産総研、化合物半導体で３Ｄ構造のＣＭＯＳ回路を開発−電源電圧０．３７ボルト動作
1 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：
産総研、化合物半導体で３Ｄ構造のＣＭＯＳ回路を開発−電源電圧０．３７ボルト動作
掲載日 2014年06月10日
産業技術総合研究所は、化合物半導体で作った新型の３次元積層の相補型金属酸化膜
半導体（ＣＭＯＳ）回路を開発した。インジウムガリウムヒ素製のｎ型半導体とシリコンゲルマニウム製の
ｐ型半導体で構成している。従来のＬＳＩに使われているシリコンより低電圧で多くの電流を流せるため、
ＬＳＩの低消費電力化につながる。
http://www.nikkan.co.jp/news/images/nkx20140610eaai.png
続きはソースで
産総研、化合物半導体で３Ｄ構造のＣＭＯＳ回路を開発−電源電圧０．３７ボルト動作:日刊工業新聞
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720140610eaai.html
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2 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：2014/06/10(火) 06:34:38.42 ID:XCp0OS8O0
すげえなこれ
3 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：2014/06/10(火) 06:41:17.69 ID:2khKL1v20
なるほどわからん
4 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：2014/06/10(火) 07:33:40.34 ID:8+KzojgO0
5 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：2014/06/10(火) 07:40:48.44 ID:tGIofbwC0
すごいなすごくすごいわ
6 ：金太丸の助：2014/06/10(火) 07:44:33.01 ID:0XAt5cif0
産総研って税金の無駄遣い機関みたいな印象だけどたまには仕事するんだな
7 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：2014/06/10(火) 07:47:06.59 ID:3a5K9G2S0
この程度の事もわからない中卒朝鮮左翼が偉そうに日本を批判しているのが２ちゃんねる。
8 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：2014/06/10(火) 07:59:01.95 ID:WAZRWKKA0
え、すごいじゃん
9 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：2014/06/10(火) 08:12:56.58 ID:anzyW93c0
>>6
1から研究開発して成果出すのに10数年かかるものだと思うんだよね
1から研究開発して成果出すのに10数年かかるものだと思うんだよね
10 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：2014/06/10(火) 08:43:07.40 ID:3a5K9G2S0
スレの伸びなさが朝鮮左翼の頭の悪さがにじみ出てるな。
11 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：2014/06/10(火) 08:48:52.56 ID:m1UPBdvJ0
ルーズヴェルト・ゲームでCMOSセンサー開発会社ってことでライバルのCMOSセンサー会社と戦うってストーリーだけど
出回ってるCMOSセンサーってほぼソニー製品なんだっけｗ
だから多分これがソニーに技術提携されてスマホとかに組み込まれて数年後に
アップルの発表会で「カメラ撮影中でもバッテリー減りません（ﾄﾞﾔｧ」ってやるんだろうな
出回ってるCMOSセンサーってほぼソニー製品なんだっけｗ
だから多分これがソニーに技術提携されてスマホとかに組み込まれて数年後に
アップルの発表会で「カメラ撮影中でもバッテリー減りません（ﾄﾞﾔｧ」ってやるんだろうな
12 ：番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です：2014/06/10(火) 12:09:03.68 ID:LWbF9fPS0
素晴らしい
しかしリソ〜ドライ工程の歩留まりとか課題はたくさんありそうね
しかしリソ〜ドライ工程の歩留まりとか課題はたくさんありそうね
ぱっと見て何が凄いのか分からなかったが
不純物の注入で作ったんじゃなくて酸化膜（SiO2?）の上に
CVD法か何かでSiGeやInGaAsを積層したのか
よく使えるレベルで結晶化したな
不純物の注入で作ったんじゃなくて酸化膜（SiO2?）の上に
CVD法か何かでSiGeやInGaAsを積層したのか
よく使えるレベルで結晶化したな