AMD、リン(P)をドープしたSi:C埋め込み歪みシリコン技術による高性能nMOSトランジスタ技術を発表する
1 :
エシャロット(catv?):
半導体デバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際会議「IEDM(International
Electron Devices Meeting)」が今年も、12月15〜17日(現地時間)に米国で開催される。
世界中から2000名近いエンジニアが参加し、最大で8本もの技術講演セッションが並行
して開かれる大規模なイベントである。3日間でのセッション数は、総計で37セッションに
及ぶ。
(中略)
AMDとIBM、Freescale Semiconductorの共同チームは、リン(P)をドープしたSi:C埋め込み
歪みシリコン技術による高性能nMOSトランジスタ技術を発表する。
(以下略)
http://journal.mycom.co.jp/articles/2008/12/15/iedm2008preview/
2 :
くわい(catv?):2008/12/15(月) 19:24:49.32 ID:7sbLcnwK
日本語でおk
3 :
れんこん(栃木県):2008/12/15(月) 19:24:56.69 ID:A2dIBd+w
4 :
コウイカ(関東・甲信越):2008/12/15(月) 19:26:14.96 ID:VUOcYQ+2
かがみねの不良在庫のせいで第三弾でねえぞ
5 :
たけのこ(関東・甲信越):2008/12/15(月) 19:26:19.75 ID:s0xRB0bN
じゃあ俺は窒素で
6 :
みょうが(アラバマ州):2008/12/15(月) 19:26:21.64 ID:OAdOLHPS
PhenomUで失敗したらもうAMDは要らない
RADEONもGF7600GTからHD4850に乗り換えたけど
GF7600GTの動画補正の方が綺麗に見えるんだけどなんなんだよ
7 :
あしたば(catv?):2008/12/15(月) 19:27:08.74 ID:3yeZdX7M
なるほど、それは画期的だな
9 :
キウイ(大阪府):2008/12/15(月) 19:30:18.16 ID:aOOkPVhd
ほほう
シリコンの歪みがあーなってこうなってドープとなるのか
素晴らしい
10 :
アボガド(関西地方):2008/12/15(月) 19:31:12.86 ID:Pao2hHgb
つまりAMDがリン(P)をドープしたSi:C埋め込み歪みシリコン技術による高性能nMOSトランジスタ技術を開発したんだな。
11 :
タラ(兵庫県):2008/12/15(月) 19:32:22.98 ID:F6YAq+YC
>>10 そうだ
AMDがリン(P)をドープしたSi:C埋め込み歪みシリコン技術による高性能nMOSトランジスタ技術を開発したんだ
12 :
さといも(東京都):2008/12/15(月) 19:33:59.38 ID:g4rocGoX
>>11 え?ということは
AMDがリン(P)をドープしたSi:C埋め込み歪みシリコン技術による高性能nMOSトランジスタ技術を開発したってことか?
ドーピング禁止
14 :
レモン(京都府):2008/12/15(月) 19:35:06.90 ID:3Z3aa03d
939で例えてくれ
15 :
アジ(北海道):2008/12/15(月) 19:37:13.78 ID:JpZLMLxh
SICウェーハ高いだろ
17 :
すいか(宮崎県):2008/12/16(火) 00:26:33.43 ID:c8+OlRNp
このスレは誰が得するの?
18 :
アカガイ(神奈川県):2008/12/16(火) 02:17:12.94 ID:+rBvtAoP
>>12 ひょっとして
AMDがリン(P)をドープしたSi:C埋め込み歪みシリコン技術による高性能nMOSトランジスタ技術を開発したってことか?
19 :
にんじん(関東):2008/12/16(火) 02:34:46.50 ID:KlDX3LlF
どう見てもリンスレ
何のリンかは後に任せる
20 :
アカガイ(神奈川県):2008/12/16(火) 02:48:31.01 ID:+rBvtAoP
どっちかツーと、こっちの話題の方がネタ的には良かったかもな
↓
東芝とIBM、Freescale、AMDの共同チームが、高誘電体膜/金属ゲートとフィンFET(FinFET)を組み合わせた32nmのSRAMセルを試作した結果を報告する(講演番号10.2)
21 :
なっとう(神奈川県):2008/12/16(火) 04:03:42.75 ID:JZYaVd6D
Intellがついに32nmのプロセス完了したってニュースがあったのに
なぜかν速にスレ立たなかったな
22 :
山椒(宮城県):2008/12/16(火) 04:07:27.25 ID:VrtbUDFg
>>21 俺はν速で知った気がするんだが、気のせいか?
新アーキテクチャはダイサイズ的に32nmプロセスに移行しないと
ハイエンド専用になりかねんから順調に開発進んで欲しい。
939
24 :
なっとう(神奈川県):2008/12/16(火) 04:12:33.88 ID:JZYaVd6D
25 :
山椒(宮城県):2008/12/16(火) 04:13:56.65 ID:VrtbUDFg
>>24 そういえば勢いは悪くてすぐ消えた気がする
ごめん
無機系はさっぱり分からん
27 :
ブロッコリー(岩手県):2008/12/16(火) 04:24:20.01 ID:+SKIcVfR
俺の939が爆速になるわけだなるほど
28 :
しょうが(神奈川県):2008/12/16(火) 04:27:01.40 ID:RFJfII4f
将来役に立ちそうな技術じゃなくて
今使える製品を発表しろ
この馬鹿チンが
29 :
しょうが(東日本):2008/12/16(火) 04:27:35.61 ID:zUUalI2Y
まだ939とか言ってる奴は、いい加減新しいネタを仕入れろよw
30 :
アカガイ(神奈川県):2008/12/16(火) 04:35:40.40 ID:+rBvtAoP
31 :
セロリ(長屋):2008/12/16(火) 04:42:57.05 ID:ZwiPJLe/
天使|。・_・。)ノ トランジスタの性能は、見た目の構造・使う材料の種類のほか
「使う材料は原子がどのように並んでる結晶なのか」にもよるんだよ
シリコンに別の物質を入れると原子の間隔がひろがった結晶ができる。
その上に純粋なシリコンの結晶を成長させると、
純粋なシリコンも原子間隔が広がった結晶になる。これが歪みシリコン技術。
こんなシリコンを作るメリットは、電子が速く動きやすくなって高速動作のトランジスタができる事。
32 :
アカガイ(神奈川県):2008/12/16(火) 04:47:02.59 ID:+rBvtAoP
何となく猫も杓子も「アモルファス」ってやってた頃を思い出した
33 :
キャベツ(関西・北陸):2008/12/16(火) 05:53:15.01 ID:VL/Zi29P
>>31 なるほど、つまり
AMDがリン(P)をドープしたSi:C埋め込み歪みシリコン技術による高性能nMOSトランジスタ技術を開発したってことだな
34 :
メロン(大阪府):2008/12/16(火) 06:11:39.16 ID:iuRJgi9n
プリキュア偽装スレじゃないのか
35 :
にんじん(関西・北陸):
セロリクセー