【代ゼミクビ】東進・吉野敬介12【夜間部卒】

私文底辺持てない根暗どもへ私からの細やかな半導体講義だ。

【多結晶シリコンを電極に用いたバイポーラトランジスタの製造プロセス】
バイポーラトランジスタを高速化するため、素子サイズを小さくして規制の抵抗や容量を小さくする新しいポロ脊巣が数多く開発されている。
Poly-Siをベースにエミッタの電極に自己整合バイポーラプロセスについて説明すると
選択酸化法によってアイソレーションを形成し、コレクタ引き出しｎ+層及び真正ベースを形成する。
次に、SiO2幕をCVD法により堆積してホトリソグラフィによりエミッタ用のSiO2パターンを形成する。


続きはまた暇な時にレクチャしよう。