FETアンプ自作スレッド

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87名無しさん@お腹いっぱい。
上条氏のサイトで、面白い回路が提案されてるね。
トランスリニアバイアスか・・・。
早速試してみるつもり。
88名無しさん@お腹いっぱい。:2006/11/16(木) 08:59:15 ID:XlwnOkC4
ttp://www.ne.jp/asahi/evo/amp/TLB/memo0.htm
トランスリニアバイパスだけど、パワーアンプの一例での話ですが、

Q19の温度が上昇
Q19のコレクタ電流増加=Q21のコレクタ電流増加
Q21とQ15のカレントミラーでQ15のコレクタ電流増加=Q11のコレクタ電流増加
Q11とQ9のカレントミラーでQ9のコレクタ電流増加=Q13のコレクタ電流増加

これでQ13のコレクタ電位が下がる??=Q17のベース電位が下がる

Q17のコレクタ電流減少
Q19のベース電位下がる
Q19のコレクタ電流減少

ってことでNFBがかかっている、
という解釈でOKですか?


89名無しさん@お腹いっぱい。:2006/11/16(木) 23:12:02 ID:RlWCYR0U
だと思う。

ラジオ技術で記事にもなって一部のマニアの間ではかなりホットな話題だと思う。
ラジオ時術の方の図2って私にはちょっとどうトランスリニアになってるか理解
出来ないのですが解ります?
90名無しさん@お腹いっぱい。:2006/11/16(木) 23:16:40 ID:RlWCYR0U
オマケだけど、色々と同TrでのVbeの偏差、とか品種違いのTrによる差
等を考えてアンバランス増大の条件を考えてもみたんだけど、余程の
差がない限り上手くバランスする様ですね。
熱結合がいったい何だったのかと思えるくらい画期的だね。
91名無しさん@お腹いっぱい。:2006/11/20(月) 00:08:11 ID:etlvDPr7
しかし
トランジスタ8個も追加せにゃ
ならんとですか?
92名無しさん@お腹いっぱい。:2006/11/20(月) 00:15:28 ID:h11PAfPa
実装方法を考えると別に大した手間ではないよ。
それ以上に得られる効果が大きい。
解るでしょ?
93名無しさん@お腹いっぱい。:2006/11/20(月) 14:26:43 ID:XZCosVOr
そこまでするなら、サンケンの温度補償Di内蔵か日立のS−MOSでいいやと考える軟弱なオレ…
94名無しさん@お腹いっぱい。:2006/11/20(月) 19:23:00 ID:4KmkjPHc
日立のS−MOSも今は昔、とりたてて求めることもない。
95名無しさん@お腹いっぱい。:2006/11/20(月) 22:36:30 ID:1SqbAsOV
DCドリフトの改善も期待してよか
ですか?
96名無しさん@お腹いっぱい。:2006/11/20(月) 23:20:36 ID:h11PAfPa
>>93
工作の手間がこの回路のメリットを越えてしまうと思うのであれば無理に採用する必要も
無いんじゃないかな?
A級大好きの私にとっては渡りに船だったというわけです。