【電気化学】超低消費電力・高速動作を兼ね備えた不揮発性抵抗変化メモリー素子”RRAM”の開発に成功

独立行政法人産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門先進ナノ構造
研究グループ秋永広幸研究グループ長、島 久研究員は、シャープ株式会社と
共同で、低消費電力、高速動作の性能を兼ね備えた不揮発性の抵抗変化
メモリー素子(Resistance Random Access Memory : RRAM)の開発に成功した。

これまで、RRAMは次世代超大容量メモリー候補として期待されていたが、今回、
メモリー実用化に必須である低消費電力、高速動作が実証されたことにより、
その実現に向けた途が拓かれた。

今回開発したRRAMは、タンタル(Ta)電極とコバルト(Co)酸化物からなる極めて
単純な金属／酸化物接合を基本構造としている。当共同研究グループは、この
接合界面におけるナノメートルスケールでの電気化学反応を定量的に制御する
ことによってメモリー動作の高性能化を実現した。

また、このRRAMの作製方法は、既存の半導体製造プロセスとの整合性が高い。
さらに、貴金属電極など高価な部材や特殊な取り扱いを必要とする原料も用いて
いないことから、開発したRRAMはビットコスト競争力に優れるだけでなく、省エネルギー・
省資源も実現するメモリーである。

今後、大容量の情報を高速にやり取りする機能を持つ素子の重要性がますます
高まってきている情報・エレクトロニクス分野において、今回開発されたRRAMが
省エネルギーの鍵となる次世代不揮発性メモリー素子となることが期待される。

なお、本研究は、独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の
委託を受けて行ったものである。本研究成果は、2008年9月26日に、つくば国際
会議場(茨城県つくば市)で開催される国際固体素子・材料コンファレンスで発表される。

（長文のため抜粋しました。詳細は以下のソースをご覧下さい）
ソース：http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2008/pr20080925_2/pr20080925_2.html
画像：
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2008/pr20080925_2/fig1.png
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2008/pr20080925_2/fig2.jpg
産業技術総合研究所プレスリリース　2008年9月25日

2Get？

また試作に成功？

大量生産に成功 ×
大容量化に成功 ×
実験試作に成功 〇

うわーこれは凄い。

http://ja.wikipedia.org/wiki/ReRAM
>2002年には、シャープが同社のアメリカ法人およびヒューストン大学と共同で、PCMO薄膜を用いた64ビットのReRAM
>デバイスを学会で発表している。
>2004年にはサムスン電子が酸化ニッケルを使い、
>2005年にはアメリカのスパンション社が酸化銅に窒化チタン・銅の電極の組み合わせ、
>2006年には富士通が二酸化チタンと白金電極でReRAMデバイスを作製した。

今回のはタンタルとコバルトを使ったのに意味があるようです。
白金を使うデバイスじゃゴミだからな。

ReRAMはMRAMと構造が同じ
RRAMはシャープの商標

でも、NAND Flashに追いつけない以上は
存在価値なんか無いんじゃまいか

せいぜいDRAMの置き換えか？

で、大容量が量産されるのは何十年後なんだろ。

さむすんがだまってないぞ、かくごしろ

サムスン涙目ｗでいいの？

サムスン電子がアップし始めました



とかだったら嫌だな

大容量の記憶媒体は世界を記憶できる様になった
１秒前の

ＳＬＣはいいんだろうけど、ＭＬＣだとプチフリがあるからなぁ。
スペックやベンチに出てこないプチフリってどうにもならないような。

このスレはニダーに監視されていますニダ。

新技術の開発は至るところで進んでいるみたいだけど、実際に世に出るには取捨選択があるからなあ。
たった一年で廃れるような技術を商業的に導入しても意味ないし。
表舞台に出てくる新技術の候補が一つ増えたってところか。

>>6
実用化は2010年を目標としている、らしいぜ。
昨年の終わりごろのPRAMの基本技術が開発された、って記事に確か書いてあった。
商業ラインに乗るのは、それから半年から一年後ってとこだろうな。

DRAMを置き換えることができる不揮発性RAMだったら、需要は大きいよ。
ところでFRAM（FeRAM）とは何が違うの？

コイツでプロセッサ量産してソースも付けて中国に輸出しよう

>>1　おせーよｗ
>2008年9月26日に、つくば国際会議場(茨城県つくば市)で開催される
>国際固体素子・材料コンファレンスで発表される。

どうせもうシャープの社員がサムチョンに秘密を売り渡してるんだろうな

基礎的部分の特許をアメリカが持ってましたーー

とサブマリン

何 kbit のモジュールなんだ？

・メモリー実用化に必須である低消費電力、高速動作が実証された
・既存の半導体製造プロセスとの整合性が高い。
・貴金属電極など高価な部材や特殊な取り扱いを必要とする原料も用いていない
・次世代不揮発性メモリー素子となることが期待される

出来たとしても、高かったり、沢山作れなかったり、耐久性が無かったり、
不安定だったりして使えない物が色々有る。

バッティングセンターでホームラン１回打てても、試合で全打席ホームラン打てるかとは
別問題だろ。
そして、電子製品というのは、常に全打席ホームランを求められるのだ。
（失敗するとエラーが出てしまうからね）

どういう例えだよ。

ホームランなんて必要ないよ。
全打席で出塁するバッターだったら良いんだよ。内野でも外野でも場外でも出塁してくれればいい。
ボールが何処に行こうとも出塁できれば正義。

……たまに球場の面積が倍以上だったり相手の内野手や外野手の人口密度が増えてたりして出塁できないときもあるが。

サムチョンが開発者の引き抜きを画策し始めました

独立行政法人産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門先進ナノ構造研究グループ秋永広幸研究グループ長、島 久研究員

なげーな

>貴金属電極など高価な部材や特殊な取り扱いを必要とする原料も用いていない

タンタルはやばくね？
アフリカの紛争地域がらみの原料だろ？

携帯電話の急速な普及により、タンタルの需要が高くなり、価格も急騰しています。
2000年には、1年間で、10倍に値上がりしました。
アフリカでは、タンタルの鉱石となるタンタル石がゲリラ活動の資金源になっており、
大勢の子供達が採掘作業を手伝わされているそうです。
現在、タンタルのメジャーなソースは、タンタル石からスズ鉱石に変わっています。
スズ鉱石からの精製は、タンタル石からの精製に比べて、効率の悪い作業です。
しかし、タンタルの価格が上がったため、十分、利益が得られています。
現在、タンタルの約７割が、オーストラリアのスズ鉱石から得られています。

つぎはニオブか？

>>3
朝鮮人ってさ。技術開発に対してこういう態度だから、いつまでたっても
独自の技術力を持てないんだろうな。>>3が朝鮮人であるかどうかは関係なく。

また痛いのがわいてきた、もう秋なのに。

タンタルって安いのかな

物性物理ならわかるが電気化学か

タンタルは戦車砲の砲弾素材に最適とされています。

タングステン合金や劣化ウランより適していますが、コスト的に使用出来ないだけです。

>>8-9
アップしてるのは技術者じゃなくスパイだからなあ。

>>21
おいおい、デバイスにもよるがタイムやファールは認められてるよ。

また半導体シェアは海外に取られるという・

てすてす

>>3
いっぽう、サムスンは「来年開発を開始し、２年後に発売する予定」と発表した。

ＤＧＲＡＭの開発はどこまで進んでいるンだ？？

どんな画期的メモリーが開発されても、
それを食い潰す化け物ＯＳが後を追って行きます。

フラッシュメモリの容量て、MLC化で大容量な時点で終わっている。
SLCタイプで大容量が実現できないかぎり、まあ過剰な期待でしかないね。

普通に出来るだろ

>>1に書いてある競合が想定されるNORフラッシュメモリってこれか？
ttp://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20080723/155203/

白金ほどではないにしろ、タンタルも希少じゃないのか？

エビフライにつけてたべるとおいしい

シャープの製品ってその名の通り目のつけどころがシャープな製品だすことあるんだけど、
時代がおいついてなくて早く出し過ぎて自滅するのも多い気がする。

これは是非とも実用化して成功してもらいたいもんだ。
LINUX ザウルスにこれ使ってパワーアップして欲しいもんだけど開発やめちゃったからな〜。

最強のNEW-Xの部品ですね、わかります

スタンバイ涙目

レアメタルが将来枯渇してきたらどこから調達するのか気になるところではあるな

次（々）世代メモリはカオス

MRAMとかRRAMって超伝導となんか関係あるの？
単に互換性があるだけなの？

富士通、不振のＨＤＤ事業を売却へ
http://www.asahi.com/business/update/1002/TKY200810020164.html

むかしに、デスクトップ用のHDDが、不良ICパッケージの混入で、
尽く故障したために、フィールドサービスに莫大な手数料が生じたし、
製品のリコールやらで大損害を生じただけではなく、その後も
ブランドとして暴落してしまったF社のHDD。しかたがないので、
サーバー用製品だけに特化してきたが、それでは量産効果の面やらで
不利であるし、そもそもHDD自体が価格競争が激烈すぎて、ほとんど
儲からない。いずれSSDになるのなら、赤字を出しつづけるHDD部門を
売れるうちに売り飛ばして、同じ開発資金をSSDや新素子に向けた
方が将来性あると見たのだろう。H社はどうするのだろうか？

HDD部門の売却を、F社自身は否定しているそうだ。

>>39
DOUGRAMの開発が先だろう。Xネビュラ対応しないと、電子機器がちゃんと作動しないし。

MRAMもサンプル程度だし、次世代メモリーは全然普及しないね
DRAMを過去に消し去ってくれ、さっさと

DRAMを製造している、あるいはそれに関わっているメーカー自身が、
それまで行ってきた莫大な投資で積み上げてきたDRAMの製造を無に
しかねないMRAMだの次世代メモリだのに積極的に動きたい理由は
無いだろう。他社がDRAMの次を出してきた時のリスク回避を考えて
とりあえず、研究しているだけでは？他社がより高性能のメモリを
出してこない間は、いつまでも今の世代のメモリを作りつづけて
利益を出したいと思うのでは？単純に技術が進歩すれば素晴らしい
世の中ができるからそれを目指してなんていうことは経営レベルの
頭の中には無いだろう。

そうして躊躇している間に新興国に追い抜かれるんだ
もう何度も見てきた光景さ

というかDRAMの設備自体が生モノってくらいに陳腐化が早いんじゃないの？

会社で頑張っても安い給料で使い倒されていく技術者ではやってられんｗ
チャンコロだろうがキムチだろうが対価を払ってくれりゃ悪魔にでも売り渡したくなるだろ。
技術を守りたかったら人心を掴まなきゃｗ

高い電圧で駆動するのが比較的容易で多値化が簡易だとあるが、
どうなんろ、

ＤＲＡＭと比較するなら、書き換え耐性がほぼ無限に近い性能が
必要なんだけど、その辺て資料あるの？

また産総研が性懲りもなく誇大広告を‥‥

>>それまで行ってきた莫大な投資で積み上げてきたDRAMの製造を無に
しかねないMRAMだの次世代メモリだのに積極的に動きたい理由は
無いだろう。


コンコルドの誤りって言葉思い出した

そこでPRAM

>>56

妄想垂れ流す前に>>1ぐらい読んだら？

> また、このRRAMの作製方法は、既存の半導体製造プロセスとの整合性が高い。

フラッシュメモリで問題なのは分子の化学的劣化があるということ、
１０年記録を保持できる？んなのありえないぐらい短いじゃん。
ＭＬＣにすればビット多値の数だけ指数的に記録保存の寿命が短くなるのは
目に見えている。記録回数じゃなくて記録保存期間な。
２値と 多値ではＳＮ比でビット数が多いほどノイズが指数的に増加する
断言しておくが、いまは４ビットぐらいまで実用になっているが
それ以上は無理、多値で８ビットなんて不可能。
１ビットが４ビットになることで低価格したのを低コストで作れる
ようになったと勘違いしているだけ。もう打ち止めで価格が激しく
落ちていたのは今年まで。今後のペースはＤＲＡＭの価格低下と
同じペース以上にはなりえない。
大容量に押されて低容量が５００円以下とか売られているが、
半導体抜きの基盤代からみれば、もう赤字の領域に（ｒｙ

これ、読めば読むほど凄いな。固体層での酸化還元反応だから、
ZnとかCuでもいけるんじゃねーの？遊離した酸素をどうするかってだけで。
後はよく知られてる酸化還元電位だけの話だし。
半導体にする必要すらないと思うし。

MRAMが次世代メモリーだと思ってたけど、これが実用化すればMRAMいらないね。

富士通にSSDなんて無関係

>>66
酸化還元の化学変化を伴なうものは劣化するんじゃないの？