【韓国】 サムスンが従来より８倍速いモバイルＤＲＡＭを開発 [02/21]

★サムスン、従来より８倍速いモバイルＤＲＡＭ開発

【ソウル２１日聯合ニュース】サムスン電子は２１日、５０ナノ工程を適用した次世代
「ワイド１０モバイルＤＲＡＭ」を開発したと明らかにした。
データ転送速度は既存のモバイルＤＲＡＭより８倍速いという。

　同製品は１ギガビットで、データ転送速度は毎秒１２．８ギガバイト。
１秒にＤＶＤ級の映画２本、音楽ファイル３２００曲を処理できる。

　半導体事業部戦略マーケティングチームの蘇秉世（ソ・ビョンセ）専務は
「大容量、高性能のグリーンメモリー製品を持続的に開発し、
モバイル市場の成長をリードしていきたい」と述べた。


ソース　聯合ニュース　2011/02/21 16:06
http://japanese.yonhapnews.co.kr/headline/2011/02/21/0200000000AJP20110221002900882.HTML

日本のメーカーは負け続きだね！

さて、詳しい人解説頼んだ
↓

なんか似たような情報を何回も聞いてる気がする

つまり韓国人の力が日本人の力をやすやすとうち負かして完膚なきまでに叩きのめし、
足もとに這いつくばらせて泥の地面を舐めさせたわけだ。で、お前らはその事実を認めたくないと。
ま、この一件で、経済規模や人口や社会の発展度などの「時の運」要素ではなく
人間の本質、いわば「魂の力」とでもいうべき人間そのものの絶対的な価値において
偉韓神族＞＞＞＞矮倭猿族　であるという事実が完全永久に絶対証明されたね。

日本人ですが
最近のサムスンは頑張ってるニダ・・・。
認めざるを得ないが
日本企業・・・もっと企業努力せい！！

＞データ転送速度は毎秒１２．８ギガバイト。
＞１秒にＤＶＤ級の映画２本、音楽ファイル３２００曲を処理できる。

この表現は意味あるんか？

野球のボール型をしてて投げたら通常の携帯より早く飛ばせるって事

こんだけ大発明が続けば
とっくに超大国になっているはずなんだが・・

なんでi7搭載のモバイルって出ないのかな？
今のスマホって3億年前のCPUじゃん。






もうさ「スマホのCPUは速ければ速いほど良い」っていう底抜けサンがいるみたいだしｗ

まぁ俺たちのＤＲＡＭもサムスンだが

開発に成功なのは良いから早く製品化しろよw
短気なくせにおまいらはいつも遅いんだよ。

で、発売はいつだよ

２位でいいから、日本製が欲しいです＞＜

寿命は速度の二乗に比例する凄い奴

8倍早く壊れるんだろ

いつ製品になるの？

８倍熱くなるのかもｗ

>>5
たかがＤＲＡＭだろ？出入り口大きくした倉庫建てましたレベルの話じゃねえかｗｗｗ
技術的ブレークスルーは、CPUの革命だよ！

また株価対策？

開発．．

株価対策ですな

>>1
　　　Д　　　　
　　(ﾟДﾟ）　＜ ＞１秒にＤＶＤ級の映画２本、音楽ファイル３２００曲を処理できる。
　 （ 　　 ） 　　断言します。「絶対に」嘘です。DRAMってのは、何をどうヒネくっても行バッファの
　　~~~~~　　　サイズを超えるデータをバースト転送することはできません。原理的に。

開発はしました
製品化はしません

で、どの程度日本から技術供与受けたの？

いつも製品化されないよな、新開発発表するだけで。

>>22
ホントお馬鹿な数字を出したもんですよね。
株価対策もうまく出来なくなってしまったのか…

サムスンから詐術を取ったらなにが残るのかなぁ？

やったね。サムチョン

>>5

素晴らしい文章だ
で、そのDRAMの耐久性は？

またチョンの株価対策か…

ぱぱさん、解説ｐｌｚ

DVD1枚って1層最大4.7GBで、2枚だと最大9.4GBなんだけど…
ちなみに映画はほとんどが2層なので1本約9.4GBなんだけどね
厳密に言うと、DVD1枚は4.3GB程度しか使えないのでもっと少なくなる

で、サムチョンがなんだって？ｗ

10チップ積層？

日本はどうして技術力もあっさり抜かれちゃったの？

寒チョン

>>32
ぶっちゃけるとDRAMが儲からないからやらないだけ。

>>32
サムスンは日本人技術者を引き抜いてるって有名だろ。
サムスンも、今や多国籍企業でどの国の企業ってわけじゃないし。

エルピーダメモリ株式会社
世界最小の2GビットDDR2 Mobile RAMを開発
http://www.elpida.com/ja/news/2010/07-28.html

>>1
また製品として出さない開発ですか
無茶苦茶ですよ　最近は特に

むしろ今まで毎秒1.5ギガバイトだったのか
モバイル端末にはオーバースペック過ぎじゃねｗ

＞データ転送速度は既存のモバイルＤＲＡＭより８倍速いという。

＞１秒にＤＶＤ級の映画２本、音楽ファイル３２００曲を処理できる。

　凄いな、さすが斜め上のちょんだ。データ転送やデータ処理が
可能なDRAMをついに開発してしまったのか？
　さすがに、日本のメーカはそんなことは想像すらしないと思うぞ。

いつもの当社比○倍w

ｹﾞﾗｹﾞﾗｹﾞﾗ。こんな所にも朝鮮式イカサマが。

Ownership structure of Samsung Electronics as of the end of December, 2010
http://www.samsung.com/us/aboutsamsung/ir/corporategovernance/ownershipstructure/IR_OwnershipStructure.html

サムチョンの株式保有比率…
普通株も優先株も総計も、株主はすべて韓国外が過半数なのに、この円グラフは何？

ねぇねぇ、下朝鮮式だと、51%とか55%とかいうのは、円グラフにすると半分以下なのぉ？ｗ

>>22
世の中にはもっと速い製品があるようですよ。
GDDRやXDRは消費電力ガン無視のところがあるんで参考程度ですが。

ttp://www.elpida.com/ja/products/xdr.html

毎度毎度最新の○○を開発したニダというが
いつまでたっても韓国は技術大国のなりませんなｗ

　　　＿
　 　/〜ヽ 　
　　（｡・-・）バス幅ひろげただけか・・
　　 ﾟし-Jﾟ　

今更50nmか?
ハイニクスなら納得なんだが

>>44
　　　＿
　 　/〜ヽ 　　
　　( ﾟ∀,ﾟ）　＜ ｳﾘも横幅を広げたﾆﾀﾞ。
　 （ 　　　） 　　文系野郎の記者が書いた記事じゃ何もわからん。
　　~~~~~~　　　ブロックダイアグラムもタイミングチャートもなしじゃ…

>>46
　　　＿
　 　/〜ヽ 　
　　（｡・△・）　食べたな!
　　 ﾟし-Jﾟ　　　量子メモリ？

＞１
どうなんだ。本当なのか。
詳しい奴、解説しろ。

>>47
　　　＿
　　 /△ヽ
　　( ﾟ∀,ﾟ）　＜ そのつもりだったんだけど、トンネル効果で逃げられてしまったようです。(´･ω･`)
　 （ 　　　） 　　
　　~~~~~~　　　

毎回毎回飛ばし記事なのに株価操作に効果あるの？
株主がバカなの？

　　　＿
　 　/△ヽ 　
　　（｡・-・）　
　 ﾟζ　ノﾟ　
　 .〜

爆発力と殺傷能力が従来の製品の8倍まで読んだ

『ＤＶＤ級の映画２本、音楽ファイル３２００曲を処理できる。』でﾜﾛﾀｗｗ

違法コピーする気満々じゃないか！ＤＶＤの映画はＤＶＤ媒体で見ろよｗｗ

ＤＤＲ４の規格の話が聞こえなくなった頃に>>1の発表か…。

普通にサムスンの飛ばし記事のにおいがぷんぷんだな。

壊れるまでが八倍速、故に利益も八倍ニダ

まさか、バス幅を8倍にしただけじゃないだろうな？

>>56
まぁ待つんだ。比較対象には「モバイルDRAM」としか書かれていない。
SDRかDDRかすら我々には示されていないのだよ。

>>56
＞まさか、バス幅を8倍にしただけじゃないだろうな？

　それは違うな。ちょんにバス幅を8倍にしてまともに
作動する回路が作れるわけがない。

株価対策発表？

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20101122/187549/

この辺を見ると判る。

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/TOPCOL/20101124/187572/

　半導体回路技術の国際会議「International Solid-State Circuits Conference（ISSCC 2011）」
の東京プレス・カンファレンスに参加しました（関連記事）。ISSCCは「半導体のオリンピック」と
言われるだけあり，今回も興味深い発表が目白押しです。
できればすべてを紹介したいのですが，ここでは「メモリ」「高性能デジタル」「イメージャ/MEMS/
医療/ディスプレイ」「テクノロジ・ディレクション」の各分野について簡単に紹介いたします
（アブストラクト付きのプログラムはこちら）。

　メモリ分野では，NANDフラッシュ・メモリの大容量化が，ムーアの法則を超える年率3倍のペース
で進んでいます。今回のISSCCでも東芝と米SanDisk Corp.が共同で24nm世代，2ビット/セルの64G
ビット品を発表するほか［論文番号11.1］，韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が2Xnm世代，3ビット/
セルの64Gビット品を報告します［11.8］。
また，メモリ単体の発表だけではなく，システムレベルの取り組みとして，東京大学などがコントロー
ラ/SSDの発表を行います［11.4］。

　新型不揮発性メモリのReRAMに関しては，台湾ITRIなどがランダム・アクセス時間7.2nsの4Mビット
品を発表します［11.2］。不揮発性メモリでありながら，DRAM並みの高速性を実現しています。
また，ソニーは書き込み速度216Mバイト/秒の4Mビット品を報告します［11.7］。
この書き込み速度も，「従来のNANDフラッシュ・メモリではありえないレベル」（ISSCC極東地区委員会）
ということで，注目されそうです。

　メモリの高速インタフェース回路に関しては，アプリケーションに応じたユニークな提案が登場します。
例えば，慶応義塾大学はメモリ・カード向けにデータ転送速度を12Gビット/秒に高めたワイヤレス・イン
タフェースを発表します［28.5］。


（※）また，TSV（Si貫通ビア）を使った超ワイドバスによって12.8Gバイト/秒のデータ転送速度を実現した
モバイルDRAMをSamsung Electronics社が報告します［28.6］。



ぱぱコメント
※結局、独自規格です。そして、DDR4やその後のメモリインタフェースに影響があるかといえば、
まず、ありません。完全な株価対策です。

12.8GB/s 2Gb Mobile wide-i/o dRaM with 4×128 i/os 3:15 pM
using TSv-Based Stacking
http://www.miracd.com/ISSCC2011/WebAP/PDF/AP_Session28.pdf

>>58
まさにバス幅を8倍（縦に貫通する配線を1本増やし、3次元化しただけｗ）。
だから、理論値だけ上がって、それを使う方法や何かがあるわけじゃありません。

技術を誇るモノでも、そして規格を提案していくものでもなく、ある技術をチョンが
習得したからホルホル記事のためにだけ作ったデバイスです。

だれもあそんでくれなーい！

>>60>>62で終了かｗ

>>62
うぐぐ…(´･ω･`)

>A 1.2V 1Gb mobile SDRAM with 4×128 DQ per each is fabricated. It consumes 330.6mW read power
>during 4-channel operation, achieving 12.8GB/s data bandwidth.

4x128DQって、こんなものどうやって使えというんじゃ…

>>65
だから、使えないからｗ

単なるできるというだけの代物だからｗ

チョンだなぁ（笑）。

＞ It consumes 330.6mW read power

こんなものを”mobile SDRAM”と呼ぶ度胸もス・テ・キ。ｗ

　　　Д　　　　
　　（-_-)　＜ ふと、嫌なことを考えてしまった…DDR3のパッケージもなかなかスゴいことに
　 （ 　　 ） 　　なってるけど、この試作チップ、どんなパッケージに入ってるんだろう？
　　~~~~~　　　CPUも真っ青な世界？

>>68
逆に考えるんだ。Mobile用の省電力回路を積まなかったらどうなるか…？

>>69
多層化の話しなので、多分、差し込み口が多重化されたモジュールにｗ

>>62
８WAYのインターリーブって感じか？
チップレベルで実装する意味はあるのだろうか。

>>72
ない！！！ｗ

へぇ〜、開発したのは何人なんだろぅねぇ〜

128DQてw
どこがモバイルじゃアホかw

結局は習作を発表したようなものか
で、話を聞かされた方は「で？」って感じかｗ

>>75
ちゃうちゃう。128DQ x 4ch。
データラインが512本じゃないか？

Dual Channelはあるけど、4chって何だ？

モバイルは消費電力と実装面積
何よりも品質が求められるから韓国はありえないｗｗ

不良品率日本以下の16％をで価格をさげ大赤字の馬鹿チョンDRAMｗｗ

人類史上、始めてサムソンが世界に貢献できるネタの出現？(棒)

君臨すれど統治せずってのを昨日どっかのスレでやってたけど、今日は開発すれど出荷せずってやつか!?
まぁ、出す出す詐欺は毎度の事だけど…

東芝
低消費電力を実現した新しいフリップフロップ回路の開発

東芝は,モバイル機器等における消費電力削減につながる新しいフリップフロップ回路を,40nm CMOSプロセスを用いて開発した。
今回開発した回路は従来のフリップフロップ回路に対して,測定データ上では最大77%の低電力化を達成した。
また,この新しい回路を無線LANチップに適用した場合の解析では
,従来のフリップフロップ回路を適用した場合に比べ,チップ全体で約24%の消費電力を削減できるという結果を得た。（ｒｙ

ttp://www.elisnet.or.jp/news/news_detail.cfm?select_news_id=21443

【ISSCC】入出力512ピンで12.8Gバイト/秒に高速化，Samsungの1GビットDRAM
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20110222/189771/

馬鹿ウヨがプギャーしてるレスで埋まってるうちはサムスン安泰

>>82
　　　|Д　ﾎﾞｿｯ
　　　|Дﾟ）　＜ やっぱり512本だったか。
　　　|　　） 　　 >>83 何か言ったか？無能。内用についてコメントしてくれないか。
　　　|~~~　　　 おまえにできるなら… （ ´,_ゝ`） ﾌﾟｯ

>>82
メモリで512pinかよ　こんなもん使い道が無いぞｗ

512ピンｗ

サムスン以外がコレ採用しようと思うかしら？？？

>>62
グランプリの鷹に出てきた８輪フォーミュラかよ