【技術/半導体】リング状磁気トンネル接合を使った新型MRAMを開発 中国の研究チーム

　中国科技院（CAS：Chinese Academy of Sciences）は、物理研究所（Institute of Physics）の
Han Xiufeng教授が率いる研究チームが、新型MRAM（Magnetic RAM）の開発に成功したと発表した。

　既存のMRAMは、2つの直交した電極にパルス電流を流し、これらの電流によって発生する
合成磁界を利用して、強磁性素子の磁化を反転させて情報を書き込んでいた。読み出しは、
TMR（Tunneling Magneto Resistance）比を利用する。中国科技院の発表によると、開発した
新型MRAMは、「1」もしくは「0」の情報の格納にナノスケールのリング状磁気トンネル接合
（NR-MTJ：Nanometer-scale Ring-shaped Magnatic Tunnel Junction）を使う。
1960年代に開発が進められていた磁気コア・メモリーをナノスケールで実現したものだという。
使用するメモリー・リングの内径と外径は、それぞれ50nmと100nmである。メモリー・セルに
情報を書き込む際は、正と負のパルス電流を使って、磁気モーメントを回転させることで行う。

　Xiufeng教授の研究チームによると、新型MRAMの原理や構造を採用すれば、既存のMRAM開発で
直面している2つの課題を解決できると主張する。すなわち、消費電力を削減できることと、
メモリー・セルの小型化を実現できることだ。メモリー・セルへの書き込みに必要な電流は
500μ〜650μA、読み出しは10μ〜20μAと小さい。今後さらに開発を進めれば、書き込み時の
電流は100μ〜200μAに削減できるという。

　ただし今回の発表では、新型MRAMの製造工程や、開発したMRAMが単一セルだけなのか
複数セルを作り込んだアレイ品なのか、アレイ品だとした場合のメモリー容量などについては
言及していない。今回の研究開発は、国家重点基礎研究発展プログラム（Chinese National Basic
Research Program、973プログラム）や、中国国家自然科学基金委員会（National Natural Science
Foundation of China）、中国科技院の知識イノベーション・プログラム（Knowledge Innovation Program）
などの支援を受けながら、2002年4月〜2006年9月にかけて行われた。
(Peter Clarke: EE Times Europe)

ソース：
http://www.eetimes.jp/contents/200703/15443_1_20070312200550.cfm

ニュースリリース (The Chinese Academy of Sciences)：
http://english.cas.cn/Eng2003/news/detailnewsb.asp?infoNo=26435

関連スレ：
【技術/半導体】米ＩＢＭが新型半導体、フラッシュの代替に
http://news21.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1165888282/

【ナノテク】1平方センチ当たり1000億ビットの分子メモリを開発
http://news21.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1169989045/

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またバブルメモリーか

スキッドみたいなふいんき？

緊迫感を増す韓国経済、異常なまでの先物取引実績、ワロス曲線その後、12兆円の短期外債の借り換え・・・

東亜経済イナゴスレ
http://tmp6.2ch.net/test/read.cgi/asia/1173291356/

もうずっと人大杉　対応
http://oo.2ch2.net/?q=http%3A%2F%2Ftmp6.2ch.net%2Ftest%2Fread.cgi%2Fasia%2F1173291356%2F

量産できなきゃ意味なし、過去の遺物。
実験室で数十個程度ではまったく使えないのね。
超高密度を安価でできるという条件がなければ未来真っ暗。
最低でも１キロビットのメモリを試作したとかなら注目に値するだろうけど
それでも投資家は疑問視するよ。
中華は自前の資金で作れば良し、なので資金集めの発表など不要だよな。

>>5
集積した、って言ってないって事は高い確率で少数セル。

本物に限りなく近い人工毛髪を開発しました、
これを使えば地毛と見分けが付かないカツラが作れます。
ただし出来たのは一本だけで量産方法は判りません。
みたいなレベルだと思うよ。

＞1960年代に開発が進められていた磁気コア・メモリーを

あれ？実用化されてたはずだが。

ttp://www.nec.co.jp/press/ja/0606/0603.html
読出し/書込み　200メガバイト/秒
200メガバイト/秒
200メガバイト/秒
200メガバイト/秒
200メガバイト/秒
Σ(||ﾟДﾟ)
ＭＲＡＭすげー

その昔、富士通のバブルメモリというのがあったがそれと違うのかな。

米ロ海底トンネル
http://news.ameba.jp/2007/04/4444.php

なに？中国人がＦＭｰ８作った？

てｓ