【技術】平面状の物質なら何にでも電源トランジスタを作製する技術を開発-富士通

14 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 07:50:19 ID:VyI3pVu6

平面状のマナ板貧乳の上には

15 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 08:28:48 ID:sPGEthPw

>>12
くだらない質問だ

16 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 08:31:49 ID:iROxfAqw

訳が間違ってる。
電力用のスイッチングトランジスタじゃないの？

17 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 08:31:52 ID:fEca6HvW

100Vでは世界中に販売は難しいな、スイッチング用途なら250Vくらい欲しい。

18 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 08:39:22 ID:+hbGqdhl

生トロン

19 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 09:06:34 ID:Iq4A+YIo

どこでもトランジスタ。ってドラえもんの便利グッズみたいだな

20 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 09:15:15 ID:30PtvIOi

トランジスタはコンピュータの基本だからな。
印刷機で電子回路を印刷して使えるようになったら
ものすごい低コスト化だろうな。

21 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 09:20:06 ID:518DhE05

チャラチャラチャチャー
「どこでもトランジスター！」

で、ドラ焼き風？

22 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 09:20:30 ID:lLY22lbd

http://kyoto-wagasi.com/img/review/kane_do/boro_003.jpg

これと何が違うのか

23 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 09:43:00 ID:04QsAXa+

用途は厚さ3mmのLED照明とかになるのかな

24 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 09:47:36 ID:8JJsGVxq

じゃあおまえらのオデコにも。。

25 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 10:28:06 ID:rbCcl3qb

>>24
デンジマ…いや何でも無い。

26 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 10:34:49 ID:p4tra1AQ

トランジスタって何？
ガンジタみたいなもの？

27 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 10:36:42 ID:yKWhz3NU

>>8
熱いってことは損失が多いんだから損失を少なくする方に動いた方が良くね？

28 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 11:11:30 ID:wGESSfRP

>>14
愛を産む努力をせい

29 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 11:42:49 ID:23/Edruz

FETのことか？

30 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 12:29:25 ID:zK5/dABv

>>14,28
昔レベッカが「トランジスタなボディ云々」と歌っていたのを思い出した

31 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 13:08:48 ID:/WAW8qVe

日本語間違ってるし
「電源トランジスタ」って意味わからんし
パワーFETのこと？

32 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 13:16:22 ID:S2xdNOj7

俺の広いデコが役に立つ時がきたな

33 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 13:24:36 ID:WXn8Jchf

>>22 そっくりだ

34 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 13:25:24 ID:vVKl7zCO

誰か、わかりやすく
究極超人あ～るで例えて。

35 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 13:29:01 ID:ZEUSlwAe

何にでもというと豆腐でもいいのか？

36 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 14:01:53 ID:EHRdTKYb

>>13
本気で言ってるのか？ｗ

37 ：ココ電球 _/::o-ν ◆tIS/.aX84. ：2010/12/05(日) 14:06:32 ID:QxGCzymD

銅でもいい

38 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 14:13:54 ID:d5jo20XD

>>36
でもな、家電メーカー以外は電源トラブル多い気がするぜ？
BuffaloとかIODATAとか

39 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 14:21:18 ID:QWveJVs3

いいね！これは韓国と共同開発すべき
彼らと一緒ならさらなる進化を望める

40 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 15:17:05 ID:UjzwfaW0

>>39
韓国なら平面状の面した奴が多いもんな

41 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 15:18:11 ID:wGESSfRP

>>39
Bボタンどころか電源を何度もスライドさせるような進化だな...

42 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 15:40:18 ID:grg7HjKm

>>13
電取法上もそろそろ見直しの時期だな
足を引っ張るような法を見直すのが技術進歩の第一段階

43 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 18:17:05 ID:wfCwKP64

図を見たら、やっぱり絶縁してあるな。
それなら、平面上のどこでも回路貼れるのは、
単に当たり前なんじゃないかｗｗ

44 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 19:11:09 ID:Y3qL1hKp

ようはipadが薄くなるんだろ？
ついに誰もがスマートパッドを持ち歩く時代がくるな・・・

45 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 21:13:31 ID:FIZs8HzT

>>34
内蔵(臓)バッテリーに頼らずともどこでもおにぎりが食べられる
…とは違うか。

46 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 21:25:49 ID:xRdJSZNR

で～ここの株価はあがるんかぁ？

47 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 22:12:23 ID:n0LjSTZ/

柱上トランスから6600Vを直接家電製品に取り込めるということですね。

48 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 22:46:36 ID:5kxfwchV

>>8
マジかよ！糞箱売って(ry

49 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 22:51:38 ID:he6LNzYg

>>42
とっくに電安法になってて、大騒動だったわけだが、、、

50 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 23:18:18 ID:kihTBSKi

＞株式会社富士通研究所 PRESS RELEASE 2010年12月3日
＞　平面状の物質なら何にでも電源トランジスタを作製する技術を開発
＞　　http://pr.fujitsu.com/jp/news/2010/12/3.html

グラフの縦軸がマイクロアンペアオーダー（10^-5）なんだが・・・`
ほんとに電源用？

51 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 23:34:20 ID:DItOgG3x

じゃあＰＣにたとえたら
外郭やＣＰＵのパネル自体にもマザーボードにできるってことか？
それとも電源アダプタのみの話？

52 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 23:39:46 ID:oaVdgDFQ

エミッた・コレクた・ベースではなくソース・ゲート・ドレインってことはFETなのか？

53 ：名無しのひみつ：2010/12/05(日) 23:41:23 ID:vuDytEuK

原画が終わったらトランジスタ部品の変更不可ってことか
怖くて使いたくねー

54 ：名無しのひみつ：2010/12/06(月) 06:02:27 ID:YQmE/M6v

>>26
ツルジスタの幼生の事だよ

55 ：名無しのひみつ：2010/12/06(月) 16:56:36 ID:g9274Ysr

>>48
糞ステも売ってこい

56 ：名無しのひみつ：2010/12/06(月) 20:50:43 ID:ubLZ1To1

>>31
かもね電圧駆動っぽいし

57 ：名無しのひみつ：2010/12/07(火) 04:58:51 ID:S6cQrgRY

富士通研、どんな平面状の物質にも電源トランジスタを作製する技術を開発 | エンタープライズ | マイコミジャーナル
http://journal.mycom.co.jp/news/2010/12/06/059/

58 ：名無しのひみつ：2010/12/07(火) 09:39:29 ID:50/hzDs+

やっとあたしの胸が役立つときが来たな

59 ：名無しのひみつ：2010/12/07(火) 11:23:33 ID:5bsek5ZN

非飽和時の特性が定電流性だから恐らくＦＥＴ。ＦＥＴだったらパラレル接続も極間容量以外心配する必要がない。
試作でこのレベルは結構すごい。小信号処理にはすでに使用できる数値。まあ、飽和領域がもう少し狭い方がいいけどね。
ブレテンを見る限りプロセスも難しくなさそうだし実用化はすぐだと思う。
機器の筐体が直接に回路支持体になるかもしれない。ポリマーに埋め込みもできるわけだから製品によっては基板が全廃できる可能性もある。
なにげにビッグニュースかも。

60 ：名無しのひみつ：2010/12/07(火) 13:05:38 ID:5bsek5ZN

>>59
間違えた…

＞飽和時の特性が定電流性だから恐らくＦＥＴ。ＦＥＴだったらパラレル接続も極間容量以外心配する必要がない。
＞試作でこのレベルは結構すごい。小信号処理にはすでに使用できる数値。まあ、非飽和領域がもう少し狭い方がいいけどね。
＞ブレテンを見る限りプロセスも難しくなさそうだし実用化はすぐだと思う。
＞機器の筐体が直接に回路支持体になるかもしれない。ポリマーに埋め込みもできるわけだから製品によっては基板が全廃できる可能性もある。
＞なにげにビッグニュースかも。
＞
＞

61 ：名無しのひみつ：2010/12/07(火) 20:25:19 ID:S6cQrgRY

これ凄そうだね。
ケースによっては制約条件がなくなっちゃうし
市場規模が大きいし。
富士通研究所って結構凄いらしいね。
こういうのもあるけど、どんどん変わっていきそうだね。

日立、折り曲げ可能な無線デバイス作製の基本技術を開発:日刊工業新聞
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0320101207aaat.html

62 ：名無しのひみつ：2010/12/09(木) 01:29:47 ID:ac8tAyUe

FETって書かずに、「電源トランジスタ」って書いてるのは、
スイッチング速度が100kHzくらいまでの低速動作を暗示してる気がする。

ゲート幅、0.1mmあたり、50μA@100V（5mW）程度が制御出来るみたいなので、
トランジスタ面積、1平方センチメートルくらいで、10Wくらいは制御出来るかも。

63 ：名無しのひみつ：2010/12/09(木) 23:38:18 ID:tMz70ZT1

>>61
【IEDM】富士通研，熱電変換と太陽電池を一体化した発電素子を有機材料で開発
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20101209/188034/

凄いかもしれんが、どこかしらズレてると思う
まとめる意味って何だよｗ