経団連「2030年までに日本のGDPは韓国に抜かれる」7

1 帰って来た仕事コナカッタ元声優 φ ★ 2013/08/06(火) 23:23:53.40 ID:???
【ソウル聯合ニュース】サムスン電子は６日、
世界で初めて３次元垂直構造ＮＡＮＤ型（３Ｄ　Ｖ−ＮＡＮＤ）フラッシュメモリーの量産に入ったと明らかにした。

同製品にはサムスン電子が独自に開発した「３Ｄ円筒形チャージトラップ型フラッシュ（ＣＴＦ）セル構造」と
「３Ｄ垂直積層工程」が適用され、従来の２０ナノメートル（１ナノメートルは１０億分の１メートル）台の製品に比べ
集積度は２倍以上に増大した。製品容量は業界最大の１２８ギガビット。

近ごろ１０ナノメートル台プロセスの導入でセルの間隔が大幅に狭まり、
電子が漏れ出す干渉現象が深刻化しているが、サムスン電子は単層で配列されたセルを垂直に積み上げる
「構造革新」と「工程革新」により、半導体微細化技術の物理的な限界を克服した。
特に、３Ｄ円筒形ＣＴＦセルは電荷を安定した絶縁体に保存し、上下のセル間に起こる干渉を抑制する。

これにより、書き込み速度は従来の２倍以上速くなり、セルの寿命を示す書き込み回数（耐久年限）は
製品ごとに最低２倍から最大１０倍以上に向上する一方、消費電力は半分に減らせるという。

サムスン電子は１０年にわたる研究を経て３Ｄ垂直構造ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発・量産に成功。
すでに３００件以上の関連特許を韓国、米国、日本など各国に出願済みだ。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは電源を切ってもデータが消えずに保存される半導体メモリーで、
スマートフォン（多機能携帯電話）などの記憶装置として広く使用されている。

http://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2013/08/06/2013080602410.html