【半導体】ソニー、「積層型」のCMOSイメージセンサーを開発[12/01/23]
1 :やるっきゃ騎士φ ★:2012/01/23(月) 14:57:35.44 ID:???
[東京 23日 ロイター] ソニーは23日、デジタルカメラや
スマートフォン(多機能携帯電話)のカメラに搭載する半導体製品の
CMOSセンサーについて、カメラの高画質化や小型化につながる
次世代型の新製品を開発したと発表した。
従来の「裏面照射型CMOSイメージセンサー」の進化形として
「積層型CMOSイメージセンサー」を開発。
信号処理回路を積層構造にする技術に成功したことで、回路の大規模化、
チップサイズの小型化、高画質化、低消費電力化を実現した。
積層型CMOSイメージセンサーの技術は、裏面照射型の製造工程で、
支持基板の代わりに信号処理回路が形成されたチップで画素部分を
重ね合わせる。
これにより、同じチップサイズでも大規模な回路の搭載が可能になる。
さらに、画素部分と回路部分を独立したチップとして形成するため、
それぞれの機能に特化した製造プロセスを採用でき、
高画質化と小型化を両立できる。
また、回路が形成されたチップに先端プロセスを採用することで、
信号処理の高速化や低消費電力化にもつながるという。
ソースは
http://jp.reuters.com/article/topNews/idJPTYE81K03M20120123