【技術】「IBM、22nmプロセスのSRAMセルを開発」SRAMセルの小型化により、CPUの高性能化が可能に[08/19]

>>3

5nm までいけるそうよ
それ以上はトンネル効果でむりぽと聞いてる

>>6
今回は高NAの液浸エキシマらしい

すごえなあ

>>9
実用化の場合はコストやばらつき問題を克服できるかだね。
EUVはまだ問題だらけだし。

>>10
液浸で線幅22nmいくのか
DPなのかな？

1000万分の１ミリメートルと理解してもいいのだろうか？

今の実用的な線幅縮小技術って何？
液浸と、レジスト膨張？あとは？

22nmってすごい･･･
でも、抵抗や寄生容量はどうなんだろ??
ふつーに増加してるのかな？

お前らが何を言ってるのかさっぱり理解できんｗｗｗｗｗ

45nmでｽｹﾞｰとか思ってたのに・・・
もう22nmカヨ。

100nmぐらいで温度が上がって限界って言ってた気がするんだが

今のところ目処が立ってるのが22nmまで
2014年くらいまでは大丈夫
それ以降は、ロードマップが真っ白です
もう半導体の微細化が止まるかどうかの瀬戸際
各半導体研究機関の技術者は((((；ﾟДﾟ))))ｶﾞｸｶﾞｸﾌﾞﾙﾌﾞﾙ

珪素って0.2nmくらいの大きさだよね

>>20
そろそろだな
壁にぶち当たった後、どうなるのか楽しみだ

超低電圧稼動ですね。

つぎはえんやーとっとーの漁師計算機だ。

これからは低消費電力の時代

じゃあPen４・２．２GHｚであと３年ねばることにするｗ
クアッドコア買わなくてよかったｗｗ

俺もpen4 2,2GHzだが
さすがに冬にでも自作しようとしたが、これはまた待つべきなのかｗ

>>23
俺はむしろ猟師計算機だと思うね。
猟師ドット

CPUの動作クロックが10GHzとか100GHzになるって話ですか？

いつもいつも消費電力低減なんて抜かしやがって
爆熱もなんとかしろ

＞＞２８　少し古い情報だが・・・
・IBMと米大学、500GHzチップをデモ

　米IBMと米ジョージア工科大学は6月20日、500GHz以上のクロック周波数で動作できる
初の半導体チップの実験デモを行った。

　研究者らは、シリコンゲルマニウム（SiGe）チップを華氏マイナス451度に冷やすことで
この速度を達成した。SiGeチップは低温の方が高速で動作する。これほどの低温状態が
自然に見られるのは宇宙空間のみだが、今回の実験では、液体ヘリウムなどを使って
人工的に超低温状態を作り上げた。

　今回テストされたチップは、IBMの200ミリウエハーで、第4世代SiGe技術のプロトタイプから
作られた。このチップは室温では約350GHzで動作する。コンピュータシミュレーションでは、
この技術は、いつかは室温でもさらに高い周波数（1000GHz、つまり1テラHz近く）を実現する
可能性があることが示された。

　SiGeはシリコンの電気特性をゲルマニウムで強化し、より効率的にチップを動作させる
プロセス技術。IBMは1998年に業界初の標準的なSiGeチップの量産を開始した。

ソース：ITmedia
tp://www.itmedia.co.jp/news/articles/0606/20/news072.html

関係ないけど、MRAMとかってもう実用化してるの？

>>30
スイマセンデシタ

>>29
消費電力が低い＝発熱は少ない
消費電力が下がり冷却系のマージンが増えた分を高クロック化に回さなければいいだけ。
CPUのクロック数なんか、BIOSでいくらでも下げれるでしょ。

>>31
とっくにされてる。

>>30
Trの遮断周波数が500GHz程度なだけで、コンピュータが500GHzで動作するわけじゃないよ。
普通のシリコンMOSでも200GHz程度まで動くし、IBMとか発表がいちいち大げさなんだよな。

そのパソコンで2ch見るわけ？
もう明らかにオーバースペックだろ。

>>2
ｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗｗ

俺が最後に作ったASICが0.25umとか0.18umとかいってたなぁ。
本当に桁1つ変わってしまった。

>>12 バラツキはコアを増やすだけ増やして、そのうち何個作動するかで振り分けるんじゃね？

>>19 俺も珪素では１００〜５０ｎｍが限界だと思ってたｂｙ有機物美術館。
だから４５ｎｍが出てきた時には新しい技術でも出てきたのか？って思った。

ICの誕生から５０年。そろそろこの業界も飽和する時か

>>20
10年おきに1nmで徐々に微細化していけば
一生食えるNE

>>2
ﾜﾛｽ

俺はセレロン２．０Ｇで何とか持たそう。

EUVって露光プロセスの全てを反射系だけで作りかえるんでしょ？
すんごい金かかりそう。

液浸露光システムで35nmまでは何とかなったが、そこから先を軟Ｘ線露光
システムでやろうとすれば、露光装置が莫大高価になる。ニコンなどの
ステッパ-メーカーは大儲けできるのかもしれないがね。

リコーとかオリンパスとかが作ってるの？
そういう光学部品って

リコーは作ってないだろ。

フォトリソどうやってんの？？
液浸のダブルパターニング？？

ずいぶん昔にNECが5nmのトランジスタ作って特性を発表してたから
その程度まで微細化は可能。

22nmのSRAMセルを開発ってセル電流とそのバラつきはどっか発表されてるのかな？
単電源で使えるのかが気になる。

シリコンの格子定数は、Si(100) 0.543 nm, Si(110) 0.384 nm, Si(111) 0.313 nm で
す。ですから 20nm のチャンネルでは 36 -- 63 個のシリコンしか入らなくなります。こ
んな状況で Br や P の不純物のドーピングの制御ができるなんて信じられません。

どの程度の精度で何個の不純物原始をドーピングさせているのでしょうか。専門家の方、
教えてください。よろしくお願いします。

ステッパーはニコンかキャノン

はいはい、IBM、IBM

>>51
チャネル幅次第じゃね？

>>42
ニコンかASMLじゃね？

キャノンの液浸なんて使ってるとこ無いし。

22nmで何yukawa?

何でそんなに高性能にし続けなきゃならないの？

おなじものずっと作ってたら壊れない限り買い換えてくれないでしょ