【GaAs】Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体【終わり?】
97 ：名も無きマテリアルさん：05/02/07 19:51:44
http://www.kissnet.ne.jp/fs/v740/bbs.cgi?room=0000
拳銃の所持で逮捕されたらしいぞ！
拳銃の所持で逮捕されたらしいぞ！
98 ：名も無きマテリアルさん：05/02/08 01:26:57
99 ：名も無きマテリアルさん：05/02/08 02:34:02
>>96
InPの上にtensileのInGaAsをバッファで敷いてInAsを成長すると
均一になる≒密度増加するって聞いた事あったかなあ。確かcaltechの論文。この場合は
・tensileのバッファで歪みの増加
・界面でのAs/P交換の抑制
が直感的に予測できるけど、>>96に書いてあるのは両方とも当てはまらない状況だなあ
compressiveでAs/P界面も無し。Inの偏析でも関係あるのかしら
その論文の元は？晒しても問題ないでしょ。てか論文にちょっとは考察書いてあるのでは
InPの上にtensileのInGaAsをバッファで敷いてInAsを成長すると
均一になる≒密度増加するって聞いた事あったかなあ。確かcaltechの論文。この場合は
・tensileのバッファで歪みの増加
・界面でのAs/P交換の抑制
が直感的に予測できるけど、>>96に書いてあるのは両方とも当てはまらない状況だなあ
compressiveでAs/P界面も無し。Inの偏析でも関係あるのかしら
その論文の元は？晒しても問題ないでしょ。てか論文にちょっとは考察書いてあるのでは
100 ：名も無きマテリアルさん：05/02/08 02:36:44
あ、>>99に書いたのはMOCVDでの話ね。構造的には変わらないと思うけど・・・
>>98
おれも窒化物やってるわけじゃないからそこまで詳しいわけじゃないけど
よく聞くテーマは(In)GaNの発光過程の解明、結晶成長、Al(Ga)N深紫外LED
In(Ga)N遠赤外・光通信帯域のデバイスへ向けた結晶成長、GaN量子ドット、
AlN/GaN面発光レーザ、AlN/GaN ISBTを用いた超高速光スイッチ・QWIP(QDIP)・カスケードレーザーなど・・・
やっぱ可視領域ってのが一番ロマンを感じる。
InP系なんぞPLとっても何も目では見えないのが寂しい。てか光通信秋田
>>98
おれも窒化物やってるわけじゃないからそこまで詳しいわけじゃないけど
よく聞くテーマは(In)GaNの発光過程の解明、結晶成長、Al(Ga)N深紫外LED
In(Ga)N遠赤外・光通信帯域のデバイスへ向けた結晶成長、GaN量子ドット、
AlN/GaN面発光レーザ、AlN/GaN ISBTを用いた超高速光スイッチ・QWIP(QDIP)・カスケードレーザーなど・・・
やっぱ可視領域ってのが一番ロマンを感じる。
InP系なんぞPLとっても何も目では見えないのが寂しい。てか光通信秋田
101 ：名も無きマテリアルさん：05/02/08 11:34:35
InAs/InGaAs/GaAsの件だが図書館で他の調べものしてる時にチラッと見た
程度であんまりよくみなかった･･･・時間なかったもんで・・・
また見にいってみよう。
もし詳しい人いたらなにか教えてほしいです。
程度であんまりよくみなかった･･･・時間なかったもんで・・・
また見にいってみよう。
もし詳しい人いたらなにか教えてほしいです。
102 ：名も無きマテリアルさん：05/02/08 12:42:03
量子ドットやフォトニック結晶について少し調べてみたんですが、
ピラーをドットにするというのは
ドットのあるところにフォトニック結晶の欠陥を作って光導波路にする、ということですか？
ドットが発光してその光を伝播できる→だからドットの位置制御が必要
と理解してよいのでしょうか？
ピラーをドットにするというのは
ドットのあるところにフォトニック結晶の欠陥を作って光導波路にする、ということですか？
ドットが発光してその光を伝播できる→だからドットの位置制御が必要
と理解してよいのでしょうか？
103 ：名も無きマテリアルさん：05/02/08 13:28:09
GaAsとInSbの移動度を測ったら文献値の8500(cm^2/Vs),80000に対してそれぞれ3440、30460となってしまいました。
この原因ってなんですか？
ホール素子が幾何学的に非対称とかじゃないですよね？
この原因ってなんですか？
ホール素子が幾何学的に非対称とかじゃないですよね？
104 ：名も無きマテリアルさん：05/02/09 01:18:35
>>103
測定系がおかしいだけなんじゃねーの？
測定系がおかしいだけなんじゃねーの？
105 ：名も無きマテリアルさん：05/02/09 09:47:07
>>104
それもあると思うんですが、それ以外に原因があるらしいんです。
それもあると思うんですが、それ以外に原因があるらしいんです。
106 ：名も無きマテリアルさん：05/02/19 15:25:28
107 ：名も無きマテリアルさん：05/02/19 18:50:58
SbってMOVPEでできんの？
108 ：名も無きマテリアルさん：05/03/02 09:48:37
109 ：名も無きマテリアルさん：05/03/03 00:14:23
Compound Semiconductorを複合半導体っていうのか？
初めて聞いた
初めて聞いた
110 ：名も無きマテリアルさん：05/03/03 20:36:51
化合物半導体になってる。
間違えただけか
間違えただけか
111 ：名も無きマテリアルさん：05/03/04 03:01:29
スピントロニクスか…。
112 ：名も無きマテリアルさん：05/03/08 21:22:23
113 ：名も無きマテリアルさん：2005/05/27(金) 20:21:57
簡単な質問ですいません。
どうしてHCVDでAlNをつくるときに蒸気圧の高いAlI3でなくAlCl3がつかわれるのですか？
どうしてHCVDでAlNをつくるときに蒸気圧の高いAlI3でなくAlCl3がつかわれるのですか？
114 ：名も無きマテリアルさん：2005/05/29(日) 23:45:07
>>112
ない、というかそもそもクロスハッチがでたら光デバイスとしては無意味じゃね
ない、というかそもそもクロスハッチがでたら光デバイスとしては無意味じゃね
115 ：名も無きマテリアルさん：2005/06/07(火) 23:13:28
GaAs上に絶縁膜を乗せて電気でＣＶ測りたいんだが、
絶縁膜には何がいいの？
調べると色々あって迷う。
絶縁膜には何がいいの？
調べると色々あって迷う。
116 ：名も無きマテリアルさん：2005/06/15(水) 17:05:44
ポリSiしかやってない俺が来ましたよ
117 ：777：2005/06/29(水) 17:18:26
＞116
ワロタ
ワロタ
118 ：名も無きマテリアルさん：2005/07/04(月) 00:26:56
>>116
Inが枯渇したら君の時代ですよ。
Inが枯渇したら君の時代ですよ。
119 ：名も無きマテリアルさん：2005/07/04(月) 09:52:47
アメリカでGaAs基板の需要があるらしいけど。
好調らしい。これどこ？
好調らしい。これどこ？
120 ：774& ◆RJ3P8q/ogc ：2005/07/04(月) 11:00:30
RF MICRO OR MOTOROLA
121 ：名も無きマテリアルさん：2005/12/08(木) 19:00:13
【半導体】InSbを採用した、低消費電力トランジスタのプロトタイプを開発 -インテル
http://news18.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1134033670/
http://news18.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1134033670/
122 ：名も無きマテリアルさん：2005/12/14(水) 01:20:32
InSbをエピすんの？丸ごとInSb？
123 ：名も無きマテリアルさん：2005/12/14(水) 17:57:35
すみません
半導体の材料でLow ｋ材てありますが
なぜポーラスなでしょうか
教えてください お願いします。
半導体の材料でLow ｋ材てありますが
なぜポーラスなでしょうか
教えてください お願いします。
124 ：名も無きマテリアルさん：2005/12/14(水) 21:13:45
>>122
GaAs基盤にエピ成長させているっぽい。
ttp://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0302/idf03.htm
でも、GaAsとInSbって格子定数の差が20%あるんだが、
そんなんでエピ成長できるのが不思議だ。
GaAs基盤にエピ成長させているっぽい。
ttp://pc.watch.impress.co.jp/docs/2005/0302/idf03.htm
でも、GaAsとInSbって格子定数の差が20%あるんだが、
そんなんでエピ成長できるのが不思議だ。
125 ：名も無きマテリアルさん：2005/12/14(水) 22:58:55
>>123
細かいことだけど、Low-k材全部がPorousではなかったと思うぞ
Low-k材のk値をより小さくするためのPorous化なんだし
で、なんでPorousかというと、空気を含んでるから
空気のk値は1.0と非常に低い
だから、Low-k材を穴あき（Porous）にすれば、空気を含んでる分k値が下がるという訳
細かいことだけど、Low-k材全部がPorousではなかったと思うぞ
Low-k材のk値をより小さくするためのPorous化なんだし
で、なんでPorousかというと、空気を含んでるから
空気のk値は1.0と非常に低い
だから、Low-k材を穴あき（Porous）にすれば、空気を含んでる分k値が下がるという訳
126 ：名も無きマテリアルさん：2005/12/24(土) 22:00:10
test2
127 ：名も無きマテリアルさん：2005/12/30(金) 01:53:32
日本のGa需要増えないね。
中国ではネオジウム鉄ボロン系？で堅調みたいだけど。
中国ではネオジウム鉄ボロン系？で堅調みたいだけど。
128 ：名も無きマテリアルさん：2006/01/22(日) 19:08:24
てすつ3
あぼーん
130 ：名も無きマテリアルさん：2007/03/03(土) 11:03:19
ないなら作れ
131 ：名も無きマテリアルさん：2007/07/14(土) 00:48:37
現在大学でGaAs MESFETについて勉強しています
ゲート長が短いと基板を流れる電流が増えるらしいのですが
どういう原理でそうなるのか分からず困っております
分かる方いらっしゃいましたらご教授お願いします
ゲート長が短いと基板を流れる電流が増えるらしいのですが
どういう原理でそうなるのか分からず困っております
分かる方いらっしゃいましたらご教授お願いします
132 ：名も無きマテリアルさん：2007/07/16(月) 01:40:44
リークのことかしら
133 ：名も無きマテリアルさん：2007/07/16(月) 23:57:11
GaAsのホモエピでクロスハッチが出る
見事な分子線エピタキシャル成長だぜ
>131
短チャネル効果で調べれば答えが出るんじゃないかな
見事な分子線エピタキシャル成長だぜ
>131
短チャネル効果で調べれば答えが出るんじゃないかな
134 ：名も無きマテリアルさん：2007/07/17(火) 01:20:58
ある意味すげー。
酸化膜しっかり飛んでる？
それでも変な方位で成長してなければクロスハッチはでないか・・・
酸化膜しっかり飛んでる？
それでも変な方位で成長してなければクロスハッチはでないか・・・
酸化膜はRHEEDで脱離を確認してます
ほんと弱りましたw
ほんと弱りましたw
136 ：名も無きマテリアルさん：2007/07/29(日) 23:14:37 0
さーて応物のためにシコシコでーた作るか
137 ：名も無きマテリアルさん：2007/09/10(月) 23:01:12
In系の半導体で比較するとどれが一番優れてるんやろ～
138 ：名も無きマテリアルさん：2007/09/11(火) 15:17:55
２０年以上前に、GaAs/AlGaAs、GaAs/Si、AlGaInP系のMOCVDをやってました。
今は 全く違う仕事をしているので状況がよくわからないのですが、化合物
半導体って（青色以外は）あまり盛り上がってないんですか？
今は 全く違う仕事をしているので状況がよくわからないのですが、化合物
半導体って（青色以外は）あまり盛り上がってないんですか？
139 ：名も無きマテリアルさん：2007/09/13(木) 02:37:21
窒化物とZnOくらいかもね。
140 ：名も無きマテリアルさん：2007/10/07(日) 01:54:37
141 ：名も無きマテリアルさん：2007/10/16(火) 19:17:28
窒素クラスターうざい。
死ねばいいのに。
死ねばいいのに。
142 ：名も無きマテリアルさん：2007/10/17(水) 00:18:58
ISCSは？
143 ：名も無きマテリアルさん：2007/10/26(金) 16:24:21
半導体材料のことを勉強することになったのですが，Si/SiGeに，なぜ90°クロスハッチパターンが表れるのかいまいちわかりません．
非常に基礎的なことなのでしょうが，どのような文献を参考にしたらよいですか？
非常に基礎的なことなのでしょうが，どのような文献を参考にしたらよいですか？
144 ：名も無きマテリアルさん：2007/10/29(月) 00:28:50
非常に基本的な質問で恐縮ですが、(111)面でも90°にクロスハッチがでるんですかね。
そんなわけないですよね。それともエピ自体しないんでしょうかね。
教えてエロイ人
そんなわけないですよね。それともエピ自体しないんでしょうかね。
教えてエロイ人
145 ：名も無きマテリアルさん：2009/09/10(木) 18:46:10
表面荒れ荒れで、島からの回折が強いってことじゃないのか？
146 ：名も無きマテリアルさん：
２年前の質問に答えてどうするねん