【最速SSD】ioxtreme【先行予約開始】
1 ：Socket774：
2009年第１四半期（４〜６月）に市場投入開始と言われていたioxtremeが遂に先行予約を開始しました。
価格は宣言どおり1000ドルを切った895ドルとなっています。（日本円換算 86,400円）
ttp://www.fusionio.com/ioxtreme/
価格は宣言どおり1000ドルを切った895ドルとなっています。（日本円換算 86,400円）
ttp://www.fusionio.com/ioxtreme/
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スペックです
http://www.fusionio.com/ioxtreme/specs.php
Specifications
Capacity: 80 GB
NAND Type: Multi-Level Cell (MLC)
Average Bandwidth:
HD Tach 3.0.4.0 520 MB/s
Burst Bandwidth:
HD Tach 3.0.4.0 617 MB/s
Latency: < 100 μs
Mean Time Between Failure: 2,000,000 hours
Write Endurance: 6 Years
Form Factor: PCI Express (x4)
Power: PCI Express Power Spec 1.1
システム環境
System Requirements
Operating Systems: Windows XP 64-bit
Windows Vista 64-bit
Linux 64-bit
Minimum Hardware: x86 processor
2 GB RAM
x4 PCI-Express slot
http://www.fusionio.com/ioxtreme/specs.php
Specifications
Capacity: 80 GB
NAND Type: Multi-Level Cell (MLC)
Average Bandwidth:
HD Tach 3.0.4.0 520 MB/s
Burst Bandwidth:
HD Tach 3.0.4.0 617 MB/s
Latency: < 100 μs
Mean Time Between Failure: 2,000,000 hours
Write Endurance: 6 Years
Form Factor: PCI Express (x4)
Power: PCI Express Power Spec 1.1
システム環境
System Requirements
Operating Systems: Windows XP 64-bit
Windows Vista 64-bit
Linux 64-bit
Minimum Hardware: x86 processor
2 GB RAM
x4 PCI-Express slot
スペック
容量：80ＧＢ
SSDタイプ:MLC
平均読み込み速度：520 MB/s
最大読み込み速度：617 MB/s
レイテンシ：< 100 μs
平均故障時間：2,000,000 時間 (!?)
書き込み寿命：6年
デバイス：PCI Express (x4)
電力供給元: PCI Express Power Spec 1.1
システム環境
Windows XP 64-bit
Windows Vista 64-bit
Linux 64-bit
推奨最低スペック
CPU:x86 processor
メモリ:2 GB RAM
スロット：x4 PCI-Express slot
容量：80ＧＢ
SSDタイプ:MLC
平均読み込み速度：520 MB/s
最大読み込み速度：617 MB/s
レイテンシ：< 100 μs
平均故障時間：2,000,000 時間 (!?)
書き込み寿命：6年
デバイス：PCI Express (x4)
電力供給元: PCI Express Power Spec 1.1
システム環境
Windows XP 64-bit
Windows Vista 64-bit
Linux 64-bit
推奨最低スペック
CPU:x86 processor
メモリ:2 GB RAM
スロット：x4 PCI-Express slot
見北に
ｲﾝﾃﾙの2機でRAID0したほうがよくね？(´･ω･｀)
なんでこんなに要求スペックが高いんだ？
> ｲﾝﾃﾙの2機でRAID0したほうがよくね？(´･ω･｀)
だな。台数増やして６〜８でやれば超高速で快適なんじゃね？
> SATAポート等を潰さないで済むというところにメリットがあるんじゃない？
PCIなんてGPU・サウンド・RAIDカードで潰れるだろJK
だな。台数増やして６〜８でやれば超高速で快適なんじゃね？
> SATAポート等を潰さないで済むというところにメリットがあるんじゃない？
PCIなんてGPU・サウンド・RAIDカードで潰れるだろJK
> システム環境
> Windows XP 64-bit
> Windows Vista 64-bit
> Linux 64-bit
64-bitOSしかサポートされてないなんて・・・OTL
32-bitもサポートしてくれよ。
> Windows XP 64-bit
> Windows Vista 64-bit
> Linux 64-bit
64-bitOSしかサポートされてないなんて・・・OTL
32-bitもサポートしてくれよ。
英語読めないけど推奨スペック程度に見えた。
もしかしたら動くかも？
もしかしたら動くかも？
この書き方だとスペックのほうは推奨だけど、対応OSは64bitのみだろ
ゲーム用マシンで使ってみたかったんだけど32bitダメか・・・
ゲーム用マシンで使ってみたかったんだけど32bitダメか・・・
ランダム４ｋのベンチマークくださいってメールしておこうかな
マザーのスロットが空いてないとか残念すぎるぜ
>>13
さっＶＧＡを外す作業にとりかかろうか
さっＶＧＡを外す作業にとりかかろうか
本当にＯＳブートできないなら使う用途はなんだろ。
ゲームデータとかアプリケーションかな。
ゲームデータとかアプリケーションかな。
何を言ってるんだ
ベンチマークに決まってるだろ
ベンチマークに決まってるだろ
Snow Leopardに完全対応したら「XX」となり、往年のappleユーザーが「Wozの帰還」
とか言ってバカスカ買ってくれるかも。
とか言ってバカスカ買ってくれるかも。
いきなり過疎ってるお
実物がまだである以上どうしようもないからな…
64bit対応っていうだけでOSブートできないの？
ならスパタレのRAIDDRIVEのほうが良さそう
ならスパタレのRAIDDRIVEのほうが良さそう
ioxtreme 用途は何？
320GBが200万円ってこれ誰が買うの？
こんなのに投資しちゃって、スティーブウォズニアックは本当に商売の才能無いね。
一方、スティーブジョブズはあんなに凄いのに。
一方、スティーブジョブズはあんなに凄いのに。
>>24
庶民を無視した価格帯といい投資の大胆さといい、ウォズは全く変わっていないね。
彼がいたからアップルらしさが出来た。
25年前のアップルはモニタ・フロッピー・プリンタ・スキャナとフルセット揃えれば車一台買えたからな。
庶民を無視した価格帯といい投資の大胆さといい、ウォズは全く変わっていないね。
彼がいたからアップルらしさが出来た。
25年前のアップルはモニタ・フロッピー・プリンタ・スキャナとフルセット揃えれば車一台買えたからな。
ioDrive(Duo)は端っから庶民相手の製品じゃないだろ
これすごいの？
28 ： ◆lnWmmDoCR. ：2009/08/06(木) 21:56:16 ID:uljf6yOr
tes
業務用なんだろ。多分
30 ：Socket774：2009/08/18(火) 11:21:10 ID:MzU4c5Zd
age
80GBで895ドルね。
買えない価格でもない。
買えない価格でもない。
起動ディスクにできない80GBに何の意味があるのかと…
ああ、いや、意味がある人達がいるのは分かってるのだけどね。
一般人向けじゃないってことだよね、ホントに。
ああ、いや、意味がある人達がいるのは分かってるのだけどね。
一般人向けじゃないってことだよね、ホントに。
起動ディスクにできないの？なら意味ないやん。
895ドル？
その情報はどこから来た？
ノートのSSDも更新しなきゃいかんのに、また予算が…
その情報はどこから来た？
ノートのSSDも更新しなきゃいかんのに、また予算が…
>>34
公式サイトの右上を見るんだ
公式サイトの右上を見るんだ
80Gか・・・中途半端だよな。
>>35
おｋ 把握したthx
おｋ 把握したthx
日本で買えるの？
まだかお
40 ：Socket774：2009/09/20(日) 00:17:19 ID:EFcEg97k
RAMで80GB組んだ方が良さそうだな。
34.1 Investigation of Ballistic Current in Scaled Floating-Gate NAND FLASH and a Solution,
S. Raghunathan, T. Krishnamohan, K. Parat*, K. Saraswat, Stanford University, *Intel Corp.
For the first time, we investigate the ballistic transport that occurs across ultra-thin
(fabricated upto 7nm) poly-Si FGs in scaled NAND FLASH and experimentally determine
mean-free-path. We also demonstrate a solution using ultra-thin metal FG(fabricated upto 3nm)
and show 1000X lesser ballistic current than poly-Si of same thickness.
34.2 The New Program/Erase Cycling Degradation Mechanism of NAND Flash
Memory Devices, A. Fayrushin, K.S.Seol, J.H. Na, S.H. Hur, J.D. Choi, K. Kim, Samsung Electronics
Program/erase degradation model based on non-uniformly distributed trapped charge in
tunnel oxide is suggested to explain midgap voltage and subthreshold slope change observed
during program/erase cycling of current Flash memory. The model is supported by device structure analysis, experimental and simulation work
34.4 Reliability Improvement in Planar MONOS Cell for 20nm-node Multi-Level NAND
Flash Memory and Beyond, W. Sakamoto, T. Yaegashi, T. Okamura, T. Toba, K. Komiya, K. Sakuma,
Y. Matsunaga, Y. Ishibashi, H. Nagashima, M. Sugi, N. Kawada, M. Umemura, M. Kondo, T. Izumida, N. Aoki, T. Watanabe, Toshiba Corporation
20nm-node planar MONOS cell which has improved reliability is developed. Extremely wide program/erase
Vth window and good retention characteristics after cycling stress are obtained by buried charge
cell structure. The buried charge planar MONOS cell is suitable for Flash memory with 20nm-node and beyond.
S. Raghunathan, T. Krishnamohan, K. Parat*, K. Saraswat, Stanford University, *Intel Corp.
For the first time, we investigate the ballistic transport that occurs across ultra-thin
(fabricated upto 7nm) poly-Si FGs in scaled NAND FLASH and experimentally determine
mean-free-path. We also demonstrate a solution using ultra-thin metal FG(fabricated upto 3nm)
and show 1000X lesser ballistic current than poly-Si of same thickness.
34.2 The New Program/Erase Cycling Degradation Mechanism of NAND Flash
Memory Devices, A. Fayrushin, K.S.Seol, J.H. Na, S.H. Hur, J.D. Choi, K. Kim, Samsung Electronics
Program/erase degradation model based on non-uniformly distributed trapped charge in
tunnel oxide is suggested to explain midgap voltage and subthreshold slope change observed
during program/erase cycling of current Flash memory. The model is supported by device structure analysis, experimental and simulation work
34.4 Reliability Improvement in Planar MONOS Cell for 20nm-node Multi-Level NAND
Flash Memory and Beyond, W. Sakamoto, T. Yaegashi, T. Okamura, T. Toba, K. Komiya, K. Sakuma,
Y. Matsunaga, Y. Ishibashi, H. Nagashima, M. Sugi, N. Kawada, M. Umemura, M. Kondo, T. Izumida, N. Aoki, T. Watanabe, Toshiba Corporation
20nm-node planar MONOS cell which has improved reliability is developed. Extremely wide program/erase
Vth window and good retention characteristics after cycling stress are obtained by buried charge
cell structure. The buried charge planar MONOS cell is suitable for Flash memory with 20nm-node and beyond.
42 ：Socket774：2009/10/05(月) 01:00:12 ID:VAWH4qyJ
ttp://digg.com/tech_news/ioXtreme_on_tuesday
>ioXtreme on tuesday!!!!
> fusionio.com ― Tuesday Tuesday Tuesday!!
> the new drive will be shipping on tuesday oct.6 2009 at amazon and newegg at 895$.
> Storage will never be the same again!!
明後日発売らしいけどマジかな？
>ioXtreme on tuesday!!!!
> fusionio.com ― Tuesday Tuesday Tuesday!!
> the new drive will be shipping on tuesday oct.6 2009 at amazon and newegg at 895$.
> Storage will never be the same again!!
明後日発売らしいけどマジかな？
win7対応で起動ドライブとして使えるなら買いたいんだけどな・・・
44 ：Socket774：2009/10/05(月) 07:13:58 ID:1frdIMg6
ttp://venturebeat.com/2009/10/13/fusion-io-gets-its-power-saving-memory-cards-into-myspace-data-centers/
>In the next month, Fusion-io will ship an $895 consumer product, ioXtreme, for high-end consumer desktops.
来月発売とな？
>In the next month, Fusion-io will ship an $895 consumer product, ioXtreme, for high-end consumer desktops.
来月発売とな？
糞アフィブログ死ねよ
47 ：Socket774：2009/10/26(月) 14:10:30 ID:5t8wRP0e
あげＡＣ
48 ：Socket774：2009/10/26(月) 14:15:14 ID:nrpt5uW3
これは高すぎる(笑)