東工大など、DRAMが搭載された300mmウェハを厚さ4μmに薄化することに成功

東工大など、DRAMが搭載された300mmウェハを厚さ4μmに薄化することに成功
　 [2014/06/05]

東京工業大学(東工大)は6月2日、DRAMが搭載された300mmシリコンウェハの厚さを4μmまで
超薄化する技術を開発したと発表した。

同成果は、同大 異種機能集積研究センターの大場隆之特任教授らによるもの。ディスコ、富士通研究所、
PEZY Computing、WOWアライアンスと共同で行われた。詳細は、6月10〜13日にハワイにて開催される
国際電子デバイス会議「VLSIシンポジウム2014」で発表される。

研究グループは、ウェハを薄化してから積層し、TSVで直接上下チップを接続配線するバンプレスTSV配線を
開発している。同方法を用いれば、バンプが不要になり、薄化プロセスの限界までウェハを薄くすることができる。
FRAMやMPUでは、これまでに7μmの薄化に成功していた。

今回、バンプを用いないWOW(Wafer-on-Wafer)積層技術を利用して、2G DRAMが形成された厚さ775μmの
300mmウェハを約1/200の厚さ4μmまで薄くすることに成功した。薄化前と薄化した後のリフレッシュ時間の
累積故障率が変わらないことを確認し、薄化による新たな原子欠陥が生じないことを実証している。
さらに、この薄化プロセスを用いれば、上下積層チップの配線長が従来の1/10以下になり、
配線抵抗と配線容量が大幅に低減される。今後、小型でテラビット級の大規模メモリへの応用が
期待されるとコメントしている。

4μmまで薄化した300mmDRAMウェハ。このような薄いウェハになると可視光が透過する
http://news.mynavi.jp/news/2014/06/05/369/images/001l.jpg

http://news.mynavi.jp/news/2014/06/05/369/

<ヽ｀∀´>　ウェーハッハッハッ

実用化してから言え

μmとか言われてもわかんねえよ何mmなんだよ

うすい

シリコンウェハゲ

こんなに薄いとチャックにバキュームで吸着しただけで割れそうだな

>>4
黄砂ぐらいらしい
参考になればいいが

> 黄砂は1μ〜30μm位、4μmくらいが最も多いらしい

すぐぶっこわれそう

薄くなるとなんかいいことあるの？

どうなるの

300mmウェハを約1/200の厚さ4μmまで


おいおい計算できないかよ

>>10
上下積層チップの配線長が従来の1/10以下になり、配線抵抗と配線容量が大幅に低減される。

チップ間の配線は邪魔でしかないからな

>>10
積層しやすくなる
つまり積層のための技術

完全に実用化したらスマホが長持ちするね

どうやって薄くしてるのか

>>15
落としたら割れそうだけどな

薄くなる＝軽くなる

でおけ？

たわむな

　　　　　　　　　　　|
　　　　　　　　　 　 |　　彡⌒ミ
　　　　　　　　　　　＼ (´･ω･`)　　　薄くなるの
　　　　　　　　　　　　　(|　　　|)::::　　　喜んでるの？
　　　　　　　　　　　　 　(γ　/:::::::
　　　　　　　　　　　　　　 し ＼:::
　　　　　　　　　　　　　　　　　 ＼

こういう技術で実用化されたの聞いたこと無いんだが意味あんの？

>>3
>>21
延長線上の半導体技術は相当程度実用化されるわ

光なんたらとかのキワモノは無理

>>12
可愛そうだからマジレスしてやるが300mmはウェハーの直径のほうなんだ
もうすぐ450mmウェハーも誕生する

>>18
重ねて使うから
回路の集積度

いいね

>>21
例えば？
この手のは結構実用化されてるぞ？

大容量で広帯域の省スペース！

メモリ買ってチャリンコのかごに入れて持ち帰ったら家についた時割れてそう