【技術】消費電力が10分の1以下の新トランジスタを開発=沖電気工業(特性図あり)

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1エンジン全壊 ◆BrEAKNeQmw @[´Д`] φ ★:2005/10/08(土) 20:59:11 ID:??? BE:86328926-##
沖電気工業は10月7日、消費電力を従来の10分の1以下にできる新型トランジスタを開発したと
発表した。
待機時消費電流(オフリーク電流)を動作速度を低下させずに低減することに成功したもので、
携帯機器の低消費電力化につながるとしている。

同社は絶縁膜上にCMOSを形成するSOI-CMOS技術のうち、ボディに電荷が存在しない
「完全空乏型SOI」の研究に力を入れてきた。

新技術では、完全空乏型SOIである「ノンドープボディ・ノンオーバーラップ型SOI」構造を使った
トランジスタを世界に先駆けて開発。
リーク電流を10分の1以下に低減できた上、寄生容量の低減により動作時速度性能の向上とも両立できた。

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ttp://ca.c.yimg.jp/news/20051007195642/img.news.yahoo.co.jp/images/20051007/zdn_n/20051007-00000072-zdn_n-sci-thum-000.jpg

従来型SOIと新型SOIのIDVG特性比較図(ゲート長140nm NMOSトランジスタ) 画像:ITmedia
※URLが切れてたらコピペで対応してください。
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完成度を高めて携帯機器向けLSIなどに適用していくほか、コインバッテリーや太陽電池などで
常時動作するセンサーなどの開発につなげるとしている。

ソース:
消費電力10分の1以下、沖が新トランジスタを開発 - Yahoo!ニュース(ITmediaニュース)
ttp://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20051007-00000072-zdn_n-sci
2名無しのひみつ:2005/10/08(土) 21:00:48 ID:aSRysLV7
イイヨイイヨー
3名無しのひみつ:2005/10/08(土) 21:01:26 ID:3q9qNJkj
すごい技術だが、おれに理解できないようでは意味がない
4名無しのひみつ:2005/10/08(土) 21:01:34 ID:mMlMOq+T
フェムトアンペアは計るの大変で2
5名無しのひみつ:2005/10/08(土) 21:05:01 ID:0BTi+RCf
|ハ´)
|∀´>
6名無しのひみつ:2005/10/08(土) 21:06:43 ID:C1z46T8H
分かりやすく説明してくれ
7名無しのひみつ:2005/10/08(土) 21:12:52 ID:mMlMOq+T
>>6
夜でも安心横漏れガードをつけた
8名無しのひみつ:2005/10/08(土) 21:14:43 ID:ExeyWVSX
消費電力が抑えられれば電池の容量を減らす事ができるだろ
すると物の小型軽量化が可能なわけ
特に携帯電話なんかは近い将来に太陽電池搭載なんて事もありえるね
LCDももっと省電力化できるだろうからノートPCなんかにもすごく有利だ
9名無しのひみつ:2005/10/08(土) 21:24:39 ID:qUeR6w6W
CMOS素子は理論的には動作させない時の消費電力はゼロなのです。
現実はリークという問題があるので、少なくする技術がコレだって。
10名無しのひみつ:2005/10/08(土) 21:39:12 ID:VeXX6TPr
Pentium4を20GHzでファンレス動作できる?
11J('A& ◆XayDDWbew2 :2005/10/08(土) 21:53:04 ID:bxEcJfpf BE:109300043-##
半導体で20GHzって
12名無しのひみつ:2005/10/08(土) 21:58:43 ID:V96OV+/e
これはすごいことかもしんねぇ
13名無しのひみつ:2005/10/08(土) 22:00:11 ID:ExeyWVSX
原子力のCPUでも買え
14名無しのひみつ:2005/10/08(土) 22:00:59 ID:aRBb+3H5
株上げじゃねーの?
15名無しのひみつ :2005/10/08(土) 22:17:21 ID:oEV+RVz6
スゲー!!!

スゲーけどどースゲーのかは分からない・・・・OTL
16名無しのひみつ:2005/10/08(土) 22:22:57 ID:N2x3pn3r

政府の仕組みも見習って欲しいものだ。

リーク電流 −−> カラ出張、公金横領などのムダな歳出。

寄生容量  −−> 自治体に寄生する企業。
17名無しのひみつ:2005/10/08(土) 22:57:28 ID:V1JJ/3QI
沖???

なに
そんなんが?????

 
18名無しのひみつ:2005/10/08(土) 23:03:21 ID:Dzqs6JZ1
地味な研究も、やってるところではやってるんだな。
19名無しのひみつ:2005/10/08(土) 23:06:33 ID:ohuTilcD
高尾で作るのか?
中央線と京王線の電車の振動でマスクずれ激しそう。
歩留まり大丈夫かね。
20名無しのひみつ:2005/10/08(土) 23:22:27 ID:L7x6iOtT
小さい先の見える目標があったほうが成功するって事だろうな
ぜんぜん小さくないけど。
21名無しのひみつ:2005/10/08(土) 23:50:26 ID:JeOM883z
トランジスタラジオを大量に作って北朝鮮にバラ撒け!
22名無しのひみつ:2005/10/08(土) 23:55:36 ID:bbRTs73d
すげー
23名無しのひみつ:2005/10/09(日) 00:38:44 ID:jYhABoPi
>>21 ぜんまい式ラジオ?
24名無しのひみつ:2005/10/09(日) 02:01:43 ID:CuZS+ZeI
自家発電するときに手首につけた発電機から携帯機器に充電。
自家発電は自家発電をし、今まで無意味のことが役に立つ。
で、長時間運用のためにまた自家発電をする。このループ、
断ち切れるか・・・。アヘアへ。
25名無しのひみつ:2005/10/09(日) 02:05:40 ID:KJSV/3lm
>>21
チョソ?
26名無しのひみつ:2005/10/09(日) 02:32:56 ID:SWF7f5xV
>>25
北の拉致被害者へ向けた放送を日本もしてるよ。
27名無しのひみつ:2005/10/09(日) 02:36:17 ID:CGmVo9FX
なんでこんな日に発表するの?株が上がらないだろ?こっちは困ってるんだから!
28名無しのひみつ:2005/10/09(日) 07:49:45 ID:55teSnM8
このFD-SOI、昔から沖が開発していたはずだが.....
いまさらながら発表するということは、
製造バラツキを抑えることが出来るようになったということなのだろうか?

FD-SOI はトランジスタの特性自体は非常に良いが、
製造時に生じる Si層の厚さのバラツキに非常に弱くて量産が非常に難しい。

何百万個という需要には応えられないからPentium 4のようなものには採用出来ず、
かといって、1個あたりのコストが高くつくのでニッチなモバイル機器にも採用しずらい、
というデメリットがあって、いままで日の目をみなかったのだが。
29名無しのひみつ:2005/10/09(日) 08:30:52 ID:XwnJ7mm4
正確には待機時消費電流(オフリーク電流)の低減
動作電流とはほとんど関係無し。
30名無しのひみつ:2005/10/17(月) 11:38:29 ID:suaY633w
横型FETをやめて縦型FETを使えばいいのにな。
31名無しのひみつ:2005/10/17(月) 20:38:15 ID:tdQACdTM
>28
SOI はシリコン・オン・インシュレーターですよね。
FD- ていうのは、何ですか? 門外漢でごめんなさい。
32名無しのひみつ:2005/10/17(月) 20:48:20 ID:Zq/54MgA
動作電流が減らないとおいしくないんじゃない?
33名無しのひみつ:2005/10/17(月) 21:15:16 ID:wIB6gXyA
ソース消えてるし。

バックゲートの電圧制御で既に可能だったのでは?

容量小さくして、動作時の電力減らせよ。
CPU使えないなら、オフ時は電源のスイッチで切れ。
34 ◆KzI.AmWAVE