●スパッタ使い集まれ！●

センスがいいでしょ？

最近注目の薄膜ってなによ？

切削する友人の図・・・
フェードアウトしてゆく・・・

�@干渉縞
　　基板やそれ相応のものの、平面度を簡易的に測定するもので
　　例えば、ガラスでもセラミックでもいいんだが、オプティカル
　　フラットを乗せると、上から見たら縞が出来る。それが干渉縞。
�A最近の流行
　　ＧａＮかな？ＺｎＯでもいいね。
�B水道水
　　うーーん、チラーはいると思う。水道水なら朝晩で温度が変わる
　　んでねぇ。またフィルターは必要だと思う。
�Cポンプ
　　クライオポンプだな
�DＳｉＣ膜
　　体積固有抵抗は１０の何乗？温度上げれば体積固有抵抗値は下がるが・・
�EＣＮ膜
　　工具に使用するの？
�F酸化する
　　Ａｌはすぐ酸化するんでね（錆びる）一回表面をきっちり洗浄して
　　やらないと酸化するんでしょね。アルマイト処理とかやってる？
�G垂直磁気膜
　　おーーいいねえ　小型ＨＤＤはこれでしょ？
�H密着強度
　　もっとも簡単なのは、カッターで傷を入れてセロテープを張って
　　ぱっとめくる方法　これでもちゃんとしたです。クロスなんとか
　　って方法。

　

ＣＮはＧａＮのバッファーになる？

＞基板が何のセラミックか知らないけど、基板と作製膜の
応力を考えてみたら？あとは、作製膜の格子定数に近い
金属をアンダレイヤにするとか。

基板のヤング率と膜のヤング率、温度、外形で
たわみは計算できると思う
基板の材質は何か？

ＣＮは工具で使いたいのだ！！

GaNはバッファいらないよ

あげ

スパッタの長所と短所が知りたいです
教えてくださいませ

長所：シャッターの取り付けが楽しい。
短所：シャッターの掃除が面倒。

>>111
シャッターの取り付けって面白いんですか？
スパッタ以外の成膜方法はシャッター無いんですか？
シャッターを愛してるんですか？

一発で角度があうと最高である。
そして君の心のシャッターを開こう！！(ﾟ∀ﾟ)!!

世界中のシャッターに愛を！！

>>112

シャッター閉じるなよ。。。。
さびしいやんか。。。。

そしてターボリークしないでよ・・・

スパッタでチタン電極つけられますか?

>>117
報告例はくさるほどあるかと思われ。

スパッタリングで半導体レーザの端面ARコーティングをしたいのですが、
ターゲット材料をご存知の方はいませんか？

DCスパッタとRFスパッタならどっちがいいのかな？
カーボン系の薄膜作るとしたらの場合だけど

＞117
普通に可能だろ？酸化するほうがやっかい

融点が高くてうちではできないようだ。
Eガン使えってさ。

>>119-120
もう少し材料を限定しないと答えられないよ。
>>119
レーザに使う半導体の屈折率から、ARコートの光学条件を
満たす屈折率を持つ材料をまず探す。
後は濡れ性の問題などで絞っていく。
>>120
カーボン系は範囲広すぎ。
少なくとも絶縁膜をつけるのならば、DCはありえん。

>>117
融点が高いからスパッタできないって言われたのか？
意味不明だぞ。

蒸着だってチタンならフィラメントから普通にサブリメーションするしな。
まあ真空度が悪いとそのままゲッタポンプになっちまうがｗ

真空が引けねー！

　　 　 ∧＿∧　 ∧＿∧
ﾋﾟｭ.ｰ　（　 ・３・） (　　＾＾ ） ＜これからも僕たちを応援して下さいね（＾＾）。
　　＝〔~∪￣￣￣∪￣￣〕
　　＝ ◎――――――◎ 　　　　　　　　　　　

スパッタ使いの皆さんに質問です。
膜の結晶性や付着強度は、スパッタされる原子/分子が基板に
衝突する際のスピード(運動エネルギーか)が大きいほどに良くなるみたい
ですけど、そうなるのは何ででしょうか？
あと、同じように基板温度も高いほうが良いとされるのは何でですか？？

　

成長中の膜表面での原子の運動が激しくなると、よりエネルギーの低い、
安定な位置に落ちつくから、というのが一番もっともらしい説明でせう。

ただエネルギーが大きいほど良いわけではない。大きすぎるとこんどは
成長が完了した下地にダメージが入ったりするので。温度も高すぎると
熱歪の問題とかいろいろ出てきますな。

そんなことよりフタ開けたまま荒引きしちゃったじゃねーか

光学用途で酸化物をRFスパッタしてるんですが，厚くしてくと
表面が粗くなってしまいます．そこでイオンビーム銃をいれて
基板をたたきながら着けたらどうかなあと考えているのですが
ダメですか・・・

お釜の構成上，イオンビームスパッタにするのは難しいで津

基板に RF バイアスをかけてみるのがよろしいんじゃないでしょーか。

>>135
サンクスです．でも特殊な形をしている基板につけるので
基板は宙に浮いてるんです．基板近くに電極をもってきて
バイアスをかけても効きますか？

やってみないとわからないと言われそうですが．．．

>>136
それは効果がないかと。「基板に RF バイアス」というのは、
基板に入射するイオンのエネルギーを大きくすることが目的ですから。

イオン源で叩くのも効果はあるでせう。圧力が高いと散乱しちゃって
だめでしょうが。例えばガンと基板の距離が 10 cm だとすると、
目安として 0.5 Paより低いくらいでないと効果は少ないと思います。

膜を付けるプロセスが問題なのではなく、突いたブツがあればいい、
ということなら、プラズマ溶射などの方が良いかもしれません。

>>137
たびたびサンクスです．やっぱりバイアスはダメですか．

今は放電ぎりぎりの０．３Paくらいでスパッタしてます．
とりあえずイオン源つかってみます．酸化物をつけるので
酸素をとばすか，アルゴンで叩くか，とりあえずやってみます．

効果なかったらチャンバをいじって，イオンビームでターゲット
をスパッタできるように変更するつもりです．スパッタレートは
かなり落ちそうですが．．．

溶射はやったことありませんが，粗面ができるイメージがあり
ます．そうでもないんでしょうか？欲しいのは厚さ１０ミクロン程度
で数ｎｍ（ＲＭＳ）の表面粗さです．

>>138
10um で rms 数 nm というのはかなりシビアですね (というか
ちゃんとできたらそれだけでも結構インパクト大きそう)。
柱状成長をしちゃうような領域 (Thornton モデルでいうところの
zone 1) では、射影効果が出ちゃってまず無理でしょうから、
目論見の通りエネルギーを与えるか温度を上げるか、ということに
なるのでしょうけど…

溶射はドロップレットが乗るとザラザラになってしまいますが、
うまいこと荷電粒子だけを曲げて基板にあたるようにすると、
かなり付着原子あたりのエネルギーを大きくできるのだそうです。
某学会の展示会でのメーカーのひとのコメントの受け売りですが。

>>139
どうもです．とても参考になります．

「数nm」は言いすぎかな．とりあえず10nmをきる位が欲しいです．
今は30nm以上です．結局のところは基板が平面でないという
ところがネックです．「Thornton モデル」は良く知らないのですが
実は理論的に言ってもムリなのかもしれません．まあとりあえずは
別の逃げ道も考えながら，できるところまでやってみます．
イオン銃手配しました．年明けには入りそうです．

溶射の方も了解です．ドロップレットを着けるのが溶射かと思っていた
私が無知でした．進歩していたのですね．

スパッタでつけたAlが剥がれるのだが防止策はないか？

基板が汚いんじゃないのか。有機物なんかが付着してると
はがれやすいよ。ちゃんと前洗して製膜してる？

ITOの上につけたいのだがITOの基板をアセトンに浸して超音波洗浄器5分
⇒イソプロピルアルコールに浸して超音波5分⇒表面N2ガスで飛ばして　ホットプレート120℃　2分
すべてＣＲ内で行っているです

そんだけやってるなら、汚れのせいじゃなさそうだね。
一応聞くけど、逆スパッタもやってるよね？
密着力の高いクロムとかで積層できない？
ＥＬとかに使うんなら仕事関数変わるからダメだけど。

逆スパッタの機構がないんです。
うちのヘリコン・・・
Crのバッファ層かぁ
今のところELではなく太陽電池ダイオードなので考えて見ます。
助言Thanks

次は有機膜の上に何をつけようか・・・

成膜時の基板温度ってどのくらいですか？
ちなみにうちのRFでは200℃くらいでやっているんですが、
これってどーよ！？

スパッタ薄膜の抵抗温度係数ってなんで負になることが多いんですか？

FTOにつけたらええやん

Mighty MAK 1.3"というスパッタソースでZnS:Mn飛ばしてるんですが、
同じ装置または、スパッタソース型のRFマグネトロンスパッタ装置で
ZnS:Mn飛ばしてる人いませんか？色々情報交換したいです。

…といってもこのスレあまり人がいなさそうですね(汗)

NiO/FeNiの薄膜ｽﾊﾟｯﾀしてたお

水流すの忘れて一回壊したことある。

おぉ！材料は違うけど装置は同じなんですね？！

参考程度に、スパッタ電力・距離・基板温度はどんなもんだったか
覚えてらっしゃいますか？自分は、電力は50W前後、距離は10cm前後、
基板温度は(ZnS:Mnなので)200〜300℃で試行錯誤してるのですが、
どうも良い膜が作れなくて。

冷却水はそんなに大事なんですねw　気をつけます。

>141

膜厚が厚すぎるんじゃねーの！

age

スパッタ初心者が目を通したらいい論文とか書籍があれば教えてほしいです。
俺卒業できないかも・・・

論文ならJDreamにアクセスしたらいいんじゃない？
書籍は『薄膜技術の新潮流』とかそこいらが簡単でお勧め。

IBSの修理を続けて半年経つ。
ガイシとか研磨しても何の効果もなく
フィラメント電圧が6Vを切ったあたりで電極の過電流が治まらなくなる。
修理の業者はこねーし。卒論むりage

○。・。○。・。○。・。○。・。○。・。○。・。○。・。○。・。○
このレスをみたあなたは・・・３日から７日に
ラッキーなことが起きるでしょう。片思いの人と両思いになったり
成績や順位が上ったりetc...でもこのレスをコピペして別々のスレに
５個貼り付けてください。貼り付けなかったら今あなたが１番起きて
ほしくないことが起きてしまうでしょう。
コピペするかしないかはあなた次第...
○。・。○。・。○。・。○。・。○。・。○。・。○。・。○。・。○

アクリルに金スパッタできるか？

>>158
すぐはがれそうだな

hddffdfhdfh





cxxcxcbxbbc




tr
jrjtrtrjtrj






hsdhshsshd




vcnnvccvncvn




sdgdsggsddgs

ダイヤモンドライクカーボン通称DLCの研究をしております。
スパッタで生成しようと思うのですが、報告例が少ないです。

低温でCターゲット、Arガス、RF電源使用。他にどのような条件が必要であるのでしょうか。
また、中間層を入れないと評価できないのでしょうか。成膜後、基板からすぐに剥がれるため評価不可能なのですが・・・

>>161
＞低温でCターゲット、Arガス、RF電源使用。他にどのような条件が必要であるのでしょうか。
水素は入れられる？反応性スパッタやCVDでの成膜ではよく使う手なのだが
Ａｒのみだと低温で劇的に膜質を変えるのは困難。

＞成膜後、基板からすぐに剥がれるため評価不可能なのですが・・・
どんな基板を使ってる？洗浄方法は？スパッタ装置の構造は？
中間層うんぬんの前にまずこれらを明らかにしなければ何ともし難い。
あと、一般的に低温成膜だと応力が強くなるので
密着強度低い基板・膜だと剥がれやすい。

>>162
ご回答ありがとうございます。
Ａｒ＋H2混合ガスがやはりおもしろいのでしょうか。
基板加熱するとやはり密着力が増し、評価可能になりました。
しかし、硬度が低いです。
D−peak、G-peakの強度によって、硬度はやはり違うのでしょうか。
単純にD-peakが強いDLCじゃダメなのかな。

スパッタでH２を導入した場合の懸念点を教えてください。
基板加熱なんかしたら、爆発します？

おまいらどこのスパッタつかってるの？

大阪真空

>>164
なんでやねん・・・
Arとか希ガスで割って使う場合は問題ない
大体 5〜15％くらいにして使うよ

CターゲットとMgターゲットでArスパッタした場合の危険性ってありますか？

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＞＞164

H2とか爆発しそうじゃないですか？
大気にしたときに・・・

>>170
アホか。おまいはH2でチャンバーをリークするのか？

ターゲットを貼り付けるのに、Inでくっつけるけど、
スパッタ中に熱くなってすぐにはがれて、ターゲットが落ちる。
どうすればよいだろう……

>>172
つ業者に頼む

http://live23.2ch.net/test/read.cgi/liventv/1254248291/1-100

Arガス+AlNターゲットでスパってるんだが、絶縁膜ができない。
膜中にAlが混ざってる気がする。
何か原因対策はないだろうか？

新発明や特許やアイディアなど知的財産を持ってる方々を募集~

弊社は新発明や特許やアイディアなど知的財産の譲渡、販売、取引などを努めさせておる会社でございます。
知的財産を持ってる方々のために、良い取引先を探すことは仕事内容でございます。
新発明や特許やアイディアなどを利益にしたい方々のご連絡を、心から持っております。
連絡先は以下通りでございます：[email protected]

RFマグネトロン反応性スパッタリングを用いて、Nbの酸化物薄膜を作っています。
基盤加熱600度で作っているのですが、大体何度位まで冷えるのをまてば、薄膜
は酸化せずにすむのでしょうか？教えてください。ちなみに温度を測っている場所
は、基盤ではなくチャンバーの中です。

＞＞１７５
使っているスパッタ法にもよるが、窒素がきちんとはいってないんだろ。

＞＞１７７
Ｎｂ酸化物薄膜を作っているのに、酸化せずにすむ？？
意味がわからん。
基板でなくて、チャンバー？　真空中だと熱伝導悪いんだけど、
こっちも意味わからん。

>>175
うちの近所ではN2ガスも混ぜてる

> 膜中にAlが混ざってる気がする。

分析してます？

ターゲットとマグネトロン磁石の間にある銅板って何のためにあるの??

>>180
いらないから外してもいいぞ

>>180
いらないから外してもいいぞ

>>178
>>179
やっぱN2いるのね。
分析したらNが足りてなさそう。

水のシールと、放熱を兼ねてる。
バッキングプレートのことだろ。

>>180

装置ばらして確認しる！
バッキングプレートの下に、磁石が入ってる。
すっげー汚いぞｗ

RFスパッタでAlを付けているのですが、1時間で5Å程しかつきません。
ガスはAr、ガス圧は0.05Torrです。何が原因でしょうか？

ターゲットのサイズとかマグネトロンかどうかとか入れてる電力とか
S/W 比はちゃんと 1 かとか…がわからんとなんとも言えない。
他の物質なら、その装置でちゃんと成膜できてるの？

装置はちゃんとしたやつ？まさかブロッキングコンデンサが無い、
なんてことはないよね？