【技術】1セルあたり4bitのNANDフラッシュ技術「x4テクノロジ」――従来比2倍の容量、30%以上コスト削減
1 :
pureφ ★:
2 :
名無しのひみつ:2006/05/24(水) 13:48:56 ID:Gh/4xVo8
3 :
名無しのひみつ:2006/05/24(水) 14:13:54 ID:82tPwR+9
2ば〜い、2ば〜い
4 :
名無しのひみつ:2006/05/24(水) 14:25:31 ID:R0Dr3eTT
>>2-4までがNANDフラッシュを理解していない件
5 :
名無しのひみつ:2006/05/24(水) 15:02:33 ID:zi0E7Agm
AND掛けるNOTが光るとNANDフラッシュ
6 :
名無しのひみつ:2006/05/24(水) 17:16:10 ID:PcMisWAU
納戸フラッシュ!
7 :
名無しのひみつ:2006/05/24(水) 21:07:29 ID:kKmdwlW+
なんどいうことでしょう
9 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 00:15:42 ID:bR63A45f
>>8 おいおいよく考えろ。
計算しやすくするために1ドル=100円で計算すると
90GBで400万円ってことは10GBで約45万円。
つまり1GBで4万5千円になるわけだ。
買えるかんなもんー!ヽ(`Д´)ノ
11 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 08:49:24 ID:x1LlzBd3
4GBありゃXPのインストールは簡単だと思うが。
他のもの入れられるかはともかく。
12 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 09:08:11 ID:l/60DZGW
NAND素子だけあれば、どんな論理回路にも展開できるんだろ。
きっと大統一理論もNANDそのものの特徴の素粒子だけで構成される世界で、
あとは、
>>100に任せる。
13 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 09:30:30 ID:tUbNQfHG
いつ韓国にぱくられるの?
14 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 09:46:25 ID:LKft27y0
・読み込み速度
・書き込み速度
・書き込み回数制限
HDDと比較するとどうなん?
15 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 10:41:01 ID:aK9QsVaX
書き換え回数だったかな、難があると別の板で読んだ気が。
16 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 11:31:16 ID:bKGMFSNb
戦車の車載コンピュータにぴったり
17 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 12:47:16 ID:YqrFqSfh
サムスンが取り込んで大量生産してくれ
18 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 14:08:38 ID:EsIX7Aoh
19 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 14:45:18 ID:W7KvtFyd
20 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 14:59:37 ID:SLrs5Q7h
YONDA
HONDA
TONDA
21 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 15:18:59 ID:b+zw8wPS
飛んだ!お母さん!
22 :
名無しのひみつ:2006/05/26(金) 16:05:53 ID:wx/L6MmA
ナンマイダー
↑昔ソラミミアワーで聞いた
ところで、今回開発された物は、速度的にはどうなんでしょう。
以前どこかで1セル2bit物の記事を読んだ記憶があるんですが、それには
「1セル1bitより容量面で有利だが、動作速度は劣る」と書かれていました。
数年前の話なので、改善されてはいるんでしょうけど…。
25 :
名無しのひみつ:2006/06/14(水) 18:51:28 ID:5T1fMWtY
>>23 1GB単価31ドルだから最安値に近いね
一般の単価最安値をなぞってくれるのであれば
1年後には半額になる可能性もあり
フラッシュストレージは期待できる
26 :
名無しのひみつ:2006/06/14(水) 20:26:33 ID:XQIgvOxU
>>23 ウヒョ
これ既存の2.5inchと置き換え可能なんだな。メリットは騒音がないことと壊れないことか。
27 :
名無しのひみつ:2006/06/15(木) 00:55:37 ID:KVR+rVNB
>19
任天堂ゲームキューブのメモリを作っている会社だな。
28 :
なおこ:2006/06/15(木) 07:37:35 ID:t/GqHksH
大気中に存在するナノ電子がかゆくてカキコしました。その名もナノバカ。 幻聴ともとても深い密接をもたらしてくる。 来年あたりナノバカ駆除アイテムがでたらいいな。。
29 :
名無しのひみつ:2006/06/15(木) 09:32:15 ID:hTt7uMN4
∧,,_∧
1セルあたり2bitのMLC製品の<ヽ`∀´> ウェーハハハハハ!
30 :
名無しのひみつ:2006/06/15(木) 12:10:34 ID:cD6wJB3U
ムーアの法則キタ━━━━━━(゚∀゚)━━━━━━
31 :
名無しのひみつ:2006/06/17(土) 23:03:53 ID:jNwj99lT
32 :
名無しのひみつ:2006/06/17(土) 23:20:28 ID:ynUrr5qs
無知な私には凄いのかそうでないのかさえも判らん
33 :
名無しのひみつ:2006/06/18(日) 05:27:07 ID:PGuYNO+8
すごいのれす
34 :
名無しのひみつ:
韓国情報:Samsung,60nm世代プロセスを適用した2Gビットのフュージョン・メモリーを開発
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20060630/118741/ 韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.は,60nm世代のプロセス技術を適用した2Gビットのフュージョン・メモリー「OneNAND」を開発した。70nm世代のプロセス技術を適用した1Gビット品に続くものである。
今回開発されたOneNANDは,一度に4Kバイトの単位でデータ処理が可能となり,書き込み速度が従来品の9.3Mバイト/秒から17Mバイト/秒へと,約2倍に向上した。
数個のチップを積層することで大容量製品の実現が可能なだけでなく,各チップが独立に動作できる機能を備えている。
そのため,積層チップ数が増加すれば一度に処理できるデータ量も増加する。例えば,8個のチップを積層した場合は,最大136Mバイト/秒まで書き込み速度が向上できる。
これにより,OneNANDはこれまで市場を拡大してきたモバイル製品などから,さらに新規市場への容易な創出が期待される。
2006年5月に開催された「Windows Hardware Engineering Conference(WinHED)」では,業界で初めてハイブリッドHDDの試作品が公開展示されたが,それに最適なバッファ・メモリーとしてOneNANDを採用し,注目されていた。