米Intelと米Micron Technologyは米国時間2008年11月24日,34ナノ
メートル(nm)製造プロセス技術による32GビットMLC(多値セル)型NAND
フラッシュ・メモリーの量産を開始したと発表した。
両社の合弁会社のIM Flash Technologies(IMFT)で開発された製造技術により,
48ピンのTSOP(Thin Small-Outline Package)に収まるモノリシック構造の
フラッシュ・メモリー・チップが製造される。
このチップは,300mmウエーハを使って製造され,ダイ・サイズは172平方mm。
デジタル・カメラや音楽プレーヤなどの小型製品向けにコスト効率の良い高密度
ストレージを提供できるほか,SSD(半導体ディスク)においてもコスト効率に
優れた大容量製品を実現できるとしている。
また両社は,2009年前半には,34nmプロセスを使って,より低密度のMLCと
SLC(2値セル)製品のサンプル出荷も開始する予定。
IMFTにおけるNAND型メモリー製造の34nmプロセスへの移行は,計画よりも
早く進んでいる。米ユタ州リーハイにある製造工場では,
2008年内に製造能力の50%以上を34nmプロセスに切り替える予定だという。
米CNETnews.com によれば,Micronは2009年3月に256GバイトSSDの量産を
開始する予定だという。すでに韓国Samsung Electronicsは2008年11月20日に,
256Gバイトの2.5インチ型SSDの量産を開始したと発表している(既報)。
http://itpro.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20081125/319826/ 依頼322