【チャイナネット】中国初　知的所有権を持つPRAMチップの開発に成功[04/23]

http://images.china.cn/attachement/jpg/site1004/20110421/000cf1bdd0480f1a2f0708.jpg

中国はこのほど、国内初となる知的所有権を持つPRAM（相変化メモリ）チップの開発に成功し
た。これにより、同チップの生産技術が長期的に国外に独占されてきた局面が打開され、産業化
の見通しが見えてきた。同チップのメモリ容量は8メガバイト、8インチのシリコンウエハーに
１枚ずつ埋めこめられ、記憶素子の歩留まり率は99％以上に達する。人民日報が21日に伝えた。
（編集SN）


チャイナネット 2011/04/21
http://japanese.china.org.cn/culture/2011-04/21/content_22411603.htm

関連スレ
【CPU】 中国政府、完全国産クアッドコア版「ドラゴン」チップの開発に成功 [2008/09/04]
http://gimpo.2ch.net/test/read.cgi/news4plus/1220682700/

あっそ

へぇ〜

それからどした？

量産化して
世界規模である程度のシェアを確保した時点で
「何らかの権利」を言い出しそうな予感

チャイナリスク

だが誰も使わなかった

ＲＡＭの中の情報流出機能付き？

>8インチのシリコンウエハーに１枚ずつ埋めこめられ

デカイチップだなｗｗｗｗ

ビットの間違いじゃね？

途中で押しちゃいましたすいません

USBにトロイが入って立ってことがあったけど
それのメモリバージョンなのかな。

とりあえず怖いから使いません

共産党の検閲機能つき

100%自主開発かどうかは微妙だけどPRAM自体に未来はあるんだろか？
FeRAM→ICカードメモリとして市場確保
MRAM→とりあえず製品は出した、1チップマイコン用メモリ(SRAMとFlashの共通化)としては有望
PRAM→Flashの後継のつもりだが、どうだろう？

胡散臭いニュースだ。将来実用的な製品が海外で本当に作られたときに、金をせびる為に
捏造した特許と考えて間違いない。

他国がDRAMの流用で22mだ512Mbだ言ってるのに、今更こんな巨大な低容量製品を発表されても困るわ

>>13
とりあえず、PかReかの二択で各社開発中じゃね？

中国○○知的所有権を持つ××の開発に成功
中国的パクリのテンプレートな

そういや龍芯シリーズはどうなったんかね？

>>1
オイオイ、ダイオード作るんじゃないんだから、8inはないだろ。
この手のデバスなら12in以上が主流のはず。


てか、「8インチのシリコンウエハーに１枚ずつ」って・・・

作った、出来た、ってだけじゃないかこれ。

>>18
相変化を利用するってことは
８インチのDVD−Rじゃないのか？

>>13
エルピーダもPRAMを開発済みでサンプル出荷までしたけど、売れる見込みなくて２００９年末に断念している。
その一年後に、エルピーダはReRAMをシャープと共同開発することを発表している。
PRAMはコスト面で実用性に難有りというのが業界認識なので、今回の中国技術がコスト的にブレークスルーを持つものかどうかが鍵だな。

http://www.bloomberg.co.jp/apps/news?pid=jp09_newsarchive&sid=aMttOoOrCa1w
> エルピーダ：次世代メモリーＰＲＡＭの開発中止−日刊工業
> 12月17日（ブルームバーグ）：17日付の日刊工業新聞は、エルピーダメモリが16日、
> 次世代メモリーとして有力視される相変化メモリー（ＰＲＡＭ）の開発を打ち切る方針を明らかにしたと報じた。
> 128メガビット品までサンプル出荷したが、用途拡大が難しく、コストも下がらないと判断したと伝えている。
> 更新日時: 2009/12/17 08:01 JST

http://unkar.org/r/news/1286905071
> 2010/10/13(水) 02:37:51.14
> <日経>◇エルピーダとシャープ、次世代メモリー共同開発　13年メド実用
>　エルピーダメモリとシャープは新型の半導体メモリーを共同開発する。新しいメモリーは携帯情報端末などに使うＮＡＮＤ型
> フラッシュメモリーを情報処理の速さや消費電力の少なさで上回る。2013年をめどに実用化し、端末の使い勝手を大幅に
> 向上させる狙い。次世代メモリーは東芝や韓国サムスン電子なども開発している。
>　エルピーダとシャープが開発するのは抵抗変化式メモリー（ＲｅＲＡＭ）。理論上はＮＡＮＤ型フラッシュの１万倍の速さで情報を
> 書き込めるという。書き込み時の消費電力も減らせる。
>　シャープが持つ材料技術や製造方法に、エルピーダの微細加工技術を組み合わせる。独立行政法人の産業技術総合研究所、東京大学、
> 半導体製造装置メーカーも開発に参加する。
>　近く産総研の研究拠点、つくばセンター（茨城県つくば市）で試作品開発を始める。回路線幅で現在の主要メモリーに匹敵する30ナノ
> （ナノは10億分の１）メートル台の微細化技術を使う。早ければ11年中に材料や主要な製造技術にめどをつけ、13年にはサンプル品を
> 出荷して量産を始める計画だ。課題である製造コストの大幅な削減にも取り組む。
>　次世代メモリーでは、東芝が立体構造の新型フラッシュの開発を急ぐ。サムスンは事業規模の大きさを生かし、ＲｅＲＡＭのほか、
> 読み書き速度が速いＰＲＡＭ（相変化メモリー）、書き換え回数に制限がないＭＲＡＭ（磁気記録式メモリー）などを幅広く開発している。
> 半導体業界では開発競争を優位にするための合従連衡も進みそうだ。

半田のロウは、これでも良いのか？
なんか直ぐに取れそうに見えるのですが？

さて、驚愕の事実は3ヶ月後かな？