次世代メモリ「PRAM」 サムスンが今月から量産開始
韓国のサムスン電子は22日、次世代の半導体メモリーであるPRAM(相変化メモリー)の量産を今月中に開始することを明らかにした。
PRAMはこれまで参入メーカーが少なく、購買側がデジタル機器への採用に慎重だった。圧倒的な生産力を持つサムスンの参入で市場が
拡大する公算が大きくなってきた。
サムスンが量産するのはシリコンウエハー上に形成する回路の線幅が60ナノ(ナノは10億分の1)メートル台の先端品。容量は現行で最大級の
512メガ(メガは100万)ビット。携帯電話のプログラム格納用としてNOR型フラッシュメモリーの代替需要を想定しているもようだ。
PRAMは不揮発性メモリーと呼ばれ、機器の電源を切っても情報を保存できる。欧州STマイクロエレクトロニクスと米インテルのメモリー事業を
統合したニューモニクスなどが手掛け、エルピーダメモリも量産準備を急いでいる。
既存の半導体製造装置を転用できるため、NAND型フラッシュメモリーとDRAMで世界首位のサムスンは需要動向をみながら柔軟に
生産しやすいメリットがある。
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日経新聞朝刊より
PRAM 【相変化メモリ】
http://e-words.jp/w/PRAM.html