【韓国IT】サムスンが半導体性能百倍アップ　炭素素材グラフェンを使った新技術開発と韓国メディア★2[05/19]

Samsung pushes graphene one step closer to silicon supremacy
http://www.engadget.com/2012/05/18/samsung-graphene-breakthrough/

↑の記事についてる、Chung Yang さんのコメント↓

世界中の研究者たちが、過去10年の大半の時間をかけて、
グラフェンを使ったトランジスターの開発に取り組んできました。
アメリカの国防省とエネルギー省も、この分野の研究を積極的に支援してきました。
ＩＢＭは2010年に、彼らの独自モデル（→ｸﾞﾗﾌｪﾝﾍﾞｰｽ・ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ）を発表し、
複数のアメリカの大学も、過去２年間にわたって、それぞれ独自のバージョンを
発表し続けてきました。

インテルとＴＳＭＣのｺﾏｰｼｬﾙ・ﾘｻｰﾁ・ﾗﾎﾞ（営利目的の研究を行っている研究所）では、
以前から、そのような装置で実際に作動するものを既に所有している筈です。
しかし彼らは、彼らの研究の進展状況について、普通は堅く口を閉ざしています。

今回、サムスンが行った事は、グラフェン・トランジスターの
彼ら自身のバージョンを発表した、という事です。
そして、それは、世界中に存在するたくさんの
グラフェン・トランジスター構造のバージョンのうちの１つです。
基本的に彼らが言っていることは、
「ねぇねぇ、我々も１個作ったニダよ！ウリたちのもチェックするニダ！」
ということです。

技術者と科学者にとって、これは興味深いデータではあります。
しかしそれは、興味深いデータ、という事でしかないのです。