【技術】日立、0.4ボルトで動作するSRAM回路を開発―従来の300分の1の消費電力が可能
2 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:02 ID:Sr2AGI4Y
3 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:02 ID:SPBl67dn
すげえ!!!>>日立
4 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:02 ID:09fGO4il
5 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:02 ID:SPBl67dn
--日立は神--
6 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:02 ID:QeALNn6m
イイ!(・∀・)
7 :
トノレシエ:02/06/17 23:02 ID:ClwBRs+B
ん?
日立は技術はあるけど、商売が下手なのでたぶんダメです。
9 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:05 ID:V0sSaR4P
4.5MHzということはアクセスタイムが200ns以上のSRAMなんでしょ。
遅すぎる。
10 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:06 ID:ehrERgDl
低消費電力もいいけどDRAMに替わるくらいの
低価格大容量化の方を希望したい
しかし昔にくらべるとパソコンの電気代ふえたからなー。
期待したい。
12 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:07 ID:9fA5I1jn
となると、充電が楽になる!
13 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:08 ID:h6JzFUEN
メモリーは電気食うからな、静音化に効果ありそう!
14 :
:02/06/17 23:08 ID:e2SgXWA2
3V駆動デバイスとかやってたから、こういうのつづけてると思ってたんだよな。
15 :
名無し情報φ ★:02/06/17 23:09 ID:???
さすがインスパイ痣ネクスト
16 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:09 ID:63rj55/v
静音パソがホスイ…。
17 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:10 ID:y5g7zdSd
この木何の木気になる木
自作には使う気になれないけど、ノートにはいいかも。
19 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:11 ID:rFTf1T8c
最近、日立のニュースが多い。
元気がいいんかな。
20 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:11 ID:aqfuqfJi
日立偉いぞ。明るいニュースだ。
21 :
業界アナルスト:02/06/17 23:11 ID:V0sSaR4P
消費電力は周波数に比例して、電圧の2乗に比例します。
ですから
0.4ボルト2.4MHzの時の消費電力が1.0ボルト240MHzの300分の1というのはあたりまえのことで、
全然すごくもなんともない。
22 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:12 ID:3p4AykpE
>>9 高速SRAMとうたっていないから問題はないかと。
23 :
(@ ^ _ ^ @):02/06/17 23:13 ID:ZfvbVIkf
何かよくわからんのだが、とにかく日立よ! よくやった!
>>21 その通りですね。
だからみんながんばって動作電圧を少しでも下げようとすると。
25 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:14 ID:rFTf1T8c
明るいナショナルは真っ暗
26 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:15 ID:RrEwtaC3
日立キタ━━━━━━━━━━(゚∀゚)━━━━━━━━━━ のか?
27 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:17 ID:SyMc/CrX
それでどんな製品がどう良くなるのですか?
28 :
:02/06/17 23:19 ID:Y8WN3t7t
劃期的だ。
モバイル関係のバッテリー持ちに寄与♪
30 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:22 ID:ckB7m5OS
あんまり作動電圧が低いと、ノイズに弱くなるのだがそこらへんどうなのか。
例えばメモリの近くで電子ライター使うとメモリの内容が変わってしまうとか。
31 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:24 ID:3p4AykpE
>>30 ESD対策はPCB設計によるところが大きい
32 :
:02/06/17 23:25 ID:G+U4hzT9
韓国から産業スパイが飛び立ちました
33 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:25 ID:Amq1fClk
早速頂戴するニダ
34 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:27 ID:kk0XreEf
日立は商売下手だから、国内メーカと手を組め。
#食われても、国内の発展には変わらないから・・・
35 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:29 ID:jGzDPjai
多分このスレの
>>1を完全に理解できた人は、2%以下だろう。
36 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:29 ID:DFBVg7EX
この危難の危機になる機
37 :
:02/06/17 23:29 ID:G+U4hzT9
日立の液晶ってきれいだよね
プリウス(デスクトップPC)のCMに出てる女の子の名前何?
萌え
38 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:30 ID:kk0XreEf
>>37 液晶じゃなくて、女の子が綺麗って言いたいんか?(w
39 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:30 ID:Amq1fClk
40 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:31 ID:RLKwuvLH
常陸はね、40歳以上は栗鼠虎要員なんだよ。
41 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:32 ID:kk0XreEf
>>35 2%いたらすごいでしょ?って、他スレネタだね。。。
42 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:32 ID:wYgiLpyw
ヒターチィ
SRAMは単純に言えばちっちゃなコンデンサの集まり。
コンデンサは電圧低いと電荷が貯まらず不安定。
周波数が速すぎても電荷が貯まらず不安定。
それを技術で乗り越えたと言うこと。
最近の低電圧化傾向のCPUに載ってる2次キャッシュもどんどん
低電圧化しているので低電圧化技術は必須。
44 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:33 ID:p7Zd5ypE
消費電力は300分の1でも販売価格がその差分をはるかに上回る罠
45 :
:02/06/17 23:34 ID:G+U4hzT9
46 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:34 ID:xrcfOcPY
47 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:34 ID:ceHJJ41R
また赤字の種を植えてみました。
by 庄山
49 :
業界アナルスト:02/06/17 23:35 ID:V0sSaR4P
(1) SRAM回路の動作マージンを増加させる“アレイ微昇圧方式”:SRAM回路のうちデータの
記憶領域にアクセス回路よりも0.1Vだけ昇圧した電圧を印加することによって、
SRAMメモリセルの動作マージンを大幅に改善できることを見出しました。
この部分での消費電力はSRAM回路全体の1%程度であるため消費電力の増加は
少なく、また0.1V昇圧する回路も小型の回路で実現できます。
(2) 小さい動作マージンで動作する“高対称型メモリセル”:メモリセルの構造の対称性を
高め製造時の製造ばらつきを小さくすることによって、従来使用されていたメモリセルよりも
小さい動作マージンでも動作する高対称型メモリセルを開発しました。
(1)も(2)もどこが新しい技術なのかなー メモリの一部分を昇圧する方法は従来からも行われているし,
高対称型といっても、SRAMは対称に作るのが常識です。
50 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:35 ID:claaXrgQ
51 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:35 ID:kk0XreEf
SRAMはフリップフロップのスイッチの集合体じゃなかったっけ?
52 :
:02/06/17 23:36 ID:G+U4hzT9
53 :
え:02/06/17 23:37 ID:9/VjCmAx
このスレの発言は知識の違いが大きく出てるね。
54 :
TOM:02/06/17 23:40 ID:SShtne5i
43は間違っています
コンデンサーのチャージ、リチャージを利用するのはDRAMです
SRAMはFF(フリップフロップ)をTRで構成しているので低電力かが
難しいのです
55 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:44 ID:BOUQ8KfT
>>43 コンデンサはDRAMのトレンチ構造(キャパシタ構造)なんかはそうだけど、SRAMってインバーター回路の
組み合わせでは?。
56 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:47 ID:tesWxksn
>>55 E虎と、C虎ってあるらしいけど、C虎ってどんなんなってるの?
57 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:49 ID:vTe66lkM
サムソン電子に特許盗まれるなよ。
58 :
名無しさん@3周年:02/06/17 23:50 ID:dnyDkFit
>43が突っ込まれまくってるスレはここですか?
59 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:02 ID:/YVuciHm
今度こそ韓国に技術盗まれるなよ。
日本は技術をもっと大切にすべきだ。
>>8 「技術の日立」だからな……
>>44 電気代を節約するための技術ではないと思うが・・・・・
61 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:05 ID:Dsunt7ql
やっぱし、ほんとに知ってる人おらんかった、、、
62 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:07 ID:gN4/A0W7
もう絶対にチョソに盗まれるなよ
63 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:11 ID:XSOgJKDR
64 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:16 ID:9S2vJtfP
>54
低電力化ではなく低電圧化ね。
FFは全ゲイン帰還回路の一種なので
メタステーブルと言われる過渡不安定状態が動作速度を大きく縛ります。
メタステーブルは全帰還のかかった回路なら必然的に出る物理現象で
消す方法はありません。OPAのボルテージフォロアでも一緒です。
内部で位相補償していない場合は簡単に発振器になってしまう。
CMOS構造はバイポーラよりメタステーブルが出やすく
回路電圧を減らすに連れてメタステーブルの幅が相対的に大きくなります。
このため電圧を下げて行くとFFは不安定になります。
ロジックの1/0が定まらない過渡状態の間を回路がフラフラし続けて安定せず、
最終的には発振してしまう訳です。
素子特性を揃えてゲインや位相をできるだけ綺麗に合わせて行くと
メタステーブルが納まりやすい回路定数を決めやすくなり
低電圧でも動作するFFが作れますが動作速度はあまり望めません。
CMOS素子を綺麗に揃った特性にするのは、非常に難しいのです。
デジタルICよりは高精度の素子を使った低電圧CMOSオペアンプなども
動作速度は非常に遅く1000Hz程度のものもあるくらいですから
デジタル回路とは言え2MHzを越える0.4VのSRAMというのは
十分凄いと思いますよ
65 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:17 ID:vTdmpIP7
なお、実用化は2005年頃になる見込みだ。
その頃には日立潰れてるかも(´・ω・`)ショボン
こんなその筋の人にしかスゴさのわからないものより、ソニーのアイボみたいな
ミーハー受けする新製品、新技術をお願い>日立
67 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:27 ID:DvEzEoUQ
>>66 ミーハーも何も、まずは利益が出るかどうかだろ。
68 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:28 ID:rq/Fl0LH
メモリは技術で勝負と言ってた日本勢も漸く実がついて来たってことか。
69 :
工作員:02/06/18 00:29 ID:o20cXbmW
>>1 日立と東芝は意外と韓国キラーかもしれないから大丈夫かも。でも心配
しかし、このスレがずっと上にいるのも変だな。。。
似たようなプロジェクト、以前に政府主導でやってなかったっけ。
72 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:33 ID:5LHHVOP1
>>43 SRAMはTr4つか、6つで動作させるRAMじゃないか?
今日授業でやったぞ。
補修するように。
73 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:37 ID:ZQ09WlW3
>63
30歳・・・すてき・・・
年上ハァハァ(;´Д`)
74 :
名無しさん@3周年:02/06/18 00:58 ID:m9+KGrnE
飴工の作る最近のFPGAなんかはSRAM入りのがちょろちょろ有るけど、低電圧化は
努力の途中だろ。良いタイミングで売ったら?
75 :
名無しさん@3周年:02/06/18 01:18 ID:Dsunt7ql
>>64 >低電圧CMOSオペアンプなども動作速度は非常に遅く1000Hz程度
オペアンプの動作速度ってなんのこと?
>OPAのボルテージフォロア
負帰還
>FFは全ゲイン帰還回路
これは正帰還
>ロジックの1/0が定まらない過渡状態の間を回路がフラフラし続けて安定せず、
>最終的には発振してしまう訳です。
嘘こけ。正帰還だからどっちかに転ぶよ。
76 :
名無しさん@3周年:02/06/18 02:07 ID:WAsbrvYE
>66
>64は小難しいことを言って素人をけむに
巻こうとしている詐欺師ですね?
騙されるところでした。
77 :
:02/06/18 02:09 ID:pRpMnbWz
すでに韓国ではラインが稼動しますた。
78 :
名無しさん@3周年:02/06/18 02:12 ID:b5mWJI5+
まじで韓国に盗まれるなよー
技術流出はもうごめんだ
79 :
名無しさん@3周年:02/06/18 02:15 ID:4z49SwYP
と、いうことで、
1.日立のこのメモリ関係の技術者をリストラするのは待ってね
2.土日の行動を見張っていてね(w
!