【技術】平面状の物質なら何にでも電源トランジスタを作製する技術を開発-富士通

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1TOY_BOx@みそしるφ ★
富士通は2010年12月3日、富士通研究所が、銅やガラス、プラスチックなど、
平面状の物質なら何にでも電源トランジスタを作製できる技術を開発した、と発表した。

酸化亜鉛(ZnO)系の材料で対象物質の上に高耐圧の電源トランジスタを作製、
トランジスタのチャネル部分をポリマー被膜で保護して、高耐圧で動作できるようにする。

この本技術により、あらゆる平面状の物質に電源回路を作製できるようになる。
また、センサーや圧電素子などにも応用できるという。

技術の詳細は、米国時間11月29日(月曜日)から、ボストンで開催された
国際会議「2010 Material Research Society Fall Meeting」(2010 MRS Fall Meeting)で発表された。

環境負荷の低減が要求される現在、IT 機器や家電、自動車などに搭載された
電子機器で、電源回路の電力を削減することが重要な課題となっている。
さらに、汎用品の電源回路には、低コスト化も要求されている。

酸化亜鉛(ZnO)は、低損失の電源トランジスタを実現できるワイドバンドギャップ半導体で、
どこにでもトランジスタを形成できる材料。最近では、ガラス基板の上に形成する
液晶テレビなどのディスプレイ向けトランジスタとして、研究開発が行われている。

しかし、酸化亜鉛(ZnO)を高耐圧の電源トランジスタとして作製するには、
高耐圧を実現する上で必要なチャネル材料の低濃度化が難しい点や、
電界集中の原因となる材料表面に存在する電荷トラップ抑制という課題があった。

今回、材料としてインジウムガリウム酸化亜鉛(IGZO)を使い、電源トランジスタの
チャネル部分をポリマー被膜で保護することで、電源用 100V 電圧でトランジスタを
動作させるのに成功した。

さらに、高耐圧トランジスタをパッケージ材料である銅基板上に直接作製できるため、
放熱性を確保でき、コストも低減できる。


銅基板上で電源トランジスタを作製
 http://japan.internet.com/img/article/webtech/1203fujitsuLab1.jpg
ポリイミド上で電源トランジスタを作製
 http://japan.internet.com/img/article/webtech/1203fujitsuLab2.jpg
保護膜を付けた断面構造
 http://japan.internet.com/img/article/webtech/1203fujitsuLab3.jpg
▽記事引用元 :  japan.internet.com 2010年12月3日 15:50
 http://japan.internet.com/webtech/20101203/3.html

*依頼ありました。 http://toki.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1286952297/351

株式会社富士通研究所 PRESS RELEASE 2010年12月3日
 平面状の物質なら何にでも電源トランジスタを作製する技術を開発
  http://pr.fujitsu.com/jp/news/2010/12/3.html
2名無しのひみつ:2010/12/05(日) 04:13:22 ID:OKbqT9Yr
人生初の2getでございます!
3名無しのひみつ:2010/12/05(日) 04:16:55 ID:ZLGnQuI9
利用法は思いつかんが
薄く平らな電気製品が出来そう
4名無しのひみつ:2010/12/05(日) 04:27:59 ID:N0H26wC6
ピョン吉にも作ってくれ
5名無しのひみつ:2010/12/05(日) 04:37:22 ID:I4LjDRzD
MOCVD?
6名無しのひみつ:2010/12/05(日) 04:38:55 ID:CsKmb7jm
すごい
7名無しのひみつ:2010/12/05(日) 04:39:39 ID:Mm1ZvZ/2
お化け屋敷がもっと楽しく怖くなる?
8名無しのひみつ:2010/12/05(日) 04:50:59 ID:UDSEc0qy
つまりあれか、

今まではシリコン上にチップを作成してた
      ↓
熱伝導率の高い銅に直接作成可能
      ↓
ヒートシンクと一体型になった電源回路誕生!
      ↓
放熱の効率が今までより良いから、より大電力を扱えるよ
      ↓
X-boxのACアダプタが本体内蔵に!
9名無しのひみつ:2010/12/05(日) 06:09:17 ID:GsclcmKq
日本が復権するためには、国民全員をサイボーク化して高機能化するしかない。
手始めに生体内に埋め込んで脳機能と同調できる生体記憶装置を開発するか、
副作用の少ない脳機能賦活剤を開発してほしい。
例えばデータベースの内容に網膜に映し出すことは意外と簡単にできるような気がする。
10名無しのひみつ:2010/12/05(日) 06:26:27 ID:lEcEKaR6
電源トランジスタ?
11名無しのひみつ:2010/12/05(日) 07:10:19 ID:1uu6qojE
電源トランジスタとは電源回路の基幹デバイスの事であって

演算用のトランジスタとは関係ありません
12名無しのひみつ:2010/12/05(日) 07:13:44 ID:uo4LkY5l
パワートランジスターと何が違うの?
13名無しのひみつ:2010/12/05(日) 07:34:42 ID:bQfhxdFQ
>>8
>X-boxのACアダプタが本体内蔵に!

それはない。
電源が本体に内蔵されていると、電取法上の扱いが面倒になる。
ソニーは一応家電メーカーなので、慣れている。
任天堂、マイクロソフトは家電の生産経験がないので、ACアダプタ方式を採用している。

14名無しのひみつ:2010/12/05(日) 07:50:19 ID:VyI3pVu6
平面状のマナ板貧乳の上には
15名無しのひみつ:2010/12/05(日) 08:28:48 ID:sPGEthPw
>>12
くだらない質問だ
16名無しのひみつ:2010/12/05(日) 08:31:49 ID:iROxfAqw
訳が間違ってる。
電力用のスイッチングトランジスタじゃないの?
17名無しのひみつ:2010/12/05(日) 08:31:52 ID:fEca6HvW
100Vでは世界中に販売は難しいな、スイッチング用途なら250Vくらい欲しい。
18名無しのひみつ:2010/12/05(日) 08:39:22 ID:+hbGqdhl
生トロン
19名無しのひみつ:2010/12/05(日) 09:06:34 ID:Iq4A+YIo
どこでもトランジスタ。ってドラえもんの便利グッズみたいだな
20名無しのひみつ:2010/12/05(日) 09:15:15 ID:30PtvIOi
トランジスタはコンピュータの基本だからな。
印刷機で電子回路を印刷して使えるようになったら
ものすごい低コスト化だろうな。
21名無しのひみつ:2010/12/05(日) 09:20:06 ID:518DhE05
チャラチャラチャチャー
「どこでもトランジスター!」

で、ドラ焼き風?
22名無しのひみつ:2010/12/05(日) 09:20:30 ID:lLY22lbd
23名無しのひみつ:2010/12/05(日) 09:43:00 ID:04QsAXa+
用途は厚さ3mmのLED照明とかになるのかな
24名無しのひみつ:2010/12/05(日) 09:47:36 ID:8JJsGVxq
じゃあおまえらのオデコにも。。
25名無しのひみつ:2010/12/05(日) 10:28:06 ID:rbCcl3qb
>>24
デンジマ…いや何でも無い。
26名無しのひみつ:2010/12/05(日) 10:34:49 ID:p4tra1AQ
トランジスタって何?
ガンジタみたいなもの?
27名無しのひみつ:2010/12/05(日) 10:36:42 ID:yKWhz3NU
>>8
熱いってことは損失が多いんだから損失を少なくする方に動いた方が良くね?
28名無しのひみつ:2010/12/05(日) 11:11:30 ID:wGESSfRP
>>14
愛を産む努力をせい
29名無しのひみつ:2010/12/05(日) 11:42:49 ID:23/Edruz
FETのことか?
30名無しのひみつ:2010/12/05(日) 12:29:25 ID:zK5/dABv
>>14,28
昔レベッカが「トランジスタなボディ云々」と歌っていたのを思い出した
31名無しのひみつ:2010/12/05(日) 13:08:48 ID:/WAW8qVe
日本語間違ってるし
「電源トランジスタ」って意味わからんし
パワーFETのこと?
32名無しのひみつ:2010/12/05(日) 13:16:22 ID:S2xdNOj7
俺の広いデコが役に立つ時がきたな
33名無しのひみつ:2010/12/05(日) 13:24:36 ID:WXn8Jchf
>>22 そっくりだ
34名無しのひみつ:2010/12/05(日) 13:25:24 ID:vVKl7zCO
誰か、わかりやすく
究極超人あ〜るで例えて。
35名無しのひみつ:2010/12/05(日) 13:29:01 ID:ZEUSlwAe
何にでもというと豆腐でもいいのか?
36名無しのひみつ:2010/12/05(日) 14:01:53 ID:EHRdTKYb
>>13
本気で言ってるのか?w
37ココ電球 _/::o-ν ◆tIS/.aX84. :2010/12/05(日) 14:06:32 ID:QxGCzymD
銅でもいい
38名無しのひみつ:2010/12/05(日) 14:13:54 ID:d5jo20XD
>>36
でもな、家電メーカー以外は電源トラブル多い気がするぜ?
BuffaloとかIODATAとか
39名無しのひみつ:2010/12/05(日) 14:21:18 ID:QWveJVs3
いいね!これは韓国と共同開発すべき
彼らと一緒ならさらなる進化を望める
40名無しのひみつ:2010/12/05(日) 15:17:05 ID:UjzwfaW0
>>39
韓国なら平面状の面した奴が多いもんな
41名無しのひみつ:2010/12/05(日) 15:18:11 ID:wGESSfRP
>>39
Bボタンどころか電源を何度もスライドさせるような進化だな...
42名無しのひみつ:2010/12/05(日) 15:40:18 ID:grg7HjKm
>>13
電取法上もそろそろ見直しの時期だな
足を引っ張るような法を見直すのが技術進歩の第一段階
43名無しのひみつ:2010/12/05(日) 18:17:05 ID:wfCwKP64
図を見たら、やっぱり絶縁してあるな。
それなら、平面上のどこでも回路貼れるのは、
単に当たり前なんじゃないかww
44名無しのひみつ:2010/12/05(日) 19:11:09 ID:Y3qL1hKp
ようはipadが薄くなるんだろ?
ついに誰もがスマートパッドを持ち歩く時代がくるな・・・
45名無しのひみつ:2010/12/05(日) 21:13:31 ID:FIZs8HzT
>>34
内蔵(臓)バッテリーに頼らずともどこでもおにぎりが食べられる
…とは違うか。
46名無しのひみつ:2010/12/05(日) 21:25:49 ID:xRdJSZNR
で〜ここの株価はあがるんかぁ?
47名無しのひみつ:2010/12/05(日) 22:12:23 ID:n0LjSTZ/
柱上トランスから6600Vを直接家電製品に取り込めるということですね。
48名無しのひみつ:2010/12/05(日) 22:46:36 ID:5kxfwchV
>>8
マジかよ!糞箱売って(ry
49名無しのひみつ:2010/12/05(日) 22:51:38 ID:he6LNzYg
>>42
とっくに電安法になってて、大騒動だったわけだが、、、
50名無しのひみつ:2010/12/05(日) 23:18:18 ID:kihTBSKi
>株式会社富士通研究所 PRESS RELEASE 2010年12月3日
> 平面状の物質なら何にでも電源トランジスタを作製する技術を開発
>  http://pr.fujitsu.com/jp/news/2010/12/3.html

グラフの縦軸がマイクロアンペアオーダー(10^-5)なんだが・・・`
ほんとに電源用?
51名無しのひみつ:2010/12/05(日) 23:34:20 ID:DItOgG3x
じゃあPCにたとえたら
外郭やCPUのパネル自体にもマザーボードにできるってことか?
それとも電源アダプタのみの話?
52名無しのひみつ:2010/12/05(日) 23:39:46 ID:oaVdgDFQ
エミッた・コレクた・ベースではなくソース・ゲート・ドレインってことはFETなのか?
53名無しのひみつ:2010/12/05(日) 23:41:23 ID:vuDytEuK
原画が終わったらトランジスタ部品の変更不可ってことか
怖くて使いたくねー
54名無しのひみつ:2010/12/06(月) 06:02:27 ID:YQmE/M6v
>>26
ツルジスタの幼生の事だよ
55名無しのひみつ:2010/12/06(月) 16:56:36 ID:g9274Ysr
>>48
糞ステも売ってこい
56名無しのひみつ:2010/12/06(月) 20:50:43 ID:ubLZ1To1
>>31
かもね電圧駆動っぽいし
57名無しのひみつ:2010/12/07(火) 04:58:51 ID:S6cQrgRY
富士通研、どんな平面状の物質にも電源トランジスタを作製する技術を開発 | エンタープライズ | マイコミジャーナル
http://journal.mycom.co.jp/news/2010/12/06/059/
58名無しのひみつ:2010/12/07(火) 09:39:29 ID:50/hzDs+
やっとあたしの胸が役立つときが来たな
59名無しのひみつ:2010/12/07(火) 11:23:33 ID:5bsek5ZN
非飽和時の特性が定電流性だから恐らくFET。FETだったらパラレル接続も極間容量以外心配する必要がない。
試作でこのレベルは結構すごい。小信号処理にはすでに使用できる数値。まあ、飽和領域がもう少し狭い方がいいけどね。
ブレテンを見る限りプロセスも難しくなさそうだし実用化はすぐだと思う。
機器の筐体が直接に回路支持体になるかもしれない。ポリマーに埋め込みもできるわけだから製品によっては基板が全廃できる可能性もある。
なにげにビッグニュースかも。

60名無しのひみつ:2010/12/07(火) 13:05:38 ID:5bsek5ZN
>>59
間違えた…

> 飽和時の特性が定電流性だから恐らくFET。FETだったらパラレル接続も極間容量以外心配する必要がない。
> 試作でこのレベルは結構すごい。小信号処理にはすでに使用できる数値。まあ、非飽和領域がもう少し狭い方がいいけどね。
> ブレテンを見る限りプロセスも難しくなさそうだし実用化はすぐだと思う。
> 機器の筐体が直接に回路支持体になるかもしれない。ポリマーに埋め込みもできるわけだから製品によっては基板が全廃できる可能性もある。
> なにげにビッグニュースかも。

61名無しのひみつ:2010/12/07(火) 20:25:19 ID:S6cQrgRY
これ凄そうだね。
ケースによっては制約条件がなくなっちゃうし
市場規模が大きいし。
富士通研究所って結構凄いらしいね。
こういうのもあるけど、どんどん変わっていきそうだね。

日立、折り曲げ可能な無線デバイス作製の基本技術を開発:日刊工業新聞
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0320101207aaat.html
62名無しのひみつ:2010/12/09(木) 01:29:47 ID:ac8tAyUe
FETって書かずに、「電源トランジスタ」って書いてるのは、
スイッチング速度が100kHzくらいまでの低速動作を暗示してる気がする。

ゲート幅、0.1mmあたり、50μA@100V(5mW)程度が制御出来るみたいなので、
トランジスタ面積、1平方センチメートルくらいで、10Wくらいは制御出来るかも。
63名無しのひみつ
>>61
【IEDM】富士通研,熱電変換と太陽電池を一体化した発電素子を有機材料で開発
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20101209/188034/

凄いかもしれんが、どこかしらズレてると思う
まとめる意味って何だよw