ゲート絶縁膜

1 ：：02/05/12 23:05

high-k材料、酸窒化Siについて語ってください。

2 ：名も無きマテリアルさん：02/05/13 00:07

おまえが先に語れや

3 ：名も無きマテリアルさん：02/05/14 00:54

>>1 早く書いて

4 ：電子屋：02/05/16 00:06

酸窒化SiはSiと相性がいいでしょうが誘電率が酸化Siと大差ないのでは？
しかし何故、酸窒化Siが酸化Siよりバリア効果（ゲート電極材料がゲート絶縁膜中へ拡散するのを防ぐ）があるのかわかりません。
結合エネルギーから考えても酸化Siのほうが強いと思うのですが...

早く使えるhigh-k材料が開発されて欲しいです。

5 ：名も無きマテリアルさん：02/05/16 00:58

4>>
確かにSi-O結合の方がSi-N結合より強いが，それは個々の結合についての
話。SiO2は，全体の網目構造を見たとき隙間だらけ。窒素を入れてくと，その隙間がだんだん埋まっていくらしい。

6 ：名も無きマテリアルさん：02/05/16 01:31

MIRAIでも、いまだハフニアかジルコニアで迷ってるとか。

>>4
インテル、AMD、IBMじゃ実用段階・・・。

7 ：電子屋：02/05/16 02:17

ありがとうございます。

＞＞６さん
ハフニア、ジルコニアはどうやって成膜するのですか？

8 ：名も無きマテリアルさん：02/05/16 21:10

>>7

6ではないですが…
やはりCVDになってきている模様です
扱いやすいそれらのシリケートから実用化されていくのではないかと思います。

9 ：名も無きマテリアルさん：02/05/18 00:57

>>6
実用段階までいってないだろ?
来年ぐらいじゃないの?

10 ：かおりん祭り ◆KAORinK6 ：02/05/18 16:45

～oノハヽo～／￣￣￣￣￣￣￣
　 (　＾▽＾) ＜　新スレおめでとうございまーす♪　
= ⊂ 　　）　　＼＿＿＿＿＿＿＿
= (__/"(__)　ﾄﾃﾃﾃ...

　　　　　　　　　　　　　　　　　　

11 ：名も無きマテリアルさん：02/05/19 01:42

SiNの未来はある？

12 ：電子屋：02/05/19 02:24

ゲート絶縁膜としてSiNの未来はないと思いますが、素子分離などで使われるのではないでしょうか

話は変わりますがIntelが0.8nmのゲート絶縁膜を作製したということを聞きましたが、そんなに薄くなるとF-Nリーク電流だけでなくトンネル電流が増大する気がするのですが実用化できるのでしょうか？

13 ：名も無きマテリアルさん：02/05/19 03:12

>>12
それこそ絶縁膜をどうしてるかが、ミソ。

14 ：名も無きマテリアルさん：02/05/19 03:14

>>9
仮に一年後としても、
日本のMIRAI、ASKAを合わせたところで、
到底、追いつきません。

15 ：名も無きマテリアルさん：02/05/21 00:13

>>14
まあがんばるこった。
HighKもLowKもまだみんな迷ってる。

とかいってみるテスト。

16 ：名も無きマテリアルさん：02/05/22 01:42

>>15
確かにミライもアスカも頑張ってはいるが、
いかんせん、インテルやIBMとの差がでかい。
ほんとうにでかい。

俺はSi系じゃないけどね。

17 ：名も無きマテリアルさん：02/05/22 22:56

ミライでもアスカでも何でもいいけど、
大学の先生の覇権争いだと思うのは私だけ？
東北大のO先生もがんばっているけど。
日本の半導体を本当に復活させる気があるとは思えない。

どうかんがえたって、セマテックに勝てない。
恥をしのんで今からセマテックに加盟したら、日本のデバイスメーカ。

18 ：Albertus_Magnus：02/05/23 23:09

ところで、皆さんSiONに限らず膜の元素濃度はどうやって評価していますか?

19 ：名も無きマテリアルさん：02/05/25 02:30

AES、XPS、EDX等

20 ：名も無きマテリアルさん：02/05/25 07:02

>>19
変わったところ(というか本邦初？)では、
応物でＥＰＭＡの低エネルギー版を使ったのを発表している人がいた。
ＸＰＳとの比較で使っていた。
聞いたところによると、インテルやセマテックも使ってるらしい。

21 ：名も無きマテリアルさん：02/05/30 22:15

ベル研のシェーン(with 神の手)の繰り出すアルミナ膜さえ
あればオールオッケーさ！

あ、あれれ、彼のNatureの論文って捏造なの？ぐはぁ。

22 ：名も無きマテリアルさん：02/05/30 23:04

神の手って、結局は(以下略)

23 ：名も無きマテリアルさん：02/05/31 18:54

酸化膜やってます・・・。
各所でセッションが縮小されてかなＰ・・・。

24 ：名も無きマテリアルさん：02/05/31 22:07

>>17
そもそも、セマテックと競う発想からして間違っている。
ゲート絶縁膜のホットなアプリは、CPU等のロジックだろ。
アプリを展開する能力なしで、ゲート絶縁膜の能力上げたって
まったく意味無し。

>>12
酸化膜なしでＳｉＮをゲートとして使えると、当面、high-kは要らなくなる。
これO見教授の持論。
ハフニアとかジルコニアは、既に終わっている。今は、ランタンとか
に焦点が移っているだろ。

25 ：おぶしんすきい：02/06/03 02:27

フッ素入れろゴラア！！

26 ：　：02/06/04 02:17

酸窒化の方法は何が主流なの？

27 ：名も無きマテリアルさん：02/06/06 00:07

酸化膜を窒素プラズマに曝して窒素を導入する方法では？

28 ：名も無きマテリアルさん：02/06/18 13:04

>>24
ランタンなんてはやんねーんだYO
ランタニド系はシリコンとの間に中間層ができやすくて
今の技術じゃつかいにくいんだYO

29 ：名も無きマテリアルさん：02/09/10 22:38

gate

30 ：名も無きマテリアルさん：02/09/10 23:24

めっさエロいよ
http://www.hcn.zaq.ne.jp/hg-presents/eternal/blues/

31 ：名も無きマテリアルさん：02/11/28 13:38

32 ：名も無きマテリアルさん：02/11/28 13:39

http://yahooo.s2.x-beat.com/

33 ：　：02/11/28 15:41

http://hentai.s1.x-beat.com/

34 ：山崎渉：03/01/06 15:41

（＾＾）　

35 ：high-k材料：03/01/20 18:00

Ｓｉ基板との相性をよくするために窒化膜上に金属系のhigh-k材料を積層する方法は可能なのだろうか？

36 ：幹部社員様＠F通電デバ：03/01/22 22:41

材料なんて手を汚す仕事は
卑しい身分のすることだね
現代のエタ・ヒニンだよお前らは
ひゃっひゃっひゃ、傑作傑作

37 ：kratos：03/01/22 23:52

時代はイットリウム

38 ：名も無きマテリアルさん：03/02/18 05:19

MIS構造のC-V特性のヒステリシスから界面準位密度を求める方法がわかりません。

C-Vの理想曲線を求めて、その傾きの違いから求める方法は知ってるのですが、
界面のシリケイト層などの影響で理想曲線が求まらない以上この方法は使えないと思うのです。
詳しい方いらっしゃったら、説明よろしくお願いいたします。参考文献などを教えていただくとなお有難いです。

39 ：名も無きマテリアルさん：03/02/18 05:42

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45 ：山崎渉：03/07/12 13:00

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48 ：名も無きマテリアルさん：03/07/12 20:23

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49 ：直リン：03/07/12 20:49

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50 ：山崎渉：03/07/15 12:34

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51 ：山崎渉：03/08/15 19:03

　　　 (⌒V⌒)
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　　⊂|　　　　|つ
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52 ：名も無きマテリアルさん：04/02/12 17:59

53 ：blja：04/03/17 01:16

54 ：名も無きマテリアルさん：04/04/05 18:19

もっと語ろうじゃないか！！

55 ：飯泉政直：04/04/05 19:23

age

56 ：名も無きマテリアルさん：04/04/05 21:06

こんなスレあったのね

応物のHigh-kセッション、満員で入れなかったよ。教室が狭すぎ。
初日のシンポジウムは大教室でゆったりだったけどね。

57 ：名も無きマテリアルさん：04/04/11 12:15

拝啓材料

58 ：名も無きマテリアルさん：04/04/27 06:13

絶縁膜関係でなんか適当な海外の学会ってありませんか？

59 ：名も無きマテリアルさん：04/04/27 22:31

MRSとかは

60 ：名も無きマテリアルさん：04/05/07 00:52

>>59
遅レスで申し訳ない。
MRSってどんな感じですかね？
ECSと比較して厳格だったり予稿通りづらかったり
発表の雰囲気が厳しかったりします？

61 ：名も無きマテリアルさん：04/05/07 13:21

MRSはいろいろな分野がごちゃ混ぜで楽しいよ。
APSの方がよっぽど堅そうだけど。

62 ：名も無きマテリアルさん：04/05/10 03:51

>>61
実は全然詳しくないんですが
あんまりお堅い所だと気が引けるなぁ～て感じでして。。
厳格なところよりはごちゃまぜで楽しそうって方が良いですね～

63 ：名も無きマテリアルさん：2005/04/19(火) 23:05:44

64 ：名も無きマテリアルさん：2005/11/15(火) 23:46:34

誰もいないな…

65 ：名も無きマテリアルさん：2005/12/30(金) 18:35:10

AFM使ってる人いる？

66 ：名も無きマテリアルさん：2006/03/01(水) 22:42:30

俺

67 ：PVD初心者！：2006/04/03(月) 09:58:16

TiN（PVD）の被膜以外は銀色っぽい色の膜が多いですが、他にPVDで独特な色を持っている被膜
はありませんか？

68 ：ad：2006/04/03(月) 10:31:30

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69 ：porn：2006/04/26(水) 19:52:18

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70 ：段差１u：2006/05/08(月) 22:04:50

○なんとかから・・・レーザーAFMがきた

いっせんまんえんだって

71 ：名も無きマテリアルさん：2007/05/07(月) 22:02:44

http://www.youtube.com/watch?v=Tfg31FTFdgA

72 ：名も無きマテリアルさん：2007/07/21(土) 10:18:28

La不安定過ぎﾜﾗﾀ

73 ：名も無きマテリアルさん：2007/08/25(土) 13:46:15

一口にhight-Ｋ材料っていってもいろんな物質があるんだね。
半導体製造会社にもＨｉｇｈｔ-Ｋを使用するプロセスでの量産化
試験をやろうとしているところもあるみたいだし。
スレがたって約５年・・・・。
日本ではどのhight-Ｋ材料がメインになってるんだろ？

74 ：名も無きマテリアルさん：2007/10/31(水) 01:17:34

第一世代はHfSiONで決まりっぽい