【物理】次世代の不揮発性メモリであるスピンRAMのスピン注入トルクの直接測定方法を確立

　ギガビット級のスピンRAMとよばれる次世代磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）を実現する
ためには、情報の書き込みにスピン注入磁化反転を実用化する必要があり、その開発競争が激化
している。スピン注入磁化反転は、スピン偏極電流が作るスピン注入トルクが磁性体の磁化に回転
力を与え、磁化反転（記録層の磁石の向きの反転、つまり書き込み）が誘起される現象である。

　これまでスピン注入トルクの大きさを直接測定する手法がなかったため、最適な材料を開発する
手がかりがなかった。今回、スピンRAMを実際に動作させるときと同じ電圧をかけた状態における
スピン注入トルクの大きさを測定する方法を世界で初めて確立した。この評価手法の出現により、
スピンRAMの研究開発が大幅に加速化されると期待される。
（以下ソースにて）

産業技術総合研究所プレスリリース
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2007/pr20071126/pr20071126.html

Quantitative measurement of voltage dependence of spin-transfer torque in MgO-based magnetic tunnel junctions
Nature Physics
Published online: 25 November 2007 | doi:10.1038/nphys784
http://www.nature.com/nphys/journal/vaop/ncurrent/abs/nphys784.html

日本語でおK

これがラセンの力か！

サムスンのPRAM死亡確定

>>4
国営産業スパイが頑張ってるから韓国製が大勝ちするだろ。
常識的に考えて。

これ確立するとなんか良いことあんの？

理論上では、既に俺が完成させた。
さて、どこに売り込もうか。

開発研究の苦労は日本人にさせて、収穫は朝鮮人が分捕る

どうせ、明日かあたりに、有りもしない、実現させる気もない
サムスンの提灯記事が出るんじゃない？
スピン注入磁化反転を実用化、スピンRAM販売予定とかなんとか･･
サムスンの広報部に期待

>>6
瞬間的に起動するパソコンができる

なんかすごく意味不明

すんげーイライラした

MRAMは、超高速な読み取り、書き込みに対応できる不揮発性RAM
コスト、容量の問題から、当分数百G〜TBレベルまでいってる
ハードディスクの代わりにはならないだろうが、
OSを詰め込むぐらいはできる可能性が高い。

つまりどういうこと？

もぅくるんくるんです><

一言でいえば、速度せいぜい数十MB/sのHDDが数GB/ｓになるってことだろ。

いやぁぁトルク注入されちゃうぅぅぅ

>>12
eDRAMでは容量が少なすぎて対抗もできないからねぇ。

原子レベルの磁石ていうこと？

なに？なんか捩込むの？磁石？さっぱり
でもｗｋｔｋ

息子に「とーちゃんの時代のパソコンにはなぁハードディスクっていう円盤が乗っててだなぁ。せいぜい数百GB。
それが今じゃPBなんて当たり前だからなぁｗまいっちまうぜ」って懐かしそうに話すのだろうか

>>18
量子信者だと、これも量子技術とかいいだしそうな悪寒

もちろんスピン方向はとびとびの値しか取れない量子数なので量子技術です
そこを否定してどうする

>>21
とびとびだとHDDは困ってしまうのだが．
モーメントはきれいに回ってるぞ．
MRAMむけのMTJはHDD向けとは性格が異なるが、原理は一緒だ．
まわし方は様々だけどな．

何言ってんだこいつ

スピン量子数とかのやつかな

僕の肛門にもトルク注入されそうです。

するってーと何かい？
揮発性メモリってのがあるのかい？
データがどんどん蒸発するのか？

>>26
普通に使ってるDRAMがそうなのだが。電源を切るとデータが消える。

SRAMもそーよ

>>26
メモリーに関する用語は慣用的な部分が多くてやや混乱気味なのだが、
「不揮発性ＲＡＭ」と言う場合には、

1)名前の通りランダムアクセスである
（この点でフラッシュメモリやシリアルアクセスメモリ、
ブロック単位で読み出すディスク類は除外）
2)電源を完全に切っても記憶内容が消えない
3)書き込みと読み出しがほぼ同等の手続きと時間で出来る。
その所要時間はCPUにウェイトを入れる必要がない程度であってほしい。
（現在のEEP-ROMは書き込みに時間がかかる。他のROMは論外）

このくらいの条件は満たしてて欲しい、という事になっている。

>>27-29

なるほどサンキュー