【韓国】サムスン電子、４０ナノＤＤＲ３　ＤＲＡＭ世界初量産[07/21]

　サムスン電子が今月末から、４０ナノメートルクラスのプロセスを採用した２ギガビット（Ｇｂ）の次世代
半導体、ＤＤＲ３　ＤＲＡＭの本格量産を世界に先駆け開始する。１月に４０ナノ級ＤＲＡＭを開発して
から半年で量産体制に入ることになる。

　サムスン電子が２１日に明らかにしたところによると、４０ナノ級ＤＤＲ３　ＤＲＡＭは、昨年９月に同社が
世界で初めて量産を開始した５０ナノ級製品に比べ生産性が６割ほど高い。１．３５ボルトの動作電圧
にもかかわらず、既存の１．５ボルト製品より約２割速い１．６Ｇｂｐｓのデータ処理速度を可能にした。
さらに電力消耗も既存のＤＤＲ２　ＤＲＡＭより小さいなど、省エネ性能もアップした。

　サムスン電子はＤＤＲ３市場を拡大するため、サーバー用１６ギガバイト（ＧＢ）、８ＧＢモジュール
（ＲＤＩＭＭ）、ワークステーション、デスクトップパソコン用４ＧＢモジュール（ＵＤＩＭＭ）、ノートパソコン用
４ＧＢモジュール（ＳＯＤＩＭＭ）など、大容量のメモリーモジュールを主力製品として供給する計画だ。

　専門調査会社のアイサプライによると、ＤＤＲ３　ＤＲＡＭがビット基準でＤＲＡＭ市場全体に占める
割合は、今年の２０％から２０１２年には８２％に急拡大するものと予想されている。

http://japanese.yonhapnews.co.kr/itscience/2009/07/21/0600000000AJP20090721002700882.HTML

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