東芝，32nm世代NAND型フラッシュの試作ウエーハを披露　量産出荷は2009年9月

東芝は，32nm世代のNAND型フラッシュ・メモリーを集積した300mmウエーハを，
「nano tech 2009 （国際ナノテクノロジー総合展）」（2月18〜20日）で披露した。
3ビット/セル技術を導入した32Gビット品であり，2009年9月から量産出荷する。

　32nm世代では，デバイス構造については「（前世代の）43nmから大きな変更を加えなかった」
（東芝の説明員）という。従来通り，浮遊ゲート構造を採用している。ただし，この世代では
浮遊ゲート当たりの蓄積電子数が「200個前後まで低減している」（同説明員）。
この結果，3ビット/セルを実現するためにしきい電圧を8個に分離しようとすると，
書き込みマージンが極めて小さくなる。これに対処するために「回路側でかなり工夫を施した」
（同説明員）という。同社はこの回路技術について，
先日の「International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）2009」で発表済みである。

　2010年末〜2011年の量産化を予定する2Xnm世代のデバイス技術については，
「浮遊ゲート構造を延命できるか，または窒化膜トラップ（MONOS）型のような新構造が
必要になるかを見極めているところ」（同説明員）とする。浮遊ゲート構造はセル間干渉
などの問題から遅くとも3Xnm世代では限界を迎えるとの指摘が多かったが，
東芝は2Xnmへ延命する可能性をまだ残している。量産時期から推し量ると，
同社はこの点について比較的近い時期に判断を下すと見られる。

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20090219/166051/
依頼721

Dogeza

<丶｀∀´>　ｳｪｰﾊｯﾊｯﾊ

<丶｀∀´>　ｳｪｰﾊｯﾊｯﾊ

32nm→4bit/cell→2Xnm→BiCS→1Xnm

こんな感じか？

予想通りの展開ｗｗｗ

ウェファって聞くたびに食べたくなる

頑張ってるなー。
HDDVDとか糞みたいな事しないで投資するべき場所に投資しなきゃ。

夏に出されるSSDでるんかいな

ウェーハーッ！！

SDXCだっけ？
出たら買ってみるかのう。