたい

さすがにそりゃ嘘だろｗ
どんなタイムテーブルだったらそんな時間になるんだよｗ

>>137
フラッシュ代替は狙ってません

どんなに新しい技術を開発しても、いつも韓国・中国に
追いつかれ低価格競争に巻き込まれて市場を奪われ、採算悪化、撤退の繰り返し。
かつてＮＴＳＣ方式カラーテレビを開発したＲＣＡは、莫大な特許料収入のおかげで、
社員は遊んでいても食っていけると言われた。
日本もせめて中国、韓国に莫大な特許料をふっかけて
日本人みんながギリシャ人みたいに遊んで暮らせるようにしろや。

>>139
クリーンルーム内には、昼寝出来る死角が、たくさんあるからなw

メモリリークといったらハードの問題ではなく
ソフトでマロックしたものをフリーしないで再取得しまくって起こるイメージがｗ

FeRAMの方が高速と違うん？
高いんか？
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2009/0209/toshiba.htm

>>142
盗まれ過ぎなんだよ。

南無

【倒産】エルピーダ、会社更生法の適用申請へ [12/02/27]
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/bizplus/1330326915/

つぶれました

大ニュースだろこれ

日本どうなるかね
糞ミンス
糞マスゴミ
糞チョン始末できないまま死んでいくのかね

店行っても国産DRAM見なくなったもんな

遅せーよ

せっかくの新技術も良い様に買い叩かれちゃうんだな

２０１３年が来る前に会社そのものが倒れたでござる

開発した技術は東大やシャープのもんだから関係無いよ。(笑)
技術研究だけ続ければいいんだよ。(笑)

民主党「韓国に技術売るしかないねww」

サムスンに赤字という言葉はないからな。全て国が補填するわけで。

遅かったでござる

韓国に５兆円つぎ込んで
4800億円は見捨てる

エルピーダ破産と日経夕刊に出てますタ。

すべて韓国企業に喰われておしまい。

韓国にそんなに金が潤ってるのかね。

経営陣がアホだと、どんなに開発陣が成果だしても無意味ってことだな。
逆に韓国は、コピペだけの無能な開発陣だが、経営陣がしっかりしてるから成長

>>163
いや、エルピーダの坂本社長をアホ呼ばわりするのはどうかと思うぞ。
坂本さんが社長でなかったら10年以上前にエルピーダは潰れて日本からDRAM企業はその時点で消滅してた。
エルピーダが今まで存続して来れたのは坂本さんの手腕による部分がかなりある。
今回の破綻という結果だけに目を奪われてその功績を公平に評価しないのは間違いだ。
だからこそ、会社更生法（現在の経営陣は総退陣が原則）なのに坂本さんが社長を続ける方向で再建話が進められているんだよ。
むろん裁判所が選任した管財人がつくけれども。

とにかくこの異常な円高とかサブプライム破綻以降の世界経済の減速とかは経営者や社員の努力で対応可能なレベルじゃない。
そういう異常に厳しい経済状況では体力が弱ってて今までギリギリでしのいで来ていた企業から倒産する。
ちょうど猛暑で年寄りや病気の貧乏人（クーラーが使えない）が良く死ぬようにな。
今回のエルピーダの破綻はそれに近い。

>>163
開発陣がドンな技術持ってても意味なし
独自規格のDRAMなんて今時売れない
数社で規格を策定して売りだす
DRAMメーカーがたくさんあった頃はその中で先行して規格を先取りする事に意味があったが
いまやホンの数社しかないからいくら技術で先行してても売りだす頃には横並び

持合い会社だったんだから、
原価で持合い企業に流す専用の「工場」って位置づけにしてれば、
倒産はしなかった。

どんな凄い技術が開発されても横取りされたら意味ないよな‥

盛り返すよ、大丈夫さ。
新開発の技術が無きゃ終わりだ。
スパイには懲りているから対策も十分練るだろう。

坂本社長に関しては功罪がある。

功　台湾との連携で低コスト化、金策で資本増強でエルピーダを
これほどまでに長くもたせた。坂本社長じゃなかったら、エルピはとっくに倒産。
　
罪　DRAMにこだわったため、フラッシュへの展開が遅れた。
だから、スマフォブームに乗ることが出来ず倒産となった。

>>142
RCAって今は会社なくなって
ブランドが残ってるだけなんだよね。
未だに一流企業の地位を保ってるGE、IBMとは段違い。

メモリリークとリーク電流の混同ﾜﾛﾀ

頭悪過ぎｗ高卒かよｗ

とにかく頑張って欲しい。
それで、Made in Japan を増やしてくれ

>>169
> 坂本社長に関しては功罪がある。
>
> 功　台湾との連携で低コスト化

間違い。

アキメクらの坂本の大失敗だよ。
昔から、台湾メモリーメーカーは、資金繰りのためにバナナの叩き売りに走るのが恒例。

連携などせずに、台湾メーカーを潰しておけば
相場を崩されることも無くなり
エルピーダは生き残れたかもね。

どこでもいいからちゃっちゃとReRAMとかFeRAMを商品化してくれよ
何年かけるんだよ遅すぎるわ