もう一つわ、ZRAMのライセンス元Innovative Siliconの首脳陣(CEO, マーケティング担当副社長、セールス
担当副社長)のインタビューす。
http://www.digitimes.com/bits_chips/a20060328PR202.html この記事わ4回シリーズの初回す。
概要としてわ、
・ZRAMのセル自体わSRAMより遅い
・面積が1/5になるメリットわ、配線長の短縮という形で高速化に効く
・200MbitともなるとSRAMより高速化できる。
・GHzクラスのプロセッサのL1キャッシュにわ無理だが、数百MHzの組込向けプロセッサへの応用わ期待する。
・確かにSOIウェハわ高価だが、容量あたりのダイ面積が小さい点でバルクSiのSRAMにコストで勝つ
等々、なかなか意欲的す。