【技術】10nmプロセスで半導体製造を実現する技術を開発、集積度100倍に

米プリンストン大学は、Stephen Chou氏の率いる研究チームが、10nmプロセスでの半導体
製造を実現する新技術開発に成功したことを明らかにした。科学雑誌「Nature」の6月20日
号(英語版)に、研究内容が詳しく発表されている。
(中略)
同氏は、外科手術にも使用されているエキシマレーザーのパルスによってシリコンの表面
にダイレクトに回路パターンを形成するプロセスを発案した。シリコンの表面に、回路パターン
が刻まれた透明な水晶のモールド(型)を当て、その上から200億分の1秒というナノ秒スケー
ルでレーザーパルスを当て、モールドに接したシリコンが瞬間的に溶けて固まる効果を使って
回路パターンを刻んでいく新手法は、同氏によって「Laser-Assisted Direct Imprint(LADI)」
と命名され、特許申請の手続きが取られている。

一般的に用いられているエッチングおよび露光プロセスでは、シリコンチップ1個の製造に
10-20分を要しているが、LADIプロセスでは、その製造時間が25万分の1秒にまで短縮
される。また、10nmプロセスの半導体製造技術によって、シリコンチップ上のトランジスタ
集積数を、現在の100倍に増加することが可能となる。

Natureでは、米スタンフォード大学のFabian Pease氏のコメントも紹介されており、同氏は、
これまで30年にわたって維持されてきた半導体の集積密度の増加速度が、今回の研究
発表によって、今後も維持されていく可能性が高まったとの見解を述べている。一時は
ムーアの法則に限界説も唱えられ、シリコンとは別の物質を半導体として用いることなども
研究されているが、LADIによる10nmプロセスで、さらなるシリコンチップの高性能化に弾み
が付きそうだ。
(以上、2002年6月21日のMYCOM PC WEBより一部引用―全文は引用元を参照)

引用元: http://pcweb.mycom.co.jp/news/2002/06/20/15.html

ムーアの法則はまだしばらく継続するのか、、、。

２

22

３

世界中の指導者が池田先生の指導を待っている

よっしゃあ！！！
これはすごいのか？

*･゜ﾟ･*:.｡..｡・゜・(ノД`)・゜・｡. .｡.:*･゜ﾟ･*

ちなみにムーアの法則とは

「半導体の性能と集積は、18ヶ月ごとに2倍になる」

んだそうです。

ω

現状で100倍ということは・・・・・1000倍以上は確実だな。

がいしゅつ

製品化はいつだ？

光プレスだと思えばいいのかな？
３次元回路への拡張はどうなのだろう
これだと１０層を越えるプロセスは難しそうな気がするが
…いやいやシロウトのたわごとＤｏｓ
ははは

型を密着させて、Siを蒸発させて書き込むって事は、蒸発させるぐらいの
強度なので型が変質するかもしくは、型にSiが蒸着してすぐに寿命が来る
と思うけど。

素人考えでスマソ

半導体のシリコンと、豊乳手術などで使うシリコンはどう違うの？

素人考えでスマソ

実用化では日本の出番じゃな。
日本が介入しなければ絵に描いた餅！

しってた

ZDNet Japanの記事:
「ムーアの法則」を20年延命させる新技術
http://www.zdnet.co.jp/news/0206/20/xert_chip.html

プリンストン大のリリース(英語):
http://www.princeton.edu/pr/news/02/q2/0619-ladi.htm

ほんとに20年延命なら、ノーベル賞ものかもしれん。

エッチングプロセスは終わりかな

＞ムーアの法則はまだしばらく継続する

あ〜あ、今年２５万円で買った最新型も来年には９万円・・・・・。
マジで倍々ゲームだね。

＞製造時間が25万分の1秒にまで短縮
　　事実上は不可能ですが・・・・
　　一日あたりの生産量２５万倍

＞シリコンチップ上のトランジスタ集積数を、現在の100倍に増加する
こっちは自信ないですが・・・
既存の半導体とトランジスタ集積率が同じなら、同一の面積のウエハースから
いまの１００倍、半導体が作れるってことですよね・・・

これなら、価格が飛躍的に低下していいのでは・・・・
でも、みんな高性能求めるので価格はかわらんか・・・・・

でもこの技術でチップ作られるのはまだ先なんだよな？

訂正
10〜20×６０×25万分の1秒ってことですね
もっとすごい

＞＞２２
また訂正
10〜20×６０×25万分＝

もっとすごい

凄すぎてわかりません。
わかり易くたとえてみてください。

ちっともわからんdeth

10nmと言われると飛行機ヲタな漏れは
10ノーチカルマイル（海里）＝18.52kmを連想してしまいますた。
言われる前に逝ってきますのでツッコミ無用で

なんだ？
１００倍早いパソが出来るって事か？

わかりやすい例え

大阪人１００人

　　半　導　体　必　死　だ　な

テラヘルツCPUが可能って事か？

どうやって冷却すんの？

>>31
プロセスの微細化≒高速化だからね。それも可能かもしれん。

>>32
プロセスの微細化
　　　　↓
少ないエネルギーで動く
　　　　↓
出る熱も少なくなる
　　　　↓
　　　(ﾟдﾟ)ｳﾏｰ

この技術を使えば、Pentium4-200GHzなんてのも可能なのれすか？

製造が２５万倍早くできるってのは、
工場での生産能力が２５万倍になるって事かな？

つまり更なるリストラですね

で、結局なによ？

理論上そうなるってことだな
実際に作るとなるといろいろな問題が出て来そう
一つ例をあげれば「ゴミ」の問題、いまでもかなり問題なのに
これ以上集積度があがると今のクリーン度では作るのは困難を極める。

りーく

>>30
w

プリンストンと聞けば
いんちきプリンストン債事件を連想して信用しにくい
http://www.mainichi.co.jp/eye/shasetsu/199911/30-2.html

早く実用化してくれ〜！
夢のような技術だな。

漢ならハンダ

1ユニットで8プロセッサとか1次キャッシュ128MBとかできそう。
でもメーカは小出しにするんだろうな(ｗ

そんなモン買ったら、しばらくは買い替えなくてもよさそう。

微細パターンができたからといって、
それだけで高集積化できるわけではない。
とマジレスしてみるペスト。

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昔プリンストン大学日本校ってあったね
でも本校の方はなにげに名門なのね

細く、小さく加工できるだけで良いんだったら、こんな楽な話はない。
エッチングを例にすれば、パーティクルや金属汚染やチャージアップ
ダメージやスループット、ウェハ面内均一性やロット内再現性、
CoC（消耗品コスト）やMTBC（装置洗浄サイクル）、等々、
数限りないスペックを全部満足しなければ、量産など出来ない。
学者先生のの打ち上げ花火は華やかだけど、実現するのは
極僅か。この間の泥臭い開発と淘汰を経たものだけが採用される。
現時点ですぐ使えるかどうか分からないのに、バイアスの
かかった記事の書き方するんだね。

>>49
ウェハの洗浄ってものすごくたいへんらしいですね。
台所洗剤とかでは洗えないんだろうなぁ
どんなもので洗うんですか？

>>50
昔はフロンで洗ってました。
いまソレはまずいんで、超純水とかで洗ってるはずです。

10nmでちゃんと絶縁できるの？

モールドになる水晶の加工はどうやるんだろうか？
１０nmトランジスタができても、リークが大きすぎて動作しない気がする。

10nmレベルの等倍マスクを創るのが困難なだけで、
マスクの量産が可能ならＸ線の方が遙かに有望だとおもうが。

>>51
一般書店でも売ってる入門書でも読んでみてね。
もちろん純水もつかってますが、
「洗浄」にも色々種類があるんですよ。

>>54
漏れ内部論理書いてる人なんで、不勉強を恥じる次第です。
ｺﾞﾒｿ

＞200億分の1秒というナノ秒スケールでレーザーパルスを当て、
＞モールドに接したシリコンが瞬間的に溶けて固まる効果を使って
＞回路パターンを刻んでいく新手法
　　10億分の１秒で１ナノ秒だから、200億分の１秒は50ピコ秒。
　　よって、ピコ秒スケール。
　　ﾅﾉﾃｸではなくﾋﾟｺﾃｸ。

　　エクサイマーレーザーと云へば「ラムダピジーク」がNo.1。
　　http://www.lambdaphysik.com/industrial/index.asp
　　パルスの repetition rate (繰り返し)はたかだか4kHzだから、
　　１秒間に4000発しか照射できない。
　　「25万分の1秒」ってのは正気とは思へんがね。　藁

　　しかもだ、細くしたら抵抗増へるから発熱するだらう。
　　冷却どうするだね。
　　それとも純Agでいくかね。　Auかね。
　　
Natureに出したんなら、んなバカな話ではなささうだが。
あとで読んでみますがね。

age

まんだ原文にアクセスできずｽﾏｿ。

購読期限が切れたｽﾏｿ。　明日払うがね。

"NanoStructures Laboratory"
http://www.ee.princeton.edu/~chouweb/